一种基于可调节微磁场的细胞阵列芯片
专利汇可以提供一种基于可调节微磁场的细胞阵列芯片专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了属于 生物 医学工程技术领域的一种基于可调节微 磁场 的细胞阵列芯片。此芯片由基底层、接 地层 、第一绝缘层、微线圈阵列层、第二绝缘层、 铁 磁体层、第三绝缘层依次层叠而成，第一绝缘层、第二绝缘层、铁磁体层和第三绝缘层上分别 刻蚀 有导电窗口；微线圈阵列层由微线圈阵列和正极焊盘构成，铁磁体层对应微线圈阵列层的微线圈有通孔阵列；本发明的芯片利用图形化微线圈阵列形成梯度磁场，形成一些列无形的 磁性 颗粒牢笼，将磁性颗粒向中心吸引，磁性颗粒一旦进入磁场内部，若没有足够的 力 就无法使其脱离该磁场的束缚，提高了细胞图形化的效率，缩短细胞图形化的周期，同时使单细胞图形化操作步骤得到简化。，下面是一种基于可调节微磁场的细胞阵列芯片专利的具体信息内容。
1.一种基于可调节微磁场的细胞阵列芯片，其特征在于：由基底层、接地层、第一绝缘层、微线圈阵列层、第二绝缘层、铁磁体层、第三绝缘层依次层叠而成，所述第一绝缘层、第二绝缘层、铁磁体层和第三绝缘层上分别刻蚀有导电窗口；所述微线圈阵列层由微线圈阵列和正极焊盘构成，其中微线圈阵列共用一个正电极，并通过第一绝缘层的导电窗口连接到接地层；所述铁磁体层对应微线圈阵列层的微线圈有通孔阵列。
2.根据权利要求1所述的基于可调节微磁场的细胞阵列芯片，其特征在于：所述导电窗口的边长为15-25μm。
3.根据权利要求1所述的基于可调节微磁场的细胞阵列芯片，其特征在于：所述基底层为载玻片。
4.根据权利要求1所述的基于可调节微磁场的细胞阵列芯片，其特征在于：所述接地层为Ti、Cu中的一种或两种，其厚度为280-320nm。
5.根据权利要求1所述的基于可调节微磁场的细胞阵列芯片，其特征在于：所述微线圈阵列层的正极焊盘能通过第二绝缘层到第三绝缘层的导电窗连接到外部电源正极。
6.根据权利要求1所述的基于可调节微磁场的细胞阵列芯片，其特征在于：所述微线圈阵列层的材料为Ti、Cu中的一种或两种，线圈线宽为10μm-15μm，扎数为5或6，单个微线圈整体直径为280-320μm，线圈厚度为400nm-600nm。
7.根据权利要求1所述的基于可调节微磁场的细胞阵列芯片，其特征在于：所述第一、二绝缘层的材料为Si或SiO2，厚度均为180-220nm。
8.根据权利要求1所述的基于可调节微磁场的细胞阵列芯片，其特征在于：所述磁体层的材料为Ti、Fe中的一种或两种，其厚度为500-600nm。
9.根据权利要求1所述的基于可调节微磁场的细胞阵列芯片，其特征在于：铁磁体层的通孔阵列的通孔直径为1μm-15μm。
10.根据权利要求1所述的基于可调节微磁场的细胞阵列芯片，其特征在于：所述第三层绝缘层为SiO2。
一种基于可调节微磁场的细胞阵列芯片
技术领域
背景技术
这些方法对细胞的危害较小，且方便进行疾病诊断、药物筛选以及细胞动态分析等操作，但只实现了细胞定位，没有实现单细胞图形化。
发明内容
具体实施方式
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