用于具有陡沿的输入信号的在一侧关断电流的输入放大器
专利汇可以提供用于具有陡沿的输入信号的在一侧关断电流的输入放大器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一用于具有陡沿的输入 信号 的在一侧关断 电流 的输入 放大器 ，其具有一MOS晶体管(7)，它的源极或漏极接到与输出级相连的 节点 (QN)。位于输入放大器(1)的两个P 沟道 MOS晶体管(6、7)之间的N沟道MOS晶体管(21)通过这种类型的 输入信号 阻止了P沟道MOS晶体管(7)的关断，以使一旦施加了输入信号，节点(QN)的 电压 就升高到工作电压(VCC)。，下面是用于具有陡沿的输入信号的在一侧关断电流的输入放大器专利的具体信息内容。
1.用于具有陡沿的输入信号的输入放大器，
-具有一个差分放大器(1)，该差分放大器具有一个接收输入信 号(XIN)的第一晶体管(3)和构成电流镜像电路的第二和第三晶体 管(6，7)，其中在第一和第三(3，7)晶体管之间的节点与输入放 大器的输出端(20)相连接，
-其中在电流镜像电路的两个晶体管(6，7)的栅极之间具有一个 含有另外的晶体管(21)的装置，这个装置能够阻止晶体管(7)的 完全关断，以使一旦施加具有陡沿的输入信号，在第一和第三晶体管 (3，7)之间的节点能够升高到工作电压。
2.如权利要求1的输入放大器，
其特征在于，第三晶体管(7)是第一导电类型的一个MOS晶体管， 并且另外的晶体管(21)是具有比第三晶体管(7)的工作电压高的 第二导电类型的MOS晶体管。
3.如权利要求2的输入放大器，
其特征在于，另外的晶体管(21)通过其源极-漏极段连接到电流 镜像电路的两个晶体管(6，7)的栅极之间，并且通过其栅极连接到 电流镜像电路的两个晶体管(6，7)的源极-漏极段之间的节点或者 通过工作电压(VCC)加载。
本发明涉及一用于具有陡沿的输入信号的在一侧关断电流的输入 放大器，其具有至少一个晶体管，该晶体管含有一个与输出端相连的电 极。
CMOS输入放大器已经公知很久并且其可以用于多种电路。开头所 述类型的输入放大器例如描述在P.E.Allen和D.R.Holberg所著的专业n 书藉“CMOS模拟电路设计”的381页。
图3所示的这种公知输入放大器由差分放大器1、P沟道MOS晶 体管9和N沟道MOS晶体管10所组成。晶体管9、10的栅极和差分 放大器1的输入端IN与输入端子5相连，在该端子上存在输入信号 XIN，而晶体管9的源极-漏极段与用于提供工作电压VCC的端子8 相连。另外，该差分放大器1通过基准电压XREF加载并且与用于提供 输出信号OUT的输出端子20相连。
这种已知的输入放大器可能应用在例如LVTTL电路(LVTTL＝ 低电压-晶体管-晶体管-逻辑)和SSTL逻辑电路(SSTL＝抽头- 串联-终接-逻辑)中。在LVTTL逻辑电路中出现的电压上升和下降 是从大约0.8v到2.0v，而SSTL逻辑电路的相应的上升和下降沿与参 考值相比大约为400mV。
在两个逻辑电路，即LVTTL逻辑电路和SSTL逻辑电路中，电压 降的边沿非常陡，所以存在相应的快的输入边沿。现在在芯片上含有数 量足够的输入放大器，所以在节省电流的工作模式中只有被控制的电路 应该具有实际意义上的激活。
但现在示出了，在输入信号的陡沿的情况下，并没有保证输入放大 器的相应关断。
为了解决这个问题，现在考虑使用电流镜象电路或不对称输入放大 器。电流镜象电路需要相当高的电流，而不对称输入放大器在其电路特 征的对称方面存在缺点。
上述发明的任务是提供一个具有在一侧关断电流的输入放大器，其 也能够保证在快速的输入边沿的情况下允许的导通。
为了解决这个任务，上述发明提供了开关所述类型的输入放大器， 其特征在于，通过一个阻止晶体管完全关断的装置，一旦施加了具有陡 沿的输入信号，就可以把电极电压提高到工作电压。
以有利的方式，该晶体管是第一种导通类型的第一MOS晶体管。 然后应用与第一相对的第二导通类型的另一MOS晶体管，它的工作电 压要比第一MOS晶体管高。该另一MOS晶体管通过源极-漏极段位 于输入放大器的电流镜向晶体管的栅极之间，并且在其栅极与此晶体管 的源极或漏极相连并且通过工作电压加载。
下面借助附图详细说明本发明。图为：
图1：按照本发明的输入放大器的电路图；
图2：图1中的输入放大器的详细电路图；
图3：传统类型的输入放大器的电路图。
图3已在开头进行解释。在图1和2中相应的器件具有与图3中相 同的参考符号。
差分放大器1是由一个在其栅极通过基准电压XREF加载的N沟道 MOS晶体管2和一个相应于节点4对称设置的N沟道MOS晶体管3。 在一个与晶体管3的栅极相连的输入端子5上施加输入信号XIN。晶体 管2、3的源极或漏极与电流镜象P沟道MOS晶体管相连，它的衬底 通过工作电压VCC加载，该电压通过端子8接入。此工作电压VCC也 存在于栅极有输入信号XIN接入的P沟道MOS晶体管9上。N沟道 MOS晶体管10的源极或漏极与节点4相连并且在其栅极存在从输入端 子接入的输入信号XIN。晶体管6的栅极与晶体管2和6之间的节点Q 相连。另外，晶体管3和7之间的节点QN与输出端子20相连以提供 一输出信号OUT。
晶体管9、10可用于在高电压上升时关断差分放大器1中流过的 横向电流。
晶体管3、7与晶体管2、6对称。由晶体管6和7所产生的电流 镜向也可以由N沟道MOS晶体管实现。相似的，输入晶体管2、3也 能够是P沟道MOS晶体管。
在输入端子5处的例如一输入信号在LVTTL逻辑电路中陡然地从 大约高于2.0V降低到低于0.8V。
所述类型的“高-低-电压边沿”在一个电路中，如上面所描述的， 可以关断晶体管10，以此节点Q的电压通过晶体管6向上升。由此可 以再一次关断晶体管7，该晶体管也应该使节点QN的电压向上升。换 句话说，现在所描述的输入放大器在具有陡沿的输入信号的情况下并不 能正常地工作。
为了在这种具有陡沿的输入信号的情况下也保证这样的正常工 作，本发明的输入放大器另外还具有一装置X(见图1)，该装置阻止 了晶体管7的完全关断并且例如由一个N沟道MOS晶体管21组成(见 图2)，该晶体管21通过它的源极-漏极段位于晶体管6、7的栅极 之间或者节点Q和晶体管7的栅极之间，并且通过栅极连接到晶体管 6、7和晶体管9的源极-漏极段之间的节点，或者通过工作电压VCC 加载。
在输入信号具有陡峭的高-低-边沿的情况下，在如此构成的本发 明输入放大器中，节点Q通过晶体管21接收晶体管6的VCC工作电 压。因为晶体管21的工作电压高于晶体管6的工作电压，这可以通过 “体效应”达到，以此阻止了晶体管7的关闭，所以节点QN的电压上 升。
以此方式，本发明的输入放大器能够导通具有很快的边沿的信号， 以致能够实现允许的关断。要求附加到输入放大器上的电路的费用是极 小的，因为只需要另外一个晶体管21。
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