一种DFB激光器的外延结构
专利汇可以提供一种DFB激光器的外延结构专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型公开一种DFB 激光器 的 外延 结构，包括InP衬底，在InP衬底上 自下而上 依次设置有 缓冲层 、下限制层、下 波导 层、有源层、上波导层、上限制层、第二缓冲层、 腐蚀 阻挡层、包层和光栅层；在光栅层上面设置有二次外延层，所述二次外延层自下而上包括光栅包层、势垒渐变层和欧姆 接触 层，所述光栅包层包括光栅 覆盖 层 和过渡层，所述光栅覆盖层厚度比光栅层厚度大1.5nm‑8nm。进一步，所述 欧姆接触 层的上端面为单脊波导结构；优选所述光栅层的 波长 为1100nm。本实用新型能防止光栅层被 刻蚀 ，提升DFB激光器外延结构品质，降低DFB激光器的应用成本。，下面是一种DFB激光器的外延结构专利的具体信息内容。
1.一种DFB激光器的外延结构，包括InP衬底，在InP衬底上自下而上依次设置有缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层、第二缓冲层、腐蚀阻挡层、包层和光栅层；在光栅层上面设置有二次外延层，其特征在于：所述二次外延层自下而上包括光栅包层、势垒渐变层和欧姆接触层，所述光栅包层自下而上包括光栅覆盖层和过渡层，所述光栅覆盖层厚度比光栅层厚度大1.5nm-8nm。
2.根据权利要求1所述的一种DFB激光器的外延结构，其特征在于：所述光栅层的厚度为40 nm -50 nm，所述光栅覆盖层厚度比光栅层厚度大2nm-4nm。
3.根据权利要求1所述的一种DFB激光器的外延结构，其特征在于：所述光栅覆盖层的平均生长速度为0.002 nm/s-0.003 nm/s，所述光栅覆盖层的生长温度为530-570°C；所述过渡层的平均生长速度为0.15 nm/s-0.55 nm/s，所述过渡层的生长温度为650-690°C。
4.根据权利要求1所述的一种DFB激光器的外延结构，其特征在于：所述过渡层的厚度是所述光栅覆盖层厚度的10倍-20倍。
5.根据权利要求1所述的一种DFB激光器的外延结构，其特征在于：所述光栅层的厚度为43 nm；光栅层中光栅周期为210 nm；所述光栅覆盖层的厚度为47 nm。
6.根据权利要求1所述的一种DFB激光器的外延结构，其特征在于：所述势垒渐变层自下而上包括波长为1300nm的第一势垒渐变层和波长为1500nm的第二势垒渐变层。
7.根据权利要求1所述的一种DFB激光器的外延结构，其特征在于：所述欧姆接触层的上端面为单脊波导结构。
8.根据权利要求1至7任一项所述的一种DFB激光器的外延结构及其制备方法，其特征在于：所述光栅层的波长为1100nm。
一种DFB激光器的外延结构
技术领域
背景技术
具体实施方式
690°C，所述过渡层122的生长温度进一步优选为670°C。
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