专利汇可以提供图像传感器及其制造方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种图像 传感器 及其制造方法,该图像传感器包括:下部结构,具有至少一个光电 二极管 和互连件;该下部结构上的 钝化 层;该 钝化层 上的滤色镜阵列;以及微透镜阵列,包括位于该滤色镜阵列上的 氧 化物层。本 发明 能够防止因绝缘层与焊盘或 覆盖 层 之间的应 力 差而导致绝缘层从焊盘剥离的现象,并可防止 聚合物 颗粒粘附到微透镜阵列。因此,不仅能减小或防止图像传感器的灵敏度减小而且能增加产量。,下面是图像传感器及其制造方法专利的具体信息内容。
1.一种图像传感器,包括:
下部结构,具有至少一个光电二极管和互连件;
钝化层,位于所述下部结构上;
滤色镜阵列,位于所述钝化层上;以及
微透镜阵列,包括所述滤色镜阵列上的第一氧化物层,其中所述微透镜 阵列实质上由低温氧化物层构成。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述钝化层包括第二氧化 物层。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,进一步包括:热固性树脂层, 位于所述钝化层与所述滤色镜阵列之间。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述微透镜阵列在相邻的 微透镜之间具有零空隙。
5.一种图像传感器的制造方法,所述方法包括以下步骤:
在具有至少一个光电二极管和互连件的下部结构上形成钝化层;
在所述钝化层上形成滤色镜阵列;
在所述滤色镜阵列上形成低温氧化物层;
在所述低温氧化物层上形成图案化光敏层;
湿法蚀刻所述低温氧化物层,以形成微透镜阵列。
6.根据权利要求5所述的图像传感器的制造方法,其中形成所述钝化 层的步骤包括:
在所述下部结构上形成氧化物层;
在所述氧化物层上形成氮化物层;
在包含还原剂的气氛中对所述氮化物层进行退火;以及
除去所述氮化物层以暴露所述氧化物层。
7.根据权利要求6所述的图像传感器的制造方法,进一步包括:在暴 露的所述氧化物层上形成热固性树脂层。
8.根据权利要求6所述的图像传感器的制造方法,其中除去所述氮化 物层的步骤包括回蚀工艺。
9.根据权利要求6所述的图像传感器的制造方法,其中除去所述氮化 物层的步骤包括化学机械研磨工艺。
10.根据权利要求5所述的图像传感器的制造方法,其中所述低温氧化 物层具有至的厚度。
11.根据权利要求5所述的图像传感器的制造方法,其中所述微透镜阵 列具有零间隙。
12.根据权利要求5所述的图像传感器的制造方法,其中形成所述低温 氧化物层的步骤包括等离子体增强化学气相沉积。
13.根据权利要求5所述的图像传感器的制造方法,进一步包括:在形 成所述图案化光敏层之后,在所述图案化光敏层上实施热处理。
14.根据权利要求5所述的图像传感器的制造方法,进一步包括:在蚀 刻所述低温氧化物层以形成所述微透镜阵列之后,蚀刻所述钝化层以暴露所 述下部结构上的焊盘。
15.根据权利要求5所述的图像传感器的制造方法,进一步包括:形成 具有至少一个光电二极管和所述互连件的所述下部结构。
16.根据权利要求15所述的图像传感器的制造方法,其中所述下部结 构具有多个光电二极管,每个光电二极管对应所述微透镜阵列中的唯一一个 微透镜。
17.根据权利要求5所述的图像传感器的制造方法,其中形成所述图案 化光敏层的步骤包括:在所述低温氧化物层上沉积光致抗蚀剂,将所述光致 抗蚀剂图案化,并回流所述图案化光致抗蚀剂。
18.根据权利要求6所述的图像传感器的制造方法,其中所述还原剂包 括H2、NH3、或SiH4。
本发明涉及传感器,特别涉及一种图像传感器及其制造方法。
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