专利汇可以提供非接触磁感应脑部电导率分布变化的监测方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种非 接触 磁感应脑部电导率分布变化的监测方法,该方法利用 涡流 检测原理,将磁感应一维信息检测和磁感应成像的方法用于脑部电导率分布变化的监测。将监测目标(头颅)置于激励 磁场 中,监测目标内部会引起涡流,此涡流可感应出扰动磁场。检测目标周围磁场的变化,可以获得与目标内部电导率分布及电导率分布变化相关的信息。利用检测到的磁场变化信息,既可以进行一维信息分析,也可以进行图像重构,从而反映被监测目标内部的电导率分布及其变化情况。本发明的非接触方式的监测方法,其主要优点是非接触、无创伤。根据该方法开发出的医疗仪器,可以通过显示相关的曲线、图像、数值等形式,实现对脑部电导率分布变化的连续、无创监测。,下面是非接触磁感应脑部电导率分布变化的监测方法专利的具体信息内容。
1.一种非接触磁感应脑部电导率分布变化的监测方法,其特征在于,该方法利用 涡流检测原理,将磁感应一维信息检测和磁感应成像的方法用于脑部电导率分布变化的 监测,包括下列步骤:
将激励线圈和测量线圈放置在监测目标的周围;在激励线圈内施加交变电流,则可 产生交变磁场,记为激励磁场B0;位于交变磁场域内的监测目标因电磁感应作用形成 感生交变涡流,此涡流的强度和分布主要由监测目标内部的电导率分布确定;该涡流同 时产生感应磁场ΔB,并改变原激励磁场;通过测量线圈,可以检测到感应磁场ΔB的 幅度和相位;当监测目标内部的电导率分布发生变化时,感生涡流的强度和分布也随之 改变,从而使得检测线圈上的感应磁场ΔB也发生改变;
测量所得的感应磁场ΔB,能够反映监测目标内部的电导率分布情况;从中提取出 电导率分布或其变化的一维数值和曲线,或者重构电导率分布二维或三维图像,或电导 率分布地形图;从而实现对脑部电导率分布变化的监测;
所述的激励线圈和测量线圈的激励线圈和测量线圈排列方式分别为:
A.将数量等同的激励线圈和测量线圈呈圆形、等间隔排列在监测目标周围;依次 对单个激励线圈施加激励,并对所有测量线圈进行检测,以实现对线圈中心所处断面的 监测目标内部电导率分布进行成像;通过断层图像,以反映该监测目标内部电导率发生 变化的位置和变化趋势;
B.将数量等同的激励线圈和测量线圈呈直线形排列在监测目标的一侧或两侧;依 次改变激励线圈和测量线圈,可以对监测目标进行磁感应一维信息监测;通过比较各次 测量的结果,可以反映监测目标内部电导率变化的投影位置和变化趋势;
C.将数量等同的激励线圈和测量线圈分别构成平面阵列,两个阵列平行放置在监 测目标的两侧,一侧为激励线圈阵列,另一侧为测量线圈阵列;在激励线圈阵列中施加 同步的交变电流,则在线圈阵列中间处可形成近似的平行磁场;依次对测量线圈阵列中 的每一个线圈进行检测,以对监测目标进行映射成像;通过映射图像,反映监测目标内 部电导率分布的总体情况和变化趋势。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的排列成圆形的激励线圈和测量 线圈数量分别为6个或8个或10个或12个或14个或16个或32个。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的排列在监测目标的一侧或两侧 的激励线圈和测量线圈的数量分别为2个或4个或6个或8个。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述排列在监测目标的一侧的激励线 圈和测量线圈阵列是激励线圈排列在一起,测量线圈排在一起。
本发明属于生物医学工程领域中的医学成像与监测方法,具体特指用非接触磁感应 方式(一维信息与成像)监测脑水肿。
技术背景
目前利用X-CT、MRI等成像手段可以对脑出血、缺血造成的脑水肿进行成像,但 是由于X-CT的放射性不易多次使用,而且X-CT、MRI都属于大型设备,无法在床旁 连续使用,对脑水肿的发展过程无法连续、实时监测。
根据申请人进行的资料检索,与本申请接近的技术是2002年重庆博恩科技有限公 司申请的专利“无创临床监测颅内水肿的方法”,该方法是利用在头颅上对向粘贴电极, 向头颅内部注入低频电流,在容积导体内部形成电流场,当电流场域的组织结构发生改 变时,电流场重新分布,通过相位检测由计算机和显示屏进行无创监测。
非接触式无创伤检测和监测是医学领域的新的方法。关于映射磁感应成像的方式是 目前国内外都没有报道的新的磁感应检测的方法。因此研究一种能用于床旁实时对脑水 肿进行监测的方法有重要意义。
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