专利汇可以提供一种清洗硅片的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种微 电子 制作工艺技术领域,尤其涉及一种清洗 硅 片 的方法。包括步骤1、将 硅片 放入盛有去离子 水 的 超 声波 清洗机中震荡清洗;步骤2、将硅片放入盛有丙 酮 溶液的 超声波 清洗机中震荡清洗;步骤3、将硅片放入盛有 乙醇 溶液的超声波清洗机中震荡清洗;步骤4、取出硅片,用流动的去离子水进行冲洗;步骤5、对硅片进行干燥处理。本发明首先通过去离子水进行震荡清洗,能够去除残留在硅片表面的大颗粒的杂质,通过丙酮溶液能够有效去除硅片上的有机杂质,通过乙醇能够有效的起到助溶的作用以及稀释残留丙酮的作用,通过本发明所述的清洗方法能够有效地去除附着在硅片上的杂质,确保硅片表面的清洁度。,下面是一种清洗硅片的方法专利的具体信息内容。
1.一种清洗硅片的方法,其特征在于,包括:
步骤1、将硅片放入盛有去离子水的超声波清洗机中震荡清洗;
步骤2、将硅片放入盛有丙酮溶液的超声波清洗机中震荡清洗;
步骤3、将硅片放入盛有乙醇溶液的超声波清洗机中震荡清洗;
步骤4、取出硅片,用流动的去离子水进行冲洗;
步骤5、对硅片进行干燥处理。
2.根据权利要求1所述的一种清洗硅片的方法,其特征在于,所述超声波清洗机的工作频率为80-120KHz,功率为200-300W,温度为40-60℃。
3.根据权利要求1所述的一种清洗硅片的方法,其特征在于,所述步骤1中震荡清洗的时间为5-10mins。
4.根据权利要求1所述的一种清洗硅片的方法,其特征在于,所述步骤2中震荡清洗的时间为3-5mins。
5.根据权利要求1所述的一种清洗硅片的方法,其特征在于,所述步骤3中震荡清洗的时间为5-8mins。
6.根据权利要求1所述的一种清洗硅片的方法,其特征在于,所述步骤4中用流动的去离子水进行冲洗的时间为3-5mins。
7.根据权利要求1所述的一种清洗硅片的方法,其特征在于,所述步骤5中对硅片进行干燥处理的方式为用烘箱烘10-15mins,烘箱的温度为110℃。
8.根据权利要求1所述的一种清洗硅片的方法,其特征在于,所述步骤5中对硅片进行干燥处理的方式为用喷雾干燥机吹3-5mins。
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