一种集成温度补偿负反馈的芯片结构
专利汇可以提供一种集成温度补偿负反馈的芯片结构专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种集成 温度 补偿 负反馈 的芯片结构，包括芯片VDD端、芯片GND端、芯片SW端、第一晶体管、第二晶体管、 启动 电路 模 块 、电源供电模块、逻辑控 制模 块、驱动模块、以及带温度补偿负反馈模块，其中所述带温度补偿的负反馈模块包括补偿 二极管 单元（D1）、第一 电阻 （R1）、第二电阻（R2）、第三电阻（Rsence）、基准 电流 源（Iref）和比较器。本发明集成了温度补偿负反馈回路，电源芯片的电源系统 输出 电压 Vout稳定，与 环境温度 和芯片 结温 相关性大幅减弱；将电源管脚与反馈管脚合并为一个管脚，彻底去除了传统方案中FB管脚失效的可能性，直接降低了芯片生产环节的失效率，可以节省系统元器件，系统成本优势明显。，下面是一种集成温度补偿负反馈的芯片结构专利的具体信息内容。
1.一种集成温度补偿负反馈的芯片结构，包括芯片VDD端、芯片GND端、芯片SW端、第一晶体管、第二晶体管、启动电路模块、电源供电模块、逻辑控制模块、驱动模块、以及带温度补偿负反馈模块，其中芯片VDD端分别与带温度补偿负反馈模块、电源供电模块、启动电路模块连接；所述电源供电模块分别与带温度补偿负反馈模块、逻辑控制模块连接；所述逻辑控制模块分别与启动电路模块、带温度补偿负反馈模块、驱动模块连接；所述驱动模块分别与第一晶体管的栅极、第二晶体管的栅极连接；所述启动电路模块、第一晶体管的漏极、第二晶体管的漏极分别与芯片SW端连接；所述第二晶体管的源端与带温度补偿负反馈模块连接；所述第一晶体管的源端与芯片GND端连接；其特征在于：所述带温度补偿的负反馈模块包括补偿二极管单元（D1）、第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第三电阻（Rsence）、基准电流源（Iref）和比较器，其中补偿二极管单元（D1）的一端与芯片VDD端连接，补偿二极管单元（D1）的另一端与第一电阻（R1）的一端连接；所述第一电阻（R1）的另一端分别与比较器的正端、第二晶体管的源端、第三电阻（Rsence）的一端连接；所述基准电流源（Iref）的一端与电源供电模块连接，基准电流源（Iref）的另一端分别与比较器的负端、第二电阻（R2）的一端连接；所述第二电阻（R2）的另一端和第三电阻（Rsence）的另一端均与芯片VDD端连接。
2. 根据权利要求1所述的集成温度补偿负反馈的芯片结构，其特征在于：所述第一电阻（R1）、第二电阻（R2）和第三电阻（Rsence）为相同类型电阻，且具有相同的温度系数。
3. 根据权利要求1所述的集成温度补偿负反馈的芯片结构，其特征在于：所述基准电流源（Iref）具有零温度系数。
4. 根据权利要求1所述的集成温度补偿负反馈的芯片结构，其特征在于：所述补偿二极管单元（D1）包括N对正接二极管和反接二极管，所述N对正接二极管和反接二极管的连接方式为串联，其中N为1以上的自然数。
一种集成温度补偿负反馈的芯片结构
技术领域
背景技术
同时当芯片内部基准电压Vref的温度系数与电阻Rsence的温度系数不能抵消时，芯片内部的负反馈回路同样会使系统的输出电压随芯片结温升高而变化。
发明内容
具体实施方式
VP = Iref * R2 (1)
比较器负端电压VN由公式（2）决定
VN = Isence * Rsence (2)
当R2和Rsence采用同类型同材料电阻时，他们的温度效应相互补偿，并且由于Iref的温度系数设置为极小，所以Isence的温度系数极小。其中，Isence是流过电阻Rsence的电流。
Vfbin = VDD – VD1 （3）
其中是，VD1是补偿二极管单元的压降。通过合理设计背靠背二级管，能够使VD1的温度系数接近零，因此在固定输出功率前提下，反馈电压Vfbin的温度系数接近于零。
系统工作原理简要描述如下：当DC输出电压Vout低于目标电压时，芯片VDD端电压降低，芯片IC2的带温度补偿负反馈模块采样到芯片VDD端电压降低后，使芯片IC2的逻辑控制模块增加第一晶体管的导通时间，以传递更多的能量到变压器的副边，使输出电压Vout升高；当DC输出电压Vout高于目标电压时，芯片VDD端电压升高，芯片IC2的带温度补偿负反馈模块采样到芯片VDD端电压升高后，使芯片IC2的逻辑控制模块减少第一晶体管的导通时间，以传递更少的能量到变压器的副边，使输出电压Vout降低；
图5与图2所示的传统方案对比，芯片IC2无FB反馈管脚，并且同时节省了图2中与FB管脚相连接的嵌位二极管D5和电容C5，因此系统方案成本更低。同时使用本发明芯片结构的系统方案输出电压随环境温度或芯片结温变化较小，而如前所述，图2结构输出电压随环境温度或芯片结温变化明显。
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