本发明被研发尤其应用到用溶液来处理的一些物体如半导体晶片 或者类似基体中，该粗半导体晶片或者类似基体蚀刻有任何特征、喷 涂有或者与导体导线或者迹线以作为成一体的线路装置、引线框、医 药装置、盘和头部、平板显示器、微电子罩、微小机械装置、微小光 学装置和类似装置。这些物体变得越来越难以处理，因为它们以越来 越小的尺寸来进行制造，并且具有极小的特征要产生和处理。需要精 确的制造技术来合适地生产这些零件。因此，变化的容许量较小的多 层各种材料及以亚微型尺寸在这些物体的多层上产生非常小的特征借 助化学处理和蚀刻过程来产生。需要这些层的均匀度和处理的精确量 来提供该零件在最后的微电子装置中的功能。
各种技术被发展来在精确的制造过程中处理物体，特别是处理半 导体晶片。例如，半导体晶片可以浸入到一系列的相应处理容器的内 室中，这些容器独立地处理晶片。例如，该晶片首先产生有氧化物层， 之后浸入到酸浴具中，以蚀刻掉一些或者所有的氧化物。然后，使漂 洗浴具跟着酸浴具。一个这样的处理容器的例子使用浴具处理的阶式 液体流处理。在典型的阶式液体流过程中，一个或者多个晶片被支撑 在阶式处理容器中，如支撑在晶片处理固定物、盒子或者其它保持架 内，以同时进行处理。阶式处理容器包括内容器，该内容器具有一些 侧壁，这些侧壁允许液体溢过顶边缘并且进入到一个或者多个外容器 中，该外容器绕着内容器进行设置。把液体流供给到内容器中，例如 在容器底部，以填充它的内室，并且进一步使液体溢过内室的顶边缘 以进入到外室中。因此，新液体(如干净水)可以供给来漂洗内室中 的晶片，然后从内室落到外室中。在这个过程期间，液体流过内容器。
用来处理电子零件的、所提出的湿处理方法的改进公开在美国专 利No.5817185中。参见第1栏、46-56行及第13栏31行-58行。185号专 利的公开内容描述了传统的湿处理方法，这些方法在反应室中使用了 化学物质，从而以相同温度取代DI水。这常常引起化学物质和DI水的 大量混合。这个过程所要求的改进公开在美国专利No.6245158中。158 号专利表明了，混合使得化学物质连续地与水进行稀释，这是不好的， 因为对于环境和费用来讲使化学溶液进行再循环是优选的。此外，产 生混合时的漂洗明显长于没有产生混合时的漂洗。参见第2栏第18-36 行。158号专利所提出的溶液将有选择地控制处理液体的温度，例如借 助从处理容器的底部中加入更冷的液体以使一种液体与另一种液体的 混合最小化。
实际上，温跃层原理被用来使流体相互保持相对分开。根据描述 在158号专利中的原理，如果产生了最小的混合，那么可以很快地从容 器中除去化学溶液，如活塞流技术。已观察到，真实的活塞流情况非 常难以实现，从而导致对晶片进行不同种类的处理。因此，与晶片的 一些其它部分相比，一部分晶片可以露出到蚀刻剂中一个更长的时间 或者露出到不同的浓度中，从而根据晶片的估计位置导致不同的晶片 性能。

令人惊讶地发现，借助下面方法可以实现更加均匀地处理一些物 体：在有利于至少部分地包围物体以在浴具液体的旋转流中进行处理 的情况下，把处理化学物质加入到浴具中，随后，在有利于至少部分 地包围物体以在浴具液体的旋转流中进行处理的情况下，把非处理液 体加入到浴具中。这里所描述的方法提供了一些浴具，这些浴具在空 间上在密度上是均匀的，这表示，化学物质的浓度混合得较好，从而 在任何给定时间时相对稳定，因为实际上在浴具的整个容积上或者至 少在靠近要处理的物体处可以实现。简而言之，“均匀”表示“空间均 匀”，除非有其它限制。
在实际效果中，本方法使非反应浴具首先转移到装有一种或者多 种处理化学物质的浴具中，然后，返回到非处理液体浴具中。优选的 是，该物体在整个漂洗-处理-漂洗处理中浸入其中。加入到浴具中的 材料与浴具中的内含物进行很好的混合，因此在特殊的时间点上，靠 近要处理的物体的、浴具的化学特性及优选地在它的容积上如实际所 希望的那样均匀。因此，基本上被处理的整个表面趋于受到类似处理。 这导致处理均匀度的实质改进。
“转移流”过程特别有利于实现具有极好均匀度的蚀刻处理。尽管 借助没有受到理论约束，但是相信物体在浴具中的环境从具有非处理 化学物质的溶液中进行，从而使处理化学物质的浓度基本上均匀地增 加，随后使该溶液中的处理化学物质的浓度基本上均匀地减少，这就 使得在要处理的物体上的不同位置上的总处理效果的差异最小化。尤 其地，相应，借助类似方法减少了在浓度增大期间的任何微小的空间 非均匀度的作用，但是，对于浓度减少期间的非均匀度而言刚好相反。 在一个方面中，一个或者多个转移化学处理全部夹在优选的漂洗处理 之间。
还提供了一种用来实现上述过程的装置。
在本发明中，浓度的均匀变化通过下面方法来形成：以足够大的 速度和动量把液体和/或气体流加入到容器中，以致旋转流至少部分 地、优选为基本上包围被处理的物体。这些流流过接近物体的浴具， 从而通过混合在液体中产生均匀浓度的化学物质。借助任何混合机构 来产生旋转流，例如使用喷孔来把液体(和/或气体，如这种情况一样) 以混合方式加入到浴具中。此外，泵、叶轮、起泡器和类似装置可以 用来提供了混合作用。混合程度借助下面方法来评定：把染料喷射到 液体中，通过视觉来估计，或者在液体浴具的多个位置上通过使用定 量分析技术来测量染料量和流量。荧光素染料的钠盐对观察水中的流 型特别有效。
作为一个方面，本发明提供了一种处理至少一个物体的方法，该 方法包括这些步骤：使物体浸入到流动的、基本上不反应的浴具中； 在空间上使浴具从基本上不反应的浴具中均匀地转移到具有第一处理 化学物质的浴具中；及在空间上使具有第一处理化学物质的浴具均匀 地转移到基本上不反应的浴具中。作为另一个方面，本发明提供了一 种处理至少一个物体的方法，该方法包括这些步骤：a)使物体浸入到 具有液体的浴具中；b)在把物体浸入到浴具中的同时，把处理化学 物质可混合地加入到浴具中，因此以平滑的方式提高处理化学物质在 浴具中的浓度；及c)在把物体浸入到具有处理化学物质的浴具中的同 时，在一些情况下把液体可混合地加入到浴具中，以致处理化学物质 在浴具中的浓度以平滑的方式减少。
本发明可以应用到下面的任何情况下：借助与液体相接触，借助 容器内的均匀湿处理如漂洗、清洁、干燥、喷涂、蚀刻的步骤和类似 步骤来处理一个或者多个物体。尤其地，本发明涉及物体的处理，以 使用溶液来进行精确制造，如半导体晶片或者类似基体，该粗半导体 晶片或者类似粗基体蚀刻有任何特征、喷涂有或者与导体导线或者迹 线成一体以作为成一体的线路装置、引线框、医药装置、盘和头部、 平板显示器、微电子罩和类似装置。本发明的过程特别有利于过程中 的半导体晶片，因为实验的处理均匀度可以通过这些晶片的本过程。 尤其从该过程中受益的晶片包括需要极其或者高度均匀蚀刻的薄介电 材料的晶片。此外，该过程特别有利于具有三维微小机械特征如 MEMS的晶片。三维微小机械特征的具体例子包括压力换能器和加速 计。该过程还特别有利于这样的装置：该装置安装了非常小比例的光 学特征如纤维光学通讯的Eschelle光栅。
附图说明
图1是本发明的处理容器的示意图，该处理容器用来处理一个或者 多个物体如过程中的半导体晶片；
图2是用于图1容器中的、本发明的优选液体分配头组件的侧视图；
图3是图2所示的液体分配头的透视图；
图4是本发明实施例的、用来处理物体的典型方法的简化流程图；
图5是图1所示的处理容器的示意图，它示出了在工作期间、内室 中的液体流型；
图6A-F是处理容器的示意图，它示出了在工作期间、孔和液体流 型在内室中的其它布置；
图7是使用现有技术的活塞流系统的处理容器内室中的浓度的示 意图，其中该系统用来处理位于处理容器内室中的物体；
图8是使用均匀“转移流”方法的处理容器的处理内室的内室的浓 度示意图，其中该方法用来处理本发明的处理容器内室中的物体；
图9是包括处理容器的、本发明的处理系统的简化方块图；
图10是曲线图，它与半导体晶片的示意图一起示出了测量的HF浓度，其中具有如所示出的一样的取样位置；
图11是曲线图，它示出了现有技术过程中的氧化物蚀刻变化，其 中晶片浸入到蚀刻浴具中，之后与水稀释；
图12是曲线图，它示出了现有技术过程中的氧化物蚀刻变化，其 中晶片浸入到蚀刻浴具中，之后与水稀释；
图13是曲线图，它示出了本发明过程的氧化物蚀刻变化；
图14是曲线图，它比较了以三种不同方式来处理的晶片的蚀刻的 均匀度。

结合附图的本发明实施例的下面描述使得本发明的上述优点和其 它优点及得到它们的方式变得更加清楚并且能够更好地理解本发明本 身。
本发明能够特别均匀地处理要处理的物体。例如，在进行蚀刻处 理的情况下，非常希望能够尽可能均匀地蚀刻材料。太大的变化如太 大的不均匀度可以导致质量差的装置不能工作。均匀度受到特别关心， 因为要处理的物体的特征尺寸大小变得越来越小。
参照附图，其中相同的标号在所有这些附图中用来表示相同的零 件，装置和系统被描述成，借助使处理化学物质的浓度均匀增加，之 后使处理化学物质的浓度均匀减少来处理一个或者多个物体，从而能 够基本上均匀地处理物体。
图1是本发明的典型处理容器100的示意图，该容器用于理想液体 混合原动力，因为液体103在处理容器100的内室113内沿着一个或者多 个物体如半导体片102进行流动并且流过它们，如图所示。为了缩短下 面讨论，把要处理的物体称为半导体片。但是应该知道，这里所讨论 的过程和装置有助于处理各种各样的物体如上面发明内容部分中所讨 论过的物体和整个说明书中的其它物质。
内室113开始时装着液体103，该液体103是非处理液体。优选的内 室113是锥形或者其它形状或者成形成能够消除死点如内室113内的拐 角或者其它位置。出于本发明的目的，“非处理液体”是这样的液体： 它不能实现在本发明的主要过程中用来实现的处理过程。优选的是， 非处理液体基本上对要处理的物体的理想化学性能和物理性能呈惰 性。在半导体片的情况下，优选非处理液体的例子包括适合于进行漂 洗处理的任何液体如水(优选为是过滤过和/或除去离子的水)、异丙 基酒精(isopropylalcohol)或者乙二醇(ethylene glycol)。另外，非处理 液体可以是这样的液体：它与物体相互作用，以实现不是使用本发明 过程来实现的主处理过程的处理。优选地，若有的话，那么非处理液 体在物体上的作用没有较高的浓度敏感度，以致以任何方式例如使物 体降落到非处理液体的浴具中来把物体加入到非处理液体中不会使物 体的理想性能产生变化。相对于该物体确实具有活性的非处理液体的 例子包括某些臭氧处理或者在物体浸入到非处理液体中的时间范围内 实现完成的处理，因此提供了物体可以承受的任何浓度梯度。
非处理液体通过借助管115由源117来提供并且借助任何合适的液 体分配机构、例如借助优选的、下面描述的液体分配头(distribution head)325、315和320把它加入到室113中。非处理液体提供了漂洗功 能，并且还能使内室113内的液体流沿着半导体片并且通过该半导体片 102。在源117和内室113之间可以任意地设置合适过滤机构如过滤岸 (bank)(未示出)，该过滤机构优选地包括一些过滤器的合适结合， 而这些过滤器典型地用于用途应用中的位置上。优选地，使用过度净 化过的水，该水基本上没有大于大约0.5微米的颗粒，更加优选的是， 没有大于大约0.2微米的颗粒，及最优选的是，没有大于大约0.1微米的 颗粒。为了实现这个，由蒸馏得来的和/或除去离子的水可以通过充电 (charged)过滤器，这些过滤器描述和示出在于1996年8月6日授权的 美国专利No.5542441中，该专利的名称为“Method and Apparatus for Delivering Ultra-low Particle counts in Semiconductor Manufacturing”，该专利的全部内容在这里引入以作参考。这种过滤 器岸提供了过度净化过的DI水(除去离子的水)。
处理容器100优选地包括这样的结构，该结构包括连续的侧壁105， 该侧壁105与底壁106一起限定出了用来装一个或者多个晶片103和液 体的内室113。侧壁105和底壁106优选为由相同材料形成，该材料至少 在它的内表面上基本上与液体103不起反应。优选的材料包括石英、聚 丙烯、聚乙烯、全氟烷氧基乙烯叉(PFA)、聚四氟乙烯(PTFE)、 聚偏氟乙烯(PVDF)、这些的结合物和其它的物质。
处理容器100具有提供用来加入和取回液体的流动系统的结构。出 于本发明的目的，“流动系统”是这样的系统，它把新液体提供到处理 容器中，同时从处理容器的容积中取回液体。
优选地，处理容器100是溢流阶式容器，如上面在背景技术部分中 所讨论的一样，其中结构侧壁105和底壁106限定出内室113，把来自该 内室113中的液体降落到侧壁105的上边缘上，并且使之进入到外室中， 该外室由外部容器108来限定出。在那种方式中，连续供给的流体可以 通过所支撑的晶片，以漂洗和清洁它们。在任何时候，输入和输出流 可以相互相等，或者，例如如果希望调整容器100内的液体量，那么一 个可以大于另一个。优选的流动系统是这样的，它可以用来帮助建立 一个通过容器100的、稳定的、溢流的、阶式的液体流，并且如所希望 的那样从容器100的顶部进行溢流。
此外，处理容器100可以提供，以任何其它方式使液体流过内室 113。例如，内室113在它的上端处被关闭，并且在方便的位置上设置 有出口，因此液体流过所限定出的室，在该室内可以支撑着一个或者 多个物体。可以预期到，可以通过一个或者多个入口来提供液体，该 液体相对于内室113可以通过一个或者多个出口而出来。
还应注意的是，该方式(通过该方式把物体、优选为半导体片102 支撑在内室113内)不是本发明的具体特征，并且根据本发明可以预期 使用任何传统或者产生的技术(未示出)。但是，优选的是，借助与 通过晶片表面上的液体流进行干涉，支撑机构基本上不防止混合。而 且，这些物体可以支撑在任何不同的方向上，该方向被确定来提供理 想结果。
根据本发明，一个或者多个液体分配装置、如包括一个或者多个 优选头325、315和/或320的优选分配头组件300支撑在处理容器100的 内室113内。在优选实施例中，分配头325、315和320设置在内室113 的下部处。更加优选的是，分配头325、315和320设置在晶片102的中 点下方，特别优选的是，设置在晶片102的下部1/3的下方。最优选的 是，中心分配头315在晶片的中点处直接设置在晶片102的下方，并且 侧分配头325和320以距离中心为要处理的物体总宽度的40％-60％的 距离设置在中心分配头315的每一侧上，或者在所示出的实施例中，该 距离为40％-60％的圆形半导体片102的直径。
每个液体分配头325、315和320通过供给管115与液体源117相连。 如图所示，供给管115借助液体混合室131和第二供给管129可操纵地连 接成使液体流通到液体分配头325、315和320中。第二供给管129再细 分以把液体供给到具有独立的第三供给管(未示出)的分配头325、315 和320中。此外，每个液体分配头优选地借助独立的相关第二供给管连 接到液体混合室131中。供给管129和/或从那里进行细分的管道优选地 密封地提供通过内室113底壁106的通孔(未示出)，因此液体103可以 有效地提供到位于内室113内的头325、315和320中。
液体混合室131提供了这样的装置：借助该装置从一个供给管115 中供给液体，并且把液体均匀地分配到优选的若干液体分配头325、315 和320(或者更多)。这种液体混合室131的设计可以是传统的，并且 优选的是，把基本上均匀的液体流提供到每个第二供给管129中。而且， 液体混合室131允许一个或者多个处理化学物质进行混合或者结合成 通过处理化学物质供给管118来自处理化学物质源119的非处理液体。 此外，可以设想，可以把任何数目的供给管设置到一个或者多个共用 液体混合室中，然后从该一个或者多个共用液体混合室把一种或者多 种液体通过第二供给管129供给到液体分配头325、315和320中。液体 混合室131可以设置有隔板、叶轮或者其它物理结构以有助于混合，或 者可以简单地是每个供给管115中的这样位置，在那里，处理化学物质 被直接喷射到供给管115中而没有物理结构安装于其中以帮助混合。在 这个实施例中，当液体向下前进到供给管115中时产生混合，而没有使 用独立的混合结构。最优选的是，液体分配头和内室的几何形状及内 室内的结构被布置和取向成使处理容器中的非混合的“死区”或者区域 最小化。一些死区可以导致把处理化学物质不良地保持在处理容器中， 这导致液体的浓度不均匀或者使漂洗过程的前进慢下来。
图2是侧视图，它更加详细地示出了本发明的优选液体分配头组件 300。组件300包括喷头体310，该喷头体具有设置于其中的中心喷头315 和侧喷头320和325。中心喷头315设置有若干孔330、332和334，这些 孔以下面方式引导来自中心喷头315的液体流：该方式能够有效地把液 体分配到处理容器的内室中，因此有利于从中心喷头315排出到处理容 器的内室中的液体进行混合。在一个优选实施例中，一些中心孔从中 心喷头315垂直地引导液体流，一些侧孔330和334以与中心流成角度α 和β地引导液体流。优选的是，角度α和β为与来自中心孔332的流成 10-30度，最优选的是为与来自中心孔332的流成20-25度。侧喷头320 和325同样地各自设置有多排孔336和338，这些孔引导来自喷头的液体 流。优选地，一些孔336和338以角度θ引导液体流，这些角度从喷头的 垂直方向向内倾斜。优选地，角度θ相对于垂直方向从-10度到+25度， 更加优选的是，从-5度到+10度，更加优选的是，从-1度到+5度，最优 选的是，与垂直方向成+3度。正角度使这些流向内朝向晶片102，而 负角度使这些流向外朝向室的壁105。
这些孔的相对方向优选地设置成使进入的液体在处理容器的内室 中的混合最佳化，而内室的形状、要处理的物体的尺寸大小和方向及 借助液体原动力的路线经验改进或者计算使其它液体分配头在室内的 相对定位对于本领域普通技术人员来讲是可以理解的。应该知道，根 据本发明可以设置任何数目的喷头或者孔，所述喷头或者孔设置来有 效地混合加入到处理容器的内室中的液体。
图3是图2所示的本发明的液体分配头组件300的透视图。在所示出 的实施例中，喷头315、320和325沿着轴向进行延伸，而许多孔排列于 其中，从而提供有效的液体流并且对于处理容器的较大内室而言进行 混合，而这些处理容器可以装有许多要清洁的物体。优选地，每个喷 头在每排中具有大约40到60个孔，而这些孔的直径为大约1到大约 3mm，在一排中的每个孔之间的间隔为大约3-大约10mm。如所示， 一些孔设置成线性并且规则地设置成一些隔开排。当处理直径为 300mm的晶片(这些晶片以5mm的间距保持在载体中)时，优选的是， 这些孔的直径接近2mm并且以5mm的间隔隔开以与载体中的晶片的 间距相配合。此外，一些孔可以设置成非线性和非规则的排，只要如 这里所讨论的那样能够把液体加入到内室中以给浴具提供浓度均匀的 处理化学物质就行。优选的是，本发明的处理容器设计来装许多物体 如在一个清洗过程中要处理的、多排13、25或者50个晶片。在优选的 实施例中，这些喷头设置在内室113的壁105内，因此，没有头组件延 伸到内室113中。相对于通过内室113的大量液体流以相对较高的速度 把液体加入到内室113中。优选地，流体流以至少大约1000cm/min的 速度进入到清洗液体中，更加优选的是，该速度为至少大约 4000cm/min，最优选的是，为至少大约6000cm/min。在流体流进入到 处理容器的内室113中的位置上计算流体流的速度。这与通过浴具的大 量液体流的速度形成对照，该速度优选为从大约10到大约100cm/min 的，更加优选的是为从大约20到大约50cm/min。通过浴具的大量液体 流的速度通过下面来确定：使通过该室的液体的容积流率除以该室的 横截面积。流体流流速与大量流速之间的不同在内室113中产生了旋转 流，从而可以非常有效地混合这些液体。因此，流体流在位于孔和晶 片之间基本没有隔板、扩散器或者其它速度减少装置的位置上进入清 洗液体中，其中这些速度减少装置可以防止旋转流在要处理的晶片附 近处实现它们的混合作用。优选的是，进入到容器时的流体流速度与 大量流速之间的比率为至少大约10∶1，更加优选的为至少大约50∶1， 最优选的为至少大约150∶1。
图4是本发明实施例的、处理物体的步骤710处开始的方法700的典 型流程图。
步骤720表示在这些物体上进行前面处理步骤之后提供物体。优选 的是，这些物体可以是一个或者多个半导体片或者其它微电子装置或 者基体。前面处理步骤可以包括液体化学处理、平版处理、基于气体 的蚀刻或者化学处理、高温处理或者其它处理步骤。前面处理步骤可 以产生在另一个处理装置中，在该装置的另一部分中具有转移蚀刻室， 或者前面处理步骤可以产生在转移蚀刻室本身中。
在步骤730中，这些物体放置在转移蚀刻室中并且浸入到非处理液 体(如DI水)中。这些物体可以插入到非处理液体的、预先存在的浴 具中，或者放置到空的或者局部填充的室，然后，该室被填满。
通过分配头把液体加入到室中。来自分配头的液体流在浴具中产 生了旋转流，这些旋转流提供了体积(bulk)混合，这种体积混合在 整个浴具中保持了相对均匀的液体成分。借助一些其它装置(如泵送 循环回路、浴具中的叶轮、浴具中的起泡器、在浴具中移动晶片、使 晶片移出浴具、或者其它装置)也可以在浴具中产生混合。
在步骤740中，非处理液体开始流入到室中，并且连续进行，直到 建立浴具的流动原动力为止。可以从该室中除去过量液体，例如借助 阶式溢流来除去过量液体。尽管更加不理想，但是可以省去步骤740 (在处理流程745之后)并且通过基本上是静止的、非流动的、浴具中 的液体来开始步骤750。
在步骤750中，处理化学物质(如稀释的HF)开始流入到室中， 同时任选地停止或者减少非处理液体流入到该室中。该处理化学物质 可以来自预混合源，可以借助混合来自多个源中的流来形成，可以借 助把处理液态浓缩物喷射到非处理液体流中来形成，或者来自一些其 它源中。如果处理化学混合物借助混合多种成分来形成，那么优选的 是，混合过的液体在输送到室之前完全混合；在该室中进行混合也是 可以的，但更不理想。但是，这不排除使用处理化学物质，而这些处 理化学物质的成分或者温度随着时间而改变。把处理化学物质加入其 中，以提供浴具从基本上不反应的浴具到具有处理化学物质的浴具中 的、空间均匀的转移区。该转移区不同于活塞流转移区，其中可辨别 的边缘存在在运动通过该室的第一液体和运动通过该室的第二液体之 间。在本发明的过程中，基本上可以消除任何这样的边缘。
还可以借助把处理液体浓缩物喷射到非处理液体的浴具中来形成 处理化学物质。例如，把200cc的HF加入到DI水的40升浴具中，以形 成200∶1的HF蚀刻溶液。在这种情况下，需要一些循环形式来把处理 液体浓缩物分散在整个浴具中(例如泵送循环回路、浴具中的叶轮、 浴具中的起泡器、使晶片在浴具中运动或者使晶片运动离开浴具，或 者其它装置)。
在步骤760中，使处理化学物质停止流入到该室中并且使非处理液 体的流动连续、增加或者再继续。非处理液体的流动稀释了存在于步 骤750的浴具中的处理化学物质。非处理液体的流动连续进行，直到浴 具中的处理化学物质的浓度到达可以接受的大小以开始下一个处理步 骤为止。根据处理化学物质的浓度和成分及下一个处理步骤的性质， 该可接受的大小可以变化较大。例如，对于使用200∶1HF的蚀刻来讲， 来自步骤750中的处理化学物质在步骤760中稀释100倍是典型可以接 受的，因为处理化学物质在处理之前使用臭氧化过的水在硅晶片上再 生氧化层。相反，在使用表面活性剂的干燥过程之前的H2SO4∶H2O2 的1∶2混合物的处理期间，典型地需要大于1百万的稀释系数。
步骤770表示后面的处理步骤。典型的步骤包括：通过臭氧化过的 水在物体上形成氧化层；形成氧化层；并且除去具有SC-1化学性质的 颗粒(NH4OH、H2O2和DI水的混合物)，除去具有SC-2化学性质的 金属污染物(HCl、H2O2和DI水的混合物)，通过表面活性剂来干燥 这些物体，或者其它过程。
步骤799表示在转移蚀刻室中所进行的过程的顺序的终点。
本发明方法的这些描述的许多变形是可能的。例如，步骤735和747 的结合表示把物体供给到转移蚀刻室中且使前面的处理化学物质流入 到转移蚀刻室中，然后立即使处理化学物质的流动开始，而不会具有 非处理液体(如740中所示)的中间流动。例如，希望使臭氧化的水流 到室中以除去无机污染物，然后直接输送来稀释HF以蚀刻SiO2层。
同样地，希望使处理化学物质停止流动，并且使这些物体浸透在 现有的浴具中，如752所示那样。这种浸透可以是处于静态浴具中，或 者处于具有循环装置的浴具(如泵送循环回路、浴具中的叶轮、浴具 中的起泡器、使晶片在浴具中运动或者使晶片运动离开浴具，或者其 它装置)。在浸透期间752结束时，处理化学物质的流动又开始了，或 者非处理液体可以开始流动。
在处理化学物质750进行流动之后，第二处理化学物质758所进行 随后处理产生了，这种处理可以在没有处理流程757的非处理液体进行 中间处理的情况下产生，或者这种处理可以在处理流程765的非处理液 体进行中间处理的情况下产生。还可以重复578以用第三流体来进行处 理等等。例如，理想的是，使DI水中的HCI流动，从而直接在通过稀 释的HF来蚀刻晶片(处理流程757)之后从硅晶片的表面中除去金属 (或者防止它们沉积)。
图5是本发明的图1的处理容器100的示意图，该图示出了流过处理 容器100的内室113的液体103的理想化混合和流动。借助下面方法使液 体流过处理容器：通过液体混合室131从液体源117中提供液体，并且 通过液体分配头325、315和320来输出。设置了液体分配头325、315 和320，并且这些液体分配头设置有孔，因此形成了流型135、137和139， 从而在晶片102的位置上提供了均匀液体合成物。
典型的理想流型示出在图5中。但是，液体可以以任何方向流入到 内室113中，以致可以产生理想程度的均匀液体合成物。优选地，液体 分配头325、315和320与晶片102充分地隔开，以致加入到内室113中的 液体不会立即与晶片相接触，但是具有足够的空间和机会与已经位于 内室113内的液体混合到至少一定程度。优选的是，液体分配头与晶片 102隔开至少大约10mm远，优选的是，至少大约15mm远。令人惊讶 的是，已发现，不是远离晶片地引导进入的液体，而是优选地把有些 进入液体引导到晶片中，从而形成了立即混合并使处理化学物质流过 晶片。所示出的流体流135、137和139产生了一系列的旋转流，这些旋 转流可以有效地混合新液体，该新液体与已经处于处理容器的内室中 的液体一起均匀地通过晶片的表面加入，而不会企图实现液体在处理 容器的内室内的活塞流。分配头与晶片的隔开相对于分配头在内室113 内的位置和方向可以改变。例如，所示出的侧分配头325和320不能沿 着最短的可能路程来引导直接位于晶片102处的流体流，而是沿着稍稍 成角度的路径来引导该流体流。因此，分配头325、315和320优选地设 置成距离晶片102大约10mm到大约40mm，更加优选的是，设置成距 离晶片102大约20mm到大约35mm。流体流135、137和139优选地从分 配头325、315和320到晶片102运动一个大约10到大约50mm的距离， 更加优选的是，为大约20到大约45mm。
在液体103流过内室113之后，处理化学物质从处理化学物质源119 通过供给管118加入到液体混合室131中。处理化学物质在液体混合室 内以预定比率、例如以理想的相对体积、摩尔和/或质量流率与非处理 液体进行混合，以在用来处理晶片102的全部化合物中提供理想量的处 理化学物质。例如，在一个优选实施例中，0.1到100、优选为1-20、 更加优选为5-10份的水性蚀刻剂溶液(它包括49wt.％HF)被喷射到 1000份的水中，这些的结合物被加入到处理容器100的内室113中。优 选地，该液体以任何理想的流率如20-80lpm、优选为大约40l/min加 入到内室113中。应该知道，另一方面，在若干阶段中以改变的浓度来 加入处理化学物质，以提供所希望的浓度分布范围(即作为时间函数 的、箱内的处理化学物质的浓度)。
以一个或者多个温度来实现这些物体的处理，该一个或者多个温 度可以有效地实现理想的处理。在某些应用中，有利的是，在升高的 温度下或者在降低的周围温度下提供处理。因此，尽管标准处理周围 温度可以为18-25℃，但是在一些实际模式中理想的是，在35-45℃的 温度下实现HF蚀刻步骤，以减少化学物质的使用率。在这个处理过程 的一个实施例中，使液体停止加入到内室113中，并且在处理期间，允 许这些晶片浸透到静态浴具中，或者通过箱内的液体来浸透，该液体 被循环，例如借助泵来进行循环。
此外，若干处理化学物质可以被同时地或者连续地加入到内室113 中。在本发明的一个实施例中，来自非处理液体源117的非处理液体的 流动完全被切断，从而提供了来自处理化学物质源119的处理化学物质 的未稀释浓度。任选地，来自源119的处理化学物质可以预先稀释成理 想大小的处理浓度。处理化学物质在从液体混合室131中流入到内室 113中的液体中的浓度可以逐渐变化，或者可以突然改变。在另一个实 施例中，处理化学物质HF通过独立的导管作为非处理液体直接引导到 室中，同时进行混合。
液体分配头的其它布置示出在图6A-F中。这些附图示出了，如特 殊应用中所希望的那样可以设置一个或者多个这样的液体分配头。因 此，例如，在图6A所示的实施例610中，分配头612和614设置在内室 中。相反，图6B示出了分配头622和624，这些分配头设置成邻近内室， 因此一些孔把一些流体流引导到内室中。图6C所示的实施例同样具有 三个分配头632、634和636。图6D所示的实施例具有分配头642和644， 这些分配头偏离成邻近内室的侧壁。图6E示出了分配头652和654，这 些分配头设置成邻近内室的侧壁，这些侧壁邻近该室的底部。最后， 图6F示出了由四个分配头662、664、666和668所形成的一排分配头， 这些分配头布置在内室的侧壁上。优选地，该一个或者多个液体分配 头相对于处理容器的结构设计和相对于相互进行布置，从而在它们相 应的内室中提供混合。可以预想到，如特殊应用所需要的那样，可以 设置任何数目的、尺寸大小相同或者不同的液体分配头。
加入到浴具中的液体流的喷雾方向用箭头来表示，具有图6所示弧 度的两个箭头表示射流可以以可能的角度范围来进入。注意，这些射 流可以从喷头棒或者通过箱的壁部进入。图6D、6E和6F所示的结构特 别适合于某些应用，因为用来加入流体流的这些孔设置成远离内室的 底部，如果希望的话，那么优选位置用于大音速(megasonic)能量的 源。因此，分配头的这种设置使得与大音速(megasonic)能量转换器 的干扰量最小化，这些转换器设置在浴具的底部中。
图7是使用描述在美国专利No.6245158中的、用来处理物体的现有 技术活塞流系统在处理容器的时间期间处理化学物质在内室中的浓度 的图解理想化图。在这个附图中，处理化学物质的存在、位置和相对 浓度用放置化学物质的处理容器内室的阴影部分来表示。在活塞流型 的系统中，在时间t1处，处理化学物质在溶液中的浓度为0。在时间t2 处，处理溶液从处理容器内室的底部加入到处理容器的内室中，其中 处理容器内室中的过量液体溢出处理容器内室的顶部。由于小心地加 入处理溶液以致基本上没有与处理容器内室中的液体进行混合，因此 在两种溶液之间具有边界。因此，处理容器内室的底部具有接近饱 (full)浓度的处理溶液，而处理容器内室的顶部装有这样的液体：该 液体基本上没有装于其中的处理溶液。在时间t3处，处理溶液连续从 处理容器内室的底部前进到处理容器内室的顶部中，又没有与处理容 器内室中的液体相混合。在时间t4处，处理容器内室的全部内室以饱 浓度装着处理溶液。在时间t5处，从处理容器内室的底部把没有处理 溶液的液体加入到处理容器内室的内室中。又，由于小心地加入液体 从而与处理容器内室中的液体没有产生混合，因此处理容器内室的底 部基本上没有处理化学物质，并且处理容器内室的顶部基本上装着处 理化学物质的饱浓度。在时间t6处，没有处理化学物质的额外液体连 续从处理容器内室的底部前进到处理容器内室的顶部中，因此使具有 处理化学物质的液体进行运动，又没有使处理容器内室中的两种液体 进行实质混合。在时间t7处，从处理容器内室中清除所有的处理化学 物质。
图8是使用本发明的、用来处理物体的均匀转移流系统处理化学物 质在处理容器内室中的浓度的图解理想化图。在这个附图中，处理化 学物质的存在、位置和相对浓度用放置化学物质的处理容器内室的阴 影部分来表示。在时间t1处，处理化学物质在溶液中的浓度为0。在时 间t2处，处理溶液加入到处理容器的内室中，优选地从处理容器内室 的底部中加入到该内室中，其中处理容器内室中的过量液体溢出处理 容器内室的顶部。由于加入处理溶液来提供均匀液体化合物，因此处 理化学物质与处理容器内室中的液体充分混合，处理化学物质以基本 上相同的浓度在所有部分处放置到处理容器的整个内室中。在时间t3 处，从处理容器内室的底部把更多的处理溶液加入到内室中，又进行 了充分混合。这时，处理化学物质的浓度大于用处理容器内室总体积 的较黑暗的阴影部分来表示的、在t2时所观察到的浓度。在时间t4处， 处理容器内室的全部内室以基本上饱浓度来装着处理溶液，该饱浓度 是在处理容器内室中处理物体所希望的。在时间t5处，从处理容器内 室的底部把没有处理溶液的液体加入到处理容器内室的内室中。又， 由于小心地加入液体从而与处理容器内室中的液体产生了完全混合， 因此处理化学物质以基本上相同的浓度在所有部分上处于整个处理容 器内室中，该浓度小于时间t4时处理容器内室中的处理化学物质的浓 度。在时间t6处，没有处理化学物质的更多液体被加入到处理容器内 室中，从而进一步稀释了在处理容器内室中所得到的、均匀的处理化 学物质。在时间t7处，借助逐步的稀释从处理容器内室中清除基本上 全部的处理化学物质。
在图9中，它示出了本发明的处理系统1000的方块图。系统1000 是本发明的一个例子，该系统1000包括处理容器1005。应该知道，任 何数目的不同系统可以设置成具有这种处理容器1005，并且可以如所 希望的那样设置任何数目的其它结构和零件。
系统1000包括处理容器1005、控制器1009、喷射器1007、及液体 源1001。该系统还包括许多流量控制阀1006，这些控制阀优选可操纵 地连接到控制器1009上，并且其它零件如所示出的一样。在工作时， 非处理液体从液体源1001中进入该系统中。位于源1001处的控制阀 1006借助控制器1009来控制非处理液体的流量。非处理液体优选地包 括非处理液体如DI水(除去离子的水)。
优选的是，第二控制阀1006也与喷射器1007相连，因此处理化学 物质可以与非处理液体一起加入。第二控制阀1006可以设置在液体混 合室或者其它位置内。如上所述，优选地，每个控制阀与控制器1009 相连，从而如所希望的那样提供液体流，并且在如线路1012所示那样 喷射化学物质时，可以进行有效控制。控制器1009包括任何公知的或 者发展的控制系统如微处理器。任何数量的反馈传感器1015也可以与 控制器1009相连，以有效控制任何具体的处理过程。
上述实施例也可以用在其它所选择出来的半导体制造过程步骤 中。在另一个具体的实施例中，这种清洁技术可以应用在其它的半导 体处理应用之前。这些处理应用更加详细地描述在由stanley Wolf and Richard N.Tauber所写的、Semiconductor Processing For The VLSI Era，Vol.1：Process Techology(1986)(在这里称为“WOLF”)的正文 中。例如，这种技术可以用作预取向附生的、预扩散的、预金属的 (pre-metal)、预聚的(pre-poly)、预注入的、预光刻胶的及预牺牲的氧 化的清洁技术。
在另一个实施例中，这种清洁技术可以应用在实现所选择的半导 体制造过程之后。这种制造过程的例子包括氮化物沉积、磨光清洁(例 如化学-机械磨光或者CMP)、缓冲氧化蚀刻和金属沉积。这些过程 步骤也详细地描述在WOLF的正文中。
目前可以预期，根据特殊应用，在这里所描述的这些处理步骤之 前或者之后，在要处理的物体上也可以进行任何数目的额外步骤。尤 其地，当与上述这些处理步骤结合使用时，现有技术中所公知的后处 理步骤可以提供特殊的优点。例如，使用活塞流或者接近活塞流情况 的随后漂洗步骤可以减少漂洗水量。在这个实施例中，在借助均匀浓 度减少而从处理容器的处理内室中除去处理液体之后，施加一系列的、 温度变化的漂洗流(这些公开在美国专利No.6245158中，该专利的公 开内容在这里引入以作参考)特别提供了一些有利的效果，即清洁最 后的产品。类似地，如上所述使用表面活性剂来除去非处理液体的干 燥过程提供了特别好的优点。这些装置和方法描述和图解在1998年6 月30日授权的、名称为“Ultra-low particle Semiconductor Cleaner”的 美国专利No.5772784中，这个专利的全部公开内容在这里引入以作参 考。此外，这里所描述的过程可以增加使用辅助技术例如把热量、声 波能和类似能量施加到该过程中的物体上来提高处理过程的效果。
现在结合下面图解的例子来描述本发明的原理。本发明方法可以 应用到较宽范围的处理和非处理液体和被处理的物体上。但是，简短 地说，这些例子将把HF、DI水和由SiO2的1000A来盖住的、直径为 300mm的硅晶片用作处理化学物质、非处理液体和物体。图解的这些 过程的目的是均匀地蚀刻SiO2层，这些层盖住晶片的表面。
例子1：测量化学物质浓度的均匀度
出于本发明的目的，执行本发明的过程，因此在浴具体积内的每 个转移期间，可以观察到处理化学物质的浓度均匀增加或者减少。优 选地，在接近要处理的物体的表面处进行这种估价。如果在该过程的 任何给定时间内处理化学物质在靠近要处理的物体表面处的浓度改变 不超过大约50％、优选地不超过大约20％，那么溶液浓度被认为是均 匀的。远离处理表面的浴具区域是不利的并且不包括在浓度测量中。
借助任何合适的技术、如借助测量液体在要估价的液体中的典型 位置上的传导率来确定靠近要处理的物体表面处的浓度。在浓度的这 种范围内，HF浓度非常接近与溶液的传导率成比例。在多个半导体晶 片布置在过程固定物中(每个晶片之间具有较小的间隙)的情况下， 小电极可以插入到邻近晶片之间并且局部传导率借助电测量来确定。
例如，52300mm的晶片装载在过程增进盒 (Entegris，Chaska，Minnesota)并且浸入到以40lpm进行流动的DI水 (非处理液体)的40升浴具中。渐增高至200∶1的稀释HF(处理化学 物质)借助把200cc/min的、49重量％HF喷射到DI水的40lpm流量中 来实现。传导率探针包括两个1cm长的、分开3mm的电极，这些电极 横跨位于图10所示的这些位置上的邻近晶片之间的间隙。传导率借助 下面方法来确定：以1kHz(Agilent 33120A Arbitrary Waveform Generator)施加1v的峰值-对-峰值的正弦波，并且从HF喷射开始时开 始每隔四秒用Wavetek HD160数字伏特测量计来测量一次合成电流。
如图10所看到的一样，每个测量位置上的浓度均匀增加。在所有 的时间上，晶片上的任何两个位置之间的浓度变化小于20％。
例子2：测量蚀刻剂的均匀度
在进行蚀刻的情况下，在晶片表面上的许多位置上测量蚀刻过程 所除去的材料量。至少9-121个位置是典型的，具有49个或者如此测量 是优选的。
在49个位置上测量SiO2蚀刻过程的均匀度的情况下，可以使用下 面过程，其中这49个位置均匀地分布在直径为300mm的硅晶片上，该 晶片用来制造半导体装置。在口径为300的Rudolph椭圆计(它在商业 上可以从Rudolph Research中买到)或者等同物上的每个位置上测量 SiO2的初始厚度，并且把所测得的值储存到位于其中的计算机中(预 测量)。然后，用处理化学物质(典型为稀释HF)来处理晶片，以蚀 刻掉一些SiO2，并且进行漂洗和干燥。然后，在椭圆计上预测量在晶 片上的相同49个位置上的SiO2的厚度(后测量)。49个位置在晶片上 的设置借助标准的49点模式来限定出，而该模式由椭圆计来提供。
Deltan、在位置n上的蚀刻量是在位置n上的预测量值和后测量值 之间的差值：
Deltan＝pren-postn
平均蚀刻量是各个Deltan的算术平均值：
平均值＝(1/n)*从n＝1到49的deltan的总合
蚀刻的范围是最大蚀刻delta和最小蚀刻delta之间的差值
范围＝deltamax-deltamin
该范围是蚀刻过程的均匀度的重要测量值。蚀刻过程的质量的特 征在于，规定该平均蚀刻量，并且使偏差量大于和小于该平均值：
平均值+/-(范围/2)
通过本发明过程所得到的性能值是从硅晶片上蚀刻30A+/-1.5A的 SiO2。另一个共同测量值、简单地称为“蚀刻均匀度”或者“sigma”定义 成deltan的标准偏差除以平均蚀刻量，以百分比表示如下：
sigma＝100*(deltan的标准偏差)/平均值
这些结果根据从物体表面上所蚀刻掉的材料量的变化可以确定大 于和小于平均蚀刻效果。令人惊讶的是，已发现，使用这里所描述的 方法的蚀刻过程可以得到小于大约+/-4埃的蚀刻变量，更加优选的是 为小于大约+/-2埃的蚀刻变量。
借助例子，在从HF(处理化学物质)到DI水(非处理液体)到漂 洗(转移出来)期间所产生的蚀刻非均匀度可以借助下面方法来确定： 只实现该蚀刻过程的那部分。即，转移出来(transition out)可以借 助下面方法来进行模拟：把一些晶片浸入到预混合HF浴具中，并且立 即开始DI水漂洗步骤。
为了实现这个实验，借助把200cc/min的49％HF混合到40lpm(每 分钟的升数)的DI水中，使40l的浴具填充有200∶1的水性HF。浴具 和液体流系统描述在图1-4中。52300mm的填充晶片装载在过程固定物 中。位于槽2、25和51中的填充晶片用覆盖有大约1000A的SiO2的三个 实验晶片来取代。固定物由聚偏二氟乙烯(PVDF)来形成并且把这 些晶片平行地保持在5mm的间距上。把这些晶片浸入到HF浴具中，并 且DI水漂洗流立即开始并且保持300秒，从而导致浴具中具有可以忽 略的HF含量。借助从箱子中慢慢地排出水、同时在晶片的露出部分周 围提供IPA：N2大气，干燥这些晶片。40lpm和78lpm漂洗流的数据 积聚在独立的实验管道(run)中。
为了比较，除了液体顺序之外，使用相同的实验过程，一些晶片 也通过转移蚀刻过程来延伸。把一些晶片浸入到浴具中，其中40lpm 的DI水进行流动。然后，把200cc/min的49％HF喷射到DI流中，这种 喷射进行250秒。在喷射结束时，DI水连续流动300秒以漂洗这些晶片。 在所有情况下，如上述那样测量从实验晶片中所蚀刻出来的氧化物的 变量。图11和12示出了每个晶片上的49个位置中的每一个的结果，其 中通过该系统的大量液体流各自为78lpm和40lpm。蚀刻在各自实验 晶片上的氧化物的范围和蚀刻在所有晶片上的所有位置上的氧化物的 范围示出在表2中。
尽管不希望受到理论约束，但是应该相信，晶片上的蚀刻量的变 化是由速率的局部变化所产生的，其中HF以该速度借助DI水来稀释/ 漂洗掉。快速稀释的区域蚀刻得小于慢速稀释的区域，其中HF蚀刻 剂存留在该慢速稀释的区域中，并且可以在一个更长的期间内起作用。 78lpm漂洗进行得比40lpm漂洗好，因为，与在40lpm处相比，在78 lpm处，每个独自的区域漂洗得更加快速。在78lpm处，即使慢漂洗 区域中的HF具有较少的蚀刻时间，但是与40lpm情况下的相同区域相 比，具有较少的时间来产生蚀刻非均匀度。
以40lpm的大量流动速度来实现的本发明转移蚀刻过程的结果示 出在图13中。与只具有图12所示的酸性蚀刻剂的转移稀释的过程相比， 40lpm的总转移蚀刻过程具有好得多的性能。尽管不希望受到理论约 束，但是应该相信，转出部分的变化借助总转移蚀刻过程的转入部分 中的对称变化来得到局部补偿。即，一些区域(在这些区域中，在转 入期间，HF浓度升高得最快)通常是这样的一些相同区域：在这些区 域中，在转出期间，HF浓度降低得最快。
从40lpm浸透-蚀刻(图12)到40lpm转移蚀刻(图13)的蚀刻均 匀度的四-折叠改进非常剧烈。随着漂洗流率的提高，浸透-蚀刻的蚀 刻均匀度典型地提高了(比较图11和图12)。假设浸透-蚀刻的蚀刻均 匀度随着漂洗流率而反向改变(总范围与1/漂洗流率成比例)，40lpm 转移蚀刻进行得与160lpm浸透蚀刻一样好。160lpm的漂洗流极其差， 因为DI水和它的处理的费用较高，并且需要较大的设备的基础结构来 支持这种流率。
表2：在漂洗(转出)步骤期间在晶片上的蚀刻delta的范围。   过程   晶片2的   范围   (A)     晶片25的     范围     (A)     晶片51的     范围     (A)   平均范围     (A) 所有位置 的总范围   70lpm漂洗     4.5     4.0     5.2     4.6     5.5   40lpm漂洗     7.0     8.4     10.2     8.5     10.3   漂洗/蚀刻/   漂洗     2.4     2.4     1.7     2.2     2.5
例子3：测量与浸透蚀刻和独立的循环HF浴具中的蚀刻相比较的 转移蚀刻的均匀度
图14示出了以三种方式来处理的晶片的蚀刻均匀度结果：
比较3A，晶片借助浸入到独立的、专用的、循环的HF浴具中来 进行蚀刻，并且转移到流动水的浴具中以进行漂洗(专用浴具蚀刻)；
比较3B，一些晶片借助下面方法来进行蚀刻：浸入到HF的预混合 浴具中，并且在相同箱子内进行就地漂洗之后浸透(浸透蚀刻)；及
比较3C，借助下面方法来蚀刻晶片：在转出到流动的DI水之后， 在转入到流动HF之后，浸入到流动DI水中(本发明的转移蚀刻)。
使用来进行专用浴具处理的晶片在200∶1HF的40升浴具中浸泡 140秒，其中HF以40lpm进行循环。然后，在蚀刻/漂洗干燥箱内使这 些晶片自动地转移到40l的漂洗浴具中，该箱子以40lpm溢流DI水300 秒。
来自浸透蚀刻处理的这些晶片全部在40l的蚀刻/漂洗/干燥箱内 进行冲洗。一些晶片被浸入到200∶1HF的静态浴具中140秒。在蚀刻 时间结束时，DI水以84lpm流入到浴具中300秒。
来自转移蚀刻处理的这些晶片也全部在40l的蚀刻/漂洗/干燥箱 内进行冲洗。一些晶片浸入到DI水中，该水以40lpm进行流动。然后， 把HF喷射到形成200∶1的HF的40lpmDI水流中140秒。然后，结束HF喷射，在40lpmDI水流中漂洗这些晶片300秒。在所有情况下，如上所 述那样测量从实验晶片中所蚀刻下来的氧化物的变化。
过程数据示出在图14中。转移蚀刻过程的晶片上的均匀度(2.1A 平均最大-最小)比循环HF浴具(2.4A)的好10％，比原地浸透蚀刻 (4.0A)的好得多。当40lpm的转移蚀刻(2.1A)与40lpm浸透蚀刻 (表2中的8.5A)相比时，转移蚀刻的优点甚至更好。此外，与循环的 HF蚀刻过程相比，转移蚀刻过程可以得到更好的性能，并且在一个浴 具中实现这些。
尽管上面充分地描述本发明装置和方法的具体实施例，但是可以 使用各种变形、替换结构和等同物。例如，尽管上面描述了半导体基 体的方法和装置，但是可以预期用本发明来制造包括粗晶片、盘或者 头部、平板显示器、微电子罩和任何其它设备(它需要高纯度湿处理 如漂洗、干燥、清洁和类似的步骤)在内的全部微电子装置和基体。 此外，附图中的某些系统被描述成半导体的蚀刻系统。此外，可以把 这些系统应用到其它工业如电化学、制药、印制电路板、光学装置及 需要改进技术来借助液体流技术处理制造物品的任何其它工业中。
因此，上面描述和附图不能理解成限制本发明的范围，而本发明 借助附加的权利要求来进行限定。