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一种用于金刚石膜射流抛光装置

阅读:527发布:2023-01-02

专利汇可以提供一种用于金刚石膜射流抛光装置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种用于金刚石膜射流 抛光 装置,包括底座,底座上端设有流射 喷嘴 座,流射喷嘴座后端固定连接有 磨料 液体添加管,流射喷嘴一端插入流射喷嘴座前端部内,流射喷嘴在流射喷嘴座内滑动设置,流射喷嘴另一端顶住旋转接料盘,旋转接料盘后端连接驱动 电机 。本发明 水 平放置的磨料射流喷嘴与 工件 放置于旋转接料盘上处于准 接触 状态,高速喷出的射流到达工件后立即改变方向沿喷嘴边缘外泄,加工过程中工件不断旋转,喷嘴可沿径向移动,工件表面在射流的冲击与摩擦作用下被抛光,加工效率高,速度快。,下面是一种用于金刚石膜射流抛光装置专利的具体信息内容。

1.一种用于金刚石膜射流抛光装置,包括底座,其特征在于:底座上端设有流射喷嘴座,流射喷嘴座后端固定连接有磨料液体添加管,流射喷嘴一端插入流射喷嘴座前端部内,流射喷嘴在流射喷嘴座内滑动设置,流射喷嘴另一端顶住旋转接料盘,旋转接料盘后端连接驱动电机
2.根据权利要求1所述的一种用于金刚石膜射流抛光装置,其特征在于:所述的流射喷嘴座下端通过滑动滑动设置于底座上。
3.根据权利要求1所述的一种用于金刚石膜射流抛光装置,其特征在于:所述的滑动块上穿过有丝杆,丝杆另一端设有驱动电机
4.根据权利要求1所述的一种用于金刚石膜射流抛光装置,其特征在于:所述的底座上靠近旋转接料盘一端设有限位挡板

说明书全文

一种用于金刚石膜射流抛光装置

技术领域

[0001] 本发明涉及金刚石加工技术领域,具体属于一种用于金刚石膜射流抛光装置。

背景技术

[0002] 近年来,低压化学气相沉积(CVD)金刚石薄膜技术得到迅速发展,研究开发了诸如灯丝热解CVD法、微波等离子体CVD法、直流等离子体喷射CVD法和燃焰法等多种金刚石薄膜合成方法。根据不同的沉积方法和沉积条件,在1~980μm/h的沉积速度下,可得到厚度为0.5~1000μm的薄(厚)膜,可沉积出直径达300mm的大面积金刚石膜,为金刚石膜的广泛应用奠定了基础
[0003] 由于气相沉积的金刚石膜为多晶膜,晶粒较多,表面凸凹不平,在许多情况下不能直接使用,因而金刚石膜的光整加工(抛光)是必不可少的重要工艺步骤。由于金刚石膜硬度高、厚度薄、整体强度低,因此抛光效率低,且膜极易破裂及损伤,加工难度较大。

发明内容

[0004] 针对上述问题,本发明的目的是提供了一种用于金刚石膜射流抛光装置,平放置的磨料射流喷嘴工件放置于旋转接料盘上处于准接触状态,高速喷出的射流到达工件后立即改变方向沿喷嘴边缘外泄,加工过程中工件不断旋转,喷嘴可沿径向移动,工件表面在射流的冲击与摩擦作用下被抛光,加工效率高,速度快。
[0005] 本发明采用的技术方案如下:
[0006] 一种用于金刚石膜射流抛光装置,包括底座,底座上端设有流射喷嘴座,流射喷嘴座后端固定连接有磨料液体添加管,流射喷嘴一端插入流射喷嘴座前端部内,流射喷嘴在流射喷嘴座内滑动设置,流射喷嘴另一端顶住旋转接料盘,旋转接料盘后端连接驱动电机
[0007] 所述的流射喷嘴座下端通过滑动滑动设置于底座上。
[0008] 所述的滑动块上穿过有丝杆,丝杆另一端设有驱动电机
[0009] 所述的底座上靠近旋转接料盘一端设有限位挡板
[0010] 与已有技术相比,本发明的有益效果如下:
[0011] 本发明水平放置的磨料射流喷嘴与工件放置于旋转接料盘上处于准接触状态,高速喷出的射流到达工件后立即改变方向沿喷嘴边缘外泄,加工过程中工件不断旋转,喷嘴可沿径向移动,工件表面在射流的冲击与摩擦作用下被抛光,加工效率高,速度快。附图说明
[0012] 图1为本发明的结构示意图。

具体实施方式

[0013] 参见附图,一种用于金刚石膜射流抛光装置,包括底座1,底座1上端设有流射喷嘴座2,流射喷嘴座2后端固定连接有磨料液体添加管3,流射喷嘴4一端插入流射喷嘴座2前端部内,流射喷嘴4在流射喷嘴座2内滑动设置,所述的流射喷嘴座2下端通过滑动块5滑动设置于底座1上,所述的滑动块5上穿过有丝杆6,丝杆6另一端设有驱动电机7,流射喷嘴4另一端顶住旋转接料盘8,旋转接料盘后端连接驱动电机801,所述的底座1上靠近旋转接料盘8一端设有限位挡板101。本发明水平放置的磨料射流喷嘴与工件放置于旋转接料盘上处于准接触状态,高速喷出的射流到达工件后立即改变方向沿喷嘴边缘外泄,加工过程中工件不断旋转,喷嘴可沿径向移动,工件表面在射流的冲击与摩擦作用下被抛光,加工效率高,速度快。
[0014] 以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
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