专利汇可以提供施用保护覆层特别是向能量锅炉的气密膜施用保护覆层的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种施用保护覆层特别是向 能量 锅炉 的气密膜施用保护覆层的方法,包括:将两个气密膜(2)耦接在一起,然后在300℃至800℃、有利地约700℃下均 热处理 耦接在一起的一对气密膜(2);随后,清洁待施用覆层(1)的膜(2)表面,将耦接在一起的一对气密膜(2)安装在 定位 器上,然后预加热到80℃至600℃、有利地预加热到约300℃至450℃,然后用保护覆层(1) 覆盖 耦接在一起的一对气密膜(2)的经清洁和预加热的表面,其中保护覆层以0.1mm至3.00mm、有利地约0.6mm的厚度施用,然后最后将与覆层耦接在一起的整对气密膜(2)在300℃至800℃,优选约700℃下进行均热处理,并且维持设定 温度 10分钟至600分钟、有利地15分钟至30分钟,以及最后使具有覆层的气密膜(2)解耦接。,下面是施用保护覆层特别是向能量锅炉的气密膜施用保护覆层的方法专利的具体信息内容。
1.一种施用保护覆层特别是向能量锅炉的气密膜施用保护覆层的方法,其特征在于,将两个气密膜(2)耦接在一起,然后在300℃至800℃、有利地约700℃下均热处理所得的一对气密膜(2),其中清洁待施用保护覆层(1)的气密膜的表面,安装在定位器(13)上并然后预加热到80℃至600℃、有利地预加热到约300℃至450℃,然后,用保护覆层(1)覆盖耦接在一起的一对气密膜(2)的所述经清洁和预加热的表面,其中保护覆层以0.1mm至3.00mm、有利地约0.6mm的厚度施用,然后最后将具有覆层的耦接在一起的整对气密膜(2)在300℃至800℃、有利地约700℃下进行均热处理,并且维持设定温度10分钟至600分钟、有利地
15分钟至30分钟,然后使具有覆层的气密膜(2)解耦接。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,通过将金属型材(7)焊接到气密膜(2)的边缘和/或凸缘(4)来进行气密膜(2)的耦接。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,气密膜(2)的表面通过激光烧蚀进行清洁,其中激光束的输出功率为100kW至600kW、有利地300kW;斑点直径为0.1mm至1.0mm、有利地约0.5mm;扫描宽度为30mm至80mm、有利地约60mm;激光脉冲频率为10000脉冲/秒至50000脉冲/秒、有利地约20000脉冲/秒。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,初步均热处理通过将加热器(5)插在气密膜(2)的管(3)与凸缘(4)之间来进行。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,初步均热处理通过将加热器(5)插在气密膜(2)的管(3)与凸缘(4)之间和/或插入气密膜(2)的管(3)内来进行。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,向气密膜(2)施用粉末或线原料形式的保护覆层(1),所述原料具有以下组成:50%至80%、有利地约66%的镍;8.0%至50.0%、有利地约20.0%的铬;0.1%至5.0%、有利地约0.85%的硼;0.08%至6.0%、有利地约
1.2%的硅;0.05%至1.8%、有利地约0.15%的锰;2.0%至12.0%、有利地约6.8%的钼;1.2%至4.0%、有利地约2.7%的铌;0.01%至4.0%、有利地约1.8%的铁;0.03%至
0.9%、有利地约0.25%的碳。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,向气密膜(2)施用粉末或线原料形式的保护覆层(1),所述原料具有以下组成:50%至80%、有利地约64.0%的镍;8.0%至50.0%、有利地约22.0%的铬;0.08%至1.0%、有利地约0.25%的硅;0.05%至2.0%、有利地约
0.20%的锰;2.0%至15.0%、有利地约9.0%的钼;2.0%至5.0%、有利地约3.6%的铌;
0.01%至0.5%、有利地约0.03%的碳;有利地低于1.0%的铁。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,向气密膜(2)施用粉末或线原料形式的保护覆层(1),所述原料具有以下组成:60.0%至80.0%、有利地约70.4%的镍;8.0%至
20.0%、有利地约17.3%的铬;2.0%至7.0%、有利地约4.0%的硅;2.0%至6.0%、有利地约3.43%的硼;0.4%至2.0%、有利地约0.89%的碳;2.5%至7.0%、有利地约4.0%的铁。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,使用激光束辐射能向气密膜(2)施用保护覆层(1)。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,使用CMT技术向气密膜(2)施用保护覆层(1)。
11.根据权利要求1、9、10所述的方法,其特征在于,使用高温计或红外摄像机(11)以如下方式控制保护覆层(1)施用的参数,使得覆层施用时的覆层焊接温度不超过2600℃,并且有利地为2300℃至2500℃。
12.根据权利要求1、9、10、11所述的方法,其特征在于,以如下方式控制保护覆层(1)施用的参数,使得向包覆过程区域供以2.5kJ/g原料至12kJ/g原料、有利地4kJ/g原料至
6kJ/g原料的能量。
13.根据权利要求1、9、10、11所述的方法,其特征在于,供应至保护覆层(1)的能量的值被确定为使得接近所述覆层焊缝的热渗透区域低于2.00mm并且有利地低于0.2mm。
14.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,以如下方式交替地将覆层施用于安装在定位器(13)上的耦接在一起的一对气密膜(2):向耦接在一起的一对气密膜(2)的一侧施用一个或数个焊道(9),然后翻转该对耦接在一起的气密膜(2),并向耦接在一起的一对气密膜(2)的另一侧施用一个或数个焊道(9),其中重复循环多次直到按计划施用整个保护覆层(1)。
15.根据权利要求1、13所述的方法,其特征在于,在一个循环期间,向耦接在一起的一对气密膜的一侧施用至少一个长度不低于气密膜(2)长度的0.4的焊道(9);有利地施用计划的覆层(1)表面的5%至10%。
16.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,同时向耦接在一起的一对气密膜(2)的彼此相反的侧面施用保护覆层(1)。
17.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,使用以以下参数为特征的CMT技术以编织图案施用保护覆层(1):频率为1Hz至3Hz、有利地2Hz;施用的覆层量为3.0kg/小时至
6.0kg/小时、有利地4.3kg/小时;编织幅度为10mm至12mm。
18.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,为了通过金属型材(7)连接气密膜(2)凸缘(4),使用连续焊接或针脚点焊(6)。
19.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,耦接在一起的一对气密膜(2)的初始均热处理和/或最后均热处理在炉或预加热箱中进行。
20.根据权利要求所述的方法,其特征在于,在覆层施用之前和/或期间将耦接在一起的一对气密膜(2)预加热至80℃至600℃、有利地300℃至450℃的温度。
21.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在保持耦接条件下通过将间隔件插在所述耦接在一起的膜之间,使耦接在一起的气密膜(2)发生初始变形,所述间隔件具有2mm至
200mm的可变厚度。
22.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,相邻气密膜(3)的管端(3)通过焊缝(10)连接。
23.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,相邻气密膜(2)的边缘用螺栓和/或型材(7)机械地连接。
24.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,使用级分为0.5mm至2.0mm、有利地约
0.7mm的金刚砂和/或丸,并且施加2.5巴至12.0巴、有利地约7.0巴的气体压力,将气密膜(2)的表面喷丸清洁至Sa3。
25.根据权利要求1和21所述的方法,其特征在于,覆层头部(14)与耦接的一对膜(2)之间的固定距离通过激光追踪系统(12)来维持。
26.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,定位器(13)的一端可沿着管(3)的纵轴自由移动。
方法
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