功率单元级联式高压变频器的旁路电路
专利汇可以提供功率单元级联式高压变频器的旁路电路专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型提供一种高可靠性，结构简单，低成本的针对功率单元级联式高压 变频器 的旁路 电路 ；它包括旁路电路和控制电路，旁路电路采用共发射极双IGBT模 块 S5，共发射极双IGBT模块S5的两集 电极 PC1、PC2与功率单元的输出端并联，双IGBT的栅极G1和G2作为共用控制端G1/G2连接在一起（ 附图 中未示出），控制电路与共发射极双IGBT模块的共用控制端G1/G2与共发射极端PE1/PE2连接。功率单元发生故障时，控制电路驱动共发射极双IGBT模块S5使其导通，使功率单元的输出端 短路 ，以维持高压变频器的运行，防止其停机。由于旁路电路使用共发射极双IGBT模块作为旁路器件，不仅可承受很高的dv/dt值，和很短的导通时间，与对双IGBT分别进行驱动的方式相比可省去一组驱动电路。，下面是功率单元级联式高压变频器的旁路电路专利的具体信息内容。
1.一种功率单元级联式高压变频器的旁路装置，包括旁路电路和驱动电路，所述旁路电路包括共发射极双IGBT模块（S5），该共发射极双IGBT模块（S5）由发射极互相连接在一起的两个IGBT（T1、T2）构成，两个集电极（PC1、PC2）分别并联在功率单元的输出端（L1、L2），两个IGBT（T1、T2）的集电极（PC1、PC2）和发射极（PE1、PE2）之间分别反向并联有续流二极管（D1、D2），两个IGBT（T1、T2）的栅极（G1、G2）互相连接在一起形成共用控制端（G1/G2），所述驱动电路的输出端分别与共发射极双IGBT模块（S5）的共用控制端（G1/G2）和发射极端（PE1/PE2）连接，在功率单元故障时，对应的所述驱动电路驱动共发射极双IGBT模块（S5）导通，将故障的功率单元的输出端（L1、L2）短路，以维持高压变频器的运行。
2.根据权利要求1所述的功率单元级联式高压变频器的旁路装置，其特征在于，所述旁路电路还具有预充电电路，所述预充电电路由两个预充电电阻（R1、R2）构成，该两个预充电电阻（R1、R2）分别串接在所述的功率单元的正母线或负母线与两输出端（L1、L2）之间，通过两个预充电电阻（R1、R2）使静态时，功率单元输出端（L1、L2）间的电压差为零，以降低共发射极双IGBT模块所承受的dv/dt值。
3.根据权利要求1所述的功率单元级联式高压变频器的旁路装置，其特征在于，所述旁路电路还具有预充电电路，所述预充电电路由四个充电支路构成，各个充电支路由预充电电阻（R1、R2、R3、R4）与充电电容（C1、C2、C3、C4）串联组成，分别并联在功率单元的四个开关器件（S1、S2、S3、S4）两端，通过预充电电阻（R1、R2、R3、R4）与充电电容（C1、C2、C3、C4）使静态时，功率单元的两输出端（L1、L2）之间的电压差为零，以降低共发射极双IGBT模块所承受的dv/dt值。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的功率单元级联式高压变频器的旁路装置，其特征在于，所述旁路电路还具有吸收电路，该吸收电路由串联的电阻（RS1）和电容（RS1）组成，并联在共发射极双IGBT模块（S5）的两个集电极（PC1、PC2）之间，以防止功率单元的两输出端（L1、L2）产生高电压尖峰。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的功率单元级联式高压变频器的旁路装置，其特征在于，所述功率单元的逆变电路采用H桥功率模块，所共发射极双IGBT模块（S5）与H桥功率模块安装在同一散热板上。
6.根据权利要求5所述的功率单元级联式高压变频器的旁路装置，其特征在于，所述驱动电路在功率单元正常工作时，输出负的控制电压，使共发射极双IGBT模块（S5）深度关断。
7.根据权利要求6所述的功率单元级联式高压变频器的旁路装置，其特征在于，所述驱动电路在功率单元正常工作时，输出的控制电压为负电压，其范围在0～-20V，优选-7～-15V，以保证旁路IGBT不会误导通。
8.根据权利要求6或7所述的功率单元级联式高压变频器的旁路装置，其特征在于，所述驱动电路在功率单元故障时，输出正的控制电压，使共发射极双IGBT模块（S5）导通，其电压根据功率单元的额定电流设定。
9.根据权利要求6或7所述的功率单元级联式高压变频器的旁路装置，其特征在于，所述驱动电路在功率单元故障时，输出正的控制电压，使共发射极双IGBT模块（S5）导通，其电压的范围为11～20V，优选14～15V。
功率单元级联式高压变频器的旁路电路
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