基于2,5-二（2-噻吩基）噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物
阅读：993发布：2020-05-11
专利汇可以提供基于2,5-二（2-噻吩基）噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭 聚合物 ，其具有以下通式结构：通过引入2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑单元来提高聚合物的带隙，拓宽吸收 光谱 ；引入2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑单元具有易修饰的光物理性质，其三元共聚合物显示出了优良的光伏性能；将引入2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑单元应用于有机 太阳能 电池 中，可以提高有机 太阳能电池 光转化效率。，下面是基于2,5-二（2-噻吩基）噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物专利的具体信息内容。
1.基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物，其特征在于，包括如下通式结构：
其中，
R1独立的选自具有1-30个碳原子的烷基中的任意一种；
R2、R3和R4独立的选自氢，具有1-30个碳原子的烷基，具有1-30个碳原子的烷氧基，酯基，芳基，芳烷基，卤代烷基，杂烷基，烯基，单键、双键、三键或其组合的取代基取代的芳基中的任意一种；
n代表聚合物的重复单元个数，选自1-5000之间的自然数；
X和Y独立的选自0-1之间的小数，且X与Y之和等于1。
2.根据权利要求1所述的基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物，其特征在于：所述基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物的数均分子量为1000至1,000,000。
3.基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物的制备方法，其特征在于，包括步骤：将式Ⅱ所示的化合物、式Ⅲ所示的化合物和式Ⅳ所示的化合物在催化剂的作用下发生三元无规共聚反应，
其中，
R1独立的选自具有1-30个碳原子的烷基中的任意一种；
R2、R3和R4独立的选自氢，具有1-30个碳原子的烷基，具有1-30个碳原子的烷氧基，酯基，芳基，芳烷基，卤代烷基，杂烷基，烯基，单键、双键、三键或其组合的取代基取代的芳基中的任意一种；
X1选自硼酸基团、硼酸酯基团、卤化锌基团或三烷基锡基团中的任意一种；
Y1和Y2选自I、Br或Cl中的任意一种。
4.根据权利要求3所述的基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物的制备方法，其特征在于：所述硼酸基团选自1,3,2-二氧杂硼烷-2-基、4,4,5,5-四甲基-1,2,3-二氧杂环戊硼烷-2-基或5,5-二甲基-1,3,2-二氧杂硼烷-2-基中的任意一种；
所述卤化锌基团选自氯化锌或溴化锌中的任意一种；所述三烷基锡基团选自三甲基锡、三乙基锡或三丁基锡中的任意一种。
5.根据权利要求3所述的基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物的制备方法，其特征在于：所述催化剂为[1,3-双(二苯基膦基)丙烷]二氯镍、四(三苯基膦)钯、[1,2-双(二苯基膦基)乙烷]氯镍、双(二亚苄基丙酮)钯、氯化钯或醋酸钯中的任意一种。
6.根据权利要求3所述的基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物的制备方法，其特征在于：式Ⅲ与式Ⅳ的摩尔比为100:0～100:100和0:100～100:
100。
7.根据权利要求3所述的基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物的制备方法，其特征在于：反应温度为80～200℃，反应时间为6～48小时。
8.基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物在薄膜半导体器件、电化学器件、光伏器件和光电器件中的应用。
基于2,5-二（2-噻吩基）噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭
技术领域
[0001] 本发明涉及分子技术领域，具体涉及基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并 [5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物及其制备方法，以及该三元无规共轭聚合物作为活性层材料在有机半导体器件如有机太阳能电池和有机场效应晶体管、有机电致发光器件、有机热致色变元件、有机场效应晶体管中的应用。
背景技术
[0002] 利用廉价材料制备低成本、高效能的太阳能电池一直是光伏领域的研究热点和难点。目前用于地面的硅晶电池由于生产工艺复杂、成本高，使其应用受到限制。为了降低电池成本，拓展应用范围，长期以来人们一直在寻找新型的太阳能电池材料。有机半导体材料以其原料易得、廉价、制备工艺简单、环境稳定性好、有良好的光伏效应等优点备受关注。自1995年Heeger 等人首次提出本体异质结概念并采用共轭聚合物MEH-PPV作为电子给体材料，富勒烯衍生物PCBM作为电子受体材料制备出世界上第一个本体异质结型(BHJ)单层有机太阳能电池后，人们在聚合物太阳能电池方面投入了大量研究，并取得了飞速的发展(G.Yu,J.G.,J.C.Hummelen,F.Wudi,A.J. Heeger,Science,1995,270(5243)；L.Meng,Y.Zhang,X.Wan,C.Li,X.Zhang, Y.Wang,X.Ke,Z.Xiao,L.Ding,R.Xia,H.L.Yip,Y.Cao and Y.Chen, science.2018,361,1094；J.Yuan,Y.Zhang,L.Zhou,G.Zhang,H.-L.Yip,T.-K. Lau,X.Lu,C.Zhu,H.Peng,P.A.Johnson,M.Leclerc,Y.Cao,J.Ulanski,Y. Li and Y.Zou,Joule.2019,3,1；W.Su,Q.Fan,X.Guo,J.Chen,Y.Wang,X. Wang,P.Dai,C.Ye,X.Bao,W.Ma,M.Zhang and Y.Li,Journal of Materials Chemistry A.2018,6,7988；M.Zhang,Y.Gu,X.Guo,F.Liu,S.Zhang,L.Huo, T.P.Russell and J.Hou,Adv Mater.2013,25,4944；
M.Zhang,X.Guo,W.Ma, H.Ade and J.Hou,Adv Mater.2014,26,5880.M.Zhang,X.Guo,W.Ma,H. Ade and J.Hou,Adv Mater.2015,27,4655.)，但是仍比无机太阳能电池的转换效率低得多。限制性能提高的主要制约因素有：有机半导体材料的光谱响应与太阳辐射光谱不匹配，有机半导体相对较低的载流子迁移率以及较低的载流子的电极收集效率等。
M.Zhang,X.Guo,W.Ma, H.Ade and J.Hou,Adv Mater.2014,26,5880.M.Zhang,X.Guo,W.Ma,H. Ade and J.Hou,Adv Mater.2015,27,4655.)，但是仍比无机太阳能电池的转换效率低得多。限制性能提高的主要制约因素有：有机半导体材料的光谱响应与太阳辐射光谱不匹配，有机半导体相对较低的载流子迁移率以及较低的载流子的电极收集效率等。
[0003] 因此本发明旨在开发新型的材料，进而大幅度提高其能量转换效率。
发明内容
[0004] 本发明目的是提供基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物其制备方法及应用。
[0005] 本发明的一种技术方案是：
[0006] 基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物，包括如下通式结构：
[0007]
[0008] 其中，
[0010] R2、R3和R4独立地选自氢，具有1-30个碳原子的烷基，具有1-30个碳原子的烷氧基，酯基，芳基，芳烷基，卤代烷基，杂烷基，烯基，单键、双键、三键或其组合的取代基取代的芳基中的任意一种；
[0011] n代表聚合物的重复单元个数，选自1-5000之间的自然数；
[0012] X和Y独立地选自0-1之间的小数，且X与Y之和等于1。
[0013] 进一步的，所述基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物的数均分子量为1000至1,000,000。
[0014] 本发明的另一技术方案是：
[0015] 基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物的制备方法，包括步骤：将式Ⅱ所示的化合物、式Ⅲ所示的化合物和式Ⅳ所示的化合物在催化剂的作用下发生三元无规共聚反应，
[0016]
[0017] 其中，
[0018] R1独立的选自具有1-30个碳原子的烷基中的任意一种；
[0019] R2、R3和R4独立的选自氢，具有1-30个碳原子的烷基，具有1-30个碳原子的烷氧基，酯基，芳基，芳烷基，卤代烷基，杂烷基，烯基，单键、双键、三键或其组合的取代基取代的芳基中的任意一种；
[0021] Y1和Y2选自I、Br或Cl中的任意一种。
[0022] 进一步的，所述硼酸基团选自1,3,2-二氧杂硼烷-2-基、4,4,5,5-四甲基-1,2,3-二氧杂环戊硼烷-2-基或5,5-二甲基-1,3,2-二氧杂硼烷-2-基中的任意一种；所述卤化锌基团选自氯化锌或溴化锌中的任意一种；所述三烷基锡基团选自三甲基锡、三乙基锡或三丁基锡中的任意一种。
[0024] 进一步的，式Ⅲ与式Ⅳ的摩尔比为100:0～100:100和0:100～100:100。
[0025] 进一步的，反应温度为80～200℃，反应时间为6～48小时。
[0026] 上述方式所制备的基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物在薄膜半导体器件、电化学器件、光伏器件和光电器件中的应用。
[0027] 本发明提供了基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元共轭聚合物，通过在含氟取代的DA共轭聚合物(例如：PM6)主链中引入2,5- 二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基单元作为第三组分得到三元无规共轭聚合物，具有可溶液法加工(能溶于氯仿、四氢呋喃和氯苯等有机溶剂中)、热稳定性好(起始热分解温度超过410℃)、吸光性好、合适的电子能级等优点，能够在基本不影响聚合物光学带隙的情况下，有效的降低聚合物的能级，从而提高器件的开路电压以及光电转化效率。附图说明
[0028] 为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中，
[0029] 图1为本发明所述的基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物在实施例1中的热重分析曲线图；
[0030] 图2为本发明所述的基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物在实施例1中的紫外-可见吸收光谱图；
[0031] 图3为本发明所述的基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物在实施例1中的循环伏安曲线图；
[0032] 图4为本发明所述的基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物在实施例1中应用于有机太阳能电池的J-V曲线图；
[0033] 图5为本发明所述的基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物在实施例1中应用于有机太阳能电池的外量子效率(EQE) 曲线。
[0034] 图6为本发明所述的基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物在实施例2中的热重分析曲线图；
[0035] 图7为本发明所述的基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物在实施例2中的紫外-可见吸收光谱图；
[0036] 图8为本发明所述的基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物在实施例2中的循环伏安曲线图；
[0037] 图9为本发明所述的基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物在实施例2中应用于有机太阳能电池的J-V曲线图；
[0038] 图10为本发明所述的基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物在实施例2中应用于有机太阳能电池的外量子效率(EQE) 曲线。
具体实施方式
[0039] 本发明将2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑单元引入到含氟取代的DA共轭聚合物(例如：PM6)主链中，并通过调节给受体单元上的官能团修饰或者烷基链长度来调控聚合物材料的相关性能，从而使所得聚合物在基本不影响聚合物光学带隙的情况下具有较低的电子能级，较好的分子排列，较高的空穴迁移率以及较优异的器件光伏性能。
[0040] 本发明所提供的聚合物，其结构通式如下：
[0041]
[0042] 其中，
[0043] R1独立的选自具有1-30个碳原子的烷基中的任意一种；
[0044] R2、R3和R4独立的选自氢，具有1-30个碳原子的烷基，具有1-30个碳原子的烷氧基，酯基，芳基，芳烷基，卤代烷基，杂烷基，烯基，单键、双键、三键或其组合的取代基取代的芳基中的任意一种；
[0045] n代表聚合物的重复单元个数，选自1-5000之间的自然数；
[0046] X和Y独立地选自0-1之间的小数，且X与Y之和等于1；
[0047] 基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元共轭聚合物的数均分子量为1000至1,000,000。
[0048] 上述基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物的制备方法，包括步骤：将式Ⅱ、式Ⅲ、式Ⅳ所示的化合物在催化剂的作用下发生三元无规共聚反应，反应温度为80～200℃，反应时间为6～48小时，得到式Ⅰ所示聚合物；
[0049]
[0050] 其中，
[0051] R1独立的选自具有1-30个碳原子的烷基中的任意一种；
[0052] R2、R3和R4独立的选自氢，具有1-30个碳原子的烷基，具有1-30个碳原子的烷氧基，酯基，芳基，芳烷基，卤代烷基，杂烷基，烯基，单键、双键、三键或其组合的取代基取代的芳基中的任意一种；
[0053] X1选自硼酸基团、硼酸酯基团、卤化锌基团或三烷基锡基团中的任意一种；
[0054] Y1和Y2选自I、Br或Cl中的任意一种；
[0055] 其中，催化剂为[1,3-双(二苯基膦基)丙烷]二氯镍、四(三苯基膦)钯、 [1,2-双(二苯基膦基)乙烷]氯镍、双(二亚苄基丙酮)钯、氯化钯或醋酸钯中的任意一种；硼酸基团选自1,3,2-二氧杂硼烷-2-基、4,4,5,5-四甲基 -1,2,3-二氧杂环戊硼烷-2-基或5,5-二甲基-1,3,2-二氧杂硼烷-2-基中的任意一种；所述卤化锌基团选自氯化锌或溴化锌中的任意一种；三烷基锡基团选自三甲基锡、三乙基锡或三丁基锡中的任意一种；式Ⅲ与式Ⅳ的摩尔比为100:0～100:100和0:100～100:100。
[0056] 本发明还要求保护上述基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物在制备下述器件中的应用：薄膜半导体器件、电化学器件、光伏器件和光电器件；所述器件具体为聚合物太阳能电池器件或光检测器器件，所述聚合物太阳能电池器件进一步为包含本体异质结结构的聚合物太阳能电池器件。
[0057] 本发明的基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物作为一种半导体组合物和掺加剂组成；所述掺加剂选择富勒烯衍生物或者非富勒烯N型有机半导体。
[0058] 当基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元共轭聚合物用于光伏器件时，光伏器件包括空穴收集层、电子收集层、以及空穴收集层和电子收集层之间的光伏材料层，所述光伏材料层中含有该共轭聚合物；当基于吡嗪-2-羧酸酯单元的共轭聚合物用于光电器件时，光电器件包括第一电极、与所述第一电极间隔开的第二电极、以及在所述第一电极和第二电极之间设置的至少一层活性材料层；所述活性材料层中含有该共轭聚合物。
[0059] 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和实施例进一步说明本发明的技术方案。但是本发明不限于所列出的实施例，还应包括在本发明所要求的权利范围内其他任何公知的改变。
[0060] 首先，此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本发明至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。
[0061] 其次，本发明利用结构示意图等进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，示意图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是实例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间。
[0062] 实施例1
[0063] 1.三元无规共轭聚合物PM6-TTz20的合成。
[0064] 本实施例的化学反应路线图如下所示，具体反应步骤和反应条件如下：
[0065]
[0066] 在50mL的两口圆底烧瓶中，分别加入0.3mmol的双锡单体M1,0.24mmol 的双溴单体M2和0.06mmol的双溴单体M3以及10mL的无水甲苯，向反应瓶中通20分钟氩气后，将15毫克Pd(PPh3)4加入到烧瓶中作为催化剂，然后将反应混合物再通氩气30分钟。搅拌反应混合物并在氩气保护下加热回流7 小时。聚合结束后将反应混合物冷却至室温，然后将聚合物在100mL HPLC 甲醇中沉降，过滤收集固体，最后分别用HPLC的甲醇、正己烷和三氯甲烷进行索氏提取，将三氯甲烷提取液浓缩后通过在HPLC甲醇中沉降得到固体聚合物PM6-TTz20，同时将固体进行真空干燥。以三氯苯为溶剂，通过凝胶渗透色谱测得其数均分子量(Mn)为28.7kDa，分散度(PDI)为1.98。
[0067] 将以上制备的聚合物PM6-TTz20在氮气的氛围下进行热重分析，结果如图1所示，图1表明，聚合物PM6-TTz20在重量损失5％时的分解温度为411℃，表明该聚合物有很好的热稳定性。
[0068] 将以上制备的聚合物PM6-TTz20与各种有机溶剂混合，发现聚合物 PM6-TTz20在甲苯、氯仿、氯苯、二氯苯等溶剂中具有良好的溶解度，但在甲醇中不可溶。通过将聚合物PM6-TTz20的氯仿溶液旋涂至玻璃片上而制得高品质薄膜。
[0069] 聚合物PM6-TTz在氯仿溶液和成膜状态下测得的吸收光谱如图2所示。聚合物的光学带隙使用公式(Eg＝1240/λ吸收起始，其中：Eg为聚合物的光学带隙；λ吸收起始为吸收光谱在长波方向的起点)计算，并示于表1中。
[0070] 表1聚合物PM6-TTz20的光学吸收数据
[0071]
[0072] 从表1可看出，聚合物PM6-TTz20在溶液中的最大吸收位置为570nm，吸收起始位置为668nm。当聚合物PM6-TTz20旋涂成膜后，它的最大吸收和起始吸收都分别为610nm和670nm。说明聚合物在溶液中已经产生了一定的聚集。从聚合物膜起始吸收的位置，根据公式Egopt＝1240/λ吸收起始，膜(eV)，得到聚合物PM6-TTz20的光学带隙为1.85eV。
[0073] 2.将实施例1制备的聚合物PM6-TTz20(1.0mg)溶解于1mL氯仿中，然后将该溶液滴加至工作电极上，如铂片上；使用0.1mol/L Bu4NPF6的乙腈溶液作为电解质；以铂丝作为对电极；银丝作为参比电极。使用电化学循环伏安法在该体系中进行测量，聚合物PM6-TTz20的循环伏安数据示于图3中。由图3结果计算可得，聚合物PM6-TTz20的HOMO能级为-5.50eV,LUMO能级为-3.60eV。
[0074] 3有机太阳能电池器件的制备及性能测试：
[0075] 将商业购买的氧化铟锡(ITO)玻璃先用丙酮搓洗，然后依次用洗洁剂、水、去离子水、丙酮、异丙醇超生清洗，干燥后旋涂一层30nm厚的PEDOT:PSS 作为阳极修饰层待用。将实施例中的基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d] 噻唑基三元共轭聚合物与小分子电子受体材料Y6(重量比为1:1.25)以及添加剂氯萘(0.25％-3％)的氯仿共混溶液(10～30mg/ml)旋涂于PEDOT:PSS 阳极修饰层上形成器件的活性层。最后再旋涂一层厚度约10nm的PDINO作为阴极修饰层和Al(100nm)作为器件阴极，得到聚合物太阳能电池器件。光伏器件有效面积为0.04cm2。聚合物太阳能电池的能量转换效率是用 SS-F5-3A(Enli Technology CO.,Ltd.)作为太阳模拟器，在100mW/cm2光强下对器件进行光伏性能测试，光强通过标准单晶硅太阳能电池 (SRC-00019)校准；J-V曲线使用Keithley 2450进行测量。测试得到聚合物太阳能电池器件的开路电压、短路电流以及填充因子这三个参数。其J-V 曲线示于图4，其中聚合物太阳能电池器件的开路电压Voc＝0.87V，短路电流Jsc＝26.9mA/cm2，填充因子FF＝73％，转化效率PCE＝17.1％。
[0076] 本发明所用的小分子受体材料Y6的结构如下：
[0077]
[0078] 图5为本发明所述的一种基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物PM6-TTz20在应用于有机太阳能电池的EQE曲线。根据EQE曲线得到的积分短路电流为24.4mA cm-2，这与测试值的误差在5％以内，表明我们的器件数据具有高度可靠性。
[0079] 实施例2
[0080] 1.三元无规共轭聚合物PM6-TTz50的合成。
[0081] 本实施例的化学反应路线图如下所示，具体反应步骤和反应条件如下：
[0082]
[0083] 在50mL的两口圆底烧瓶中，分别加入0.3mmol的双锡单体M1,0.15mmol 的双溴单体M2和0.15mmol的双溴单体M3以及10mL的无水甲苯，向反应瓶中通20分钟氩气后，将15毫克Pd(PPh3)4加入到烧瓶中作为催化剂，然后将反应混合物再通氩气30分钟。搅拌反应混合物并在氩气保护下加热回流7 小时。聚合结束后将反应混合物冷却至室温，然后将聚合物在100mL HPLC 甲醇中沉降，过滤收集固体，最后分别用HPLC的甲醇、正己烷和三氯甲烷进行索氏提取，将三氯甲烷提取液浓缩后通过在HPLC甲醇中沉降得到固体聚合物PM6-TTz50，同时将固体进行真空干燥。以三氯苯为溶剂，通过凝胶渗透色谱测得其数均分子量(Mn)为23.2kDa，分散度(PDI)为2.89。
[0084] 将以上制备的聚合物PM6-TTz50在氮气的氛围下进行热重分析，结果如图6所示，图6表明，聚合物PM6-TTz50在重量损失5％时的分解温度为418℃，表明该聚合物有很好的热稳定性。
[0085] 将以上制备的聚合物PM6-TTz50与各种有机溶剂混合，发现聚合物PM6-TTz50在甲苯、氯仿、氯苯、二氯苯等溶剂中具有良好的溶解度，但在甲醇中不可溶。通过将聚合物PM6-TTz50的氯仿溶液旋涂至玻璃片上而制得高品质薄膜。
[0086] 聚合物PM6-TTz50在氯仿溶液和成膜状态下测得的吸收光谱如图7所示。聚合物的光学带隙使用公式(Eg＝1240/λ吸收起始，其中：Eg为聚合物的光学带隙；λ吸收起始为吸收光谱在长波方向的起点)计算，并示于表1中。
[0087] 表1聚合物PM6-TTz50的光学吸收数据
[0088]
[0089] 从表1可看出，聚合物PM6-TTz50在溶液中的最大吸收位置为554nm，吸收起始位置为656nm。当聚合物PM6-TTz50旋涂成膜后，它的最大吸收和起始吸收都分别为586nm和656nm。说明聚合物在溶液中已经产生了一定的聚集。从聚合物膜起始吸收的位置，根据公式Egopt＝1240/λ吸收起始，膜(eV)，得到聚合物PM6-TTz50的光学带隙为1.89eV。
[0090] 2.将实施例2制备的聚合物PM6-TTz50(1.0mg)溶解于1mL氯仿中，然后将该溶液滴加至工作电极上，如铂片上；使用0.1mol/L Bu4NPF6的乙腈溶液作为电解质；以铂丝作为对电极；银丝作为参比电极。使用电化学循环伏安法在该体系中进行测量，聚合物PM6-TTz50的循环伏安数据示于图8中。由图8结果计算可得，聚合物PM6-TTz20的HOMO能级为-5.60eV,LUMO能级为-3.63eV。
[0091] 3有机太阳能电池器件的制备及性能测试：
[0092] 将商业购买的氧化铟锡(ITO)玻璃先用丙酮搓洗，然后依次用洗洁剂、水、去离子水、丙酮、异丙醇超生清洗，干燥后旋涂一层30nm厚的PEDOT:PSS 作为阳极修饰层待用。将实施例中的基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d] 噻唑基三元共轭聚合物与小分子电子受体材料Y6(重量比为1:1.25)以及添加剂氯萘(0.25％-3％)的氯仿共混溶液(10～30mg/ml)旋涂于PEDOT:PSS 阳极修饰层上形成器件的活性层。最后再旋涂一层厚度约10nm的PDINO作为阴极修饰层和Al(100nm)作为器件阴极，得到聚合物太阳能电池器件。光伏器件有效面积为0.04cm2。聚合物太阳能电池的能量转换效率是用 SS-F5-3A(Enli Technology 2
CO.,Ltd.)作为太阳模拟器，在100mW/cm 光强下对器件进行光伏性能测试，光强通过标准单晶硅太阳能电池 (SRC-00019)校准；J-V曲线使用Keithley 2450进行测量。测试得到聚合物太阳能电池器件的开路电压、短路电流以及填充因子这三个参数。其J-V 曲线示于图
9，其中聚合物太阳能电池器件的开路电压Voc＝0.90V，短路电流Jsc＝24.9mA/cm2，填充因子FF＝69％，转化效率PCE＝15.5％。
CO.,Ltd.)作为太阳模拟器，在100mW/cm 光强下对器件进行光伏性能测试，光强通过标准单晶硅太阳能电池 (SRC-00019)校准；J-V曲线使用Keithley 2450进行测量。测试得到聚合物太阳能电池器件的开路电压、短路电流以及填充因子这三个参数。其J-V 曲线示于图
9，其中聚合物太阳能电池器件的开路电压Voc＝0.90V，短路电流Jsc＝24.9mA/cm2，填充因子FF＝69％，转化效率PCE＝15.5％。
[0093] 本发明所用的小分子受体材料Y6的结构如下：
[0094]
[0095] 图10为本发明所述的一种基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并[5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物PM6-TTz50在应用于有机太阳能电池的EQE曲线。根据EQE曲线得到的积分短路电流为22.9mA cm-2，这与测试值的误差在5％以内，表明我们的器件数据具有高度可靠性。
[0096] 与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明制备了一类全新的、容易合成、产率高、溶解性好、热稳定性好的基于2,5-二(2-噻吩基)噻唑并 [5,4-d]噻唑基三元无规共轭聚合物，这类聚合物具有很好调节的分子能级、强的吸收光谱以及高的电荷传输性能，适合作为电子给体或电子受体材料应用于制备有机太阳能电池。
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