本发明涉及新颖的有机电致发光化合物和在电致发光层中使用该化合物的有 机电致发光器件。更具体地，本发明涉及用作发射蓝光的电致发光材料的新颖有机 电致发光化合物以及使用该化合物作为掺杂剂的有机电致发光器件。

在显示器件中，电致发光(EL)器件的优点在于能提供宽视角、优异对比度和 快速响应速率，作为自发射显示器件。伊斯特曼柯达(Eastman Kodak)于1987年第 一次研制出一种有机EL器件，该器件使用低分子量的芳香族二胺和铝配合物作为电 致发光的材料[Appl.Phys.Lett.51，913，1987]。
在有机EL器件中，影响如有机EL器件的发光效率、寿命等的最重要的因 素是电致发光材料。要求这种电致发光材料具有以下一些性质，包括材料在固 态状态下应具有高荧光质子产率和高的电子和空穴迁移率，在真空气相沉积期 间不易发生分解，能形成均匀的薄膜，并具有良好稳定性。
有机电致发光材料一般可以分类为高分子材料和低分子材料。根据分子结构， 低分子材料分成金属配合物和不含金属的纯有机电致发光材料。已知螯合的配合 物，如三(8-羟基喹啉)铝，香豆素衍生物，四苯基丁二烯衍生物，二(苯乙烯基亚 芳基)衍生物，噁二唑衍生物等。报道了使用这些材料可以获得在蓝色至红色的区 域的电致发光，因此预期能够实现全色显示器件。
对于蓝色荧光材料，自Idemitsu-Kosan的DPVBi(化合物a)以来，已经开发了 许多材料并已商业化。已知有Idemitsu-Kosan的蓝色材料体系和柯达的二萘基蒽 (化合物b)和四叔丁基苝(化合物c)等，但是，还应对这些材料进行更广泛的研究和 开发。目前已知Idemitsu-Kosan的联苯乙烯基化合物[distrylcompound]体系具有 最高效率，功效为6lm/W，有效器件寿命大于或等于30,000小时。但是，当应用于 全色显示器时，由于色纯度随时间的消耗而下降，其寿命只有几千小时。一般而言， 在蓝色电致发光情况下，如果电致发光的波长向更长的波长方向发生很小的移动， 在发光效率方面将会是有利的。但是，将这种材料应用于高质量的显示器并不容易， 原因是不能达到纯的蓝色。因此迫切需要研究和开发以提高色纯度、效率和热稳定 性。

本发明人发明了新颖的电致发光化合物，实现具有优异的发光效率和显著改 进的操作寿命的电致发光器件。
为解决上述问题，本发明一方面提供一种具有优异骨架结构的有机电致发光 化合物，该化合物与现有的掺杂剂材料相比具有更高的发光效率和操作寿命，以及 足够的色坐标。在另一方面，本发明提供具有高效率和长操作寿命的有机电致发光 器件，该器件包含所述的有机电致发光化合物作为电致发光材料。
本发明涉及由化学式1表示的有机电致发光化合物，以及包含该化合物的有机 电致发光器件。本发明的有机电致发光化合物具有良好的发光效率和优异的色纯度 以及寿命性质。因此，该化合物可用于制造具有优异的操作寿命的OLED器件。

在化学式1中，
Ar表示(C6-C60)亚芳基、(C3-C60)杂亚芳基、含一个或多个选自N、O和S的杂 原子的5元或6元杂亚环烷基、(C3-C60)亚环烷基、亚金刚烷基(adamantylene)、 (C7-C60)二亚环烷基、(C2-C60)亚烯基、(C2-C60)亚炔基、(C1-C60)亚烷硫基 (alkylenethio)、(C1-C60)亚烷氧基(alkyleneoxy)、(C6-C60)亚芳氧基 (aryleneoxy)、(C6-C60)亚芳硫基(arylenethio)或

A和B独立地表示化学键、-(CR11)(R12)m-、-N(R13)-、-S-、-O-、-Si(R14)(R15)-、 -P(R16)-、-C(＝O)-、-B(R17)-、-In(R18)-、-Se-、-Ge(R19)(R20)-、-Sn(R21)(R22)-、-Ga(R23)- 或-(R24)C＝C(R25)-，除了A和B同时为化学键的情况；
R1至R8独立地表示：氢、氘、卤素、(C1-C60)烷基、(C6-C60)芳基、含一个或 多个选自N、O和S的杂原子的(C3-C60)的杂芳基、吗啉代、硫代吗啉代 (thiomorpholino)、含一个或多个选自N、O和S的杂原子的5元或6元杂环烷基、 (C3-C60)环烷基、三(C1-C60)烷基甲硅烷基、二(C1-C60)烷基(C6-C60)芳基甲硅烷 基、三(C6-C60)芳基甲硅烷基、金刚烷基、(C7-C60)二环烷基、(C2-C60)烯基、 (C2-C60)炔基、氰基、(C1-C60)烷基氨基、(C6-C60)芳基氨基、(C6-C60)芳基(C1-C60) 烷基、(C1-C60)烷氧基、(C1-C60)烷硫基、(C6-C60)芳氧基、(C6-C60)芳硫基、 (C1-C60)烷氧基羰基、(C1-C60)烷基羰基、(C6-C60)芳基羰基、羧基、硝基或羟基， 或者，R1和R2，R3和R4，R5和R6，以及R7和R8可以通过具有稠环或没有稠环的(C3-C60) 亚烷基或(C3-C60)亚烯基相连，形成脂环或者单环或多环的芳环；
R11至R25独立地表示：氢、氘、卤素、(C1-C60)烷基、(C6-C60)芳基、含一个 或多个选自N、O和S的杂原子的(C3-C60)的杂芳基、吗啉代、硫代吗啉代、含一个 或多个选自N、O和S的杂原子的5元或6元杂环烷基、(C3-C60)环烷基、三(C1-C60) 烷基甲硅烷基、二(C1-C60)烷基(C6-C60)芳基甲硅烷基、三(C6-C60)芳基甲硅烷基、 金刚烷基、(C7-C60)二环烷基、(C2-C60)烯基、(C2-C60)炔基、氰基、(C1-C60) 烷基氨基、(C6-C60)芳基氨基、(C6-C60)芳基(C1-C60)烷基、(C1-C60)烷氧基、 (C1-C60)烷硫基、(C6-C60)芳氧基、(C6-C60)芳硫基、(C1-C60)烷氧基羰基、(C1-C60) 烷基羰基、(C6-C60)芳基羰基、羧基、硝基或羟基，或者，R11和R12，R14和R15，R19和 R20，R21和R22，和R24和R25可以通过具有稠环或没有稠环的(C3-C60)亚烷基或(C3-C60) 亚烯基相连，形成脂环或者单环或多环的芳环；
Ar的亚芳基、杂亚芳基、杂亚环烷基、亚环烷基、亚金刚烷基、二亚环烷基、 亚烯基、亚烷硫基、亚烷氧基、亚芳氧基或亚芳硫基，R1至R8以及R11至R25的烷 基、芳基、杂芳基、杂环烷基、环烷基、三烷基甲硅烷基、二烷基芳基甲硅烷基、 三芳基甲硅烷基、金刚烷基、二环烷基、烯基、芳烷基、烷氧基、烷硫基、芳氧基、 芳硫基、烷基氨基、芳基氨基、烷氧基羰基、烷基羰基或芳基羰基可以进一步被一 个或多个选自下组的取代基取代：氘、卤素、具有卤素取代基或无卤素取代基的 (C1-C60)烷基、(C6-C60)芳基、无取代基或有(C6-C60)芳基取代基的含一个或多个 选自N、O和S的杂原子的(C3-C60)的杂芳基、吗啉代、硫代吗啉代、含一个或多个 选自N、O和S的杂原子的5元或6元杂环烷基、(C3-C60)环烷基、三(C1-C60)烷基甲 硅烷基、二(C1-C60)烷基(C6-C60)芳基甲硅烷基、三(C6-C60)芳基甲硅烷基、金刚 烷基、(C7-C60)二环烷基、(C2-C60)烯基、(C2-C60)炔基、氰基、咔唑基、(C1-C60) 烷基氨基、(C6-C60)芳基氨基、(C6-C60)芳基(C1-C60)烷基、(C1-C60)烷基(C6-C60) 芳基、(C1-C60)烷氧基、(C1-C60)烷硫基、(C6-C60)芳氧基、(C6-C60)芳硫基、(C1-C60) 烷氧基羰基、(C1-C60)烷基羰基、(C6-C60)芳基羰基、羧基、硝基和羟基；和
m代表1-3的整数。
附图说明
由以下详细描述结合附图可以更清楚地理解上述方面和其他方面以及揭示的 示例的实施方式的特征和优点，附图中：
图1是OLED器件的截面图。

下面参照附图详细地描述示例的实施方式，附图中示出示例的实施方式。但 是，本揭示内容可具体表达为许多不同形式，不应构成对在此提出的示例实施方式 的限制。而是提供这些示例实施方式使揭示的内容是完整的并且向本领域技术人员 完全传达本内容的范围。在说明书中，省略了公知的特征和技术的细节，以避免造 成对提出的实施方式的不必要的混淆。
本文中使用的术语仅为描述特定实施方式的目的，并不意图限制揭示的内容。 本文中，使用单数形式“一个”，“一种”和“该”意图还包括复数形式，除非内 容中清楚地表示。此外，使用术语一个、一种等并不表示对数量的限制，而是表示 存在至少一个列举的事项。使用术语“第一”，“第二”等并不暗示有任何特定的 顺序，而用它们来确定单独的要素。此外，使用术语第一，第二等并不表示任何顺 序或重要性，而是使用术语第一、第二等来区分一个要素与另一个要素。还应理解， 在本说明书中使用术语“包含”和/或“包含了”，或“包括”和/或“包括了”时， 详细说明指定的特征、区域、整数、步骤、操作、元件和/或组分的存在，但不排 除存在或附加一个或多个其他的特征、区域、整数、步骤、操作、元件和/或它们 的组合。
除非另外定义，本文中的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有本领域普 通技术人员通常理解的相同含义。还应理解，术语，例如在常用辞典中定义的那些 术语，应被认为具有和相关领域的内容以及本揭示内容中的含义相一致的含义，而 不应被解释为理想化的或过度正式的意义，除非在本文中定义。
本发明中，“烷基”，“烷氧基”和其他包含“烷基”部分的取代基可以是 直链或支链的。
本发明中，“芳基”表示由芳烃通过去除一个氢衍生的有机基团，可以包括 4-7元，特别是5-6元的单环或稠环体系。具体例子包括：苯基、萘基、联苯基、蒽 基、茚基、芴基、菲基、苯并菲基(triphenylenyl)、芘基、苝基、基、并四苯基和 荧蒽基等，但不限于这些例子。
本发明中，“杂芳基”表示含1-4个选自N、O和S的杂原子作为芳环骨架原子， 碳原子为其余芳环骨架原子的芳基。杂芳基可以是5元或6元单环杂芳基或者多环杂 芳基，它们可以与苯环稠合，并且可以是部分饱和的。杂芳基可包含二价芳基，其 中，环中杂原子可以被氧化或季铵化，形成N-氧化物和季铵盐。具体例子包括：单 环杂芳基，如呋喃基、苯硫基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、噻二唑基、异 噻唑基、异噁唑基、噁唑基、噁二唑基、三嗪基、四嗪基、三唑基、四唑基、呋咱 基(furazanyl)、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基；多环杂芳基，如苯并呋喃 基、苯并噻吩基、异苯并呋喃基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、苯并 异噁唑基、苯并噁唑基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、苯并噻二唑基、喹啉基、异 喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、咔唑基、菲啶基和苯并间二氧杂环戊烯基 (benzodioxolyl)；以及相应的N-氧化物(例如，吡啶基N-氧化物，喹啉基N-氧化 物)和其季铵盐，但是不限于这些例子。
本发明中，包含“(C1-C60)烷基”部分的取代基可具有1-60个碳原子，1-20个 碳原子，或者1-10个碳原子。包含“(C6-C60)芳基”部分的取代基可具有6-60个碳 原子，6-20个碳原子，或6-12个碳原子。包含“(C3-C60)杂芳基”部分的取代基可 具有3-60个碳原子，4-20个碳原子，或4-12个碳原子。包含“(C3-C60)环烷基”部 分的取代基可具有3-60个碳原子，3-20个碳原子，或者3-7个碳原子。包含“(C2-C60) 烯基或炔基”部分的取代基可具有2-60个碳原子，2-20个碳原子，或2-10个碳原子。
Ar选自以下结构，但不限于这些结构：

其中，
R31至R42独立地表示：氢、氘、卤素、(C1-C60)烷基、(C6-C60)芳基、含一个 或多个选自N、O和S的杂原子的(C3-C60)杂芳基、吗啉代、硫代吗啉代、含一个或 多个选自N、O和S的杂原子的5元或6-元杂环烷基、(C3-C60)环烷基、三(C1-C60) 烷基甲硅烷基、二(C1-C60)烷基(C6-C60)芳基甲硅烷基、三(C6-C60)芳基甲硅烷基、 金刚烷基、(C7-C60)二环烷基、(C2-C60)烯基、(C2-C60)炔基、氰基、(C1-C60) 烷基氨基、(C6-C60)芳基氨基、(C6-C60)芳基(C1-C60)烷基、(C1-C60)烷氧基、 (C1-C60)烷硫基、(C6-C60)芳氧基、(C6-C60)芳硫基、(C1-C60)烷氧基羰基、(C1-C60) 烷基羰基、(C6-C60)芳基羰基、羧基、硝基或羟基，或者，R31和R32，R33和R34，R35和 R36，R38和R39，R43和R44，以及R45和R46可以通过具有稠环或没有稠环的(C3-C60)亚烷 基或(C3-C60)亚烯基相连，形成脂环或者单环或多环的芳环；和
R31至R42的烷基、芳基、杂芳基、杂环烷基、环烷基、三烷基甲硅烷基、二烷 基芳基甲硅烷基、三芳基甲硅烷基、金刚烷基、二环烷基、烯基、芳烷基、烷氧基、 烷硫基、芳氧基、芳硫基、烷基氨基、芳基氨基、烷氧基羰基、烷基羰基或芳基羰 基可以进一步被一个或多个选自下组的取代基取代：氘、卤素、无取代基或有卤素 取代基的(C1-C60)烷基、(C6-C60)芳基、无取代基或有(C6-C60)芳基取代基的含一 个或多个选自N、O和S的杂原子的(C3-C60)的杂芳基、吗啉代、硫代吗啉代、含一 个或多个选自N、O和S的杂原子的5元或6元杂环烷基、(C3-C60)环烷基、三(C1-C60) 烷基甲硅烷基、二(C1-C60)烷基(C6-C60)芳基甲硅烷基、三(C6-C60)芳基甲硅烷基、 金刚烷基、(C7-C60)二环烷基、(C2-C60)烯基、(C2-C60)炔基、氰基、咔唑基、(C1-C60) 烷基氨基、(C6-C60)芳基氨基、(C6-C60)芳基(C1-C60)烷基、(C1-C60)烷基(C6-C60) 芳基、(C1-C60)烷氧基、(C1-C60)烷硫基、(C6-C60)芳氧基、(C6-C60)芳硫基、 (C1-C60)烷氧基羰基、(C1-C60)烷基羰基、(C6-C60)芳基羰基、羧基、硝基和羟基。
更具体地，Ar的例子有以下结构，但不限于这些结构：


其中，
R31、R32、R33、R34、R35、R36、R38、R39、R40、R41、R42、R43、R44和R47独立地表示： 氢、氘、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊 基、正己基、正庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基、癸基、十二烷基、十六烷基、 苄基、三氟甲基、全氟乙基、三氟乙基、全氟丙基、全氟丁基、甲氧基、乙氧基、 正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、异戊氧基、正 己氧基、正庚氧基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲硅烷基、三(叔 丁基)甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、二甲基苯基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、 环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、苯基、萘 基、联苯基、9，9-二甲基芴基、9，9-二苯基芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、 芘基、基、并四苯基、苝基、吗啉代、硫代吗啉代、金刚烷基、二环[2.2.1]庚 基、二环[2.2.2]辛基、二环[3.2.1]辛基、二环[5.2.0]壬基、二环[4.2.2]癸基、 二环[2.2.2]辛基、4-戊基二环[2.2.2]辛基、乙烯基、苯基乙烯基、乙炔基、苯基 乙炔基、氰基、二甲基氨基、二苯基氨基、单甲基氨基、单苯基氨基、苯氧基、苯 硫基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、叔丁氧基羰基、羧基、硝基、氯代、氟代或羟基。
更具体地，R1至R4独立地选自：氢、氘、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁 基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、正己基、正庚基、正辛基、2-乙基己基、 正壬基、癸基、十二烷基、十六烷基、苄基、三氟甲基、全氟乙基、三氟乙基、全 氟丙基、全氟丁基、甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、 叔丁氧基、正戊氧基、异戊氧基、正己氧基、正庚氧基、三甲基甲硅烷基、三乙基 甲硅烷基、三丙基甲硅烷基、三(叔丁基)甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、二甲 基苯基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、 环辛基、环壬基、环癸基、苯基，萘基、联苯基、9，9-二甲基芴基、9，9-二苯基芴 基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苝基、吗啉代、硫 代吗啉代、金刚烷基、二环[2.2.1]庚基、二环[2.2.2]辛基、二环[3.2.1]辛基、 二环[5.2.0]壬基、二环[4.2.2]癸基、二环[2.2.2]辛基、4-戊基二环[2.2.2]辛基、 乙烯基、苯基乙烯基、乙炔基、苯基乙炔基、氰基、二甲基氨基、二苯基氨基、单 甲基氨基、单苯基氨基、苯氧基、苯硫基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、叔丁氧基羰 基、羧基、硝基、氯代、氟代和羟基；和
R1和R2或者R3和R4可以通过具有稠环或没有稠环的(C3-C60)亚烷基或 (C3-C60)亚烯基相连，形成脂环或者单环或多环的芳环。
的R1和R2或者R3和R4通过 具有稠环或没有稠环的(C3-C60)亚烷基或(C3-C60)亚烯基相连形成的脂环或者单 环或多环的芳环选自以下结构：

具体地，R5至R8独立地具有以下结构例子，但不限于这些结构：



更具体地，本发明的有机电致发光化合物的例子有以下化合物，但不限于 这些化合物：





































































































例如，本发明的有机电致发光化合物可以按照反应过程1制备，但不限于该方 案：
[反应过程1]

此外，本发明还提供有机太阳能电池。本发明的有机太阳能电池包含一种或 多种由化学式1表示的有机电致发光化合物。
本发明还提供一种有机电致发光器件。本发明的有机电致发光器件包括第一电 极；第二电极；和至少一层插入第一电极和第二电极之间的一层或多层有机层；其 中，有机层包含一种或多种由化学式1表示的有机电致发光化合物。
在本发明的有机电致发光器件中，有机层包含电致发光层。该电致发光层包 含一种或多种化学式1表示的有机电致发光化合物作为电致发光掺杂剂以及一种 或多种主体。对用于本发明的有机电致发光器件中的主体没有特别的限制，但是可 以选自由以下化学式2或3表示的化合物：
(Ar11)a-X-(Ar12)b    (2)
(Ar13)C-Y-(Ar14)d    (3)
其中，
X表示(C6-C60)亚芳基或(C4-C60)杂亚芳基；
Y表示亚蒽基(anthracenylene)；
Ar11至Ar14独立地表示：氢、氘、(C1-C60)烷基、(C1-C60)烷氧基、卤素、 (C4-C60)杂芳基、(C5-C60)环烷基或(C6-C60)芳基，Ar11至Ar14的环烷基、芳 基或杂芳基可以进一步被一个或多个选自下组的取代基取代：没有取代基或具 有一个或多个卤素取代基的(C6-C60)芳基或(C4-C60)杂芳基，所述取代基选自： 氘、具有卤素取代基或无卤素取代基的(C1-C60)烷基、(C1-C60)烷氧基、(C3-C60) 环烷基、卤素、氰基、三(C1-C60)烷基甲硅烷基、二(C1-C60)烷基(C6-C60)芳 基甲硅烷基和三(C6-C60)芳基甲硅烷基；具有卤素取代基或无卤素取代基的 (C1-C60)烷基、(C1-C60)烷氧基、(C3-C60)环烷基、氘、卤素、氰基、三(C1-C60) 烷基甲硅烷基、二(C1-C60)烷基(C6-C60)芳基甲硅烷基和三(C6-C60)芳基甲硅 烷基；和
a，b，c和d独立地表示0至4的整数。
由化学式2或3表示的主体的例子有化学式4至7表示的蒽衍生物或苯并 [a]蒽衍生物：



其中，
R101和R102独立地表示：氢、氘、(C1-C60)烷基、卤素、(C6-C60)芳基、(C4-C60) 杂芳基、含一个或多个选自N、O和S的杂原子的5元或6元杂环烷基或(C3-C60)环烷 基，R101和R102的芳基或杂芳基可以进一步被一个或多个选自下组的取代基取代：氘、 (C1-C60)烷基、卤代(C1-C60)烷基、(C1-C60)烷氧基、(C3-C60)环烷基、(C6-C60) 芳基、(C4-C60)杂芳基、卤素、氰基、三(C1-C60)烷基甲硅烷基、二(C1-C60)烷基 (C6-C60)芳基甲硅烷基和三(C6-C60)芳基甲硅烷基；
R103至R106独立地表示：氢、氘、(C1-C60)烷基、(C1-C60)烷氧基、卤素、(C4-C60) 杂芳基、(C5-C60)环烷基或(C6-C60)芳基，R103至R106的杂芳基、环烷基或芳基可 以进一步被一个或多个选自下组的取代基取代：氘、无取代基或有卤素取代基的 (C1-C60)烷基、(C1-C60)烷氧基、(C3-C60)环烷基、卤素、氰基、三(C1-C60)烷基 甲硅烷基、二(C1-C60)烷基(C6-C60)芳基甲硅烷基和三(C6-C60)芳基甲硅烷基；
Z1和Z2独立地表示：化学键或没有取代基或具有一个或多个取代基的(C6-C60) 亚芳基，所述取代基选自以下：(C1-C60)烷基、(C1-C60)烷氧基、(C6-C60)芳基、 (C4-C60)杂芳基和卤素；
Ar21和Ar22独立地表示：选自以下结构的芳基，或者(C4-C60)杂芳基：

Ar21和Ar22的芳基或杂芳基可以被一个或多个取代基取代，所述取代基选自： (C1-C60)烷基、(C1-C60)烷氧基、(C6-C60)芳基和(C4-C60)杂芳基；
L11表示(C6-C60)亚芳基、(C4-C60)杂亚芳基或者下式的化合物：

L11的亚芳基或杂亚芳基可以被一个或多个取代基取代，所述取代基选自 (C1-C60)烷基、(C1-C60)烷氧基、(C6-C60)芳基、(C4-C60)杂芳基和卤素；
R111，R112，R113和R114独立地表示：氢、氘、(C1-C60)烷基或(C6-C60)芳基，或 者，它们各自可以通过具有稠环或没有稠环的(C3-C60)亚烷基或(C3-C60)亚烯基与 相邻取代基相连，形成脂环或者单环或多环的芳环；
R121，R122，R123和R124独立地表示：氢、氘、(C1-C60)烷基、(C1-C60)烷氧基、 (C6-C60)芳基、(C4-C60)杂芳基或卤素，或者，它们各自可以通过具有稠环或没有 稠环的(C3-C60)亚烷基或(C3-C60)亚烯基与相邻取代基相连，形成脂环或者单环或 多环的芳环；

其中，
L21和L22独立地表示：化学键、(C6-C60)亚芳基或(C3-C60)杂亚芳基，L21和L22 的亚芳基或杂亚芳基可以进一步被一个或多个取代基取代，所述取代基选自： (C1-C60)烷基、氘、卤素、氰基、(C1-C60)烷氧基、(C3-C60)环烷基、(C6-C60) 芳基、(C3-C60)杂芳基、三(C1-C30)烷基甲硅烷基、二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基 甲硅烷基和三(C6-C30)芳基甲硅烷基；
R201至R219独立地表示：氢、氘、卤素、(C1-C60)烷基、(C6-C60)芳基、(C4-C60) 杂芳基、含一个或多个选自N、O和S的杂原子的5元或6元杂环烷基、(C3-C60)环烷 基、三(C1-C60)烷基甲硅烷基、二(C1-C60)烷基(C6-C60)芳基甲硅烷基、三(C6-C60) 芳基甲硅烷基、金刚烷基、(C7-C60)二环烷基、(C2-C60)烯基、(C2-C60)炔基、(C1-C60) 烷氧基、氰基、(C1-C60)烷基氨基、(C6-C60)芳基氨基、(C6-C60)芳基(C1-C60)烷 基、(C6-C60)芳氧基、(C6-C60)芳硫基、(C1-C60)烷氧基羰基、羧基、硝基或羟基， 或者，R201至R219各自可以通过具有稠环或没有稠环的(C3-C60)亚烷基或(C3-C60)亚 烯基与相邻取代基相连，形成脂环或者单环或多环的芳环；
Ar31表示(C6-C60)芳基、(C4-C60)杂芳基、含一个或多个选自N、O和S的杂原 子的5元或6元杂环烷基、(C3-C60)环烷基、金刚烷基、(C7-C60)二环烷基选自以下 结构的取代基：

其中，
R220至R232独立地表示：氢、氘、卤素、(C1-C60)烷基、(C6-C60)芳基、(C4-C60) 杂芳基、含一个或多个选自N、O和S的杂原子的5元或6元杂环烷基、(C3-C60)环烷 基、三(C1-C60)烷基甲硅烷基、二(C1-C60)烷基(C6-C60)芳基甲硅烷基、三(C6-C60) 芳基甲硅烷基、金刚烷基、(C7-C60)二环烷基、(C2-C60)烯基、(C2-C60)炔基、(C1-C60) 烷氧基、氰基、(C1-C60)烷基氨基、(C6-C60)芳基氨基、(C6-C60)芳基(C1-C60)烷 基、(C6-C60)芳氧基、(C6-C60)芳硫基、(C1-C60)烷氧基羰基、羧基、硝基或羟基；
E和F独立地表示：化学键、-(CR233R234)n-、-N(R235)-、-S-、-O-、-Si(R236)(R237)-、 -P(R238)-、-C(＝O)-、-B(R239)-、-In(R240)-、-Se-、-Ge(R241)(R242)-、-Sn(R243)(R244)-、 -Ga(R245)-或-(R246)C＝C(R247)-；
R233至R247独立地表示：氢、氘、卤素、(C1-C60)烷基、(C6-C60)芳基、(C4-C60) 杂芳基、含一个或多个选自N、O和S的杂原子的5元或6元杂环烷基、(C3-C60)环烷 基、三(C1-C60)烷基甲硅烷基、二(C1-C60)烷基(C6-C60)芳基甲硅烷基、三(C6-C60) 芳基甲硅烷基、金刚烷基、(C7-C60)二环烷基、(C2-C60)烯基、(C2-C60)炔基、(C1-C60) 烷氧基、氰基、(C1-C60)烷基氨基、(C6-C60)芳基氨基、(C6-C60)芳基(C1-C60)烷 基、(C6-C60)芳氧基、(C6-C60)芳硫基、(C1-C60)烷氧基羰基、羧基、硝基或羟基， 或者，R233至R247各自可以通过具有稠环或没有稠环的(C3-C60)亚烷基或(C3-C60) 亚烯基与相邻取代基相连，形成脂环或者单环或多环的芳环；
Ar31的芳基、杂芳基、杂环烷基、金刚烷基或二环烷基，或者，R201至R232的 烷基、烯基、炔基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基、芳基甲硅烷基、烷基甲硅 烷基、烷基氨基或芳基氨基可以进一步被一个或多个取代基取代，所述取代基选自： 氘、卤素、(C1-C60)烷基、(C6-C60)芳基、(C4-C60)杂芳基、含一个或多个选自N、 O和S的杂原子的5元或6元杂环烷基、(C3-C60)环烷基、三(C1-C60)烷基甲硅烷基、 二(C1-C60)烷基(C6-C60)芳基甲硅烷基、三(C6-C60)芳基甲硅烷基、金刚烷基、 (C7-C60)二环烷基、(C2-C60)烯基、(C2-C60)炔基、(C1-C60)烷氧基、氰基、(C1-C60) 烷基氨基、(C6-C60)芳基氨基、(C6-C60)芳基(C1-C60)烷基、(C6-C60)芳氧基、 (C6-C60)芳硫基、(C1-C60)烷氧基羰基、羧基、硝基和羟基；
e代表1-4的整数；和
n代表1-4的整数。
所述电致发光层表示发生电致发光的层，电致发光层可以是单层或者包含两 个或多个层。在按照本发明一起使用掺杂剂和主体的情况下，可以达到显著提高发 光效率。掺杂剂浓度可为0.5-10重量％。与其他现有的主体材料相比，所述主体提 供优异的电子和空穴传导率，优异的稳定性，良好的发光效率和显著提高的寿命性 质。
因此，当使用化学式4-7表示的化合物作为电致发光主体时，它们可以弥补化 学式1表示的有机电致发光化合物的缺陷。
由化学式4-7表示的主体化合物的例子有以下化合物，但是不限于这些化合 物：













本发明的电致发光器件包含化学式1表示的有机电致发光化合物，同时还可包 含一种或多种选自芳胺化合物和苯乙烯基芳胺化合物的化合物。例如，芳胺或苯乙 烯芳胺化合物可以是由化学式8表示的化合物，但是不限于该化合物：

其中，
Ar41和Ar42独立地表示：(C1-C60)烷基、(C6-C60)芳基、(C4-C60)杂芳基、 (C6-C60)芳基氨基、(C1-C60)烷基氨基、含一个或多个选自N、O和S的杂原子的5 元或6元杂环烷基或(C3-C60)环烷基，Ar41和Ar42可以通过具有稠环或没有稠环的 (C3-C60)亚烷基或(C3-C60)亚烯基相连，形成脂环或者单环或多环的芳环；
Ar43表示(C6-C60)芳基、(C4-C60)杂芳基或具有以下结构的芳基(当e为1时)：

Ar43表示(C6-C60)亚芳基、(C4-C60)杂亚芳基或具有以下结构的芳基(当e为2 时)：

Ar44和Ar45独立地表示(C6-C60)亚芳基或(C4-C60)杂亚芳基；
R251、R252和R253独立地表示：氢、氘、(C1-C60)烷基或(C6-C60)芳基；
f代表1-4的整数；
g代表0或1的整数；
Ar41和Ar42的烷基、芳基、杂芳基、芳基氨基、烷基氨基、环烷基或杂环烷基， Ar43的芳基、杂芳基、亚芳基或杂亚芳基，Ar44和Ar45的亚芳基或杂亚芳基，或R251 至R253的烷基或芳基可以进一步被一个或多个选自下组的取代基取代：氘、卤素、 (C1-C60)烷基、(C6-C60)芳基、(C4-C60)杂芳基、含一个或多个选自N、O和S的杂 原子的5元或6元杂环烷基、(C3-C60)环烷基、三(C1-C60)烷基甲硅烷基、二(C1-C60) 烷基(C6-C60)芳基甲硅烷基、三(C6-C60)芳基甲硅烷基、金刚烷基、(C7-C60)二环 烷基、(C2-C60)烯基、(C2-C60)炔基、氰基、(C1-C60)烷基氨基、(C6-C60)芳基氨 基、(C6-C60)芳基(C1-C60)烷基、(C6-C60)芳氧基、(C1-C60)烷氧基、(C6-C60) 芳硫基、(C1-C60)烷硫基、(C1-C60)烷氧基羰基、(C1-C60)烷基羰基、(C6-C60) 芳基羰基、羧基、硝基和羟基。
更具体地，芳胺化合物或苯乙烯基芳胺化合物的具体例子有以下化合物， 但不限于这些化合物：


在本发明的电致发光器件中，有机层除了化学式1表示的电致发光化合物外还 可以包含一种或多种金属，所述金属选自下组：元素周期表的第1族、第2族的有机 金属、第4周期和第5周期过渡金属、镧系金属和d-过渡元素。有机层可以同时包括 电致发光层和电荷产生层。
可以制造具有独立电致发光模式的像素结构的电致发光器件，其中，使用 本发明的电致发光器件作为子像素，所述器件包含化学式1表示的电致发光化 合物，以及包含一种或多种金属化合物的一个或多个子像素，所述子像素同时 平行进行图案化，所述金属化合物选自下组：Ir、Pt、Pd、Rh、Re、Os、Tl、 Pb、Bi、In、Sn、Sb、Te、Au和Ag。
有机层可以同时包含在500-560纳米波长具有电致发光峰的化合物以及在 不小于560纳米波长具有电致发光峰的化合物。在500-560纳米波长具有电致 发光峰的化合物和在不小于560纳米波长具有电致发光峰的化合物的例子有化 学式9至15所表示的化合物，但不限于这些化合物：
M1L101L102L103    (9)
其中，
M1是选自元素周期表第7、8、9、10、11、13、14、15和16族的金属；
配体L101、L102和L103独立地选自以下结构：

其中，
R301至R303独立地表示：氢、氘、无取代基或有卤素取代基的(C1-C60)烷基、无 取代基或有(C1-C60)烷基取代基的(C6-C60)芳基，或卤素；
R304至R319独立地表示：氢、氘、(C1-C60)烷基、(C1-C30)烷氧基、(C3-C60) 环烷基、(C2-C30)烯基、(C6-C60)芳基、单或二(C1-C30)烷基氨基、单或二(C6-C30) 芳基氨基、SF5、三(C1-C30)烷基甲硅烷基、二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基甲硅烷基、 三(C6-C30)芳基甲硅烷基、氰基或卤素，R304至R319的烷基、环烷基、烯基或芳基 可进一步被一个或多个选自以下的取代基取代：氘、(C1-C60)烷基、(C6-C60)芳基 和卤素；
R320至R323独立地表示：氢、氘、无取代基或有卤素取代基的(C1-C60)烷基，或 无取代或有(C1-C60)烷基取代基的(C6-C60)芳基；
R324和R325独立地表示：氢、氘、(C1-C60)烷基、(C6-C60)芳基或卤素，或者， R324和R325可以通过无稠环或有稠环的(C3-C12)亚烷基或(C3-C12)亚烯基相连，形成 脂环或者单环或多环的芳环，且R324和R325的烷基或芳基，或者它们通过无稠环或有 稠环的(C3-C12)亚烷基或(C3-C12)亚烯基相连形成的脂环或者单环或多环的芳环 可以进一步被一个或多个取代基取代，所述取代基选自：氘、具有卤素取代基或无 卤素取代基的(C1-C60)烷基、(C1-C30)烷氧基、卤素、三(C1-C30)烷基甲硅烷基、 三(C6-C30)芳基甲硅烷基和(C6-C60)芳基；
R326表示(C1-C60)烷基、(C6-C60)芳基、(C5-C60)杂芳基或卤素；
R327至R329独立地表示：氢、氘、(C1-C60)烷基、(C6-C60)芳基或卤素，R326至 R329的烷基或芳基可以进一步被卤素或(C1-C60)烷基取代；
Q代表其中，R331 至R342独立地表示：氢、氘、无取代基或有卤素取代基的(C1-C60)烷基、(C1-C30) 烷氧基、卤素、(C6-C60)芳基、氰基或(C5-C60)环烷基，或者，R331至R342各自可以 通过亚烷基或亚烯基与相邻取代基相连，形成(C5-C7)螺环或(C5-C9)稠环，或者通 过亚烷基或亚烯基与R307或R308相连，形成(C5-C7)稠环；

其中，
R401至R404独立地表示：(C1-C60)烷基或(C6-C60)芳基，或者，它们各自可以 通过无稠环或具有稠环的(C3-C60)亚烷基或(C3-C60)亚烯基与相邻取代基相连，形 成脂环或者单环或多环的芳环；
R401至R404的烷基或芳基，或者它们各自通过无稠环或具有稠环的(C3-C60)亚烷 基或(C3-C60)亚烯基与相邻取代基相连而形成的脂环或者单环或多环的芳环可以 进一步被一个或多个选自以下的取代基取代：氘、具有卤素取代基或无卤素取代基 的(C1-C60)烷基、(C1-C60)烷氧基、卤素、三(C1-C60)烷基甲硅烷基、三(C6-C60) 芳基甲硅烷基和(C6-C60)芳基；

其中，
配体L201和L202独立地选自以下结构：

M2表示二价金属或三价金属；
当M2是二价金属时，h为0，当M2为三价金属时，h为1；
T表示(C6-C60)芳氧基或三(C6-C60)芳基甲硅烷基，T的芳氧基或三芳基甲硅 烷基可以进一步被(C1-C60)烷基或(C6-C60)芳基取代；
G表示O、S或Se；
环C表示噁唑、噻唑、咪唑、噁二唑、噻二唑、苯并噁唑、苯并噻唑、苯并咪 唑、吡啶或喹啉；
环D表示吡啶或喹啉，环D可以进一步被以下取代基取代：(C1-C60)烷基、无 取代基或具有(C1-C60)烷基取代基的苯基，或萘基；
R501至R504独立地表示：氢、氘、(C1-C60)烷基、卤素、三(C1-C60)烷基甲硅 烷基、三(C6-C60)芳基甲硅烷基或(C6-C60)芳基，或者，它们各自可以通过(C3-C60) 亚烷基或(C3-C60)亚烯基与相邻取代基相连形成稠环，吡啶或喹啉可以通过化学键 与R501相连形成稠环；
环C和R401至R404的芳基可以进一步被以下取代基取代：氘、(C1-C60)烷 基、卤素、具有卤素取代基的(C1-C60)烷基、苯基、萘基、三(C1-C60)烷基甲 硅烷基、三(C6-C60)芳基甲硅烷基或氨基；

其中，
L301表示没有取代基或有一个或多个取代基的(C6-C60)亚芳基，所述取代基选 自下组：氘、卤素、(C1-C60)烷基、(C6-C60)芳基、(C4-C60)杂芳基、含一个或多 个选自N、O和S的杂原子的5元或6元杂环烷基、(C3-C60)环烷基、三(C1-C60)烷基 甲硅烷基、二(C1-C60)烷基(C6-C60)芳基甲硅烷基、三(C6-C60)芳基甲硅烷基、金 刚烷基、(C7-C60)二环烷基、(C2-C60)烯基、(C2-C60)炔基、(C1-C60)烷氧基、氰 基、(C1-C60)烷基氨基、(C6-C60)芳基氨基、(C6-C60)芳基(C1-C60)烷基、(C6-C60) 芳氧基、(C6-C60)芳硫基、(C1-C60)烷氧基羰基、羧基、硝基和羟基，在亚芳基上 取代的烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基、芳基甲硅烷基、烷基甲硅烷基、 烷基氨基或芳基氨基取代基可以进一步被一个或多个选自以下的取代基取代：氘、 卤素、(C1-C60)烷基、(C6-C60)芳基、(C4-C60)杂芳基、含一个或多个选自N、O 和S的杂原子的5元或6元杂环烷基、(C3-C60)环烷基、三(C1-C60)烷基甲硅烷基、 二(C1-C60)烷基(C6-C60)芳基甲硅烷基、三(C6-C60)芳基甲硅烷基、金刚烷基、 (C7-C60)二环烷基、(C2-C60)烯基、(C2-C60)炔基、(C1-C60)烷氧基、氰基、(C1-C60) 烷基氨基、(C6-C60)芳基氨基、(C6-C60)芳基(C1-C60)烷基、(C6-C60)芳氧基、 (C6-C60)芳硫基、(C1-C60)烷氧基羰基、羧基、硝基和羟基；
R601至R604独立地表示：(C1-C60)烷基、(C6-C60)芳基、(C4-C60)杂芳基、(C6-C60) 芳基氨基、(C1-C60)烷基氨基、含一个或多个选自N、O和S的杂原子的5元或6元杂 环烷基或(C3-C60)环烷基，或者，R601至R604各自可以通过无稠环或具有稠环的 (C3-C60)亚烷基或(C3-C60)亚烯基与相邻取代基相连，形成脂环或者单环或多环的 芳环；和
R601至R604的烷基、芳基、杂芳基、芳基氨基、烷基氨基、环烷基或杂环 烷基可以进一步被一个或多个选自以下的取代基取代：氘、卤素、(C1-C60)烷 基、(C6-C60)芳基、(C4-C60)杂芳基、含一个或多个选自N、O和S的杂原子 的5元或6元杂环烷基、(C3-C60)环烷基、三(C1-C60)烷基甲硅烷基、二(C1-C60) 烷基(C6-C60)芳基甲硅烷基、三(C6-C60)芳基甲硅烷基、金刚烷基、(C7-C60) 二环烷基、(C2-C60)烯基、(C2-C60)炔基、(C1-C60)烷氧基、氰基、(C1-C60) 烷基氨基、(C6-C60)芳基氨基、(C6-C60)芳基(C1-C60)烷基、(C6-C60)芳氧基、 (C6-C60)芳硫基、(C1-C60)烷氧基羰基、羧基、硝基和羟基。
在500-560纳米波长具有电致发光峰的化合物和在不小于560纳米波长具有电 致发光峰的化合物的例子有以下化合物，但不限于这些化合物：





















在本发明的有机电致发光器件中，可在成对电极的一个电极或两个电极的内 表面上，设置选自硫属元素化物层(chalcogenide layer)、金属卤化物层和金属氧化 物层的一层(下面称作“表面层”)。更具体地，可在电致发光层的阳极表面上设置 硅或铝的硫属元素化物(包括氧化物)层，在电致发光层的阴极表面上设置金属卤 化物层或金属氧化物层。结果，可实现操作稳定性。
硫属元素化物可以是例如SiOx(1≤X≤2)、AlOx(1≤X≤1.5)、SiON、SiAlON 等。金属卤化物可以是例如LiF、MgF2、CaF2、稀土金属的氟化物等。金属氧 化物可以是例如Cs2O、Li2O、MgO、SrO、BaO、CaO等。
此外，在本发明的电致发光器件中，在成对电极的一个电极或两个电极的 内表面上设置电子输运化合物和还原掺杂剂的混合区域，或者空穴输运化合物 与氧化掺杂剂的混合区域。这种情况下，因为电子输运化合物被还原为阴离子， 将电子从混合区域输运至电致发光层变得容易。此外，由于空穴输运化合物被 氧化形成阳离子，能促进将空穴从混合区域输运到电致发光区域。优选的氧化 掺杂剂包括各种路易斯酸和受体化合物。优选的还原掺杂剂包括碱金属、碱金 属化合物、碱土金属、稀土金属，以及它们的混合物。
因为本发明的有机电致发光化合物具有优异的发光效率和寿命性质，因此能 用来制造具有优异操作寿命的OLED器件。
实施例
下面，为理解本发明，描述本发明的有机电致发光化合物、及其制备方法和 器件的电致发光特性。但是，下面的实施例只是为了说明目的，而不构成对本发明 范围的限制。
[制备例]
[制备例1]化合物1的制备

化合物A的制备
将1，4-二溴苯(20.0克，56.81毫摩尔)溶解于四氢呋喃(1000毫升)。降低温度 至-78℃后，缓慢滴加2.5M丁基锂(n-BuLi)(56.81毫升，142.02毫摩尔)。搅拌30 分钟后，加入N，N-二甲基甲酰胺(DMF)(13.19毫升，170.43毫摩尔)。缓慢加热后， 然后搅拌2小时，加入NH4Cl水溶液(800毫升)和蒸馏水(800毫升)以终止反应。分离 有机层，减压下去除溶剂。使用甲醇和己烷进行重结晶，获得化合物A(11.09克， 44.31毫摩尔)。
化合物B的制备
将化合物A(11.09克，44.31毫摩尔)和NaBH4(2.5克，66.47毫摩尔)加入一个 反应器中。减压下除去空气后，在其中充入氮气。在加入四氢呋喃(600毫升)后， 在搅拌混合物的同时缓慢滴加甲醇(350毫升)。反应结束后，产物用水(1000毫升) 洗涤，用乙酸乙酯萃取。使用二氯甲烷和己烷进行柱层析后获得化合物B(8.45克， 33.12毫摩尔)。
化合物C的制备
将化合物B(5.0克，19.66毫摩尔)加入一个反应器中。减压下去除空气后在其 中充入氮气，加入5毫升亚磷酸三乙酯(10.15毫升，58.98毫摩尔)并将化合物B溶解。 在另一个反应器中，加入剩余的5.15毫升亚磷酸三乙酯。利用盖开孔缓慢加入碘 (I2)(9.98克，39.32毫摩尔)，同时于0℃搅拌该混合物30分钟。在包含混合物B的 反应器中加入碘和亚磷酸三乙酯的混合物。加热至150℃后，搅拌该混合物4小时。 反应结束后，产物用水(50毫升)洗涤，用乙酸乙酯(50毫升)萃取。使用甲醇进行重 结晶后获得化合物C(13.59克，27.48毫摩尔)。
化合物D的制备
在氮气氛下，将2，7-二溴芴(50克，154.26毫摩尔)和氢氧化钾(KOH)(69.2 克，1234毫摩尔)溶解于DMSO(700毫升)。冷却至0℃后，缓慢滴加蒸馏水(113 毫升)，搅拌该混合物1小时。然后，缓慢滴加碘甲烷(CH3I)(38.49毫升，617.04 毫摩尔)后，缓慢加热至室温，搅拌该混合物15小时。加入过量的水以终止反 应，并使用二氯甲烷进行萃取。产生的有机层用硫酸镁干燥，过滤和减压下浓 缩。通过柱分离后获得化合物D(53.0克，150.50毫摩尔)。
化合物E的制备
将化合物D(53.0克，150.50毫摩尔)溶解于四氢呋喃(350毫升)中。降低温度 至-78℃后，缓慢滴加1.6M n-BuLi(63.2毫升，158.04毫摩尔)。搅拌30分钟后， 加入N，N-二甲基甲酰胺(16.32毫升，210.7毫摩尔)。缓慢加热的同时搅拌2小时后， 加入NH4Cl水溶液(80毫升)和蒸馏水(80毫升)以终止反应。分离有机层，溶剂在减 压下去除。通过柱分离获得化合物E(20.9克，69.40毫摩尔)。
化合物F的制备
将化合物E(20.9克，69.40mmol)、二苯胺(12.5克，104.10毫摩尔)、碳酸铯 (24.1克，104.10毫摩尔)和Pd(OAc)2(332毫克，2.08毫摩尔)悬浮于甲苯(800毫升) 中。加入P(t-Bu)3(599毫克，4.16毫摩尔)，于120℃搅拌混合物4小时。加入饱和 NH4Cl水溶液(500毫升)后，用乙酸乙酯(500毫升)萃取，过滤并减压浓缩，使用甲 醇/正己烷(300毫升，v/v＝1/1)进行重结晶获得化合物F(15.2克，39.00毫摩尔)。
化合物1的制备
将化合物C(5.1克，9.72毫摩尔)和化合物F(5.8克，21.37毫摩尔)加入一个反 应器中，在减压下干燥。在氮气氛下，在反应器中加入四氢呋喃(200毫升)并搅拌 该混合物。于0℃或更低温度缓慢滴加溶于四氢呋喃(30毫升)中的叔丁醇钾 (t-BuOK)(4.14克，37.17毫摩尔)，缓慢加热该混合物至室温。搅拌4小时后，在反 应结束时倒入水(500毫升)。将产生的固体过滤并用甲醇(1升)洗涤。该过程重复三 次。使用四氢呋喃和甲醇进行重结晶，再用己烷洗涤后获得化合物1(5.00克，6.6 毫摩尔)。
按照制备例1的方法制备电致发光化合物(化合物1至719)。表1显示制 备的电致发光化合物的1H NMR和MS/FAB数据。
表1












[实施例1]使用本发明的有机电致发光化合物制造OLED器件
使用本发明的有机电致发光化合物制造OLED器件。 首先，用以下物质按次序对由玻璃基片制备的用于OLED(三星康宁(Samsung Corning))1的透明电极ITO的薄膜(15Ω/□)2进行超声清洗：三氯乙烯、丙酮、 乙醇和蒸馏水，使用之前储存在异丙醇中。
然后，将ITO基片安装在真空气相沉积设备的基片支架中。将4，4’，4”-三 (N，N-(2-萘基)-苯基氨基)三苯胺(2-TNATA)(下面示出其结构)放入该真空气相 沉积设备的室内后，降低该室压力至10-6托。然后，在该室施加电流以蒸发 2-TNATA。在ITO基片上形成60纳米厚的空穴注入层3。

然后，在该真空气相沉积设备的另一个室内加入N，N’-二(α-萘基)-N，N’-二 苯基-4，4’-二胺(NPB)后，在该室上施加电流，以蒸发NPB。在空穴注入层上形 成20纳米厚度的空穴输运层4。

在形成空穴注入层和空穴输运层后，如下形成电致发光层。在真空气相沉 积设备的一个室加入以下结构是化合物H-32作为主体，在另一个室加入化合物 1作为掺杂剂。两种物质以不同的速率蒸发，以主体为基准计，以2-5重量％的 量，在空穴输运层上形成30纳米厚度的电致发光层5。

之后，沉积20纳米厚度的以下结构的三(8-羟基喹啉)铝(III)(Alq)作为 电子输运层6。然后，沉积1-2纳米厚度的以下结构的羟基喹啉锂(lithium quinolate)(Liq)作为电子注入层7。然后，使用另一个真空气相沉积设备， 形成150纳米厚度的Al阴极8，制造OLED。

各种OLED的电致发光材料在10-6托真空升华进行纯化。
[比较例1]使用现有的电致发光材料制造OLED器件
按照实施例1形成空穴注入层和空穴输运层。在真空气相沉积设备的一个室内 加入二萘基蒽(DNA)作为电致发光主体材料，而在另一个室内加入以下结构的化合 物A作为发射蓝光的电致发光材料。设定沉积速率为100∶1，在空穴输运层上形成30 纳米厚度的电致发光层。

然后，按照实施例1形成电子输运层和电子注入层，使用另一个真空气相沉积 设备，形成150纳米厚度的Al阴极，制造OLED。
[实施例2]制造的OLED器件的电致发光特性
实施例1和比较例1分别包含本发明的有机电致发光化合物和现有的电致发光 化合物，在1000cd/m2下测定实施例1和比较例1中制造的OLED的发光效率。结果示 于表2。
[表2]

由表2可以知道，当使用本发明的化合物制造发射蓝光的电致发光器件时，与 翠绿色相比，色纯度显著改进为浅蓝色至蓝色，同时保持相当或更好的发光效率。
虽然示出并描述了示例的实施方式，但是本领域的技术人员应能理解在不偏 离权利要求书定义的揭示内容的精神和范围下可以对其进行各种形式和细节上的 变动。
此外，在不偏离揭示内容的基本范围下，可以对所揭示内容进行许多修改以 适应特定情形或者材料。因此，揭示的内容并不限于作为实施该内容的最佳方式的 特定示例的实施方式，该揭示内容将包括在权利要求书范围之内的所有实施方式。