专利汇可以提供硅与III-V族化合物硅键合材料及其键合方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种 硅 与III‑V族化合物硅键合材料的键合方法,包括硅激活步骤、III‑V族化合物激活步骤、键合步骤、 退火 步骤、磨削 抛光 步骤,所述硅激活步骤、键合步骤、退火步骤、磨削抛光步骤依次进行,所述硅激活步骤、III‑V族化合物激活步骤同时进行。其有益效果是:通过键合的方式,制造硅与III‑V族化合物键合的材料,较容易实施、加工,位错 密度 低、易于选择不同厚度。,下面是硅与III-V族化合物硅键合材料及其键合方法专利的具体信息内容。
1.一种硅与III-V族化合物硅键合材料的键合方法,包括硅激活步骤、III-V族化合物激活步骤、键合步骤、退火步骤、磨削抛光步骤,其特征在于,所述硅激活步骤、键合步骤、退火步骤、磨削抛光步骤依次进行,所述硅激活步骤、III-V族化合物激活步骤同时进行。
2.根据权利要求1中所述的硅与III-V族化合物硅键合材料的键合方法,其特征在于,所述硅激活步骤、III-V族化合物激活步骤均为在气体等离子环境下进行的等离子激活。
3.根据权利要求1中所述的硅与III-V族化合物硅键合材料的键合方法,其特征在于,所述硅激活步骤对硅片进行激活,所述III-V族化合物激活步骤对III-V族化合物膜层进行激活,所述III-V族化合物膜层固定于III-V族化合物衬底上,所述III-V族化合物膜层与所述硅片键合连接。
4.根据权利要求1中所述的硅与III-V族化合物硅键合材料的键合方法,其特征在于,所述硅激活步骤、III-V族化合物激活步骤的激活功率为50W-300W,激活时间为90s-600s。
5.根据权利要求1中所述的硅与III-V族化合物硅键合材料的键合方法,其特征在于,键合步骤中,键合厚度为1-200um,键合后错位密度小于30ea/cm2。
6.根据权利要求1中所述的硅与III-V族化合物硅键合材料的键合方法,其特征在于,所述退火步骤,采用微波热退火、激光热退火中的一种进行退火作业,所述微波热退火的退火温度为1250℃。
7.根据权利要求1中所述的硅与III-V族化合物硅键合材料的键合方法,其特征在于,所述磨削抛光步骤中,对键合位置进行磨削,并对磨削后的表面进行抛光。
8.一种硅与III-V族化合物硅键合材料,包括硅片层(1)、III-V族化合物衬底(2)、III-V族化合物膜层(3),其特征在于,所述III-V族化合物膜层(3)固定于所述III-V族化合物衬底(2)上。
9.根据权利要求8中所述的硅与III-V族化合物硅键合材料,其特征在于,所述硅片层(1)与所述III-V族化合物膜层(3)键合连接,所述硅片层(1)与所述III-V族化合物膜层(3)硅键连接后形成键合层(4),所述硅片层(1)、III-V族化合物衬底(2)分别位于所述所述所述键合层(4)的两侧。
10.根据权利要求9中所述的硅与III-V族化合物硅键合材料,其特征在于,所述键合层(4)磨削剖光后形成功能层(5),所述功能层(5)附着于所述硅片层(1)上。
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