用于Te-N共掺氧化锌薄膜的制备方法
专利汇可以提供用于Te-N共掺氧化锌薄膜的制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开一种用于Te-N共掺 氧 化锌 薄膜 的制备方法，其包括将衬底进行清洗和表面前处理；将衬底放入 原子 层沉积 设备的反应腔室中；对衬底、管道及腔室进行加热；然后依次分别进行锌源、掺杂源Te、掺杂N源和氧源的沉积。本发明提供的用于Te-N共掺氧化锌薄膜的制备方法，通过ALD逐层循环的生长方式生长Te-N共掺的氧化锌薄膜，而且方法简单，利用原子层沉积 单层 循环生长的特点，在氧化锌薄膜生长的过程中实现均匀的在整个薄膜结构中进行掺杂，共掺后的氧化锌薄膜，有利于促进p型电导的形成。，下面是用于Te-N共掺氧化锌薄膜的制备方法专利的具体信息内容。
1.一种用于Te-N共掺氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
将衬底进行清洗和表面前处理；
将衬底放入原子层沉积设备的反应腔室中；
对衬底、管道及腔室进行加热；
然后依次分别进行锌源、掺杂源Te、掺杂N源和氧源的沉积；所述衬底为经浓硫酸和双氧水处理，并经超纯水超声过的硅片、蓝宝石或玻璃，衬底表面带有羟基；所述锌源是含锌的烷基化合物或含锌的卤化物，所述氧源是水蒸汽或氧气等离子体；所述掺杂N源为N2O、N2、NO、NO2或NH3等离子体；所述含锌的卤化物是氯化锌ZnCl2，所述含锌的烷基化合物是二乙基锌Zn(C2H5)2或二甲基锌Zn(CH3)2。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述掺杂源Te是含Te的硅烷化物或含Te的烷基化物；所述含Te的烷基化物是二甲基碲Te(CH3)2或二乙基碲Te(CH2CH3)2。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述Zn(C2H5)2、二甲基碲Te(CH3)2、氮气等离子体和水蒸汽在沉积室内暴露时间依次为0.75s、0.07s、5s、0.08s，衬底温度为300℃。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，还包括：每次沉积之后采用高纯氮气清洗沉积室，清洗时间为50s。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，沉积过程中进气时间为0.04s-5s，氮气的流量为1sccm-1000sccm，清洗时间为5s-150s，衬底温度为100℃-500℃。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，沉积过程中等离子体放电功率为1W-
100W，放电时间为1s-50s。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括：
通过控制所述的碲掺杂源、氮掺杂源与水的通气时间来调节掺杂氧化锌薄膜中氮掺杂源与碲的比例。
用于Te-N共掺氧化锌薄膜的制备方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
0.04s-5s，优选地为0.75s，清洗时间为5s-150s，优选地为50s，衬底温度为100℃-500℃，优选地为300℃；其中等离子放电功率为1W-100W，优选地为50W，放电时间为1s-50s，优选的为
5s。在此期间通过N2等离子体来引入N掺杂，通过Te(CH3)2来提供Te原子，Te和N都取代氧的位置，Te的引入可以降低受主No的形成能，提高Ｎ的固溶度，促进p型电导的形成。重复循环上述沉积，可以逐层生长Te-N共掺的氧化锌薄膜。
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