专利汇可以提供一种低温可控核聚变装置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且涉及一种低温可控 核聚变 装置,不需要耐极高温的材料,它能够在较低的 温度 下,连续可控产生核聚变。在一个圆柱形的可控核聚变装置的中心处,有一个质子枪(1), 真空 腔(2),针状聚焦棒(3),窄隙聚焦腔(4),内壁(5),窄隙核聚焦腔的底部与内壁区域为核聚变微室(6),在内壁外侧有 中子 吸附 层(7),中子吸附层的外侧为热交换层(8),在热交换层外侧为可控核聚变装置的外壁(9);质子枪喷出的氘或氚或氘氚混合正离子(10)在 电场 的 加速 下,向带负电的针状聚焦棒、内壁方向高速运动,在针状聚焦棒外壁的窄隙核聚变腔内向内壁组成的底部聚焦,其 密度 升高,氘氚混合粒子在窄隙核聚变腔底部附近相互碰撞,有一定的几率能产生核聚变反应。,下面是一种低温可控核聚变装置专利的具体信息内容。
1.一种低温可控核聚变装置,该装置不仅能够实现持续可控的核聚变,而且装置的内壁不需要耐极高温的材料,其特征是:在一个圆柱形的可控核聚变装置的中心处,有一个质子枪(1),真空腔(2),针状聚焦棒(3),窄隙聚焦腔(4),内壁(5),窄隙核聚焦腔的底部与内壁区域为核聚变微室(6),在内壁外侧有中子吸附层(7),中子吸附层的外侧为热交换层(8),在热交换层外侧为可控核聚变装置的外壁(9)。
2.根据权利要求1所述的低温可控核聚变装置,其特征是:在可控核聚变装置的外面有电源装置,产生高压电,正极(10)连接质子枪,负极(12)连接内壁,使内壁的一小部分和针状聚焦棒带负电,质子枪喷出的氘或氚或氘氚混合正离子(10)在电场的加速下,向带负电的针状聚焦棒外壁的窄隙聚焦腔、内壁方向高速运动,氘或氚或氘氚混合正离子期间大部分粒子与针状聚焦棒外壁碰撞,大部分粒子呈锐角碰撞,改变少量角度继续向前运动,再与对侧的针状聚焦外壁呈锐角碰撞前行,直到底部附近,窄隙核聚焦腔的底部附近核聚变微室的氘氚混合粒子密度通过聚焦,其密度升高,速度亦很高,氘氚混合粒子在核聚变微室内相互碰撞,有一定的几率能产生核聚变反应。
3.根据权利要求1所述的低温可控核聚变装置,其特征是:内壁及针状聚焦棒由高熔点、高导热的金属(如钨等)或非金属材料制成,两者可以是同样材料,也可以是不同材料,针状聚焦棒呈针状,表面光滑,针状聚焦棒密集安装在内壁的内侧面上,针尖指向中心,针状聚焦棒之间形成微小窄隙。内壁的内侧面表面制成密集的偏心凹球面,偏心凹球面与针状聚焦棒下端的微小窄隙组成核聚变微室(6)。
4.根据权利要求1所述的低温可控核聚变装置,其特征是:通过调节质子枪输出的粒子强度和电场的电压,控制在核聚变微室内氘氚混合粒子密度和运动速度,就能控制产生核聚变反应的强度,也能控制针状聚焦棒、核聚变微室、内壁的温度,使核聚变装置在一定的温度下连续可控地运行。
5.根据权利要求1所述的低温可控核聚变装置,其特征是:内壁可以是一个整体,连接电源负极;内壁也可以做成块状,每块内壁分别连接外接电源的负极。控制高压加速电场在真空腔内旋转电场,使粒子束在真空腔内扫描状运行,粒子束在极短的时间内每个针状间隙内,进行聚焦,核聚变小室内进行压缩、相互碰撞,产生核聚变。
6.根据权利要求1所述的低温可控核聚变装置,其特征是:扫描方式特点:1、提高粒子束强度,增加核聚变几率;2、提高电场强度,增加粒子运动速度,增加核聚变几率;3、增加针状聚焦棒和内壁的热传导、散热。保护针状聚焦棒和内壁材料的安全使用,不被融化和变型,提高使用寿命;4、在粒子束扫描间期,可以将核聚变后的产物、未反应的物质以及杂质有时间排出。
7.根据权利要求1所述的低温可控核聚变装置,其特征是:也可以不需要在可控核聚变装置的外面有电源装置,可以在可控核聚变装置外部设置一小型质子加速器,将氘或氚或氘氚混合正离子加速到兆电子伏特级速度,引导到质子枪喷出,质子枪可以旋转,使粒子束在真空腔内扫描状运行,粒子束在极短的时间内每个针状间隙内,进行聚焦,核聚变小室内进行压缩、相互碰撞,产生核聚变。
8.根据权利要求1所述的低温可控核聚变装置,其特征是:质子枪喷出的氘或氚或氘氚混合离子在电场的加速下,向带负电的针状聚焦棒、内壁方向高速运动,它们本身带有的动能,通过与针状聚焦棒外壁及内壁碰撞,大部分转化为热能,通过针状聚焦棒及内壁向中子吸收转化层、热交换层传导。
9.根据权利要求1所述的低温可控核聚变装置,其特征是:本发明可控核聚变装置,输入能量和核聚变产生的能量均在一个封闭的圆柱型转化为热能,输入能量被重新吸收成为输出热能的一部分,只要产生小概率的核聚变反应,就能使Q因子>1,实现可持续核聚变。
10.根据权利要求1所述的低温可控核聚变装置,其特征是:本发明提供一种低温可控连续核聚变装置,该装置不仅能够实现持续可控的核聚变,而且装置的内壁不需要耐极高温的材料。
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