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处理轻 烃芳构化反应器内表面的方法

阅读：970发布：2020-05-08

专利汇可以提供处理轻烃芳构化反应器内表面的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明涉及轻烃芳构化设备领域，公开了一种处理芳构化反应器内表面的方法，包括以下步骤：在不同压力的碳化性气体氛围中，对芳构化反应器进行热处理，在反应器内表面形成致密的碳化物保护层，所述热处理步骤依次为升温、第一降温、第一恒温、第二降温、第二恒温以及第三降温。采用本发明的方法处理轻烃芳构化反应器，能够使沉积在反应器内表面的焦炭量减少70％以上。，下面是处理轻烃芳构化反应器内表面的方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种处理轻烃芳构化反应器内表面的方法，其中，包括以下步骤：在处理气体存在下，对轻烃构化反应器的内表面进行热处理，在反应器内表面形成致密的碳化物保护层，所述热处理的步骤依次包括升温、第一降温、第一恒温、第二降温、第二恒温以及第三降温。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理气体为H2和/或CH4，在所述热处理过程中，不同步骤中所述处理气体的气体压力不同。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述升温和第一降温的过程包括：在纯H2和常压的条件下，以400-600℃/h的升温速率将芳构化反应器升温至950-1000℃；以20-100℃/h的降温速率将反应器降温至650-900℃，进行所述第一降温。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一恒温的过程包括：在所述第一降温后，在含有H2和CH4的第一混合气体存在下，所述第一混合气体中CH4体积百分含量为0.5-2.5％，在第一恒温温度为650-900℃和第一恒温压力为0.3-0.5MPa下进行所述第一恒温5-30h。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二降温的过程包括：在所述第一混合气体和第一恒温压力条件下，以20-100℃/h的速率从所述第一恒温温度降温至400-700℃。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二恒温的过程包括：在所述第二降温后，在含有H2和CH4的第二混合气体存在下，所述第二混合中CH4体积百分含量为2.6-5％，在第二恒温温度为400-700℃和第二恒温压力为0.5-1.0MPa下进行恒温5-20h。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第三降温，所述第三降温的过程包括：在所述第二混合气体和第二恒温压力条件下，以20-60℃/h的速率降至常温。
8.根据权利要求1-7中任意一项所述的方法，其中，所述轻烃芳构化反应器由合金制备而成；优选地，由不锈钢制成；更优选地，不锈钢为304、316、321、310。
9.一种权利要求1-8中任意一项所述的方法处理得到的芳构化反应器。
10.根据权利要求9所述的芳构化反应器，其特征在于，所述芳构化反应器的内壁表面上形成有碳化物保护层；优选地，所述保护层的厚度为5-40μm。

说明书全文

处理轻烃芳构化反应器内表面的方法

技术领域

[0001] 本发明涉及轻烃芳构化设备领域，具体涉及一种处理轻烃芳构化反应器内表面的方法。

背景技术

[0002] 轻烃芳构化技术是近20年来发展的一种新型石油加工技术，其特征是利用改性的沸石分子筛催化剂将低分子的烃类直接转化为BTX或汽油等轻质芳烃。随着现代工业的发展，作为基础化学工业原料和高辛烷值汽油组分的轻质芳烃的需求量不断增加，而石油资源却日益短缺。因此，立足现有石油资源，利用芳构化工艺过程来拓宽生产芳烃的原料资源、增加芳烃产量具有很强的现实意义。

[0003] 轻烃分子在分子筛催化剂上的反应较为复杂，一般认为包括裂化、齐聚、环化和脱氢4个主要步骤。烃分子首先裂化成低分子“碎片”，这些“碎片”再经过正碳离子反应机理“连接”成环，通过脱氢或氢转移生成芳烃。在分子筛催化剂上，低分子烷烃或烯烃可以直接转化成芳烃，并对原料的芳烃潜含量没有要求。利用这一特性，国内外相继开发了多项由不同工艺、不同原料直接生产BTX等轻质芳烃或高辛烷值汽油调合组分的轻烃芳构化工业技术。

[0004] 轻烃芳构化反应器的材料主要选用304、316、321等不锈钢，其元素主要由Fe、Cr、Ni组成。芳构化反应的工况条件一般为，原料C6、C7的链烷烃，压力0.3MPa左右，温度500℃左右。在这种条件下，Fe、Ni元素对轻烃结焦具有显著的催化作用，这导致反应器内壁积碳严重，床层压降增大、不能长周期开车。工业芳构化反应器一般采用电镀和磁控溅射等方式在内壁形成惰性涂层，屏蔽Fe、Ni元素，从而减少结焦。

[0005] CN105506713A公开了一种在构件上形成铬基涂层的方法，其包括：将所述构件及对电极浸入包括三价铬盐和纳米陶瓷微粒的电解液中；在所述构件和对电极上施加电流；以及在所述构件上电镀一层包括铬和纳米陶瓷微粒的铬基涂层。其通过电镀形成铬涂层来覆盖Fe、Ni元素。

[0006] CN103374705A公开了一种磁控溅射装置，包括反应腔室、卡盘以及靶材，所述卡盘设置在所述反应腔室底部，其用于承载被加工工件，所述靶材设置在所述反应腔室顶部，在所述反应腔室侧壁的外侧设有边磁体，而且所述边磁体位于所述卡盘的上方，其中，在所述卡盘的边缘包括辅助磁体，所述辅助磁体的磁极与所述边磁体的磁极同向设置，所述辅助磁体和所述边磁体形成磁回路，借助所述磁回路使等离子体中的金属离子向所述反应腔室的边缘区域移动，以增加靶材粒子在所述被加工工件边缘区域的沉积量。通过磁控溅射装置来形成惰性涂层。

[0007] 但是，这些外施加元素形成的惰性涂层在实际工业应用中，往往使用寿命不够持久，经过几个周期后涂层就大量剥落，因此这种涂层并没有在工业中大量使用。

[0008] 芳构化反应的运行环境是一种低硫(不大于0.3ppm)、低水蒸气(不大于1ppm)的氛围，所以反应器内表面不能形成Cr2O3 氧化层将Fe、Ni覆盖，也没有硫元素对表面的Fe、Ni元素进行毒化，形成FeS、NiS，进而减少催化结焦。因此，对于轻烃芳构化设备，需要提供一种处理芳构化反应器内表面的方法。

发明内容

[0009] 针对现有技术的不足，本发明的目的是为了克服现有技术中芳构化反应器内部的结焦问题，提供一种处理轻烃芳构化反应器内表面的方法，该方法能够在轻烃芳构化反应器内表面形成致密的碳化物保护层，使得焦炭在反应器内表面的沉积显著减少，反应器运行周期明显延长。

[0010] 为了实现上述目的，本发明一方面提供一种处理轻烃芳构化反应器内表面的方法，其中，包括以下步骤：在处理气体存在下，对轻烃构化反应器的内表面进行热处理，在反应器内表面形成致密的碳化物保护层，所述热处理的步骤依次包括升温、第一降温、第一恒温、第二降温、第二恒温以及第三降温。

[0011] 进一步地，所述处理气体为H2和/或CH4；在所述热处理过程中，不同步骤中所述处理气体的气体压力不同。

[0012] 进一步地，所述升温和第一降温的过程包括：在纯H2和常压的条件下，以400-600℃/h的升温速率将芳构化反应器升温至950-1000℃；以20-100℃/h的降温速率将反应器降温至650-900℃，进行所述第一降温。

[0013] 进一步地，所述第一恒温的过程包括：在所述第一降温后，在含有H2和CH4的第一混合气体存在下，所述第一混合气体中CH4体积百分含量为0.5-2.5％，在第一恒温温度为650-900℃和第一恒温压力为0.3-0.5MPa下进行所述第一恒温5-30h。

[0014] 进一步地，所述第二次降温的过程包括：在所述第一混合气体和第一恒温压力条件下，以20-100℃/h的速率从所述第一恒温温度降温至400-700℃。

[0015] 进一步地，所述第二恒温的过程包括：在所述第二降温后，在含有H2和CH4的第二混合气体存在下，所述第二混合中CH4体积百分含量为2.6-5％，在第二恒温温度为400-700℃和第二恒温压力为0.5-1.0MPa下进行恒温5-20h。

[0016] 进一步地，所述第三降温，所述第三降温的过程包括：在所述第二混合气体和第二恒温压力条件下，以20-60℃/h的速率降至常温。

[0017] 本发明另一方面是提供一种上述方法处理得到的芳构化反应器。

[0018] 进一步地，所述芳构化反应器的内壁表面上形成有碳化物保护层；优选地，所述保护层的厚度为5-40μm，优选为10-20μm。

[0019] 本发明借助形成碳化层的方式来减少芳构化反应器内壁的结焦，这在抑制结焦技术中属于首创。碳化层抗结焦在乙烯裂解炉管辐射段炉管中并不适用，这主要是裂解炉管的温度较高，管壁温度经常在900℃以上，这时碳化层很容易脆化，从而出现剥落，但是芳构化反应器的管壁温度不到600℃时，这时碳化层Cr7C3非常稳定，能够非常好的将Fe、Ni元素覆盖，有效降低结焦。

[0020] 本发明先将合金升至其极限温度，然后缓慢降低至碳化反应温度，这个过程增加了合金晶体的缺陷，使得恒温阶段碳元素更容易和金属结合，形成致密的碳化层，如果缺少该步骤，形成的碳化物不能成膜，只是不连续的分布在表面，不能完全覆盖Fe、Ni。

[0021] 本发明在采用甲烷和氢气的混合气体对芳构化反应器进行碳化，而且处理压力较高，易得到更加致密的Cr7C3的碳化层。

[0022] 本发明所述的方法可以用于实验室规模的芳构化反应器，或者用于工业上芳构化反应器，效果优良。具体的说，其有益效果如下：

[0023] 1、本发明的方法可以在装置上在线进行预碳化，成本低廉。

[0024] 2、使用本发明的方法，能够使沉积在反应器内表面的焦炭量减少70％以上。

具体实施方式

[0025] 在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本文中具体公开。

[0026] 本发明一方面提供一种处理轻烃芳构化反应器内表面的方法，其中，包括以下步骤：在处理气体存在下，对芳构化反应器的内表面进行热处理，在反应器内表面形成致密的碳化物保护层，所述热处理的步骤依次为升温、第一降温、第一恒温、第二降温、第二恒温以及第三降温。

[0027] 对轻烃芳构化反应器内表面的处理过程中，如果长期处于高温阶段，在反应器内表面形成的碳化层厚度过大，不利于后续轻烃芳构化反应过程中反应器温度的控制。而本发明中采用升温后降温至低温再继续进行恒温的方法，能够得到厚度适中，且碳化层覆盖率较高的轻烃芳构化反应器。

[0028] 根据本发明，上述处理气体为H2和/或CH4。

[0029] 根据本发明，上述升温和第一降温的过程包括：在纯H2和常压的条件下，以400-600℃/h的升温速率将芳构化反应器升温至950-1000℃；以20-100℃/h的降温速率将反应器降温至650-900℃，进行所述第一降温。

[0030] 本发明中，预先将合金升至其极限温度，然后缓慢降低至碳化反应温度，这个过程增加了合金晶体的缺陷，使得恒温阶段碳元素更容易和金属结合，形成致密的碳化层，如果缺少该步骤，形成的碳化物不能成膜，只是不连续的分布在表面，不能完全覆盖Fe、Ni。

[0031] 根据本发明，上述第一恒温的过程包括：在所述第一降温后，在含有H2和CH4的第一混合气体存在下，所述第一混合气体中CH4体积百分含量为0.5-2.5％，在第一恒温温度为650-900℃和第一恒温压力为0.3-0.5MPa下进行所述第一恒温5-30h。

[0032] 其中，第一混合气体中CH4体积百分含量为0.5-2.5％，优选为1.0-2.0％当混合气体中CH4体积百分含量低于0.5％时，碳化反应不彻底，形成的碳化物不易成膜，不能完全覆盖Fe、Ni，而当CH4体积百分含量高于2.5％时，形成的碳化层过厚，容易开裂和剥落，且不利于后续反应温度的控制。

[0033] 第一恒温反应的恒温温度为650-900℃，优选为750-850℃；恒温时间为5-30h，优选为15-25h；恒温压力为0.3-0.5MPa，优选为0.4-0.45MPa如果恒温反应的压力以及时间不在上述范围，使得甲烷与氢气构成的碳化性气体不能与反应器内表面的Cr元素充分接触并反应，导致碳化反应不充分，不能获得致密且均匀连续地分布在反应器内表面的Cr7C3。

[0034] 根据本发明，上述第二降温的过程包括：在所述第一混合气体和第一恒温压力条件下，以20-100℃/h的速率从所述第一恒温温度降温至400-700℃。

[0035] 根据本发明，上述第二恒温的过程包括：在所述第二降温后，在含有H2和CH4的第二混合气体存在下，所述第二混合中CH4体积百分含量为2.6-5％，在第二恒温温度为400-700℃和第二恒温压力为0.5-1.0MPa下进行恒温5-20h。

[0036] 其中，第二恒温阶段中，混合气体中CH4体积百分含量为2.6-5％，优选为3.0-4.5％；恒温温度为400-700℃，优选为450-680℃；恒温时间为5-20h，优选为6-18h；压力为
0.5-1.0MPa，优选为0.6-0.8MPa

[0037] 根据本发明，上述第三降温，所述第三降温的过程包括：在所述第二混合气体和第二恒温压力条件下，以20-60℃/h的速率降至常温。

[0038] 根据本发明，上述轻烃芳构化反应器由合金制备而成；优选地，由不锈钢制成；更优选地，不锈钢为304、316、321、310。

[0039] 本发明另一方面是提供一种上述方法处理得到的芳构化反应器。

[0040] 进一步地，上述芳构化反应器的内壁表面上形成有碳化物保护层；优选地，所述保护层的厚度为5-40μm，优选为10-20μm。

[0041] 下述实施例中如无特殊说明，所使用的实验方法，均为常规方法；所用的材料、试剂等，均可从商业途径获得。

[0042] 本发明采用Denver Instrument Company AA-200分析天平对芳构化反应器反应前后的重量进行测量，从而计算结焦量。

[0043] 本发明采用FEI公司的XL-30型场发射环境扫描电镜(SEM)对挂片的横截面进行测量，可以确定碳化物保护层的厚度，加速电压为15kv。

[0044] 下面结合具体实施例对本发明进一步说明，但本发明并不限于以下实施例。

[0045] 由于芳构化反应器内表面的结焦量难以取样，本发明中采用芳构化反应器中的挂片作为测试样。并且由于芳构化反应器中的挂片与其内表面处于相同的反应条件中，其表面结焦量可以用于表征芳构化反应器内表面的结焦情况。

[0046] 实施例1

[0047] 304不锈钢材质挂片，外壁用砂纸打磨，去除氧化皮，采用本发明的方法进行处理，步骤如下：

[0048] (1)在纯H2和常压的条件下，以600℃/h的升温速率将芳构化反应器升温至950℃，再以80℃/h的降温速率将反应器降温至800℃；

[0049] (2)在含有H2和CH4的第一混合气体存在下，在压力为0.3MPa，温度800℃下恒温20h，其中CH4体积百分含量为1.5％；

[0050] (3)恒温结束后，以50℃/h的速率降温至600℃，降温过程中气体压力、组成、CH4体积百分含量保持不变；

[0051] (4)在含有H2和CH4的第二混合气体存在下，在压力为0.5MPa，温度为600℃下恒温10h，其中CH4体积百分含量为3.0％；

[0052] (5)恒温结束后，以30℃/h的速率降至常温，降温过程中保持常压，气体组成以及CH4体积百分含量保持不变。

[0053] 处理结束后，测量挂片表面碳化层的厚度为7μm。

[0054] 实施例2

[0055] 310不锈钢材质挂片，外壁用砂纸打磨，去除氧化皮，采用本发明的方法进行处理，步骤如下：

[0056] (1)在纯H2和常压的条件下，以400℃/h的升温速率将芳构化反应器升温至1000℃，再以50℃/h的降温速率将反应器降温至900℃；

[0057] (2)在含有H2和CH4的第一混合气体存在下，在压力为0.4MPa，温度为900℃下恒温10h，其中CH4体积百分含量为2.0％；

[0058] (3)恒温结束后，以80℃/h的速率降温至700℃，降温过程中气体压力、组成、CH4体积百分含量保持不变；

[0059] (4)在含有H2和CH4的第二混合气体存在下，在压力为0.8MPa，温度700℃下恒温20h，其中CH4体积百分含量为4.5％；

[0060] (5)恒温结束后，以50℃/h的速率降至常温，降温过程中保持常压，气体组成以及CH4体积百分含量保持不变。

[0061] 处理结束后，测量挂片表面碳化层的厚度为9μm。

[0062] 实施例3

[0063] 316不锈钢材质挂片，外壁用砂纸打磨，去除氧化皮，采用本发明的方法进行处理，步骤如下：

[0064] (1)在纯H2和常压的条件下，以500℃/h的升温速率将芳构化反应器升温至960℃，再以20℃/h的降温速率将反应器降温至880℃；

[0065] (2)在含有H2和CH4的第一混合气体存在下，在压力为0.5MPa，温度为880℃下恒温25h，其中CH4体积百分含量为0.8％；

[0066] (3)恒温结束后，以80℃/h的速率降温至500℃，降温过程中气体压力、组成、CH4体积百分含量保持不变；

[0067] (4)在含有H2和CH4的第二混合气体存在下，在压力为0.3MPa，500℃下恒温15h，其中CH4体积百分含量为5％；

[0068] (5)恒温结束后，以60℃/h的速率降至常温，降温过程中保持常压，气体组成以及CH4体积百分含量保持不变。

[0069] 处理结束后，测量挂片表面碳化层的厚度为25μm。

[0070] 实施例4

[0071] 321不锈钢材质挂片，外壁用砂纸打磨，去除氧化皮，采用本发明的方法进行处理，步骤如下：

[0072] (1)在纯H2和常压的条件下，以580℃/h的升温速率将芳构化反应器升温至980℃，再以80℃/h的降温速率将反应器降温至780℃；

[0073] (2)在含有H2和CH4的第一混合气体存在下，在压力为0.3MPa，780℃下恒温20h，其中CH4体积百分含量为1.0％；

[0074] (3)恒温结束后，以60℃/h的速率降温至600℃，降温过程中气体压力、组成、CH4体积百分含量保持不变；

[0075] (4)在含有H2和CH4的第二混合气体存在下，在压力为0.5MPa，温度为600℃下恒温20h，其中CH4体积百分含量为3.5％；

[0076] (5)恒温结束后，以40℃/h的速率降至常温，降温过程中保持常压，气体组成以及CH4体积百分含量保持不变。

[0077] 处理结束后，测量挂片表面碳化层的厚度为5μm。

[0078] 实施例5

[0079] 采用与实施例3相同的方法对316不锈钢材质挂片进行处理，不同的是步骤(2)中，第一混合气体中CH4体积百分含量为1.5％

[0080] 处理结束后，测量挂片表面碳化层的厚度为15μm。

[0081] 实施例6

[0082] 采用与实施例3相同的方法对316不锈钢材质挂片进行处理，不同的是步骤(2)中，第一混合气体中CH4体积百分含量为0.3％

[0083] 处理结束后，测量挂片表面碳化层的厚度为3μm。

[0084] 实施例7

[0085] 采用与实施例3相同的方法对316不锈钢材质挂片进行处理，不同的是步骤(2)中，第一混合气体中CH4体积百分含量为3％

[0086] 处理结束后，测量挂片表面碳化层的厚度为50μm。

[0087] 对比例1

[0088] 316不锈钢材质挂片，外壁用砂纸打磨，去除氧化皮，没有任何处理。

[0089] 对比例2

[0090] 304不锈钢材质挂片，外壁用砂纸打磨，去除氧化皮，采用专利CN105506713A的方法在外表面电镀形成Cr2O3涂层。

[0091] 处理结束后，测量挂片表面Cr2O3涂层的厚度为100μm。

[0092] 对比例3

[0093] 310不锈钢材质挂片，外壁用砂纸打磨，去除氧化皮，采用专利CN103374705A的磁控溅射装置来形成Cr2O3涂层。

[0094] 处理结束后，测量挂片表面Cr2O3涂层的厚度为80μm。

[0095] 对比例4

[0096] 采用与实施例3相同的方法对316不锈钢材质挂片进行处理，不同的是步骤(1)中，将芳构化反应器升温至900℃

[0097] 处理结束后，测量挂片表面碳化层的厚度为3μm。

[0098] 对比例5

[0099] 采用与实施例3相同的方法对316不锈钢材质插偶管进行处理，不同的是热处理过程中不含有步骤(3)和(4)，在第一恒温过程后，直接以80℃/h的速率将至常温。

[0100] 处理结束后，测量挂片表面碳化层的厚度为80μm。

[0101] 测试例

[0102] 芳构化反应器尺寸35*9*600mm，填装30mL的HZSM-5催化剂，催化剂直径为1.5mm条形。反应炉用上、中、下三段电热丝加热，原料油经柱塞泵打入，反应器上段作气化段，中段恒温区装填催化剂。内置直径为6mm，长度为580mm的插偶管，下段悬挂边长10mm，厚度2mm的正方形挂片，产品经冷凝器到分离器分离，定量收集气相和液相产品，用色谱仪分析各有关组份。

[0103] 芳构化反应条件：原料油液空速1h-1，温度500℃，每三小时取样分析结果，原料正己烷，氢油体积比400:1，反应压力0.3MPa，反应时间20小时。在芳构化反应器中，分别使用实施例1-7、对比例1-5不同处理方式得到的挂片，各进行平行反应6次，并在芳构化实验前将反应器的温度升至650℃，然后通入空气对反应器内壁、催化剂、插偶管、挂片的表面进行烧焦。

[0104] 将每次实验的挂片，用Denver Instrument Company AA-200分析天平称重芳构化实验前后挂片的重量，从而计算结焦量，并对其表面碳化层的厚度进行测量。结果如表1所示。

[0105] 表1实施例1～对比例5的挂片的增重(mg)

[0106]编号实验1 实验2 实验3 实验4 实验5 实验6
对比例1 5.15 4.86 5.38 5.54 5.21 5.65
对比例2 0.98 2.10 4.09 5.71 5.47 5.24
对比例3 1.06 2.62 5.06 4.34 5.13 5.37
对比例4 1.35 1.87 2.16 2.76 3.28 3.92
对比例5 1.12 1.56 1.95 2.31 2.88 3.26
实施例1 1.04 0.84 0.99 1.09 1.03 1.02
实施例2 0.98 0.86 1.01 1.05 1.03 0.91
实施例3 0.81 0.76 0.83 0.92 0.95 0.85
实施例4 0.92 0.86 0.99 1.07 0.95 1.00
实施例5 0.68 0.71 0.69 0.65 0.75 0.67
实施例6 1.20 1.22 1.18 1.25 1.28 1.16
实施例7 1.15 1.18 1.14 1.10 1.19 1.12

[0107] 由表1可知，实施例1-7的结焦增重明显少于对比例1-5，可见利用本发明的方法处理304、310、316、321不锈钢挂片后，能明显减少其在芳构化反应过程中的结焦。

[0108] 实施例3、5的结焦增重明显低于实施例6-7，表明采用本发明中的混合气体对不锈钢挂片进行处理，能够明显减少其在芳构化反应过程中的结焦，且获得的碳化层厚度适中，覆盖率较高。

[0109] 通过实施例1-7与对比例4-5相比可知，采用本发明的升温程序对不锈钢挂片进行处理，能够明显减少其在芳构化反应过程中的结焦，并且获得的碳化层厚度适中，且覆盖率较高。

[0110] 以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于此。在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，包括各个技术特征以任何其它的合适方式进行组合，这些简单变型和组合同样应当视为本发明所公开的内容，均属于本发明的保护范围。

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