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一种宽带有源二倍频器

阅读：352发布：2020-05-11

专利汇可以提供一种宽带有源二倍频器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明公开了一种宽带有源二倍频器。该二倍频器包括有源巴伦、PUSH-PUSH二倍频单元和宽带放大电路；所述有源巴伦接收单端信号，将单端信号转换为双端差分信号输出，输出的两路信号分别连接至PUSH-PUSH二倍频单元；所述PUSH-PUSH二倍频单元产生的两路倍频信号从漏极输出，基波及奇次谐波信号反相抵消，同时二次谐波信号同相叠加；所述宽带放大电路，接收PUSH-PUSH二倍频单元的输出信号，并通过三级宽带放大电路进行放大，完成倍频信号的功率输出。本发明工作带宽范围宽、基波及三次谐波抑制能力强，具有低功耗、输出功率高、电路面积小、工艺难度要求低的优点。，下面是一种宽带有源二倍频器专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种宽带有源二倍频器，其特征在于，包括有源巴伦、PUSH-PUSH二倍频单元和宽带放大电路；
所述有源巴伦接收单端信号，将单端信号转换为双端差分信号输出，输出的两路信号分别连接至PUSH-PUSH二倍频单元；
所述PUSH-PUSH二倍频单元产生的两路倍频信号从漏极输出，基波及奇次谐波信号反相抵消，同时二次谐波信号同相叠加；
所述宽带放大电路，接收PUSH-PUSH二倍频单元的输出信号，并通过三级宽带放大电路进行放大，完成倍频信号的功率输出。
2.根据权利要求1所述的宽带有源二倍频器，其特征在于，所述单端信号通过输入匹配网络传输至有源巴伦。
3.根据权利要求2所述的宽带有源二倍频器，其特征在于，所述输入匹配网络包括第一电容(C1)、第一电感(L1)、第二电感(L2)和第一电阻(R1)；输入匹配网络的输入端与输出端之间串联第一电容(C1)、第二电感(L2)，第一电容(C1)、第二电感(L2)的公共端通过第一电感(L1)接地，输入匹配网络的输出端通过第一电阻(R1)接地。
4.根据权利要求1、2或3所述的宽带有源二倍频器，其特征在于，所述有源巴伦包括第一晶体管(AF1)、第二晶体管(AF2)、第二电阻(R2)、第三电感(L3)、第四电感(L4)、第三晶体管(AF3)、第四晶体管(AF4)、第一串联电容(Cf1)、第二串联电容(Cf2)、第一串联电阻(Rf1)、第二串联电阻(Rf2)、第五电感(L5)、第三电阻(R3)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、第四电容(C4)、第六电感(L6)和第七电感(L7)；
输入匹配网络的输出端连接有源巴伦中第一晶体管(AF1)的栅极，所述第一晶体管(AF1)和第二晶体管(AF2)的源极相连，公共端串联第二电阻(R2)和第三电感(L3)接地，第二晶体管(AF2)的栅极通过第四电感(L4)接地；所述第三晶体管(AF3)作为第一晶体管(AF1)的有源负载，第四晶体管(AF4)作为第二晶体管(AF2)的有源负载，第三晶体管(AF3)的栅极串联第一串联电容(Cf1)、第一串联电阻(Rf1)至第三晶体管(AF3)的源极；第一串联电容(Cf1)和第一串联电阻(Rf1)的公共端连接到第一晶体管(AF1)的漏极；第四晶体管(AF4)的栅极串联第二串联电容(Cf2)、第二串联电阻(Rf2)至第四晶体管(AF4)的源极，第二串联电容(Cf2)、第二串联电阻(Rf2)的公共端连接到第二晶体管(AF2)的漏极；第三晶体管(AF3)和第四晶体管(AF4)的漏极相连，公共端顺次串联第五电感(L5)、第三电阻(R3)、第二电容(C2)接地，第五电感(L5)、第三电阻(R3)的公共端连接正加电端口(VD)；第三晶体管(AF3)的源极分别串联第四电容(C4)、第七电感(L7)作为有源巴伦的第一差分输出端口，第四晶体管(AF4)的源极分别串联第三电容(C3)、第六电感(L6)作为有源巴伦的第二差分输出端口。
5.根据权利要求4所述的宽带有源二倍频器，其特征在于，所述有源巴伦的信号输入端设置RC微调网络，RC微调网络包括RC微调电容(Cs)和RC微调电阻(Rs)；有源巴伦中第一晶体管(AF1)的栅极和RC微调网络中RC微调电容(Cs)的一端连接，RC微调电容(Cs)的另一端连接RC微调电阻(Rs)的一端，RC微调电阻(Rs)的另一端与第二电阻(R2)、第三电感(L3)的公共端连接。
6.根据权利要求4或5所述的宽带有源二倍频器，其特征在于，所述PUSH-PUSH二倍频单元包括第五晶体管(AF5)、第六晶体管(AF6)、第一大电阻(RG1)、第二大电阻(RG2)；
有源巴伦的第一差分输出端口连接至第六晶体管(AF6)的栅极，有源巴伦的第二差分输出端口连接至第五晶体管(AF5)的栅极；第六晶体管(AF6)的栅极通过第一大电阻(RG1)连接负加电端口(VG)、第五晶体管(AF5)的栅极通过第二大电阻(RG2)连接负加电端口(VG)，实现栅极偏置；第五晶体管(AF5)和第六晶体管(AF6)的源极均接地，漏极相连为PUSH-PUSH二倍频单元的输出端。
7.根据权利要求6所述的宽带有源二倍频器，其特征在于，所述宽带放大电路包括第七晶体管(AF7)、第八晶体管(AF8)、第九晶体管(AF9)、第五～第八电容(C5～C8)、第八～第十一电感(L8～L11)；
所述宽带放大电路中第五电容(C5)的一端连接第五晶体管(AF5)和第六晶体管(AF6)的漏极公共端，该公共端通过第八电感(L8)连接正加电端口(VD)，同时第九电感(L9)、第十电感(L10)、第十一电感(L11)的一端分别连接至正加电端口(VD)；第五电容(C5)的另一端连接第七晶体管(AF7)的栅极，第七晶体管(AF7)的源极接地，漏极连接第九电感(L9)的另一端和第六电容(C6)的一端，第六电容(C6)的另一端连接第八晶体管(AF8)的栅极；第八晶体管(AF8)的源极接地，漏极连接第十电感(L10)的另一端和第七电容(C7)的一端，第七电容(C7)的另一端连接第九晶体管(AF9)的栅极；第九晶体管(AF9)的源极接地，漏极连接第十一电感(L11)的另一端和第八电容(C8)的一端，第八电容(C8)的另一端为信号输出端。
8.根据权利要求7所述的宽带有源二倍频器，其特征在于，所述有源巴伦通过有耗电路实现输入匹配，晶体管的漏极分别通过电阻直接偏置增加带宽，两个差分管对的源极通过微带直接相连，从微带中间串联电阻电感到地，通过选择电阻电感值调整工作性能和带宽。
9.根据权利要求7所述的宽带有源二倍频器，其特征在于，所述PUSH-PUSH二倍频单元的第五晶体管(AF5)、第六晶体管(AF6)栅极通过第一大电阻(RG1)、第二大电阻(RG2)连接负加电端口(VG)加电实现直流偏置，通过选择栅极偏置电压调整电路的倍频效率；第五晶体管(AF5)、第六晶体管(AF6)漏极通过扼流电感加电实现直流偏置；第五晶体管(AF5)、第六晶体管(AF6)的源极接地，漏极相连，在倍频输出端的二次谐波信号同相叠加，基波及奇次谐波反相抵消。
10.根据权利要求7所述的宽带有源二倍频器，其特征在于，所述RC微调网络通过调整RC微调电容(Cs)和RC微调电阻(Rs)的值对有源巴伦输出信号的平衡性进行调整；所述宽带放大电路为三级共源放大结构，通过选择元件值调整宽带放大电路的工作性能和带宽。

说明书全文

一种宽带有源二倍频器

技术领域

[0001] 本发明属于微电子与固体电子学的射频微波集成电路技术，特别是一种宽带有源二倍频器。

背景技术

[0002] 倍频器广泛用于发射机、频率合成器和其它信息的传输和处理系统中。在发射机中利用倍频器可以将晶体振荡器产生的较低振荡频率倍增到所需的载波频率,或者将间接调频器产生的低载频和小频偏调频波倍增到高载波和大频偏的调频波。在频率合成器中，利用倍频器可以由一个稳定振荡频率产生出众多频率的稳定振荡信号。

[0003] 随着无线通讯技术的发展，倍频器被广泛运用在通信、雷达、频率合成等应用中。通过倍频器可以从低频率、高性能的振荡器中获取高频率、低相位噪声的信号。与振荡器直接产生高频信号相比，采用低频振荡器与倍频器级联以获取高频信号的方式具有更低的相位噪声，倍频器设计的优劣将直接影响到整个通信系统的性能。

[0004] 传统的倍频器大多采用单管或无源巴伦进行设计，此类设计通常无法兼顾效率、损耗、带宽、输出功率、芯片面积、成本等方面。

发明内容

[0005] 本发明的目的在于提供一种低功耗、工作带宽范围宽、基波及三次谐波抑制能力强、输出功率高、电路面积小、工艺难度要求低的宽带有源二倍频器。

[0006] 实现本发明目的的技术解决方案为：一种宽带有源二倍频器，包括有源巴伦、PUSH-PUSH二倍频单元和宽带放大电路；

[0007] 所述有源巴伦接收单端信号，将单端信号转换为双端差分信号输出，输出的两路信号分别连接至PUSH-PUSH二倍频单元；

[0008] 所述PUSH-PUSH二倍频单元产生的两路倍频信号从漏极输出，并合成以抵消基波及奇次谐波信号，同时二次谐波同相叠加；

[0009] 所述宽带放大电路，接收PUSH-PUSH二倍频单元的输出信号，并通过三级宽带放大电路进行放大，完成倍频信号的功率输出。

[0010] 进一步地，所述单端信号通过输入匹配网络传输至有源巴伦。

[0011] 作为一种具体示例，所述输入匹配网络包括第一电容、第一电感、第二电感和第一电阻；输入匹配网络的输入端与输出端之间串联第一电容、第二电感，第一电容、第二电感的公共端通过第一电感接地，输入匹配网络的输出端通过第一电阻接地。

[0012] 作为一种具体示例，所述有源巴伦包括第一晶体管、第二晶体管、第二电阻、第三电感、第四电感、第三晶体管、第四晶体管、第一串联电容、第二串联电容、第一串联电阻、第二串联电阻、第五电感、第三电阻、第二电容、第三电容、第四电容、第六电感和第七电感；

[0013] 输入匹配网络的输出端连接有源巴伦中第一晶体管的栅极，所述第一晶体管和第二晶体管的源极相连，公共端串联第二电阻和第三电感接地，第二晶体管的栅极通过第四电感接地；所述第三晶体管作为第一晶体管的有源负载，第四晶体管作为第二晶体管的有源负载，第三晶体管的栅极串联第一串联电容、第一串联电阻至第三晶体管的源极；第一串联电容和第一串联电阻的公共端连接到第一晶体管的漏极；第四晶体管的栅极串联第二串联电容、第二串联电阻至第四晶体管的源极，第二串联电容、第二串联电阻的公共端连接到第二晶体管的漏极；第三晶体管和第四晶体管的漏极相连，公共端顺次串联第五电感、第三电阻、第二电容接地，第五电感、第三电阻的公共端连接负加电端口；第三晶体管的源极分别串联第四电容、第七电感作为有源巴伦的第一差分输出端口，第四晶体管的源极分别串联第三电容、第六电感作为有源巴伦的第二差分输出端口。

[0014] 作为一种具体示例，所述有源巴伦的信号接收端设置RC微调网络，RC微调网络包括RC微调电容和RC微调电阻；有源巴伦中第一晶体管的栅极和RC微调网络中RC微调电容的一端连接，RC微调电容的另一端连接RC微调电阻的一端，RC微调电阻的另一端与第二电阻、第三电感的公共端连接。

[0015] 作为一种具体示例，所述PUSH-PUSH二倍频单元包括第五晶体管、第六晶体管、第一大电阻、第二大电阻；

[0016] 有源巴伦的第一差分输出端口连接至第六晶体管的栅极，有源巴伦的第二差分输出端口连接至第五晶体管的栅极；第六晶体管的栅极通过第一大电阻连接正加电端口、第五晶体管的栅极通过第二大电阻连接负加电端口，实现栅极偏置；第五晶体管和第六晶体管的源极均接地，漏极相连为PUSH-PUSH二倍频单元的输出端。

[0017] 作为一种具体示例，所述宽带放大电路包括第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第五～第八电容、第八～第十一电感；

[0018] 所述宽带放大电路中第五电容的一端连接第五晶体管和第六晶体管的漏极公共端，该公共端通过第八电感连接正加电端口，同时第九电感、第十电感、第十一电感的一端分别连接至正加电端口；第五电容的另一端连接第七晶体管的栅极，第七晶体管的源极接地，漏极连接第九电感的另一端和第六电容的一端，第六电容的另一端连接第八晶体管的栅极；第八晶体管的源极接地，漏极连接第十电感的另一端和第七电容的一端，第七电容的另一端连接第九晶体管的栅极；第九晶体管的源极接地，漏极连接第十一电感的另一端和第八电容的一端，第八电容的另一端为信号输出端。

[0019] 进一步地，所述有源巴伦通过有耗电路实现输入匹配，晶体管的漏极分别通过电阻直接偏置增加带宽，两个差分管对的源极通过微带直接相连，从微带中间串联电阻电感到地，通过选择电阻电感值调整工作性能和带宽。

[0020] 进一步地，所述PUSH-PUSH二倍频单元的第五晶体管、第六晶体管栅极通过第一大电阻、第二大电阻连接正加电端口加电实现直流偏置，通过选择栅极偏置电压调整电路的倍频效率；第五晶体管、第六晶体管漏极通过扼流电感加电实现直流偏置；第五晶体管、第六晶体管的源极接地，漏极相连，在倍频输出端的二次谐波信号同相叠加，基波及奇次谐波反相抵消。

[0021] 进一步地，所述RC微调网络通过调整RC微调电容和RC微调电阻的值对有源巴伦输出信号的平衡性进行调整；所述宽带放大电路为三级共源放大结构，通过选择元件值调整宽带放大电路的工作性能和带宽。

[0022] 本发明与现有技术相比，其显著优点为：(1)有源巴伦输出端采用有源负载以降低其输出阻抗，使驱动倍频器栅极的电压摆幅增大，降低功耗；(2)有源巴伦输入端采用RC反馈网络改善输入幅度及相位，提高了平衡度；(3)工作带宽范围宽，基波及三次谐波抑制能力强，且输出功率大、电路拓扑结构简单、工艺难度低。附图说明

[0023] 图1是本发明一种宽带有源二倍频器的结构框图。

[0024] 图2是本发明的电路结构图。

[0025] 图3是本发明实施例中20～44GHz宽带有源倍频器的电路版图。

[0026] 图4是本发明实施例中输入信号功率依次为2、3、4、5dBm情况下的基波输出功率曲线图。

[0027] 图5是本发明实施例中输入信号功率依次为2、3、4、5dBm情况下的二次谐波输出功率曲线图。

[0028] 图6是本发明实施例中输入信号功率依次为2、3、4、5dBm情况下的三次谐波输出功率曲线图。

[0029] 图7是本发明实施例中输入信号功率为5dBm时的基波、二次谐波和三次谐波输出功率对比图。

具体实施方式

[0030] 下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。

[0031] 结合图1、图2，本发明一种宽带有源二倍频器，包括有源巴伦、PUSH-PUSH二倍频单元和宽带放大电路；

[0032] 所述有源巴伦接收单端信号，将单端信号转换为双端差分信号输出，输出的两路信号分别连接至PUSH-PUSH二倍频单元；

[0033] 所述PUSH-PUSH二倍频单元产生的两路倍频信号从漏极输出，并合成以抵消基波及奇次谐波信号，同时二次谐波同相叠加；

[0034] 所述宽带放大电路，接收PUSH-PUSH二倍频单元的输出信号，并通过三级宽带放大电路进行放大，完成倍频信号的功率输出。

[0035] 进一步地，所述单端信号通过输入匹配网络传输至有源巴伦。

[0036] 作为一种具体示例，所述输入匹配网络包括第一电容C1、第一电感L1、第二电感L2和第一电阻R1；输入匹配网络的输入端与输出端之间串联第一电容C1、第二电感L2，第一电容C1、第二电感L2的公共端通过第一电感L1接地，输入匹配网络的输出端通过第一电阻R1接地。

[0037] 作为一种具体示例，所述有源巴伦包括第一晶体管AF1、第二晶体管AF2、第二电阻R2、第三电感L3、第四电感L4、第三晶体管AF3、第四晶体管AF4、第一串联电容Cf1、第二串联电容Cf2、第一串联电阻Rf1、第二串联电阻Rf2、第五电感L5、第三电阻R3、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第六电感L6和第七电感L7；

[0038] 输入匹配网络的输出端连接有源巴伦中第一晶体管AF1的栅极，所述第一晶体管AF1和第二晶体管AF2的源极相连，公共端串联第二电阻R2和第三电感L3接地，第二晶体管AF2的栅极通过第四电感L4接地；所述第三晶体管AF3作为第一晶体管AF1的有源负载，第四晶体管AF4作为第二晶体管AF2的有源负载，第三晶体管AF3的栅极串联第一串联电容Cf1、第一串联电阻Rf1至第三晶体管AF3的源极；第一串联电容Cf1和第一串联电阻Rf1的公共端连接到第一晶体管AF1的漏极；第四晶体管AF4的栅极串联第二串联电容Cf2、第二串联电阻Rf2至第四晶体管AF4的源极，第二串联电容Cf2、第二串联电阻Rf2的公共端连接到第二晶体管AF2的漏极；第三晶体管AF3和第四晶体管AF4的漏极相连，公共端顺次串联第五电感L5、第三电阻R3、第二电容C2接地，第五电感L5、第三电阻R3的公共端连接正加电端口VD；第三晶体管AF3的源极分别串联第四电容C4、第七电感L7作为有源巴伦的第一差分输出端口，第四晶体管AF4的源极分别串联第三电容C3、第六电感L6作为有源巴伦的第二差分输出端口。

[0039] 作为一种具体示例，所述有源巴伦的信号接收端设置RC微调网络，RC微调网络包括RC微调电容Cs和RC微调电阻Rs；有源巴伦中第一晶体管AF1的栅极和RC微调网络中RC微调电容Cs的一端连接，RC微调电容Cs的另一端连接RC微调电阻Rs的一端，RC微调电阻Rs的另一端与第二电阻R2、第三电感L3的公共端连接。

[0040] 作为一种具体示例，所述PUSH-PUSH二倍频单元包括第五晶体管AF5、第六晶体管AF6、第一大电阻RG1、第二大电阻RG2；

[0041] 有源巴伦的第一差分输出端口连接至第六晶体管AF6的栅极，有源巴伦的第二差分输出端口连接至第五晶体管AF5的栅极；第六晶体管AF6的栅极通过第一大电阻RG1连接负加电端口VG、第五晶体管AF5的栅极通过第二大电阻RG2连接负加电端口VG，实现栅极偏置；第五晶体管AF5和第六晶体管AF6的源极均接地，漏极相连为PUSH-PUSH二倍频单元的输出端。

[0042] 作为一种具体示例，所述宽带放大电路包括第七晶体管AF7、第八晶体管AF8、第九晶体管AF9、第五～第八电容C5～C8、第八～第十一电感L8～L11；

[0043] 所述宽带放大电路中第五电容C5的一端连接第五晶体管AF5和第六晶体管AF6的漏极公共端，该公共端通过第八电感L8连接正加电端口VD，同时第九电感L9、第十电感L10、第十一电感L11的一端分别连接至正加电端口VD；第五电容C5的另一端连接第七晶体管AF7的栅极，第七晶体管AF7的源极接地，漏极连接第九电感L9的另一端和第六电容C6的一端，第六电容C6的另一端连接第八晶体管AF8的栅极；第八晶体管AF8的源极接地，漏极连接第十电感L10的另一端和第七电容C7的一端，第七电容C7的另一端连接第九晶体管AF9的栅极；第九晶体管AF9的源极接地，漏极连接第十一电感L11的另一端和第八电容C8的一端，第八电容C8的另一端为信号输出端。

[0044] 进一步地，所述有源巴伦通过有耗电路实现输入匹配，晶体管的漏极分别通过电阻直接偏置增加带宽，两个差分管对的源极通过微带直接相连，从微带中间串联电阻电感到地，通过选择电阻电感值调整工作性能和带宽。

[0045] 进一步地，所述PUSH-PUSH二倍频单元的第五晶体管AF5、第六晶体管AF6栅极通过第一大电阻RG1、第二大电阻RG2连接负加电端口VG加电实现直流偏置，通过选择栅极偏置电压调整电路的倍频效率；第五晶体管AF5、第六晶体管AF6漏极通过扼流电感加电实现直流偏置；第五晶体管AF5、第六晶体管AF6的源极接地，漏极相连，在倍频输出端的二次谐波信号同相叠加，基波及奇次谐波反相抵消。

[0046] 进一步地，所述RC微调网络通过调整RC微调电容Cs和RC微调电阻Rs的值对有源巴伦输出信号的平衡性进行调整；所述宽带放大电路为三级共源放大结构，通过选择元件值调整宽带放大电路的工作性能和带宽。

[0047] 实施例1

[0048] 本实施例20～44GHz宽带有源倍频器。其电路结构框图如图1所示，整个电路包括有源巴伦、PUSH-PUSH二倍频单元电路和宽带放大电路。

[0049] 如图2所示，有源巴伦实现信号从单端到双端的转换。输入匹配电路通过第一电容C1、第一电感L1、第二电感L2和第一电阻R1实现有耗的带通型匹配以获得较宽的带宽。第一晶体管AF1和第二晶体管AF2的源极相连，中间串联第二电阻R2和第三电感L3到地，实现差分管的自偏和有源巴伦差分性能的改善。在第一晶体管AF1的栅极及第二电阻R2和第三电感L3的共同端之间串联了Rs-Cs反馈网络以改善输出差分信号的幅度及相位，提高平衡度。第二晶体管AF2栅极通过一段小电感接地。有源巴伦的输出端串联了一对平衡式晶体管第三晶体管AF3和第四晶体管AF4作为有源负载。第三晶体管AF3和第四晶体管AF4的漏极相连，并串联一个第五电感L5、第三电阻R3、第二电容C2组成的LRC结构到地实现匹配。在第三晶体管AF3和第四晶体管AF4的栅极和源极之间串联了一个Rf-Cf反馈网络来拓展带宽。第一晶体管AF1和第二晶体管AF2的漏极均分别连接到相对应的Rf和Cf的共同端，倍频信号通过第三晶体管AF3和第四晶体管AF4的源极并分别串联第三电容C3、第六电感L6和第四电容C4、第七电感L6输出。有源负载的引入获得了较小的输出阻抗，如此与PUSH-PUSH倍频单元级联时会产生严重的级间失配，若从倍频单元反射回的信号与输入信号同相叠加，可以使得连接点第五晶体管AF5和第六晶体管AF6的栅极电压显著提高，这样可以在不增加输入功率的条件下提高倍频管栅极的电压摆幅，从而提高倍频效率。

[0050] 倍频单元电路采用PUSH-PUSH结构，由差分对管第五晶体管AF5和第六晶体管AF6构成，通过有源巴伦与级间匹配保持两个管子的栅极输入信号相位相反，使其输出端的基波及奇次谐波相互抵消，二次谐波同相叠加输出，以此实现高的基波与奇次谐波抑制。

[0051] 为了对从倍频单元输出的二次谐波信号进行放大，设计了三级级联共源放大结构，该结构具有宽带、高增益和强抗失配能力等特点，并兼顾其输出功率。

[0052] 本发明实施例20～44GHz宽带有源倍频器的电路版图如图3所示，版图主要由GaAs PHEMT晶体管、微带线、电阻、电容、地孔、加电端口、射频端口组成。单端信号从信号输入端口1进入，通过有源巴伦2转化为差分信号输出，随后注入Push-Push倍频单元3，两路信号经倍频合成后依次进入第一级放大器4、第二级放大器5和第三级放大器6，最后从信号输出端口7输出。版图中存在两个加电端口8、9，测试时分别施加+5V电压和-1V电压。

[0053] 图4～图7为本发明20～44GHz宽带有源倍频器的实测曲线，图4为输入信号功率依次为2、3、4、5dBm情况下的基波输出功率曲线，图5和6分别为同样情况下的二次谐波和三次谐波输出功率曲线，图7为输入信号功率为5dBm时的基波、二次谐波和三次谐波输出功率对比图。从图中可以看出，在所设计的频带范围内，二次谐波输出功率较高且相对稳定，可以达到18dBm以上，带内平坦度较好，并且频带内基波与三次谐波抑制情况良好，基波输出功率基本在-5dBm以下，三次谐波输出功率基本在0dBm以下。

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