采用带隙参考机制和相关驱动方法实现的模拟区块
专利汇可以提供采用带隙参考机制和相关驱动方法实现的模拟区块专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 揭示一种采用带隙参考机制和相关驱动方法实现的模拟区 块 。该模拟区块包括一模式控制单元与一带隙参考 电路 。该模式控制单元构成产生有关该装置操作模式的一模式选择 信号 。该带隙参考电路包括一 偏压 产生器、一误差 放大器 、与一带隙回路电路。该偏压产生器构成当该装置以正常模式操作时，提供在一第一偏压状态下的一带隙参考 电压 ，或当该装置以待命模式操作时，提供在一第二偏压状态下的一带隙参考电压。该误差放大器构成根据该偏压以产生一误差电压。该带隙回路电路构成根据该误差电压以提供一带隙参考电压。在该第一偏压状态下流过该偏压产生器的第一 电流 大于在该第二偏压状态下流过该偏压产生器的第二电流。，下面是采用带隙参考机制和相关驱动方法实现的模拟区块专利的具体信息内容。
1.一种使用带隙参考机制来实现而用于装置内的模拟区块，其包括：
模式控制单元，其构成产生有关该装置的操作模式的模式选择信号；及带隙参考电路，其包括：
偏压产生器，其包括：
第一晶体管，其包含：
第一端，其耦合至第一电压供应；
第二端；及
控制端，其耦合至该第一晶体管的该第二端；
第二晶体管，其包含：
第一端，其耦合至该第一电压供应；
第二端，其用于输出偏压；及
控制端，其耦合至该第一晶体管的该控制端；
第三晶体管，其包含：
第一端，其耦合至该第一晶体管的该第二端；
第二端；及
控制端，其耦合至该第二晶体管的该第二端；
第四晶体管，其包含：
第一端，其耦合至该第二晶体管的该第二端；
第二端，其耦合至第二电压供应；及
控制端，其耦合至该第二晶体管的该第二端；
第一电阻元件与第二电阻元件，其串联耦合在该第三晶体管的该第二端与该第二电压供应之间；及
开关，其构成根据该模式选择信号，选择性将该第一电阻元件与该第二电阻元件之间的节点耦合至该第二电压供应；
误差放大器，其构成根据该偏压产生误差电压；及
带隙回路电路，其构成根据该误差电压提供带隙参考电压。
2.如权利要求1所述的模拟区块，其中该模式控制单元包括：
或门，其包含：
第一输入，其耦合成接收有关该装置的正常模式的第一控制信号；
第二输入，其耦合成接收有关该装置的待命模式的第二控制信号；及输出端；
多工器，其包含：
第一输入，其耦合至该或门的该输出端；
第二输入，其耦合成接收该第一控制信号；
选择线，其耦合成接收低功率控制信号；及
输出端；及
缓冲器，其包含：
输入，其耦合至该多工器的该输出端；及
输出端，用于根据该第一控制信号、该第二控制信号与该低功率控制信号，输出该模式选择信号。
3.如权利要求1所述的模拟区块，其中该误差放大器包括：
第五晶体管，其包含：
第一端，其耦合至该第一电压供应；
第二端；及
控制端，其耦合至该第五晶体管的该第二端；
第六晶体管，其包含：
第一端，其耦合至该第一电压供应；
第二端；及
控制端，其耦合至该第五晶体管的该控制端；
第七晶体管，其包含：
第一端，其耦合至该第五晶体管的该第二端；
第二端；及
控制端，其耦合至该误差放大器的负输入端；
第八晶体管，其包含：
第一端，其耦合至该第六晶体管的该第二端；
第二端，其耦合至该第七晶体管的该第二端；及
控制端，其耦合至该误差放大器的正输入端；
第九晶体管，其包含：
第一端，其耦合至该第七晶体管的该第二端；
第二端，其耦合至该第二电压供应；及
控制端，其耦合成接收该偏压。
4.如权利要求3所述的模拟区块，其中该带隙回路电路包括：
第十晶体管，其包含：
第一端，其耦合至该第一电压供应；
第二端，其耦合至该误差放大器的该负输入端；及
控制端，其耦合至该误差放大器的输出端；
第十晶体管，其包含：
第一端，其耦合至该第一电压供应；
第二端，其耦合至该误差放大器的该正输入端；及
控制端，其耦合至该误差放大器的该输出端；
第十二晶体管，其包含：
第一端，其耦合至该第一电压供应；
第二端，其用于输出该带隙参考电压；及
控制端，其耦合至该误差放大器的该输出端；
第十三晶体管，其包含：
第一端，其耦合至该误差放大器的该负输入端；
第二端，其耦合至该第二电压供应；及
控制端，其耦合至该第二电压供应；
第十四晶体管，其包含：
第一端；
第二端，其耦合至该第二电压供应；及
控制端，其耦合至该第二电压供应；
第一电阻器，其耦合在该误差放大器的该负输入端与该电压供应之间；
第二电阻器，其耦合在该误差放大器的该正输入端与该第十四晶体管的该第一端之间；
第三电阻器，其耦合在该误差放大器的该正输入端与该电压供应之间；及第四电阻器，其耦合在该第十二晶体管的该第二端与该第二电压供应之间。
5.如权利要求1的模拟区块，其中该第一电阻元件与该第二电阻元件中的每一个都为电阻器。
6.如权利要求1的模拟区块，其中该第一电阻元件为电阻器，且该第二电阻元件为二极管连接的晶体管。
7.一种使用带隙参考机制来实现而用于装置内的模拟区块，其包括：
模式控制单元，其构成产生有关该装置的操作模式的模式选择信号；及带隙参考电路，其包括：
偏压产生器，其构成当该装置在正常模式操作时，提供在第一偏压状态下的带隙参考电压，或当该装置在待命模式操作时，提供在第二偏压状态下的带隙参考电压；
误差放大器，其构成根据该偏压产生误差电压；及
带隙回路电路，其构成根据该误差电压提供带隙参考电压，其中在该第一偏压状态下流过该偏压产生器的第一电流大于在该第二偏压状态下流过该偏压产生器的第二电流。
8.如权利要求7所述的模拟区块，其中该模式控制单元包括：
或门，其包含：
第一输入，其耦合成接收有关该装置的正常模式的第一控制信号；
第二输入，其耦合成接收有关该装置的待命模式的第二控制信号；及输出端；多工器，其包含：
第一输入，其耦合至该或门的该输出端；
第二输入，其耦合成接收该第一控制信号；
选择线，其耦合成接收低功率控制信号；及
输出端；及
缓冲器，其包含：
输入，其耦合至该多工器的该输出端；及
输出端，用于根据该第一控制信号、该第二控制信号与该低功率控制信号，输出该模式选择信号。
9.如权利要求7所述的模拟区块，其中该偏压产生器包括：
第一晶体管，其包含：
第一端，其耦合至第一电压供应；
第二端；及
控制端，其耦合至该第一晶体管的该第二端；
第二晶体管，其包含：
第一端，其耦合至该第一电压供应；
第二端，其用于输出偏压；及
控制端，其耦合至该第一晶体管的该控制端；
第三晶体管，其包含：
第一端，其耦合至该第一晶体管的该第二端；
第二端；及
控制端，其耦合至该第二晶体管的该第二端；第四晶体管，其包含：
第一端，其耦合至该第二晶体管的该第二端；
第二端，其耦合至第二电压供应；及
控制端，其耦合至该第二晶体管的该第二端；
第一电阻元件与第二电阻元件，其串联耦合在该第三晶体管的该第二端与该第二电压供应之间；及
开关，其构成根据该模式选择信号，选择性将该第一电阻元件与该第二电阻元件之间的节点耦合至该第二电压供应。
10.如权利要求9的模拟区块，其中该第一电阻元件与该第二电阻元件中的每一个都为电阻器。
11.如权利要求9的模拟区块，其中该第一电阻元件为电阻器，且该第二电阻元件为二极管连接的晶体管。
12.如权利要求7所述的模拟区块，其中该误差放大器包括：
第五晶体管，其包含：
第一端，其耦合至第一电压供应；
第二端；及
控制端，其耦合至该第五晶体管的该第二端；
第六晶体管，其包含：
第一端，其耦合至该第一电压供应；
第二端；及
控制端，其耦合至该第五晶体管的该控制端；
第七晶体管，其包含：
第一端，其耦合至该第五晶体管的该第二端；
第二端；及
控制端，其耦合至该误差放大器的负输入端；
第八晶体管，其包含：
第一端，其耦合至该第六晶体管的该第二端；
第二端，其耦合至该第七晶体管的该第二端；及
控制端，其耦合至该误差放大器的正输入端；
第九晶体管，其包含：
第一端，其耦合至该第七晶体管的该第二端；
第二端，其耦合至第二电压供应；及
控制端，其耦合成接收该偏压。
13.如权利要求7所述的模拟区块，其中该带隙回路电路包括：第十晶体管，其包含：
第一端，其耦合至第一电压供应；
第二端，其耦合至该误差放大器的负输入端；及
控制端，其耦合至该误差放大器的输出端；
第十晶体管，其包含：
第一端，其耦合至该第一电压供应；
第二端，其耦合至该误差放大器的正输入端；及
控制端，其耦合至该误差放大器的该输出端；
第十二晶体管，其包含：
第一端，其耦合至该第一电压供应；
第二端，其用于输出该带隙参考电压；及
控制端，其耦合至该误差放大器的该输出端；
第十三晶体管，其包含：
第一端，其耦合至该误差放大器的该负输入端；
第二端，其耦合至第二电压供应；及
控制端，其耦合至该第二电压供应；
第十四晶体管，其包含：
第一端；
第二端，其耦合至该第二电压供应；及
控制端，其耦合至该第二电压供应；
第一电阻器，其耦合在该误差放大器的该负输入端与该电压供应之间；
第二电阻器，其耦合在该误差放大器的该正输入端与该第十四晶体管的该第一端之间；
第三电阻器，其耦合在该误差放大器的该正输入端与该电压供应之间；及第四电阻器，其耦合在该第十二晶体管的该第二端与该第二电压供应之间。
14.一种使用带隙参考机制来实现而用于装置的模拟区块的操作方法，其包括：
该模拟区块中的模式控制单元接收有关该装置的操作模式的控制信号；
该模式控制单元根据该控制信号产生模式选择信号；
该模拟区块中的带隙参考电路以额定偏压情况的第一模式操作，且在该模式选择信号符合该装置的正常模式操作时，输出额定电平的带隙参考电压；以及该带隙参考电路以降低偏压情况的第二模式操作，且在该模式选择信号符合该装置的待命模式操作时，输出非零带隙参考电压。
采用带隙参考机制和相关驱动方法实现的模拟区块
技术领域
背景技术
发明内容
附图说明
具体实施方式
及一栅极，其耦合至误差放大器30的该输出端。该晶体管Q1包含：一射极，其耦合至误差放大器30的一负输入端；一集极，其耦合至该电压供应VSS；及一基极，其耦合至该电压供应VSS。该晶体管Q2包含：一射极；一集极，其耦合至该电压供应VSS；及一基极，其耦合至该电压供应VSS。该电阻器R1耦合在误差放大器30的该负输入端与该电压供应VSS之间。该电阻器R2耦合在误差放大器30的该正输入端与该晶体管Q2的该射极之间。该电阻器R3耦合在误差放大器30的该正输入端与该电压供应VSS之间。该电阻器R4耦合在该晶体管M12的该漏极与该电压供应VSS之间。
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