本发明涉及用于将数字信息信号记录到磁记录媒体上的主信息载体及其制造方法、主信息信号向磁记录媒体的记录方法和磁记录媒体的制造方法以及磁记录再生(再现)装置。
技术背景近些年来，为了实现磁记录再生装置的小型且大容量化而正在向高记录密度化发展。在作为具有代表性的磁记录再生装置的硬盘驱动器(以下称为HDD)的领域中，面记录密度超过60Gbit/in2(93Mbit/mm2)的装置已实现商品化，现在，人们正在探讨100Gbit/in2(155Mbit/mm2)的实用化，因此技术上的发展是非常迅猛的。
作为使这样的高记录密度化成为可能的主要技术，可以举出提高磁记录媒体的性能、提高磁头与磁盘间的界面(接口)的性能、以及由于部分响应等的新的信号处理方式的出现所产生的线记录密度的提高等的技术。但是，在近些年，增加磁道密度的倾向大大超过了增加线记录密度的倾向，因而成为提高面记录密度的主要的因素。其原因在于使用了比现有的感应性磁头的再生性能明显优越的磁阻效应元件(MR元件)和巨磁阻效应元件(GMR元件)的薄膜磁头、即实现了MR磁头或GMR磁头的实用化。现在，由于GMR磁头的实用化，使得以高的S/N比(信噪比)再生1μm或以下的磁道宽度信号成为可能。另外，伴随着今后磁头性能的进一步提高，可以预料将会进一步地推动向窄磁道间隙化发展。
为了用磁头准确地扫描这样的窄磁道并再生S/N比良好的信号，磁头的跟踪伺服技术起着重要的作用。现在的HDD中的跟踪伺服技术主要以如下的方法为主。即，在盘面上，在盘的1周(即角度为360度)中以一定的角度间隔设置记录了跟踪用伺服信号、地址信息信号和时钟信号等的区域(以下，将这些信息称为预格式化信息，将预先记录预格式化信息称为预格式化记录)。磁头通过以一定间隔再生这些信号来确认磁头的位置，当产生偏差时对该偏差进行修正。由此，磁头就可以准确地在指定的磁道上进行扫描。
上述的跟踪用伺服信号或地址信息信号、时钟信号等就成为用来使磁头准确地在磁道上扫描的基准信号。因此，在将它们记录到盘面上时，就要求精度非常高的定位。
在现有的HDD中，当将盘装入驱动器后，使用专用的伺服记录装置利用精确地进行位置控制的磁头进行预格式化记录。但是，当由使用这样的专用的伺服记录装置的磁头进行预格式化记录时，存在以下的问题。
第一，由磁头进行记录基本上是以磁头与磁记录媒体的相对移动为基础的线记录。为此，如果采用一边用专用的伺服记录装置对磁头精确地进行位置控制一边进行记录的上述的方法，则在预格式化记录上需要很长的时间。而且，专用的伺服记录装置的价格相当昂贵。因此，对磁记录媒体进行预格式化记录的成本就非常高。
第二，由于磁头与磁记录媒体之间的间隔或磁头的磁极形状而产生记录磁场发散(扩大)，所以被预格式化记录的磁道端部的磁化转变就缺乏尖锐性。
现有的跟踪伺服技术是通过磁头偏离磁道进行扫描时的再生输出的变化量进行磁头的位置检测。因此，对于被预格式化记录的信号磁道，与再生被记录在伺服区域间的数据信号时一样，不仅要求磁头在磁道上准确地扫描时的S/N比好，而且还要求磁头偏离磁道进行扫描时的再生输出变化量、即要求偏离磁道特性要尖锐。如果磁道端部的磁化转变缺乏尖锐性，就难以实现今后在亚微米级的磁道记录中所要求的精度更高的跟踪伺服技术。
作为解决由于上述磁头产生的预格式化记录的问题的方法之一，有在日本特开平10-40544号公报(以下称为在先文献1)中所公开的方法。该方法使用在基体的表面上形成了与信息信号对应的强磁性薄膜图形的主信息载体。使该主信息载体的表面与预先进行了直流消磁的磁记录媒体的表面接触，并施加与由直流消磁进行的初始磁化极性相反的直流偏置磁场。由此，可以将与主信息载体表面的强磁性薄膜图形对应的磁化图形整体地复制记录到磁记录媒体上。即，是整体面复制记录方式的预格式化记录法。
图27A～图27C是表示在先文献1所述的现有的预格式化记录法的图。图27A表示对磁记录层30施加了直流消磁磁场31的状态。通过施加直流消磁磁场31，使磁记录层30中的磁化方向32与直流消磁磁场31成为同一方向。
图27B表示使磁记录媒体的磁记录层30和主信息载体101相对配置，并施加了与由直流消磁进行的初始磁化极性相反的直流偏置磁场5的状态。主信息载体101构成为在非磁性基体100上形成了指定的图形形状的强磁性薄膜103。另外，在该图中，并未表示出磁记录媒体的整体，而只表示磁记录层30。因此，有时对于只表示磁记录层30的图也称为磁记录媒体。这一点在以后的图中也是同样的。在该状态下的磁力线102集中在强磁性薄膜103的部分，在除此之外的部分处则发散。因此，施加到与强磁性薄膜103相对的磁记录层30上的磁场就变小了。另一方面，施加到没有强磁性薄膜103部分上的磁场就会增大，因而只有这部分的磁化104向直流偏置磁场5的方向反转。
图27C表示复制记录后的磁记录层30中的磁化状态。如果采用该方法，则可以将与强磁性薄膜103的图形对应的磁化图形复制到磁记录媒体上。即，通过由光刻技术等在主信息载体表面上形成与跟踪用伺服信号或地址信息信号、时钟信号等对应的强磁性薄膜103的图形，可以在磁记录媒体上整体地进行与这些对应的预格式化记录。
用现有的磁头进行的记录基本上是以磁头与磁记录媒体之间的相对移动为基础的动态线记录，对此，上述方法是在使主信息载体与磁记录媒体彼此接触的静态的面记录，其具有不伴有相对移动的特征。象这样的在先文献1的复制方法与现有的预格式化记录方式相比具有如下的特征。
第一，由于是面记录(整体面复制记录)，所以与现有的由磁头进行的记录方法相比预格式化记录所需要的时间非常短。此外，还不需要用于一边对磁头精密地进行位置控制一边进行记录的专用的伺服记录装置。因此，可以大幅度地提高预格式化记录的生产率。而且，还可以大幅度地降低生产成本。
第二，由于是面记录方式，而且还是不伴有使主信息载体与磁记录媒体相对移动的静态记录，所以通过使主信息载体表面与磁记录媒体表面紧密接触而可以使记录时的两者之间的间隙减小到最低限度。而且，也不会象用磁头进行的记录那样由于记录磁头的磁极形状而产生记录磁场的发散。因此，进行了预格式化记录的磁道端部的磁化转变也与现有的用磁头进行的记录相比具有优良的尖锐性。因此，也使准确地进行跟踪成为可能。
但是，在使用在先文献1所公开的预格式化记录方法的情况下，要应对伴随今后的更为高密度记录化所要求的磁记录媒体的高矫顽磁力化是不容易的。对于这种公开的方法，为了应对高矫顽磁力化后的磁记录媒体，就需要使从在主信息载体表面上形成的强磁性薄膜图形产生的磁场增大。可以考虑的具体的方法是：(1)使直流偏置磁场增大，(2)增大强磁性薄膜材料的饱和磁通密度，或者(3)加厚强磁性薄膜的膜厚。
图28表示当使直流偏置磁场变化时施加在磁记录层(未图示)上的磁场与主信息载体101的位置的关系的一个例子。另外，该磁记录层与图27A所示的磁记录层30是相同的。下面，将其作为磁记录层30进行说明。在图中，纵轴表示施加在磁记录层30上的磁场，横轴表示主信息载体101的位置。如图28所示，随着直流偏置磁场的增大施加在磁记录层30上的磁场也增大。然而，连带本来不想施加磁场的区域、即施加在与强磁性薄膜103相对的区域的磁场也会增加。另外，该区域是保持直流消磁时的磁化方向的区域。这是为了随着直流偏置磁场5的增加而强磁性薄膜103的磁化饱和所产生的现象。因此，在对于高矫顽磁力化的磁记录媒体使用上述(1)的方法的情况下，要确保优良的信号质量、即要确保良好的S/N比是困难的。
而在使用上述(2)和(3)的方法的情况下，可以抑制由上述的强磁性薄膜103的磁化饱和产生的不需要的磁场的发生。因此，仅仅使必要的磁场增加是可能的。但是，使用上述(2)的方法，在材料上的限制或材料的耐腐蚀性的改善方面存在问题。此外，使用上述(3)的方法，由于强磁性薄膜103的纵横比增大，所以要用光刻或蚀刻工艺精度良好且稳定地形成形状是困难的。因此，在使用这些方法的情况下，要使从强磁性薄膜103的图形产生的磁场大幅地增加也是不容易的。
即，在使用在先文献1的方法的情况下，对于随着高密度记录化所要求的高矫顽磁力的磁记录媒体实现良好的预格式化记录是困难的。
从这些发面来看，需要具有生产率良好而且尖锐的磁化转变特点的、即使对于高密度记录化所要求的高矫顽磁力的磁记录媒体也可以进行良好的记录的记录技术。

本发明就是要解决以上的问题而提出的，其目的在于提供具有与整体复制方式同样的生产率和尖锐的磁化转变特点的、而且对于矫顽磁力大的磁记录媒体也可以进行良好的记录的主信息载体及其制造方法、向磁记录媒体的主信息信号的记录方法和磁记录媒体的制造方法以及使用它们的磁记录再生装置。
本发明的主信息载体，其包含以下的结构：在至少具有透光性的非磁性基体上利用具有遮光性的强磁性薄膜的排列形成与信息信号排列对应的形状图形。
此外，本发明的主信息载体的制造方法包括以下的步骤：在至少具有透光性的非磁性基体上形成与信息信号排列对应的抗蚀剂图形；对不存在抗蚀剂图形的区域的非磁性基体进行蚀刻而形成沟；
在包含抗蚀剂图形的非磁性基体上形成具有遮光性的强磁性薄膜；以及与抗蚀剂图形的除去同时地将抗蚀剂图形上的强磁性薄膜除去。
此外，本发明的向磁记录媒体的记录方法，是一种在磁记录媒体上记录与信息信号排列对应的磁化图形的方法，其包括如下的步骤：将在非磁性基体上利用强磁性薄膜形成了与信息信号排列对应的形状图形的主信息载体对于磁记录媒体表面相对配置；以及在至少对磁记录媒体的磁记录层和主信息载体的强磁性薄膜施加了偏置磁场的状态下，对通过主信息载体与主信息载体的相邻的强磁性薄膜间的区域相对的磁记录媒体表面进行局部性的加热。
此外，在上述记录方法中，也可以采用非磁性基体具有透光性，磁记录媒体表面的局部性的加热是通过主信息载体的相邻的遮光性的强磁性薄膜间的区域透过的光能的照射而进行的方法。或者，也可以采用主信息载体在相邻的强磁性薄膜间的区域具有突出的形状的用于局部加热的突出部，对磁记录媒体的局部性的加热是通过主信息载体的突出部传递的热能而进行的方法。
例如，在通过光能的照射进行加热的情况下，可以如下地进行。将本发明的主信息载体相对于预先进行了直流消磁的磁记录媒体的表面相对配置。施加与由直流消磁进行的初始磁化极性相反的偏置磁场。在该状态下，对于主信息载体从与磁记录媒体相反的一侧照射光。
该照射光虽然在主信息载体中的存在强磁性薄膜的部分被遮挡，但在不存在强磁性薄膜的部分透过并到达磁记录媒体表面，对此处进行局部性的加热。进行该局部性的加热的部分是被照射部分。在磁记录媒体表面的被照射部分光能转换成热能，使该被照射部分的温度局部性地上升。磁记录层的矫顽磁力随着温度的上升而变化，例如，在记录层的磁化消失的居里温度附近几乎成为0。即，通过照射光可以使被照射部分的矫顽磁力降低。使该矫顽磁力降低的被照射部分就是想要通过施加偏置磁场时从主信息载体的强磁性薄膜产生的磁场将预先进行了直流消磁的磁化反转记录的部分。
因此，即使从主信息载体的强磁性薄膜产生的磁场小，也可以将主信息信号向磁记录媒体复制记录。即，由于使将主信息信号向磁记录媒体复制记录时的矫顽磁力降低而进行记录，所以对于随着高记录密度化而矫顽磁力增大的磁记录媒体可以实现非常良好的复制记录。
此外，本发明的磁记录媒体的制造方法，是一种具有在磁记录媒体上记录与信息信号排列对应的磁化图形的工序的制造方法，其包含如下的步骤：在基板上至少形成1层的磁记录层和保护层；在保护层上形成润滑层；对于形成的磁记录媒体的磁记录层，将在非磁性基体上通过强磁性薄膜形成了与信息信号排列对应的形状图形的主信息载体的强磁性薄膜一侧配置成与磁记录层相对；至少对于磁记录媒体的磁记录层和主信息载体的强磁性薄膜施加偏置磁场，并且通过对通过主信息载体与主信息载体的相邻的强磁性薄膜间的区域相对的磁记录媒体表面进行局部性的加热，在磁记录层上记录与信息信号排列对应的磁化图形。
此外，在上述制造方法中，也可以采用非磁性基体具有透光性，磁记录媒体表面的局部性的加热是通过主信息载体的相邻的遮光性的强磁性薄膜间的区域透过的光能的照射而进行的方法。或者，也可以采用主信息载体在相邻的强磁性薄膜间的区域具有突出的形状的用于局部加热的突出部，对磁记录媒体的局部性的加热是由通过主信息载体的突出部传递的热能进行的方法。
此外，本发明的磁记录再生装置包含如下的结构，其具有：薄膜磁头；将在非磁性基体上通过强磁性薄膜形成了与信息信号排列对应的形状图形的主信息载体相对于磁记录媒体表面相对配置，在至少对磁记录媒体的磁记录层和主信息载体的强磁性薄膜施加了偏置磁场的状态下，通过对通过主信息载体与主信息载体的相邻的强磁性薄膜间的区域相对的磁记录媒体表面进行局部性的加热而记录了与信息信号排列对应的磁化图形的磁记录媒体；支持薄膜磁头以使其与磁记录媒体相对的支持部件；使磁记录媒体旋转的旋转装置；与支持部件结合、并使薄膜磁头沿磁记录媒体的膜面移动的转动装置；与薄膜磁头、旋转装置和转动装置电联结并与薄膜磁头交换信号、控制磁记录媒体的旋转、以及控制薄膜磁头的移动的处理部。
通过采用这种结构，则即使在使用随着高记录密度化而矫顽磁力变大的磁记录媒体的情况下，也可以实现生产率优良而且预格式化记录的信号质量良好的磁记录再生装置。
如上所述，根据本发明的主信息载体、向磁记录媒体的主信息信号的记录方法和磁记录媒体的制造方法以及磁记录再生装置，即使在使用随着高记录密度化而矫顽磁力变大的磁记录媒体的情况下，也可以实现生产率优良而且预格式化记录的信号质量良好的磁记录再生装置。此外，容易应对磁记录再生装置的高记录密度化，而且也可以使装置价格低廉。
本发明可应用的磁记录媒体有装在HDD等上的磁盘、软磁盘、磁卡和磁带等。另外，通过本发明可以记录的信号并不局限于用来进行预格式化记录的信息信号，可以在将数据信息、音频信息或视频信息等的任何的信息信号预先记录到磁记录媒体上的情况下应用。
附图说明
图1是表示本发明的实施例1中的主信息载体的一结构例的剖面图。
图2是实施例1中的在主信息载体上照射光时的剖面图。
图3A和图3B是实施例1中的在主信息载体上施加了直流偏置磁场时的剖面图。
图4是表示实施例1中的复制记录磁场分布的一例的图。
图5是表示实施例1中的主信息载体的一结构例的平面图。
图6是表示实施例1中的主信息载体上的信息信号排列图形的一结构例的放大平面图。
图7是表示实施例1中的主信息载体上的信息信号排列图形的另一结构例的放大平面图。
图8A～图8D是表示实施例1中的主信息载体的制造方法的一例的剖面图。
图9A～图9E是表示实施例1中的主信息载体的其它制造方法的一例的剖面图。
图10A和图10B是表示实施例1中的主信息载体的另一结构例的剖面图。
图11A～图11E是表示实施例1中的主信息载体的其它制造方法的一例的剖面图。
图12A～图12F是表示实施例1中的主信息载体的其它制造方法的一例的剖面图。
图13A和图13B是表示本发明的实施例2中的向磁记录媒体的主信息信号的记录方法的剖面图。
图14A和图14B是表示实施例2中的照射了照射光时的磁记录媒体中的温度分布和矫顽磁力分布的一例的图。
图15是表示实施例2中的照射了照射光时的磁记录媒体中的矫顽磁力分布和复制记录磁场分布的一例的图。
图16是表示实施例2中的照射光的照射方法的一结构例的剖面图。
图17是表示实施例2中的照射光的照射方法的另一结构例的剖面图。
图18是表示实施例2中的磁场施加方法的一结构例的剖面图。
图19是表示实施例2中的信息信号的记录波长与复制记录磁场分布的关系的一例的图。
图20是表示实施例2中的直流偏置磁场与复制记录磁场的关系的一例的图。
图21是表示实施例2中的主信息载体的强磁性薄膜和磁记录媒体之间的距离d与有效复制磁场的关系的一例的图。
图22是表示实施例2中的主信息载体的强磁性薄膜与磁记录媒体之间的距离d和信息信号的记录波长λ之比d/λ与有效复制磁场的关系的一例的图。
图23是表示实施例2中的主信息载体的强磁性薄膜与磁记录媒体之间的距离d和信息信号的记录波长λ之比d/λ与有效复制磁场的关系的另一个例子的图。
图24表示实施例2中的主信息载体的强磁性薄膜与磁记录媒体之间的距离d和信息信号的记录波长λ之比d/λ与将有效复制磁场用该有效复制磁场的最大值归一化(正规化)后的值的关系的一例的图。
图25是表示本发明的实施例3中的磁记录再生装置的一结构例的剖面图。
图26是作为本发明的另一种主信息载体的、相邻的强磁性薄膜间的区域具有突出的形状的突出部的主信息载体的剖面图。
图27A～图27C是表示现有的向磁记录媒体的主信息信号的记录方法的剖面图。
图28是表示在现有的向磁记录媒体的主信息信号的记录方法中直流偏置磁场与施加在磁记录媒体上的磁场的关系的一例的图。
标号说明1、14、16、101-主信息载体，2、15、100-非磁性基体，3、103-强磁性薄膜，4-照射光，5-直流偏置磁场，6-磁通，7-信息信号排列图形，8-定位标记，10-光敏抗蚀剂，11-抗蚀剂图形，17-非磁性薄膜，30-磁记录层，31-直流消磁磁场，32-直流消磁磁化，33-灯光源，34-激光光源，35-永久磁铁，36-轭铁，37-磁间隙，41-磁盘媒体，42-主轴，43-主轴马达，44-薄膜磁头，45-吊杆，46-致动器臂，47-致动器，48-控制电路，102-磁力线，104-磁化，200-区域。

下面，参照附图对本发明的实施例进行说明。另外，其中在有些情况下对于相同的结构部分附加相同的标号而省略说明。
实施例1.
图1是本发明的实施例1的主信息载体1的剖面图。在主信息载体1上，在具有透光性的非磁性基体2上通过具有遮光性的强磁性薄膜3形成有与信息信号排列对应的形状图形。
图2表示向本实施例的主信息载体1照射光时的剖面图。照射光4从相对于形成了遮光性的强磁性薄膜3的面正交的方向进行照射。照射光4虽然可以透过透光性的非磁性基体2，但却不能透过强磁性薄膜3。因此，照射光4只能透过相邻的强磁性薄膜3间的区域。即，相邻的强磁性薄膜3间的区域是可进行光照射的区域。
图3A和图3B表示在本实施例的主信息载体1上施加了直流偏置磁场5时的剖面图。图3A表示施加的直流偏置磁场5，图3B表示此时的磁通6。直流偏置磁场5要从相对于形成的遮光性的强磁性薄膜3的面平行的方向进行施加。通过施加的直流偏置磁场5而产生的磁通6，在存在强磁性薄膜3的部分集中而在不存在强磁性薄膜3的区域发散。
例如，图3B中的A点，在图中无论在其左侧还是右侧都存在汇集磁通6的强磁性薄膜3。由左右的强磁性薄膜3汇集的磁通6，虽然在A点附近发散，但由于与左右的强磁性薄膜3的距离小，所以不会充分地发散。因此，在A点上会施加比施加的直流偏置磁场5更大的磁场。对此，图3B中的B点，在图中在其上侧存在使磁通6集中的强磁性薄膜3。由于磁通6集中在强磁性薄膜3上，而相反地在B点上几乎不会有磁通6流过。因此，只能在B点上施加比施加的直流偏置磁场5小的磁场。图4表示在通过图3B所示的A点和B点的直线上的复制记录磁场分布的一个例子。另外，还表示与非磁性基体2的形成强磁性薄膜3的面平行的方向(图3B的横向方向)的磁场成分。本实施例的主信息载体1具有上述的结构，这样的结构与在先文献1公开的复制记录方法相比较具有各种特征。以下，比较这些特征来进行说明。
首先，对在先文献1所公开的进行复制记录的情况进行说明。
在使用图27所示的主信息载体101的复制记录方法中，在复制记录磁场为图4所示的分布的情况下，只要磁记录媒体的矫顽磁力与施加的直流偏置磁场是同等程度，则复制记录是充分可能的。但是，例如当磁记录层30的矫顽磁力增加到比施加在A点上的磁场大时，对于具有这样的磁记录层30的磁记录媒体就变得无法进行复制记录。
下面，对本发明的主信息载体1的情况在以下进行说明。
由图2～图4可知，通过使用本发明的主信息载体1进行光的照射，只在要进行磁化反转的区域(例如A点存在的区域)照射光。因此，通过使用该主信息载体1，可以仅使磁记录媒体上的要进行磁化反转的区域的温度上升而使该部分的矫顽磁力降低。例如，即使在复制记录磁场如图4所示地分布而且磁记录媒体的矫顽磁力比施加在A点上的复制记录磁场大的情况下，也可以进行复制记录。即，即使对于在先文献1公开的方法中难以复制记录的高矫顽磁力媒体，通过使用本发明的主信息载体1进行光照射也可以容易地实现复制记录。
另外，所说的“具有透光性”或“可透过”，并不是严格地要求100％地透过，同样，所说的“具有遮光性”或“不能透过”也并不是严格地要求100％地遮挡光。此外，为了便于明确本发明的要点，有些部分使用100％地透过光或者100％地遮断光的表现方法。强磁性薄膜3对于照射光4的透过率比非磁性基体2小，通过不存在强磁性薄膜3的区域比存在强磁性薄膜3的区域更多地透过照射光4，可以使本发明的效果得以发挥。
图5表示本实施例的主信息载体1的简要外观的一个例子。在图5所示的主信息载体1的表面上，形成有与在磁记录媒体上记录的信息信号排列图形7对应的强磁性薄膜3的图形。该主信息载体1用于在盘状磁记录媒体上记录伺服跟踪用信号等的预格式化信息。因此，其构成为在盘的圆周方向上以一定间隔设置有信息信号排列图形7。
此外，在主信息载体1上，除去用来记录预格式化信息的信息信号排列图形7之外，还可以根据用途配置各种各样的图形。例如，在图5所示的主信息载体1上，通过强磁性薄膜3的图形设置有用来进行作为磁记录媒体的盘与主信息载体1的位置对准的定位标记8。通过使用这样的定位标记8，例如在HDD的情况下，就可以参照盘的中心孔使主信息载体1上的信息信号排列图形7与盘准确地进行中心位置的对准。
图6的放大平面图表示在图5所示的区域200中用于记录在主信息载体1上形成的预格式化信息的信息信号排列图形7的一种结构的例子。图6表示在区域200中在主信息载体1上形成的信息信号排列图形的一个例子。即，表示用于记录在作为磁记录媒体的盘上记录的跟踪用伺服信号或地址信息信号、时钟信号等的预格式化信息的信息信号排列图形。图的横向方向与盘的圆周方向(即，记录磁道长度方向)大体上一致，纵向方向与盘的直径方向(即，记录磁道宽度方向)大体上一致。
此外，在图6中，画上阴影的部分是形成强磁性薄膜3的图形。在该图形部分中，向主信息载体1上照射的照射光4不能透过而不会到达磁记录媒体。另一方面，未画上阴影的白的部分是没有形成强磁性薄膜3的部分。因此，向主信息载体1照射的照射光4可以透过该部分并照射到作为磁记录媒体的盘的表面上。
图6的信息信号排列图形是与盘的直径方向大致平行的矩形图形的集合，各个矩形图形的盘直径方向上的长度被形成为大致与装载进行了预格式化记录的磁记录媒体的盘装置的记录磁道的宽度对应。
在装载了使用具有图6的信息信号排列图形的主信息载体1进行了复制记录的盘的盘装置中，具有在磁头再生跟踪用伺服信号时，检测伴随盘直径方向的微小位移的再生信号振幅的变化而进行跟踪伺服动作的结构。
图7的放大平面图表示在图5所示的区域200中在主信息载体1上形成的信息信号排列图形7的另一种结构的例子。图7与图6一样，是在区域200中在主信息载体1上形成的信息信号排列图形的一个例子。即，表示在作为磁记录媒体的盘上记录的跟踪用伺服信号或地址信息信号、时钟信号等的预格式化信息信号排列图形。图的横向方向与盘的圆周方向(即，记录磁道长度方向)大体上一致，纵向方向与盘的直径方向(即，记录磁道宽度方向)大体上一致。
此外，在图7中，画上阴影的部分是形成强磁性薄膜3的图形。在该图形部分中，向主信息载体1上照射的照射光4不能透过而不会到达磁记录媒体。另一方面，未画上阴影的白的部分是没有形成强磁性薄膜3的部分。向主信息载体1照射的照射光4可以透过该部分并照射到作为磁记录媒体的盘的表面上。
相对于图6的信息信号排列图形是与盘直径方向大致平行的矩形图形的集合，图7的信息信号排列图形形成为在盘直径方向上连续地横切多个记录磁道的线状图形的集合，其中也存在与盘直径方向非平行的图形。
在装载了使用具有图7的信息信号排列图形的主信息载体1进行了复制记录的盘的盘装置中，具有在磁头再生跟踪用伺服信号时，检测伴随盘直径方向的微小位移的再生信号相位的变化而进行跟踪伺服动作的结构。
另外，图7所示的检测再生信号相位的方式的信息信号排列图形，与图6所示的检测再生信号振幅的方式的信息信号排列图形比较，具有不易受到干扰噪声的影响而可进行更高精度的跟踪伺服等的优点。
此外，图7所示的信息信号排列图形，是使用现有的磁头的跟踪用伺服信号等的预格式化记录方法无法实现的图形。这是因为磁头的记录间隙在盘直径方向上具有有限的记录磁道宽度，此外，相对于盘直径方向无法具有任意的角度的缘故。
另外，图6或图7所示的预格式化信息，一般来说即使半径变化记录频率也是恒定的。为此，记录波长(盘圆周方向的1个周期的长度)与半径成比例地变化。记录波长可用盘与磁头的相对速度/记录频率求出，盘与磁头的相对速度是2×圆周率×盘旋转次数。
其次，图8A～图8D表示制造本实施例的主信息载体1的方法的一个例子。
首先，如图8A所示，在透光性的非磁性基体2上涂布光敏抗蚀剂10。接着，如图8B所示，使用具有与信息信号排列对应的图形的光掩模进行曝光、显影，形成与信息信号排列对应的抗蚀剂图形11。接着，如图8C所示，在该抗蚀剂图形11和露出的非磁性基体2上形成遮光性的强磁性薄膜3。然后，除去不需要的抗蚀剂图形11和在抗蚀剂图形11上形成的强磁性薄膜3。即，通过剥离工艺除去不需要的强磁性薄膜3。由此，如图8D所示，就可以获得在非磁性基体2上形成了由强磁性薄膜3构成的一定的图形的主信息载体1。
此外，图9A～图9E表示制造本实施例的主信息载体1的另一方法的一个例子。
首先，如图9A所示，在透光性的非磁性基体2上整面地形成遮光性的强磁性薄膜3。接着，如图9B所示，在其上涂布光敏抗蚀剂10。然后，如图9C所示，使用具有与信息信号排列对应的图形的光掩模进行曝光、显影，形成与信息信号排列对应的抗蚀剂图形11。接着，如图9D所示，以该抗蚀剂图形11为掩模，通过反应离子蚀刻或离子铣削等蚀刻强磁性薄膜3。通过该蚀刻形成与信息信号排列对应的强磁性薄膜3。然后，除去不需要的抗蚀剂图形11。由此，如图9E所示，可以获得在非磁性基体2上形成了由强磁性薄膜3构成的一定的图形的主信息载体1。
使用上述的任意一种方法都可以容易地制造本发明的主信息载体1。
作为透光性的非磁性基体2，可以使用光掩模用的基体或透镜用的材料等。例如，可以是合成石英等的玻璃材料或CaF2、BaF2、LiCaAlF6等的单晶材料。
作为强磁性薄膜3的材料，例如可以使用一般用作磁头核心材料的Ni-Fe和Fe-Al-Si等的晶体材料、Co-Zr-Nb等的Co基的非晶体材料、Fe-Ta-N等的Fe类微晶材料。此外，由于矫顽磁力比较大，故即使作为磁头核心材料一般不使用的Fe、Co、Fe-Co等，只要是在施加直流偏置磁场时在该方向上磁化均一的材料就可以使用。另外，这些强磁性材料反射率高而且具有遮光性。
此外，在本实施例中，虽然对各个结构部分由一种均匀的材料形成的情况进行了说明，但它们也可以各自由多个层构成。例如，在遮光性的强磁性薄膜中，具有为获得良好的磁特性的多层化结构、为抑制与非磁性基体之间进行扩散的防扩散层、为提高化学稳定性或机械强度的保护层或为提高遮光性的光遮挡层等的情况都相当于这样的结构。此外，在透光性的非磁性基体中，具有为提高透光性的防反射层的情况也相当于这样的结构。
遮光性的强磁性薄膜3的形成，可使用溅射法、真空蒸镀法、离子镀法、CVD法等一般的薄膜形成方法进行。
另外，本实施例的主信息载体1，存在图形化的强磁性薄膜3的一侧的表面形状由于强磁性薄膜3而成为凸形形状。但是，如图10A和图10B所示，也可以采用在相邻的强磁性薄膜3的图形间具有透过光的非磁性固体的主信息载体14、16。这些结构都具有同样的效果。通过采用这样的结构，主信息载体14、16的存在强磁性薄膜3的一侧的表面形状将大致成为平面。因此，可以抑制在使用或清洗主信息载体14、16过程中的强磁性薄膜3脱落等不良的发生，从而可以实现高可靠性的主信息载体14、16。
图10A表示相邻的强磁性薄膜3之间由非磁性薄膜15形成的主信息载体14。此外，图10B表示将作为透光性的非磁性固体的非磁性薄膜17埋在相邻的强磁性薄膜3之间而构成的主信息载体16。透光性的非磁性薄膜17使用透过率高且机械强度强的材料。该非磁性薄膜17可以通过与形成强磁性薄膜3的方法同样的一般的薄膜形成方法来形成。
图11A～图11E表示图10所示的主信息载体14的制造方法的一个例子。此外，图12A～图12F表示图10B所示的主信息载体16的制造方法的一个例子。
图11A～图11E所示的制造方法，与图8A～图8D所示的制造方法类似，故以下主要说明不同的工序。如图11B所示，以上的两种制造方法直到形成与信息信号排列对应的抗蚀剂图形11为止的工序都是相同的。在此之后，以该抗蚀剂图形11为掩模，通过反应离子蚀刻或离子铣削等对透光性的非磁性基体2进行蚀刻。通过该蚀刻形成图11C所示的具有用于埋入遮光性的强磁性薄膜3的沟的带有沟的非磁性基体15。然后，与图8C同样地在整个面上形成强磁性薄膜3，如图11D所示。然后，在与图8D同样地进行将其与抗蚀剂图形11一起除去的剥离工艺后，可以最终地获得将强磁性薄膜3埋入带有沟的非磁性基体15中的主信息载体14，如图11E所示。
此外，在图12A～图12F所示的制造方法中，图12A～图12D的工序与从图9A～图9D的工序是相同的。在本制造方法中，在此之后，在残存于遮光性的强磁性薄膜3上的抗蚀剂图形11和强磁性薄膜3被蚀刻而露出的透光性的非磁性基体2上形成作为透光性的非磁性的固体的非磁性薄膜17，如图12E所示。然后，如图12F所示，通过剥离工艺将在抗蚀剂图形11和抗蚀剂上形成的非磁性薄膜17除去。由此，可以获得将作为非磁性的固体的非磁性薄膜17埋入相邻的强磁性薄膜3之间的区域的主信息载体16。
另外，即使在将图12A～图17F所示的遮光性的强磁性薄膜3和透光性的非磁性薄膜17的形成顺序颠倒的情况下，也可以获得将作为非磁性的固体的非磁性薄膜17埋入相邻的强磁性薄膜3之间的区域的主信息载体16。
通过使用图11A～图11E和图12A～图12F所示的制造方法，可以容易地制造图10A和图10B所示的主信息载体14、16。
实施例2.
图13A和图13B是用于说明作为本发明的实施例2的使用在实施例1中说明的主信息载体1的向磁记录媒体的主信息信号的记录方法的剖面图。
首先，如图13A所示，向磁记录媒体(图中只表示磁记录层30)施加直流消磁磁场31，在膜面方向上均匀地对磁记录层30进行直流消磁。由此，形成沿膜面方向的直流消磁磁化32。
接着，如图13B所示，将进行了直流消磁的磁记录媒体(图中只表示磁记录层30)和主信息载体1相对配置。在该状态下，进行照射光4的照射，并施加与直流消磁磁场极性相反的直流偏置磁场5。由此，就可以向磁记录媒体上复制记录主信息信号。
主信息载体1构成为在透光性的非磁性基体2上通过遮光性的强磁性薄膜3形成与信息信号排列对应的图形。因此，照射光4仅在相邻的强磁性薄膜3之间的区域局部性地照射在磁记录媒体的表面上，从而在该区域中可以加热磁记录媒体表面。
一般来说，磁记录媒体的矫顽磁力会随着温度上升而降低，在磁化消失的居里温度附近的视在矫顽磁力几乎成为0。即，照射光可以仅使照射的区域的矫顽磁力降低。
在本实施例中也与图3B所示的情况一样，在施加直流偏置磁场5时产生的磁通集中在强磁性薄膜3中，在除此之外的部分中则发散。因此，在图3B中，在A点附近施加了比施加的直流偏置磁场5更大的磁场。此外，在图3B中，在B点附近施加了比施加的直流偏置磁场5小的磁场。另外，对于这一点如果参照图4则易于理解。该磁场是用于复制记录与强磁性薄膜3对应的磁化图形的复制记录磁场，可通过A点附近的大的磁场使磁化在直流偏置磁场方向上进行磁化反转。
该磁化进行反转的A点附近的区域是上述的照射光4照射的区域。即，通过使用该记录方法，可以只在要进行磁化反转的区域施加非常大的复制记录磁场，而可以使该区域的矫顽磁力降低。因此，即使对于使用在先文献1公开的方法由于矫顽磁力大而难以进行复制记录的磁记录媒体，也可以容易地进行复制记录。
图14A表示进行照射光4的照射时的磁记录媒体的温度分布的一个例子。另外，该温度分布不是磁记录媒体全体而是磁记录层30中的温度分布。与图4所示的复制记录磁场的分布相比磁记录媒体的温度分布是广的。这是因为由照射光4产生的热能通过热传导在磁记录媒体内扩散的缘故。因此，与磁记录层30的温度对应地变化的矫顽磁力也比复制记录磁场的分布广。在图14B表示在进行照射光4的照射时的磁记录媒体中的矫顽磁力分布的一个例子。
图15表示在进行照射光4的照射时的磁记录媒体中的矫顽磁力的分布和复制记录磁场的分布。图中的虚线是不进行照射光4的照射时的磁记录媒体中的矫顽磁力的分布，这种分布是恒定的。非照射时的磁记录媒体的矫顽磁力比施加在A点的复制记录磁场大。因此，无法复制记录。但是，通过进行照射光4的照射使A点附近的磁记录媒体的矫顽磁力降低而变得比施加在A点的复制记录磁场小。因此，可以进行复制记录。
此外，在使用本实施例的记录方法的情况下，进行磁化反转的区域(A点附近)和不进行磁化反转的区域(B点附近)的边界，由复制记录磁场的分布形状来决定。在本实施例的情况下，由于复制记录磁场的分布非常尖锐地变化，所以边界部分的磁化转变宽度小，从而可以获得非常良好的再生信号。
另外，在本实施例的记录方法中，没有必要使磁记录媒体的温度上升到居里温度附近，而只要加热到使磁记录媒体的矫顽磁力低于施加在A点的复制记录磁场的程度即可。因此，需要少的照射光量和短的照射时间即可。其结果，即使在使用本实施例的记录方法的情况下，也可以与在先文献1中公开的复制记录方法一样地实现优良的生产率。
此外，作为本实施例的记录方法，虽然表述了预先对磁记录媒体进行直流消磁的情况，但即使在省略直流消磁的情况下也可以发挥本发明的效果。但是，由于通过进行直流消磁几乎不会受到磁记录媒体的初始磁化状态的差异的影响并可增加再生信号的稳定性，所以优选地预先对磁记录媒体进行直流消磁。
作为适合于本实施例的记录方法的磁记录媒体，可以使用由以Co和Cr为主要成分的合金薄膜或向它们中添加Pt或Ta等的元素的合金薄膜构成的面内磁记录媒体、由以Co和SiO2或Co和Pt以及SiO2为主要成分的粒状薄膜构成的面内磁记录媒体、由以Co铁氧体为代表的氧化铁类磁性薄膜或磁性涂布层构成的面内磁记录媒体、由以Co和O或Co和Ni以及O为主要成分的斜方蒸镀膜构成的磁记录媒体、由以Co和Cr为主要成分的合金薄膜或向它们中添加Pt或Ta等的元素的合金薄膜构成的垂直磁记录媒体、由使Pt膜或Pd膜与Co或Fe以一定周期交替地进行层叠的多层薄膜构成的垂直磁记录媒体、由以钡铁氧体为代表的氧化铁类磁性薄膜或磁性涂布层构成的垂直磁记录媒体等。
另外，在用本实施例的记录方法在垂直磁记录媒体上进行记录的情况下，与磁记录媒体的膜面方向平行地施加直流偏置磁场。这时，在强磁性薄膜的端部附近产生的相对于膜面的垂直方向的磁场成为复制记录磁场。
图16是表示本实施例的向磁记录媒体的主信息信号的记录方法中的用来进行照射光4的照射的一结构例的剖面图。在图16的结构中，由灯光源33发出的照射光4均匀地照射到主信息载体1的整个面上。照射主信息载体1的照射光4与在主信息载体1上形成的强磁性薄膜的图形形状对应地透过主信息载体1，投影到磁记录媒体(磁记录层30以外未图示)的表面上。在此，为了将主信息载体1上的图形精度良好地投影到磁记录媒体表面上，优选透过主信息载体1的照射光4均匀且垂直地入射到主信息载体1的整个面上。在照射光4从随机的方向倾斜入射到主信息载体1上的情况下，由于倾斜入射所产生的散射光常常会使记录分辨率降低。从这一点来看，优选灯光源33是可以发出对主信息载体1的整个面垂直地入射的平行光的灯光源。
此外，照射在主信息载体1上的照射光4，除了是否会透过主信息载体1到达磁记录媒体的表面上和有无遮挡照射光4的强磁性薄膜之外，还要受照射光4的波长的影响。例如，在对于线宽1.0μm的信息信号排列图形作为照射光4使用波长1.5μm左右的红外光的情况下，该红外光就几乎不会在相邻的强磁性薄膜间的区域透过。为此，该磁记录媒体就不会被加热而无法使矫顽磁力降低。从这一点来看，优选灯光源33是发出波长短的照射光4的光源。例如，在线宽0.5μm的信息信号排列图形部分中，在使照射光4在相邻的强磁性薄膜间的区域透过的情况下，优选作为灯光源33使用紫外线灯。进而，在作为照射光4使用波长0.25μm或以下的深紫外(deep UV)光的情况下，从原理上说即使是线宽0.25μm左右的信息信号图形光也会透过。因此，通过进一步地缩短照射光4的波长，可以应对更窄的信息信号排列图形。
另一方面，在采用如图16所示的使用灯光源33使照射光4均匀地照射主信息载体1的整个面的结构的情况下，灯光源的能量分散并供给主信息载体的整个面。因此，可能会由于主信息载体1的面积或磁记录媒体的磁特性使照射光量减少而使照射区域的加热不充分。
在这样的情况下，如图17所示，使用激光光源34一边部分地进行照射，一边使激光沿主信息载体1的表面进行扫描。由此，可以向磁记录媒体(图中只表示磁记录层30)的整个面上照射光。另外，也可以代替使激光移动而使主信息载体1和磁记录媒体移动。
在这种情况下，由于不能遍及磁记录媒体的整个面进行整体面记录，所以与图16所示的结构相比，预格式化记录的生产率会有一些降低。但是，如果与使用现有的磁头的线记录的最小记录单位(记录到作为磁记录媒体的盘上的信号的位(Bit)面积)比较，则至少可以使激光的光斑尺寸增大到108倍或以上。而且，由于使用高输出的激光还可以形成线状的光源，所以还可以进一步地增大这个比值。因此，与使用现有的磁头的预格式化记录相比具有足够大的生产率。
图18是表示本发明的向磁记录媒体的主信息信号的记录方法的磁场施加方法的一结构例的剖面图。该磁场是用于对磁记录媒体进行直流消磁的磁场或用于施加直流偏置磁场的磁场。从永久磁铁35发生的磁通由强磁性材料构成的轭铁36集中，将磁场施加到磁记录媒体(图中只表示磁记录层30)的磁间隙37附近。使该永久磁铁35和轭铁36沿磁记录媒体的表面相对移动，例如，通过使永久磁铁35和轭铁36沿图中的箭头的方向移动，可以对磁记录媒体的整个面施加磁场。
此外，虽然在图18中相对于磁记录媒体面只在单侧(图18中为上侧)配置了永久磁铁35和轭铁36，但也可以在两侧(图18中为上下两侧)配置。通过在两侧配置，可以抵消不需要的垂直方向(在图18中为上下方向)的磁场，而使需要的面内方向(在图18中为左右方向)的磁场增加。另外，也可以代替永久磁铁而使用通过使电流在线圈中流动而产生磁通的电磁铁。此外，在使用电磁铁的情况下，通过调整施加电流，可以容易地使偏置磁场增强或使其与磁记录媒体的相对移动或照射光同步地变化。
此外，不使用轭铁也可以施加磁场。但由于在这种情况下磁效率会降低而难以增大施加的磁场，所以需要采取增大电流等的对策。
另外，由于需要与偏置磁场的施加同时地进行照射光的照射，所以装置的构成受到制约。具体地说，要求采用照射光不会被永久磁铁或轭铁遮挡的结构。例如，在图16和图17所示的照射光的照射方法的结构例子的情况下，只要相对于磁记录媒体(图中只表示磁记录层30)将永久磁铁和轭铁配置在与主信息载体1相反的位置(在图16、17中是下侧)上即可。在图16和图17中，如果将永久磁铁和轭铁配置在磁记录媒体的下侧，则照射光4不会被遮挡。
此外，在使用图17所示的激光光源34的情况下，也可以变更轭铁形状使得激光从磁间隙部分通过而垂直地照射到主信息载体1的表面上。这样，即使激光光源34与永久磁铁和轭铁都配置在同一方向上，也可以避免永久磁铁和轭铁遮挡照射光4。另外，通过将激光光源与永久磁铁和轭铁配置在同一方向上，也可以对于在两面上都存在磁记录层的磁记录媒体在两面上同时地进行复制记录。
图19表示在使主信息载体的信息信号的记录波长λ变化时施加到磁记录媒体上的复制记录磁场的分布。在通过强磁性薄膜形成的与信息信号排对应的形状图形中，当设信息信号的记录波长为λ时，该记录波长λ根据主信息载体的位置而具有不同的值。即，主信息载体的主信息信号，例如在主信息载体的直径方向的内侧时则使由强磁性薄膜3构成的信息信号排列图形变短，当在直径方向的外侧时则使由强磁性薄膜3构成的信息信号排列图形变长。
如图19所示，施加在A点的磁场随着信息信号的记录波长λ的增长而减小。当记录波长λ为最短的λ1时，为用粗的实线210表示的复制记录磁场分布。当记录波长λ为中间值λ2时，为用实线220表示的磁场分布。此外，当记录波长λ为最长的λ3时，则为用虚线230表示的复制记录磁场分布。从这些分布可知，随着记录波长λ的增长而施加在A点的磁场减小。
这是因为当记录波长λ增长时也需要使相邻的强磁性薄膜3间的距离增大，而使得在A点附近的磁通的发散也大幅度地增加的缘故。更详细地说，当使记录波长λ增长时也需要使强磁性薄膜3的长度增加。由此，强磁性薄膜3的反磁场减小，其结果在强磁性薄膜3中通过的磁通量本身增加。但是，由于相邻的强磁性薄膜3间的距离要增加到该增加量以上，结果施加在A点附近的复制记录磁场减小。
对此，在B点附近，只在记录波长λ为最长的λ3的情况下才施加了磁场，而除此之外的λ1和λ2的情况下几乎未施加磁场。当磁性薄膜3的长度增加时，在强磁性薄膜3中通过更多的磁通。其结果，即使施加的直流偏置磁场是相同的，强磁性薄膜3的长度越长则磁化越易于饱和。即，在图19中，当记录波长λ为最长的λ3的时强磁性薄膜3的磁化形成饱和，因而在B点附近施加了不需要的磁场。另外，图19所示的复制记录磁场是直流偏置磁场恒定而只有记录波长λ不同时的磁场。
关于如图19所示的信息信号的记录波长λ成为在磁记录媒体上施加复制记录磁场的条件，在对于具有图中虚线240所示的矫顽磁力的磁记录媒体进行复制记录的情况下，只有在记录波长λ为最长的λ3时的A点附近复制记录磁场低于矫顽磁力。因此，通过在记录波长λ为最长的λ3时的A点附近进行照射光4的照射而使矫顽磁力降低，可以大幅度地提高复制记录的性能。即，在这样地混合存在各种记录波长λ而在磁记录媒体上复制记录信息信号的情况下，采用本发明的记录方法可以容易地实现良好的复制记录。
一般来说，在预格式化信息信号中混合存在各种的记录波长λ。例如，在图5～图7所示的信息信号图形中，使记录波长λ与主信息载体的半径成比例地变大。为此，要求相对于各种的记录波长λ实现良好的复制记录。在使用本发明的向磁记录媒体的主信息信号的记录方法的情况下，由于通过与信息信号的记录波长λ相一致地控制向磁记录媒体的光的照射量可以控制磁记录媒体的温度，所以可以容易地控制磁记录媒体的矫顽磁力。
在通过扫描图17所示的激光进行光的照射的情况下，可以与照射区域的记录波长λ相一致地使向主信息载体1的激光照射量(例如，照射时间或照射功率)变化。此外，在这种情况下，如果只在记录波长λ长的区域照射激光，则可以缩短激光的扫描时间并使生产率得以提高。
对此，在使用图16所示的灯光源遍及主信息载体的整个面地均匀地进行照射的情况下，与记录波长λ相一致地使向主信息载体1的光的照射量部分地变化却是不容易的。但是，如上所述，向主信息载体1照射的照射光4是否透过主信息载体而到达磁记录媒体的表面，依赖于照射光4的波长和透过部分的区域宽度。这种关系意味着，虽然在信息信号的记录波长λ长的区域中照射光4透过主信息载体1而到达磁记录媒体的表面，但在记录波长λ短的区域中却难以到达磁记录媒体的表面。即，通过积极地运用这种关系，可以与信息信号的记录波长λ相一致地使向磁记录媒体照射的照射光量变化。由此，即使是记录波长λ不同的主信息载体也可以进行良好的复制记录。
另外，该照射光4的波长与透过部分的区域宽度的关系，即使在使用图17所示的激光的情况下也可以容易地灵活运用。
此外，由于通过只向信息信号的记录波长λ长的部分进行光的照射而可以获得本发明的效果，所以即使是从可以推迟照射光4的短波长化的意义上看效果也非常大。
图20表示相对于直流偏置磁场的施加到A点和B点上的磁场的关系。施加到A点上的磁场随着直流偏置磁场的增加大致单调地增大。对此，施加到B点上的磁场，在直流偏置磁场小时大致为0几乎没有变化，而当直流偏置磁场超过了某一磁场时单调地增大。施加到该B点上的磁场的变化是由于强磁性薄膜3的磁化状态的变化而产生的。具体地说，在强磁性薄膜3的磁化处于未饱和的状态时，几乎所有的磁通都在强磁性薄膜3中通过，而施加到相邻的B点附近的磁场几乎成为0。但是，当强磁性薄膜3的磁化饱和后，就无法聚集更大的磁通。因此，施加到相邻的B点附近的磁场也将增加。
另外，强磁性薄膜3的磁化饱和时施加到A点和B点上的磁场的斜率大致相同，都为1(当直流偏置磁场增加1时，施加到各自的点上的磁场也增加1)。这时，可以认为施加到A点和B点上的磁场的差越大则复制能力越强。以下，将该磁场差称为有效复制磁场。另外，由于要求平均地施加到磁记录层上的磁场作为有效复制磁场，所以设A点和B点是存在于磁记录层的膜厚中央部分的点。
在图21表示以信息信号的记录波长λ、强磁性薄膜3的膜厚t、强磁性薄膜3与磁记录媒体之间的距离d为参数，使这些值进行各种变化计算的有效复制磁场的结果。另外，至于距离d，如若进行正确的表现，则如图13B所示，是从强磁性薄膜3到A点(B点)的距离。具体地说，可使这些参数在0.2μm≤λ≤8μm、0.1μm≤t≤2μm、5nm≤d≤200nm的范围内变化。由图21可知，虽然随着距离d的增加有效复制磁场减少了，但是除此之外未能发现特别明显的相关关系。
图22表示在对于图21所示的数据将横轴的值设为d/λ、将纵轴设为有效复制磁场时的关系。虽然有效复制磁场随着d/λ的增大而减小，但是，与图21的情况一样，除此之外未能发现明显的相关关系。
图23表示将纵横比定义为t/λ、只抽出3种纵横比数据的结果。具体地说，设纵横比t/λ＝1.0、0.5和0.25，以它们为参数求有效复制磁场与d/λ的关系。由该图可知，对于每一个纵横比t/λ，有效复制磁场与d/λ的关系都不同。换言之，可以看出只要确定了纵横比t/λ和d/λ，就可以唯一地确定有效复制磁场。当纵横比t/λ与d/λ相同时(例如，λ＝1μm，t＝0.5μm，d＝50nm和λ＝0.8μm，t＝0.4μm，d＝40nm)，两形状具有相似关系。若以该结果为基础，则可以发现结果是可以施加相同的磁场。即，在此获得的结果，信息信号的记录波长λ、强磁性薄膜3的膜厚t和强磁性薄膜3与磁记录媒体之间的距离d所成立的关系并不局限于图21～图23所示的范围，除此之外也可以在更广的范围内成立。
对在各个纵横比t/λ下的结果进行比较可知，纵横比t/λ越大有效复制磁场也越大。对于这样的结果，可以考虑其原因在于：(1)记录波长λ越长，由于使相邻的强磁性薄膜间的距离变长，所以施加到A点上的磁场就越变小，(2)记录波长λ越长，由于使强磁性薄膜的长度变长，所以即使是小的直流偏置磁场也易于饱和而会在B点施加不需要的磁场，(3)强磁性薄膜的膜厚t越厚，在强磁性薄膜中集中的磁通就越多。
此外，当纵横比t/λ为1.0和0.5时，有效复制磁场几乎没有什么变化。由此可以看出，当纵横比在0.5或以上时，有效复制磁场几乎不增加。
图24表示在各个纵横比t/λ的情况下用有效复制磁场的最大值归一化的结果。可见，通过归一化可使得不论在什么样的纵横比t/λ下都成为相同的结果。即，可以看出有效复制磁场的变化率与d/λ的关系可以唯一地确定。由图24可知，在d/λ≥1的情况下，有效复制磁场几乎为0。为此，在d/λ≥1的状态下，就不能发挥本发明的向磁记录媒体的主信息信号的记录方法的效果。另一方面，如果d/λ＜1，虽然从效果来看有一定程度的差别，但却可以发挥本发明的向磁记录媒体的主信息信号的记录方法的效果。上述的d/λ＝1时的距离d相当于强磁性薄膜与磁记录媒体之间的距离d1。即，d1/λ＜1，在满足d1＜λ的情况下可以发挥效果。
此外，在本发明的向磁记录媒体的主信息信号的记录方法中，如果相当于复制记录能力的有效复制磁场变化，则复制记录后的信号输出就要变化。在复制记录的信号中，允许的输出变化大致在30％或以下。为了满足该要求有效复制磁场的变化也必须限制在30％以内。例如，在使强磁性薄膜与磁记录媒体接触以进行复制记录的情况下，如果两者的紧密接触状态出现差异则距离d就要变化，而有效复制磁场也要变化。例如，当强磁性薄膜与磁记录媒体接触的部分的d/λ变得非常小，则施加到该部分上的有效复制磁场大致成为最大(在图24中的归一化有效复制磁场的情况下约为1)。对此，即使在紧密接触性不好的部分中也必须将有效复制磁场的降低抑制到30％以内。即，在图24中的归一化有效复制磁场的情况下，在0.7或以上，是用Y表示的范围。即，由图24可知，为了将该有效复制磁场的变化限制在30％以内就必须满足d/λ≤0.1。上述的d/λ＝0.1时的距离d，表示强磁性薄膜与磁记录媒体至少一部分接触，而且相当于强磁性薄膜与磁记录媒体之间的距离d2。即，是d2/λ≤0.1，在满足d2≤0.1×λ的情况下，就可以进行良好的复制记录。
此外，并不仅仅局限于强磁性薄膜与磁记录媒体的至少一部分接触的情况，即使在两者未接触的情况下，通过满足d2≤0.1×λ，也可以将有效复制磁场的变化抑制在30％或以下，可以实现非常良好的复制记录。
即，通过满足d2≤0.1×λ，不论强磁性薄膜与磁记录媒体有无接触，都可以实现非常良好的复制记录。
此外，对于磁记录媒体的矫顽磁力不同的各种的盘，用本发明的记录方法和在先文献1中所公开的记录方法进行复制记录，然后对信号性能进行了比较。另外，不论在哪一种记录方法中，主信息载体都是相同的结构。具体地说，通过图11A～图11F所示的主信息载体的制造方法进行制作，可透过光的非磁性基体使用合成石英，强磁性薄膜材料使用Co。制作了将Co的膜厚设为0.2μm，复制记录的信息信号的记录波长与半径成比例地在1μm～2.5μm的范围内变化的和在0.6μm～1.5μm的范围内变化的2种主信息载体。作为照射光，使用波长248nm的准分子激光，强度为60mJ/cm2，光束尺寸为35mm×12mm。使用图18所示的磁场施加方法，配置在与激光的照射一侧相反的一侧。另外，在本研究中，使激光光源、主信息载体、磁盘、永久磁铁或轭铁的位置关系固定而不变地来进行研究。
在使复制记录的信息信号的记录波长在从1μm～2.5μm的范围变化的情况下的实验结果是，当磁记录媒体的矫顽磁力在4kOe(320kA/m)或以上时，明显地获得了本发明的效果。具体地说，在矫顽磁力小于4kOe的磁记录媒体的情况下，两方法的信号性能差别几乎没有，在4kOe附近只有磁盘的外周部分的信号性能获得改善，随着矫顽磁力的增加该范围进一步扩大，当超过6kOe(480kA/m)时，几乎可以遍及整个面地改善信号性能。
此外，对在盘内的改善程度进行比较后，具有改善效果随着接近外周而增加的倾向。另外，在这里所说的信号性能的改善，是指再生输出的增加或输出波形的失真的减小等。
对此，在使信息信号的记录波长在0.6μm～1.5μm的范围内变化的情况下，即使磁记录媒体的矫顽磁力增加，也没能实现遍及整个面的信号性能的改善。具体地说，在记录波长比0.8μm左右更短的区域内，未能发现信号性能的改善。这意味着在本研究的激光照射条件下，在记录波长比0.8μm左右短的区域中，用激光照射的磁记录层的区域没有上升到足够的温度。要避免这一点，只要使激光的波长更短或进一步加大激光强度即可。
此外，本发明的磁记录媒体的制造方法，可通过以下的步骤实现。即，首先，在基板上形成至少1层的磁记录层和保护层，然后再在该保护层上形成润滑层。接着，对于在上述基板上形成的磁记录层，将在非磁性基体上通过强磁性薄膜形成的与信息信号排列对应的形状图形的主信息载体的强磁性薄膜一侧配置为使之与磁记录层相对。在这样地配置后，通过至少对磁记录层和主信息载体的强磁性薄膜施加偏置磁场，并且对通过主信息载体与主信息载体的相邻的强磁性薄膜间的区域相对的磁记录层进行局部性的加热，在磁记录层上记录与信息信号排列对应的磁化图形。通过这样的工序，可以制造在磁记录层上记录了与信息信号排列对应的磁化图形的磁记录媒体。
另外，在该制造方法中，如果采用非磁性基体具有透光性且强磁性薄膜具有遮光性、而通过透过主信息载体的相邻的强磁性薄膜间的区域的光能的照射进行磁记录层的局部性的加热的方法，由于可以局部地而且短时间地进行加热，所以可以进行微细的磁化图形的记录。
此外，在该制造方法中，也可以采用主信息载体在相邻的强磁性薄膜间的区域具有突出的形状的突出部、而利用通过主信息载体的突出部传递的热能进行磁记录层的局部性的加热的方法。如果使用该方法，由于可以通过来自突出部的热传导局部性地进行加热，所以可以增大加热方法的选择自由度。
实施例3.
图25是用来说明本发明的实施例3的磁记录再生装置的简要说明图。
如图25所示，至少将一张通过本发明的向磁记录媒体的主信息信号的记录方法进行了预格式化记录的磁盘媒体41支持在主轴42上，并通过主轴马达43进行旋转。此外，薄膜磁头44通过吊杆45安装到致动器臂46上，进而，致动器臂46安装到致动器47上。
因此，薄膜磁头44可以通过致动器47进行动作而在磁盘媒体41的面上移动。薄膜磁头44与磁盘媒体41的面相对地配置，通过磁盘媒体41的旋转和薄膜磁头44在磁盘媒体41的半径方向的移动，可以对于磁盘媒体41的几乎整个面进行信号的读写。
磁盘媒体41的旋转的控制、薄膜磁头44的位置控制和记录再生信号的控制等由控制电路48进行。
通过采用这样的结构，即使对于矫顽磁力伴随着高记录密度化而增大的磁记录媒体，也可以廉价地实现生产率优良而且预格式化记录的信号质量良好的磁记录再生装置。即，通过使用本发明的磁记录再生装置，使应对今后的高记录密度化会变得比较容易。
以上，虽然对本发明的实施方式的一例进行了说明，但本发明的结构可以应用于各种各样的实施方式。例如，在本申请说明书中，虽然主要是对应用于装载到HDD等上的盘的情况进行了说明，但本发明并不局限于此。例如，也可以应用于软磁盘、磁卡和磁带等的磁记录媒体，并可以获得同样的效果。
此外，在上述中，关于记录到磁记录媒体上的信息信号，虽然说明的是跟踪用伺服信号或地址信息信号、时钟信号等的预格式化信息信号，但可应用本发明的结构的信息信号也不局限于上述信号。例如，也可以使用本发明的结构进行各种各样的数据信号或音频、视频信号的记录。在这种情况下，通过采用本发明的主信息载体和向使用它的磁记录媒体的记录技术，可以进行软盘媒体的大量复制生产，可以廉价地提供软盘媒体。
另外，在实施例1到实施例3中，虽然对使用透光性的非磁性基体、通过该非磁性基体向磁记录媒体进行光照射而用通过局部性的加热和偏置磁场的施加而产生的复制记录磁场进行复制记录的方法进行了说明，但是，本发明也可以进行以下的设计。
即，也可以采用使用通过强磁性薄膜的排列在非磁性基体上形成与信息信号排列对应的形状图形且相邻的强磁性薄膜间的区域具有突出的形状的突出部的主信息载体，通过主信息载体的突出部传递的热能对磁记录媒体进行局部性的加热的方法。在这种情况下，可以通过各种的方法容易地进行加热。具体地说，是用灯或激光的照射或加热器等加热主信息载体的与磁记录媒体相反的一侧的面的方法。因为用这些方法可以对非磁性气体、强磁性薄膜和突出部进行加热，并通过突出部对磁记录媒体进行局部性的加热。另外，在采用这种主信息载体的情况下，不要求透光性或遮光性等的材料特性。因此，也可以使用一般作为半导体器件的基板使用的Si晶片。
图26是表示上述的相邻的强磁性薄膜间的区域具有突出的形状的突出部的主信息载体60的剖面图。该主信息载体60，通过强磁性薄膜64的排列在非磁性基体62上形成有与信息信号排列对应的形状图形，相邻的强磁性薄膜64间的区域具有突出高度h的形状的突出部66。
预先施加直流消磁磁场在膜面方向上均匀地对磁记录层进行直流消磁而形成沿膜面方向的直流消磁磁化，并使磁记录媒体与主信息载体60相对配置，使非磁性基体62的突出部66与磁记录媒体紧密接触。在该状态下对非磁性基体62进行加热后，则与突出部66接触的磁记录媒体就会被局部性地加热。通过与该加热同时地施加与直流消磁磁场极性相反的直流偏置磁场，可以将主信息信号向磁记录媒体上复制记录。
此外，在使该突出部66与磁记录媒体紧密接触的情况下，从强磁性薄膜64突出的突出量h与在图13B中规定的距离d的关系如下：d＝h+(保护层厚度)+(润滑层厚度)+(磁记录层厚度)/2因此，要使在图24中说明的距离d与记录波长λ的d/λ的关系成立而达到本发明的效果，至少要满足h＜λ的关系。此外，同样地要使d≤0.1×λ的关系成立而实现更为良好的复制性能，至少要满足h＜0.1×λ的关系。
另外，保护层厚度、润滑层厚度指的是在磁记录媒体的磁记录层上形成的保护层和润滑层的厚度。
此外，也可以代替突出部而通过采用该强磁性薄膜间的部分发热的构造，对磁记录媒体进行局部性的加热。在该情况下，如果强磁性薄膜间的部分由通过通电或电磁波而发热的非磁性的固体构成，而且使在强磁性薄膜间的部分发生的热能向磁记录媒体传递，则可通过局部性的加热使矫顽磁力降低而可以进行良好的复制记录。在由通电而进行加热的情况下，可以通过使强磁性薄膜和强磁性薄膜间的材料的导电率变化来控制发热。作为电很难流动的强磁性材料，可以使用氧化铁或铁氧体等的氧化膜。即使在使用电磁波的情况下，通过适当地选择材料也同样地可以对发热进行控制。