一种有机电致发光器件及其制备方法
阅读：469发布：2020-05-12
专利汇可以提供一种有机电致发光器件及其制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的透光 基板 、 阳极 、空穴注入层、空穴传输层、 发光层 、 电子 传输层、电子注入层和 阴极 ，还包括微腔效应破坏层，所述微腔效应破坏层的材质为金属单质掺杂在电子传输材料形成的混合材料，所述微腔效应破坏层的折射率与纯有机材料的电子传输层存在一定的差异。在 电子束 蒸发 的过程中，高能的电子束提供的 能量 将金属单质材料轰击在有机材料上，使原有的成膜表面不再是平整的形态，使光线在这种界面结构中传输时会在界面发生折射和漫反射，使得原有发生微腔效应的光路径不存在，因而降低了微腔效应。，下面是一种有机电致发光器件及其制备方法专利的具体信息内容。
1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的透光基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其特征在于，还包括微腔效应破坏层，所述电子传输层、所述微腔效应破坏层和所述电子注入层依次层叠，或所述微腔效应破坏层夹心设置于所述电子传输层中，将所述电子传输层分隔成设置在所述发光层表面上的第一电子传输层，和设置在所述微腔效应破坏层表面上的第二电子传输层；所述第一电子传输层的厚度为20nm～60nm，所述微腔效应破坏层的材质为金属单质掺杂在电子传输材料形成的混合材料，所述金属单质和电子传输材料的质量比为0.3:1～1:1；所述金属单质为金、铝、银、铂或镍，所述电子传输材料为8-羟基喹啉铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述微腔效应破坏层的厚度为20～40nm。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材质为
8-羟基喹啉铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或
2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极的材质为银、铝、金或铂。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层的材质为氟化锂、氟化铯或氟化钠。
6.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材质为荧光材料，或客体材料掺杂到主体材料形成的混合材料，所述客体材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱或三（2-苯基吡啶）合铱，所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，所述客体材料和主体材料的质量比为0.01:1～0.15:1；所述荧光材料为4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯、5,6,11,12-四苯基萘并萘或二甲基喹吖啶酮。
7.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材质为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺，N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺或N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯。
8.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质酞菁锌、酞菁铜、4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺或(4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺。
9.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下操作步骤：
（1）在清洗干净后的透光基板上采用真空蒸发或电子束蒸发的方法制备阳极；在阳极上采用热阻蒸发的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层和发光层；
（2）在所述发光层上采用热阻蒸发的方法制备电子传输层，然后在所述电子传输层上制备所述微腔效应破坏层，最后在所述微腔效应破坏层上采用热阻蒸发的方法制备所述电子注入层，或
在所述发光层上采用热阻蒸发的方法制备第一电子传输层，所述第一电子传输层的厚度为20nm～60nm，然后在所述第一电子传输层上制备所述微腔效应破坏层，最后在所述微腔效应破坏层上采用热阻蒸发的方法依次制备第二电子传输层和所述电子注入层；所述第一电子传输层和所述第二电子传输层材质相同；
所述微腔效应破坏层的材质为金属单质掺杂在电子传输材料形成的混合材料，所述金属单质和电子传输材料的质量比为0.3:1～1:1；所述金属单质为金、铝、银、铂或镍，所述电子传输材料为8-羟基喹啉铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲；制备所述微腔效应破坏层时，电子束蒸发金属单质，同时热阻蒸发电子传输材料，使金属单质和电子传输材料共同形成-5 -3
所述微腔效应破坏层，所述蒸发压强为1×10 ～1×10 Pa，所述电子传输材料的热阻蒸发速度为2～5nm/s，所述电子束蒸发速度为1～5nm/s；所述电子束蒸发速度和热阻蒸发速度的速度比为0.3:1～1:1；
（3）在所述电子注入层上采用热阻蒸发的方法制备阴极，得到所述有机电致发光器件。
10.如权利要求9所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述微腔效应破坏层的厚度为20～40nm。
一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
[0001] 本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
[0002] 有机电致发光(Organic Light Emission Diode，以下简称OLED)，具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及响应速度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是目前国内外众多研究者的关注重点。
[0003] 目前，OLED的发展十分迅速，为了获得其更多的应用领域，更简单的制作工艺，研究者们开发了多种结构的OLED发光装置，例如顶发射发光装置，倒置型发光装置。目前应用于显示装置的OLED器件中，通常采用顶发射的结构，这是因为通常显示装置需要不透明的硅材料作为衬底，出光只能从顶部的阴极发射，同时可以采用金属薄膜作为具有反射的阳极。但是顶发射器件通常具有较强的微腔效应，使得器件的发射光谱发射窄化，特别是对于白光或者其他混合色光的发射不利。
发明内容
[0004] 为解决上述技术问题，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的透光基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，还包括微腔效应破坏层，所述微腔效应破坏层的材质为金属单质掺杂在电子传输材料形成的混合材料，所述微腔效应破坏层的折射率与纯有机材料的电子传输层存在一定的差异。在电子束蒸发的过程中，高能的电子束提供的能量将金属单质材料轰击在有机材料上，使原有的成膜表面不再是平整的形态，使光线在这种界面结构中传输时会在界面发生折射，并且在这种不平整的薄膜表面发生漫反射，使得原有发生微腔效应的光路径不存在，因而降低了微腔效应；本发明还公开了该有机电致发光器件的制备方法。
[0005] 第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的透光基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，还包括微腔效应破坏层，所述电子传输层、所述微腔效应破坏层和所述电子注入层依次层叠，或所述微腔效应破坏层夹心设置于所述电子传输层中，将所述电子传输层分隔成设置在所述发光层表面上的第一电子传输层，和设置在所述微腔效应破坏层表面上的第二电子传输层；所述第一电子传输层的厚度为20nm～60nm，所述微腔效应破坏层的材质为金属单质掺杂在电子传输材料形成的混合材料，所述金属单质和电子传输材料的质量比为0.3:1～1:1；所述金属单质为金（Au）、铝（Al）、银（Ag）、铂（Pt）或镍（Ni），所述电子传输材料为8-羟基喹啉铝（Alq3）、4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP）。
[0006] 优选地，所述微腔效应破坏层的厚度为20～40nm。
[0007] 优选地，所述电子传输层的材质为8-羟基喹啉铝（Alq3）、4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP）。
[0008] 优选地，所述电子传输层厚度为20～80nm。
[0009] 所述第一电子传输层的厚度为20nm～60nm，使所述发光层和所述微腔效应破坏层分隔开，防止在制备所述微腔效应破坏层对发光层中的有机材料产生破坏。
[0010] 优选地，所述阳极材质为Ag、Al、Au或Pt。
[0011] 优选地，所述阳极的厚度为70～200nm。
[0012] 优选地，所述阴极的材质为银（Ag）、铝（Al）、银镁合金或铝镁合金。
[0013] 优选地，所述阴极的厚度为20～40nm。
[0014] 优选地，所述空穴注入层的材质酞菁锌(ZnPc)、酞菁铜（CuPc）、4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺（2-TNATA）或(4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺（m-MTDATA），所述空穴注入层的厚度为5～10nm。
[0015] 优选地，所述空穴传输层材质为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)或N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)，所述空穴传输层厚度为20nm～60nm。
[0016] 优选地，所述电子注入层的材质为LiF、CsF或NaF。
[0017] 优选地，所述电子注入层的材质为0.5～2nm。
[0018] 优选地，所述发光层的材质为客体材料掺杂到主体材料形成的混合材料，所述客体材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6）、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)，所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘
基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)，所述客体材料和主体材料的质量比为0.01:1～
0.15:1。
基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)，所述客体材料和主体材料的质量比为0.01:1～
0.15:1。
[0019] 优选地，所述发光层也可以采用荧光材料，所述荧光材料为4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯（DPVBi）、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯（DPAVBi）、5,6,11,12-四苯基萘并萘（Rubrene）或二甲基喹吖啶酮（DMQA）。
[0020] 优选地，所述发光层的厚度为1nm～30nm。
[0021] 优选地，所述透光基板为玻璃基板或透明聚合物薄膜。
[0022] 更优选地，所述透光基板为玻璃基板。
[0023] 本发明有机电致发光器件包括微腔效应破坏层，所述微腔效应破坏层是采用金属单质和电子传输材料共同蒸发的方法制备得到，在电子束蒸发的过程中，高能的电子束提供的能量将金属单质材料轰击在电子传输材料上，使原有的成膜表面不再是平整的形态，使微腔效应破坏层的折射率与纯有机材料的电子传输层存在一定的差异，最终使光线在电子传输层和微腔效应破坏层界面处传输时会在发生折射，并且在这种不平整的薄膜表面发生漫反射，使得原有发生微腔效应的光路径不存在，因而降低了微腔效应。
[0024] 另一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
[0025] （1）在清洗干净后的透光基板上采用真空蒸发或电子束蒸发的方法制备阳极；在阳极上采用热阻蒸发的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层和发光层；
[0026] （2）在所述发光层上采用热阻蒸发的方法制备电子传输层，然后在所述电子传输层上制备所述微腔效应破坏层，最后在所述微腔效应破坏层上采用热阻蒸发的方法制备所述电子注入层，或
[0027] 在所述发光层上采用热阻蒸发的方法制备第一电子传输层，所述第一电子传输层的厚度为20nm～60nm，然后在所述第一电子传输层上制备所述微腔效应破坏层，最后在所述微腔效应破坏层上采用热阻蒸发的方法依次制备第二电子传输层和所述电子注入层；所述第一电子传输层和所述第二电子传输层材质相同；
[0028] 所述微腔效应破坏层的材质为金属单质掺杂在电子传输材料形成的混合材料，所述金属单质和电子传输材料的质量比为0.3:1～1:1；所述金属单质为金、铝、银、铂或镍，所述电子传输材料为8-羟基喹啉铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲；制备所述微腔效应破坏层时，电子束蒸发金属单质，同时热阻蒸发电子传输材料，使金属单质和电子传输材料共同-5 -3形成微腔效应破坏层，所述蒸发压强为1×10 ～1×10 Pa，所述电子传输材料的蒸发速度为2～5nm/s，所述电子束蒸发速度为1～5nm/s；所述电子束蒸发速度和热阻蒸发速度的速度比为0.3:1～1:1；
[0029] （3）在所述电子注入层上采用热阻蒸发的方法制备阴极，得到所述有机电致发光器件。
[0030] 优选地，所述微腔效应破坏层的厚度为20～40nm。
[0031] 优选地，所述电子传输层的材质为8-羟基喹啉铝（Alq3）、4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP）。
[0032] 优选地，所述第一电子传输层和第二电子传输层材质和制备方法均相同，所述热-5 -3阻蒸发压强为1×10 Pa～1×10 Pa，热阻蒸发速率为0.1nm/s～5nm/s。
[0033] 优选地，所述电子传输层厚度为20～80nm。
[0034] 所述第一电子传输层的厚度为20nm～60nm，使所述发光层和所述微腔效应破坏层分隔开，防止在制备所述微腔效应破坏层对发光层中的有机材料产生破坏。
[0035] 优选地，所述空穴注入层、空穴传输层和电子传输层热阻蒸发条件均为：热阻蒸发-5 -3压强为1×10 Pa～1×10 Pa，热阻蒸发速率为0.1nm/s～5nm/s。
[0036] 优选地，所述发光层的热阻蒸发速率为0.01nm/s～1nm/s，所述客体材料和主体材料的蒸发速率比为0.01:1～0.15:1。
[0037] 优选地，所述电子注入层和阴极的热阻蒸发条件均为：热阻蒸发压强为-5 -31×10 Pa～1×10 Pa，热阻蒸发速率为0.2nm/s～5nm/s。
[0038] 优选地，所述透光基板为玻璃基板或透明聚合物薄膜。
[0039] 更优选地，所述透光基板为玻璃基板。
[0041] 优选地，所述阳极材质为Ag、Al、Au或Pt。
[0042] 优选地，所述阳极的厚度为70～200nm。
[0043] 透光基板上采用真空蒸发或电子束蒸发的方法制备阳极。
[0044] 优选地，所述热阻蒸发压强为1×10-5Pa～1×10-3Pa，所述热阻蒸发速率为0.2nm/s～5nm/s，所述电子束蒸发速度为1～5nm/s。
[0045] 优选地，所述阴极的材质为银（Ag）、铝（Al）、银镁合金或铝镁合金。
[0046] 优选地，所述阴极的厚度为20～40nm。
[0047] 优选地，所述空穴注入层的材质酞菁锌(ZnPc)、酞菁铜（CuPc）、4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺（2-TNATA）或(4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺（m-MTDATA），所述空穴注入层的厚度为5～10nm。
[0048] 优选地，所述空穴传输层材质为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)或N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)，所述空穴传输层厚度为20nm～60nm。
[0049] 优选地，所述电子注入层的材质为LiF、CsF或NaF。
[0050] 优选地，所述电子注入层的材质为0.5～2nm。
[0051] 优选地，所述发光层的材质为客体材料掺杂到主体材料形成的混合材料，所述客体材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6）、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)，所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘
基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)，所述客体材料和主体材料的质量比为0.01:1～
0.15:1。
基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)，所述客体材料和主体材料的质量比为0.01:1～
0.15:1。
[0052] 优选地，所述发光层也可以采用荧光材料，所述荧光材料为4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯（DPVBi）、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯（DPAVBi）、5,6,11,12-四苯基萘并萘（Rubrene）或二甲基喹吖啶酮（DMQA）。
[0053] 优选地，所述发光层的厚度为1nm～30nm。
[0054] 本发明有机电致发光器件包括微腔效应破坏层，所述微腔效应破坏层是采用金属单质和电子传输材料共同蒸发的方法制备得到，在电子束蒸发的过程中，高能的电子束提供的能量将金属单质材料轰击在电子传输材料上，使原有的成膜表面不再是平整的形态，使微腔效应破坏层的折射率与纯有机材料的电子传输层存在一定的差异，最终使光线在电子传输层和微腔效应破坏层界面处传输时会在发生折射，并且在这种不平整的薄膜表面发生漫反射，使得原有发生微腔效应的光路径不存在，因而降低了微腔效应。
[0055] 实施本发明实施例，具有以下有益效果：
[0057] 为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0058] 图1是本发明实施例1制备的有机电致发光器件的结构示意图；
[0059] 图2是本发明实施例2制备的有机电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
[0060] 下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0061] 实施例1
[0062] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
[0063] （1）提供透光基板，将基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干-3净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干；在压强为1×10 Pa的真空镀膜系统中，在透光基板上采用热阻蒸发的方法制备阳极，阳极材质为Ag，厚度为
70nm；蒸发速度为5nm/s；在阳极上依次热阻蒸发空穴注入层、空穴传输层和发光层，空穴注入层材质为ZnPc，厚度为10nm，蒸发速度为0.2nm/s，空穴传输层材质为NPB，厚度为
30nm，蒸发速度为0.2nm/s；发光层材质为FIrpic掺杂在CBP中形成的混合材料，FIrpic和CBP的质量比为0.08:1，发光层厚度为10nm，Firpic的蒸发速度为0.01nm/s，CBP的蒸发速度为0.125nm/s；
70nm；蒸发速度为5nm/s；在阳极上依次热阻蒸发空穴注入层、空穴传输层和发光层，空穴注入层材质为ZnPc，厚度为10nm，蒸发速度为0.2nm/s，空穴传输层材质为NPB，厚度为
30nm，蒸发速度为0.2nm/s；发光层材质为FIrpic掺杂在CBP中形成的混合材料，FIrpic和CBP的质量比为0.08:1，发光层厚度为10nm，Firpic的蒸发速度为0.01nm/s，CBP的蒸发速度为0.125nm/s；
[0064] （2）在发光层上采用真空蒸发的方法制备电子传输层，电子传输层的材质为Bphen，厚度为20nm；蒸发速度为0.5nm/s；然后将金属Ag用电子束蒸发，同时也热阻蒸发Bphen，其中金属Ag的蒸发速度为1.5nm/s，Bphen的蒸发速度为5nm/s，在电子传输层上形成厚度为20nm的微腔效应破坏层，Ag与Bphen的质量比为0.3:1；在微腔效应破坏层上采用热阻蒸发的方法制备电子注入层，电子注入层的材质为LiF，厚度为0.5nm，蒸发速度为1nm/s；
[0065] （3）在电子注入层上采用热阻蒸发的方法制备阴极，阴极的材质为Ag，厚度为20nm，蒸发速度为1nm/s。
[0066] 图1为本实施例制备的有机电致发光器件的结构示意图，本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板10、阳极20、空穴注入层30、空穴传输层40、发光层50、电子传输层60、微腔效应破坏层70、电子注入层80和阴极90，具体结构表示为：
[0067] 玻璃基板/Ag/ZnPc/NPB/ FIrpic:CBP/Bphen/Ag:Bphen/LiF/Ag，其中，斜杠“/”表示层状结构，FIrpic:CBP中的冒号“：”表示混合，下同。
[0068] 实施例2
[0069] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
[0070] （1）提供玻璃基板，将基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干-5净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干；在压强为1×10 Pa的真空镀膜系统中，在玻璃基板上采用热阻蒸发的方法制备阳极，阳极材质为Al，厚度为
200nm；蒸发速度为0.2nm/s；在阳极上依次热阻蒸发空穴注入层、空穴传输层和发光层，空穴注入层材质为CuPc，厚度为5nm，蒸发速度为0.2nm/s；空穴传输层材质为TPD，厚度为
60nm，蒸发速度为0.5nm/s；发光层材质为Ir(MDQ)2(acac)掺杂在NPB中形成的混合材料，Ir(MDQ)2(acac)和NPB的质量比为0.08:1，发光层厚度为15nm，Ir(MDQ)2(acac)的蒸发速度为0.05nm/s，NPB的蒸发速度为0.625nm/s；
200nm；蒸发速度为0.2nm/s；在阳极上依次热阻蒸发空穴注入层、空穴传输层和发光层，空穴注入层材质为CuPc，厚度为5nm，蒸发速度为0.2nm/s；空穴传输层材质为TPD，厚度为
60nm，蒸发速度为0.5nm/s；发光层材质为Ir(MDQ)2(acac)掺杂在NPB中形成的混合材料，Ir(MDQ)2(acac)和NPB的质量比为0.08:1，发光层厚度为15nm，Ir(MDQ)2(acac)的蒸发速度为0.05nm/s，NPB的蒸发速度为0.625nm/s；
[0071] （2）在发光层上采用真空蒸发的方法制备第一电子传输层，第一电子传输层的材质为TPBi，厚度为60nm；蒸发速度为0.5nm/s；然后将金属Au用电子束蒸发，同时也热阻蒸发TPBi，其中金属Au的蒸发速度为1nm/s，TPBi的蒸发速度为2nm/s，在第一电子传输层上形成厚度为20nm的微腔效应破坏层，Au与TPBi的质量比为0.5:1；然后在微腔效应破坏层上制备第二电子传输层，第二电子传输层的材质和制备方法同第一电子传输层，第二电子传输层的厚度为20nm；在第二电子传输层上采用热阻蒸发的方法制备电子注入层，电子注入层的材质为CsF，厚度为0.5nm，蒸发速度为0.1nm/s;
[0072] （3）在电子注入层上采用热阻蒸发的方法制备阴极，阴极的材质为Al，厚度为20nm，蒸发速度为0.2nm/s。
[0073] 图2是本发明实施例2制备的有机电致发光器件的结构示意图；本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板10、阳极20、空穴注入层30、空穴传输层40、发光层50、第一电子传输层60a、微腔效应破坏层70、第二电子传输层60b、电子注入层80和阴极90，具体结构表示为：
[0074] 玻璃基板/Al/CuPc/TPD/Ir(MDQ)2(acac):NPB/TPBi/Au:TPBi/TPBi/CsF/Al。
[0075] 实施例3
[0076] （1）提供玻璃基板，将基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干-4净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干；在压强为1×10 Pa的真空镀膜系统中，在玻璃基板上采用电子束蒸发的方法制备阳极，阳极材质为Au，厚度为100nm；蒸发速度为1nm/s；在阳极上依次热阻蒸发空穴注入层、空穴传输层和发光层，空穴注入层材质为m-MTDATA，厚度为10nm，蒸发速度为0.1nm/s；空穴传输层材质为TCTA，厚度为20nm，蒸发速度为0.5nm/s；发光层材质为Ir(ppy)3掺杂在TPBi中形成的混合材料，Ir(ppy)3和TPBi的质量比为0.15:1，发光层厚度为30nm，Ir(ppy)3的蒸发速度为0.15nm/s，TPBi的蒸发速度为1nm/s；
[0077] （2）在发光层上采用真空蒸发的方法制备第一电子传输层，第一电子传输层的材质为Alq3，厚度为20nm；蒸发速度为0.5nm/s；然后将金属Pt用电子束蒸发，同时也热阻蒸发Alq3，其中金属Pt的蒸发速度为5nm/s，Alq3的蒸发速度为5nm/s，在第一电子传输层上制备厚度为40nm的微腔效应破坏层，Pt与Alq3的质量比为1:1；在微腔效应破坏层上制备第二电子传输层，第二电子传输层的材质和制备方法同第一电子传输层的材质和制备方法，厚度为20nm；在第二电子传输层上采用热阻蒸发的方法制备电子注入层，电子注入层的材质为NaF，厚度为1nm，蒸发速度为5nm/s；
[0078] （3）在电子注入层上采用热阻蒸发的方法制备阴极，阴极的材质为Mg-Ag，厚度为40nm，蒸发速度为5nm/s。
[0079] 本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、第一电子传输层、微腔效应破坏层、第二电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：
[0080] 玻璃基板/Au/m-MTDATA/TCTA/Ir(ppy)3:TPBi/Alq3/Pt:TPBi/Alq3/NaF/Mg-Ag。
[0081] 实施例4
[0082] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
[0083] （1）提供玻璃基板，将基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净-4后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干；在压强为1×10 Pa的真空镀膜系统中，在玻璃基板上采用电子束蒸发的方法制备阳极，阳极材质为Pt，厚度为
80nm；蒸发速度为5nm/s；在阳极上依次热阻蒸发空穴注入层、空穴传输层和发光层，空穴注入层材质为2-TNATA，厚度为5nm，蒸发速度为5nm/s；空穴传输层材质为MeO-TPD，厚度为
40nm，蒸发速度为0.2nm/s；发光层材质为DCJTB掺杂在Alq3中形成的混合材料，DCJTB和Alq3的质量比为0.01:1，发光层厚度为1nm，Firpic的蒸发速度为0.01nm/s，CBP的蒸发速度为1nm/s；
80nm；蒸发速度为5nm/s；在阳极上依次热阻蒸发空穴注入层、空穴传输层和发光层，空穴注入层材质为2-TNATA，厚度为5nm，蒸发速度为5nm/s；空穴传输层材质为MeO-TPD，厚度为
40nm，蒸发速度为0.2nm/s；发光层材质为DCJTB掺杂在Alq3中形成的混合材料，DCJTB和Alq3的质量比为0.01:1，发光层厚度为1nm，Firpic的蒸发速度为0.01nm/s，CBP的蒸发速度为1nm/s；
[0084] （2）在发光层上采用真空蒸发的方法制备第一电子传输层，第一电子传输层的材质为BCP，厚度为30nm；蒸发速度为0.5nm/s；然后将金属Ni用电子束蒸发，同时也热阻蒸发BCP，其中金属Ni的蒸发速度为2nm/s，BCP的蒸发速度为5nm/s，在第一电子传输层上制备厚度为40nm的微腔效应破坏层，Ni与BCP的质量比为0.4:1；然后在微腔效应破坏层上制备第二电子传输层，第二电子传输层的材质和制备方法同第一电子传输层的材质和制备方法，厚度为10nm；在第二电子传输层上采用热阻蒸发的方法制备电子注入层，电子注入层的材质为LiF，厚度为2nm，蒸发速度为1nm/s；
[0085] （3）在电子注入层上采用热阻蒸发的方法制备阴极，阴极的材质为Mg-Al，厚度为35nm，蒸发速度为1nm/s。
[0086] 本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、第一电子传输层、微腔效应破坏层、第二电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：
[0087] 玻璃基板/Pt/2-TNATA/MeO-TPD/ DCJTB:Alq3/BCP/Ni:BCP/ BCP/LiF/Mg-Al。
[0088] 对比实施例1
[0089] 为体现为本发明的创造性，本发明还设置了对比实施例，对比实施例1与实施例1的区别在于对比实施例1中没有微腔效应破坏层，电子传输层的材质为Bphen，具体结构为：玻璃基板/Ag/ZnPc/NPB/FIrpic:CBP/Bphen/LiF/Ag，分别对应玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
[0090] 对比实施例2
[0091] 对比实施例2与实施例2的区别在于对比实施例2中没有微腔效应破坏层，电子传输层的材质为TPBi，具体结构为：玻璃基板/Al/CuPc/TPD/Ir(MDQ)2(acac):NPB/TPBi/Ag:TPBi/TPBi/CsF/Al，分别对应玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
[0092] 对比实施例3
[0093] 对比实施例3与实施例3的区别在于对比实施例3中没有微腔效应破坏层，电子传输层的材质为Alq3，具体结构为：玻璃基板/Au/m-MTDATA/TCTA/Ir(ppy)3:TPBi/Alq3/NaF/Mg-Ag，分别对应玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
[0094] 对比实施例4
[0095] 对比实施例4与实施例4的区别在于对比实施例4中没有微腔效应破坏层，电子传输层的材质为BCP，具体结构为：玻璃基板/Pt/2-TNATA/MeO-TPD/DCJTB:Alq3/BCP/LiF/Mg-Al，分别对应玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
[0096] 效果实施例
[0097] 表1是实施例和对比实施例测试的光谱半峰宽数据。
[0098] 表1实施例1～4和对比实施例1～4测试的光谱半峰宽数据
[0099]峰值波长 半峰宽
实施例1 470nm 46nm
对比实施例1 468nm 30nm
实施例2 619nm 45nm
对比实施例2 612nm 26nm
实施例3 519nm 43nm
对比实施例3 515nm 30nm
实施例4 604nm 45nm
对比实施例4 598nm 31nm
实施例1 470nm 46nm
对比实施例1 468nm 30nm
实施例2 619nm 45nm
对比实施例2 612nm 26nm
实施例3 519nm 43nm
对比实施例3 515nm 30nm
实施例4 604nm 45nm
对比实施例4 598nm 31nm
[0100] 现有技术中，在顶发射的有机电致发光装置中，由于存在微腔效应，使得发光光谱变窄，因而发光光谱峰值波长的半峰宽数值会变小，从表1可以看出，本发明提供发明方案中，本发明实施例所测得的发光光谱的半峰宽与对比例的的相比，实施例1～4半峰宽明显宽于对比对比例1～4，说明本发明有效的减弱了器件的微腔效应。
[0101] 以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
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