氧化物燒結體、氧化物透明導電膜，以及這些物體之製造方法 OXIDE SINTERED BODY, OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
专利汇可以提供氧化物燒結體、氧化物透明導電膜，以及這些物體之製造方法 OXIDE SINTERED BODY, OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本發明提供一種 氧 化物燒結體，在以電子束蒸鍍法、離子電鍍(ion－plating)法、高 密度 電漿輔助蒸鍍法(plasma assist evaporation)等的 真空 蒸鍍 法製造氧化物透明導電膜時，即使投入大量的電子束，亦不發生破損或龜裂的現象。
該氧化物燒結體含有固熔(solid solution)的鎢的與銦氧化物(indium oxide)，鎢與銦之 原子 數比在0.001以上0.034以下之範圍，密度為4.0g/cm 3 以上6.5g/cm 3 以下。 An oxide－sintered body is provided in which breakage and cracking do not occur when using the oxide－sintered body to manufacture oxide－transparent－conductive film using a vacuum evaporation method such as electron－beam evaporation, ion－plating and high－density plasma assist evaporation, even when irradiated with a high intensity electron beam.
The oxide－sintered body contains indium oxide in which tungsten is contained in solid solution so that the tungsten is contained at an atomic ratio with respect to indium of 0.001 to 0.034, with a density of 4.0 g/cm 3 to 6.5 g/cm 3 . 【創作特點】 本發明係有鑑於相關的問題後而成者，其目的為提供一種氧化物燒結體，係在藉由電子束蒸鍍法、離子電鍍法、高密度電漿輔助蒸鍍法等的 真空蒸鍍 法而製造氧化物透明導電膜時，即使投入大量的電子束也可提供不發生破裂或裂縫的。
與本發明有關的氧化物燒結體之第一種型態的特徵為：含有鎢經固熔之銦氧化物，鎢之含量對銦的原子數比在0.001以上0.034以下，密度為4.0g/cm 3 以上6.5g/cm 3 以下。
與本發明有關的氧化物燒結體之第二種型態的特徵為：含有鎢與鋅經固熔之銦氧化物，鎢之含量對銦的原子數比在0.001以上0.034以下，鋅之含量對銦的原子數比在0.00018以上0.017以下，密度為4.0g/cm 3 以上6.5g/cm 3 以下。
前述的氧化物燒結體，以不含金屬相者為佳。
前述氧化物燒結體的結晶粒徑之平均值以10 μ m以下者為佳，而且前述氧化物燒結體的比電阻以1k Ω cm以下者為佳。
與本發明有關的氧化物燒結體之製造方法的第一種型態，其特徵為包括：步驟1：調合氧化銦粉末與氧化鎢粉末，使鎢對銦的原子數比在0.001以上0.034以下，並使之混合；步驟2：將步驟1所得的混合物置於700℃以上900℃以下的溫度與2.45MPa以上29.4Mpa以下的壓 力 下，經1小時以上未滿3小時的熱壓後，得到氧化物燒結體。
與本發明有關的氧化物燒結體之製造方法的第二種型態，其特徵為包括：步驟1：調合氧化銦粉末、氧化鎢粉末及氧化鋅粉末，使鎢對銦的原子數比在0.001以上0.034以下，鋅對銦的原子數比在0.00018以上0.017以下，並使之混合；步驟2：將步驟1所得的混合物置於700℃以上900℃以下的溫度與2.45MPa以上29.40Mpa以下的壓力下，經1小時以上未滿3小時的熱壓後，得到氧化物燒結體。
與本發明有關的氧化物燒結體之製造方法的第三種型態，其特徵為包括：步驟1：調合氧化銦粉末與氧化鎢粉末，使鎢對銦的原子數比在0.001以上0.034以下，並使之混合；步驟2：將步驟1所得的混合物置於壓力為9.8MPa以上294MPa以下的冷等靜壓壓制成形為成形體；以及，步驟3：將步驟2所得的成形體於常壓與1,300℃以上的溫度下，經5小時以上的燒結而得氧化物燒結體。
與本發明有關的氧化物燒結體之製造方法的第四種型態，其特徵為包括：步驟1：調合氧化銦粉末、氧化鎢粉末與氧化鋅粉末，使鎢對銦的原子數比在0.001以上0.034以下，鋅對銦的原子數比在0.00018以上0.017以下，並使之混合；步驟2：將步驟1所得的混合物置於壓力在9.8MPa以上294MPa以下的冷等靜壓壓制成形為成形體；以及，步驟3：將步驟2所得的成形體於常壓與1,000℃以上1,300℃以下的溫度中，經1小時以上5小時以下的燒結，而得氧化物燒結體。
前述燒結步驟是在燒結爐中導入氧氣的環境中進行，而該氧氣的導入量是以爐內容積每0.1m 3 時為3至8L/min之比例為佳。而且，在燒結步驟後進行冷爐時，宜停止導入氧氣。
與本發明有關的氧化物透明導電膜，係使用上述的任一種氧化物燒結體之錠並以真空蒸鍍法製作成的氧化物透明導電膜，其特徵為：具有9×10 － 4 Ω cm以下的比電阻，對應波長400至800nm的光時膜本身之穿透率在82%以上。
對於前述氧化物透明導電膜，其對應波長900至1,100nm的光時，膜本身之穿透率以80%以上為佳。
與本發明有關的氧化物透明導電膜之製造方法，係使用前述氧化物燒結體之錠，並於130℃以下的 基板 上以真空蒸鍍法製作成膜後，所製成的膜在惰性氣體中或真空中進行200至400℃的熱處理。
尚且，與本發明有關的氧化物燒結體及使用該燒結體而製成的氧化物透明導電膜，其特徵係：主要是由銦及鎢的氧化物，或銦、鎢及鋅的氧化物所形成，而在不損及本發明的特徵之範圍內，也容許含有選自Sn、Ga、Cd、Ti、Ir、Ru、Re及Os中一種以上的他種元素，含有這些元素的氧化物燒結體及氧化物透明導電膜，亦為包含於本發明之範圍內者。
由本發明有關的氧化物燒結體所成的錠，如使用為電子束蒸鍍法、離子電鍍法、高密度電漿輔助蒸鍍法等的真空蒸鍍法中之蒸鍍源，即使投入大量的電子束也不會使氧化物燒結體破損或龜裂，故成膜不會中斷而可穩定的成膜。
本發明的氧化物燒結體之錠，經由使用各種的真空蒸鍍法，而可使：低電阻、且從可見光域到近紅外線光域的穿透率大，適用於太陽能電池上的氧化物透明導電膜、或低電阻、且表面平滑性優異，可適用於顯示元件上的氧化物透明導電膜，以高速且穩定地成膜，並可提高其生產性。所以，經由使用本發明的氧化物燒結體，而可以低成本製作出高效率的太陽能電池或性能優異的有機EL或LCD。，下面是氧化物燒結體、氧化物透明導電膜，以及這些物體之製造方法 OXIDE SINTERED BODY, OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF专利的具体信息内容。
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