【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、書込用の薄膜磁気ヘッドと、磁気抵抗効果型の読取用薄膜磁気ヘッドとを基体上に積層した複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関するものであり、特に書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドと読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドとを積層した複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴い、薄膜磁気ヘッドについてもその性能向上が求められている。 薄膜磁気ヘッドは、書き込みを目的とする記録ヘッドと読み出しを目的とする再生ヘッドを積層した構造になっているが、再生ヘッドの性能向上に関しては、磁気抵抗素子が広く用いられている。 このような磁気抵抗素子としては、通常の異方性磁気抵抗（Ａ
ＭＲ：Anisotropic Magneto Resistive)効果を用いたものが従来一般に使用されてきたが、これよりも抵抗変化率が数倍も大きな巨大磁気抵抗（ＧＭＲ：Giant Magnet
o Resistive)効果を用いたものも開発されている。 本明細書では、これらＡＭＲ素子およびＧＭＲ素子を総称して磁気抵抗再生素子またはＭＲ再生素子と称することにする。

【０００３】ＡＭＲ素子を使用することにより、数ギガビット／インチ²の面記録密度を実現することができ、
またＧＭＲ素子を使用することにより、さらに面記録密度を上げることができる。 このように面記録密度を高くすることによって、10Ｇバイト以上の大容量のハードディスク装置の実現が可能となってきている。 このような磁気抵抗再生素子よりなる再生ヘッドの性能を決定する要因の一つとして、磁気抵抗再生素子の高さ( ＭＲ Hei
ght ：ＭＲハイト) がある。 このＭＲハイトは、端面がエアベアリング面に露出する磁気抵抗再生素子の、エアベアリング面から測った距離であり、薄膜磁気ヘッドの製造過程においては、エアベアリング面を研磨して形成する際の研磨量を制御することによって所望のＭＲハイトを得るようにしている。

【０００４】一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記録ヘッドの性能向上も求められている。 面記録密度を上げるには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必要がある。 このためには、エアベアリング面におけるライトギャップ（write gap)の幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭くする必要があり、これを達成するために半導体加工技術が利用されている。

【０００５】書込用薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因の一つとして、スロートハイト（Throat Height : T
H) がある。 このスロートハイトは、エアベアリング面から薄膜コイルを電気的に分離する絶縁層のエッジまでの磁極部分の距離であり、この距離をできるだけ短くすることが望まれている。 このスロートハイトの縮小化もまた、エアベアリング面からの研磨量で決定される。 したがって、薄膜磁気記録・再生複合ヘッドの性能を向上させるためには、記録ヘッドの特性のみを改善したり、
再生ヘッドの特性のみを改善するよりも、これら記録ヘッドおよび再生ヘッドの特性をバランスさせることがきわめて重要である。

【０００６】図１〜12は従来の標準的な薄膜磁気ヘッドの製造方法における順次の工程および完成した従来の薄膜磁気ヘッドを示すものであり、この薄膜磁気ヘッドは誘導型の書込用薄膜磁気ヘッドおよび読取用のMR再生素子とを積層した複合型のものである。 先ず、図１に示すように、例えばアルティック(AlTiC) より成る基板１１
上にアルミナ絶縁層１２を約５〜１０μm の厚さに堆積する。 次に、図２に示すように、読取用ヘッドのＭＲ素子を外部磁界の影響から保護する磁気シールドを構成する下部シールド磁性層１３を３μm の膜厚で形成した後、図３に示すようにアルミナを１００〜１５０ｎｍの膜厚にスパッタ堆積させて絶縁層１４を形成する。

【０００７】図３に示すように、この絶縁層１４の上に
MR再生素子を構成するための磁気抵抗効果を有する材料より成る磁気抵抗層１５を数十nmの膜厚に形成し、高精度のマスクアライメントで所望の形状とする。 次に、図４に示すように、アルミナ絶縁膜１４と同様のアルミナ絶縁層１６を１００〜１５０ｎｍの膜厚で形成し、さらにその上にパーマロイより成る磁性層１７を３〜４μm
の膜厚に形成した様子を図５に示す。 この磁性層１７は上述した下部シールド磁性層１３とともにMR再生素子を磁気遮蔽する上部シールド磁性層の機能を有するとともに書込用薄膜磁気ヘッドの下部磁性層としての機能をも有するものである。 ここでは説明の便宜上この磁性層１
７を書込用磁気ヘッドを構成する一方の磁性層であることに注目して第１の磁性層と称することにする。 次に、
図６に示すように、第１の磁性層１７の上に非磁性材料、例えばアルミナより成るギャップ層１８を１５０〜
３００ｎｍの膜厚に形成し、さらにこのギャップ層の上に電気絶縁性のフォトレジスト層１９を高精度のマスクアライメントで所定のパターンに形成し、さらにこのフォトレジスト層の上に、例えば銅より成る第１層目の薄膜コイル２０を形成する。

【０００８】次に、図７に示すように、第１層目の薄膜コイル２０の上に、高精度のマスクアライメントを行って絶縁性のフォトレジスト層２１を形成した後、その上面を平坦とするために、例えば２５０°Ｃでベークする。 さらに、このフォトレジスト層２１の平坦とした表面の上に第２層目の薄膜コイル２２を形成し、この第２
層目の薄膜コイルの上に高精度マスクアライメントでフォトレジスト層２３を形成した後、再度薄膜コイル２２
の上の表面を平坦とするために、例えば２５０°Ｃでベークした状態を図８に示す。 上述したように、フォトレジスト層１９，２１および２３を高精度のマスクアライメントで形成する理由は、後述するようにフォトレジスト層のエッジを位置の基準としてスロートハイトＴＨや
MRハイトを規定しているためである。

【０００９】次に、図９に示すように、ギャップ層１８
およびフォトレジスト層１９, ２１および２３の上に、
例えばパーマロイより成る第２の磁性層２４を３〜４μ
m の膜厚で所望のパターンにしたがって選択的に形成する。 この第２の磁性層２４は磁気抵抗層１５を形成した側から離れた位置において第１の磁性層１７と接触し、
第１および第２の磁性層によって構成される閉磁路を薄膜コイル２０, ２２が通り抜けるようにしている。 この第２の磁性層２４はトラック幅を規定する所望の形状およびサイズの磁極部分を有している。 さらに、第２の磁性層２４およびギャップ層１８の露出表面の上にアルミナより成るオーバーコート層２５を堆積する。

【００１０】最後に、磁気抵抗層１５を形成した側面２
６を研磨して磁気記録媒体と対向するエアベアリング面
(Air Bearing Surface:ABS) ２７を形成した様子を図１
０に示す。 このエアベアリング面２７の形成過程において磁気抵抗層１５も研磨され、MR再生素子２８が得られる。 このようにして上述したスロートハイトＴＨおよびＭＲハイトが決定される。

【００１１】図１０、１１および１２は、上述したようにして製造された従来の複合型薄膜磁気ヘッドを、オーバーコート層２５を省いて示すそれぞれ断面図、正面図および平面図である。 なお、図１１においては、ＭＲ再生素子２８に対する電気的な接続を行なうための導電層２９，３０がアルミナ絶縁層１４および１６の間に介挿されている。 また、図１２に示す平面図においては、図面を簡単とするために薄膜コイル２２を同心状に示した。 図１０に明瞭に示すように、薄膜コイル２０, ２２
を絶縁分離するフォトレジスト層１９, ２１, ２３の側面の角部を結ぶ線分Ｓと第２の磁性層２４の上面との成す角度(Apex Angle:アペックスアングル)θも上述したスロートハイトＴＨおよびＭＲハイトとともに薄膜磁気ヘッドの性能を決定する重要なファクタとなっている。
また、図１２の平面図に示すように、第２の磁性層２４
の磁極部分２４ａの幅Ｗは狭くなっており、この幅によって磁気記録媒体に記録されるトラックの幅が規定されるので、高い面記録密度を実現するためには、この幅Ｗ
をできるだけ狭くする必要がある。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】上述した複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、きわめて高い面記録密度を実現するために上述したＭＲ膜１５としてスピンバルブＧＭＲ
膜、超格子ＧＭＲ膜或いはグラニュラＧＭＲ膜を用いることが提案されている。 また、その再生感度を向上するために、ＭＲハイトを小さくするようにしている。 一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、再生時の自己発熱による再生特性の劣化であるサーマルアスピリティが問題となってくる。 このサーマルアスピリティの問題を解決する方法として、従来は冷却効率の高い材料で下部シールド磁性層１３やシールドギャップ層１４，１６を形成することが提案されている。 このために、下部シールド磁性層１３としてパーマロイやセンダストなどの磁性材料が用いられ、シールドギャップ層１４，１６としてはアルミナ絶縁層が用いられている。 このシールドギャップ層１４，１６は、一般にアルミナを１００〜１５０
ｎｍの膜厚でスパッタリングして形成している。

【００１３】しかしながら、上述したようにサーマルアスピリティの問題を克服するためには、シールドギャップ層１４，１６の膜厚を、例えば５０〜１００ｎｍ程度ときわめて薄くする必要がある。 このようにシールドギャップ層１４，１６を薄くすると、ピンホールやパーティクルなどの微小な欠陥によってＭＲ素子２８と下部シールド層１３および上部シールド層１７との間の電気的絶縁特性や磁気的遮蔽特性が劣化するとともに、導電層２９，３０と下部シールド層１３および上部シールド層１７との間に電気的な絶縁不良が発生する欠点がある。

【００１４】一方、特開平６−３３４２３７号公報には、ＭＲ素子に接続された導電層と、シールド層との間の絶縁不良を解消するために、下部シールド層上に形成されたシールドギャップ層のＭＲ素子を形成した部分以外の部分の膜厚を薄くし、この膜厚を薄くした部分にバックフィル絶縁層を埋設し、このバックフィル絶縁層の上にＭＲ素子に接続された導電層を形成したものが開示されている。 このような構造によれば、導電層と下部シールド層との間の絶縁不良を解消することができる。 しかしながら、このような構造では、ＭＲ素子直下のシールドギャップ層の膜厚は非常に厚くなり、上述したサーマルアスピリティの問題が生じ、再生特性の劣化が生じる欠点がある。

【００１５】また、特開平９−９１６３２号公報には、
複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドから読み取り用のＭＲヘッドの下部シールド層への磁束の漏れを防止するために、ＭＲ素子直下にのみ下部シールド層を形成し、それ以外の部分を絶縁層で埋めた構造が開示されている。 このような構造によれば、ＭＲ素子に接続された導電層と下部シールド層との間には絶縁層が介在するので、下部シールドギャップ層の膜厚を薄くしても導電層と下部シールド層との間に絶縁不良が発生する恐れはない。 しかしながら、下部シールド層がＭＲ素子の直下にしか存在していないので、磁気的遮蔽効果が悪く、外部磁界によってＭＲ素子が大きく影響され、再生特性の劣化が生じる欠点がある。 また、この文献には、シールドギャップ層を薄くするという発想もない。

【００１６】本発明の目的は、上述した従来の欠点を除去し、サーマルアスピリティの問題を解決するために、
シールドギャップ層の膜厚を薄くすることができるにも拘らず、ＭＲ素子とシールド層との間の電気的絶縁特性および磁気的遮蔽特性を良好とすることができる複合型薄膜磁気ヘッドを提供しようとするものである。

【００１７】さらに、本発明は上述した複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法にも関するもので、上述したように、
シールドギャップ層の膜厚を薄くするにも拘らず、ＭＲ
素子とシールド層との間の電気的絶縁特性および磁気的遮蔽特性を良好とすることができる複合型薄膜磁気ヘッドを容易かつ正確に形成することができる方法を提供しようとするものである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明は、基体と、この基体によって支持されるように積層形成された書き込み用の薄膜磁気ヘッドおよび読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを具えた複合型薄膜磁気ヘッドであって、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドが、第１の膜厚を有する第１の磁気シールド層と、この第１の磁気シールド層の表面の一部分に、前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有するように設けられた第２の磁気シールド層と、前記第１の磁気シールド層の表面の、前記第２の磁気シールド層が存在していない部分に設けられた絶縁層と、前記第２磁気シールド層および絶縁層の表面に設けられた第１のシールドギャップ層と、この第１のシールドギャップ層の表面に、前記第２の磁気シールド層と重なるように配設された磁気抵抗素子と、この磁気抵抗素子と接続されるように前記第１のシールドギャップ層の表面に設けられた導電層と、前記第１のシールドギャップ層、磁気抵抗素子および導電層を覆うように配設された第２のシールドギャップ層と、この第２のシールドギャップ層を覆うように配設された第３の磁気シールド層と、を具えることを特徴とするものである。

【００１９】本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの好適な実施例においては、前記第２の磁気シールド層の表面と、前記絶縁層の表面とを同一平面とする。 このように第２の磁気シールド層と絶縁層の表面とを同一平面とすると、その上に配設される第１のシールドギャップ層も平坦なものとなり、したがってピンホールなどの欠陥が発生する可能性が小さくなり、サーマルアスピリティの問題を解決するために第１のシールドギャップ層の膜厚を薄くしても、電気的な絶縁不良が発生する可能性が小さくなる。 さらに、本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの他の好適な実施例においては、前記第１の磁気シールド層を基体表面に設け、前記第２のシールドギャップ層の上に絶縁層を介して誘導型薄膜磁気ヘッドの一方の磁極を構成するとともに磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの前記第３の磁気シールド層を構成する磁性層を配設する。 このように構成することによって、基体の上に読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを設け、さらにその上に書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドを積層したノーマルタイプの複合型薄膜磁気ヘッドを得ることができる。

【００２０】さらに、本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの好適な実施例においては、前記第２のシールドギャップ層と前記第３の磁気シールド層との間の、前記磁気抵抗素子が形成されていない部分に第２の絶縁層を配設する。 このような第２の絶縁層を設けることによって、
導電層と第３の磁気シールド層との間の絶縁不良を有効に抑止することができる。 合型薄膜磁気ヘッド。 また、
本発明による複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、前記第１および第２のシールドギャップ層の膜厚を５０〜７０
ｎｍとするのが好適である。 これらのシールドギャップ層の膜厚は薄ければ薄い程、サーマルアスピリティの点では有利であるが、現在シールドギャップ層として一般に使用されているアルミナの特性を考慮すると、膜厚を５０ｎｍよりも薄くすると、ピンホールが多くなり、たとえ絶縁層を設けても良好な電気絶縁特性が得られにくくなるためである。 また、７０ｎｍよりも厚くすると、
放熱特性の改善効果が小さく、サーマルアスピリティの問題を解決する上で余り有効ではない。 さらに、前記第１の磁気シールド層の第１の膜厚は７０〜１５０ｎｍ、
前記第２の磁気シールド層の第２の膜厚は２〜３μm とするのが好適である。 このような範囲を膜厚を選択することによって、放熱特性が向上し、サーマルアスピリティの問題を有効に解決することができるとともにＭＲ素子に対する十分な磁気遮蔽効果が得られ、しかも導電層と第１および第２の磁気シールド層との間の電気的な絶縁不良を良好に抑止することができる。

【００２１】本発明はさらに、基体の上に磁気抵抗効果型の読取用薄膜磁気ヘッドと、書込用薄膜磁気ヘッドとを順次に積層した複合型薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、基体表面に第１の磁気シールド層を所定のパターンにしたがって形成する工程と、この第１の磁気シールド層の表面の、少なくとも後に磁気抵抗素子を形成すべき部分を含む一部分に、前記第１の磁気シールド層よりも厚い第２磁気シールド層を選択的に形成する工程と、前記第１の磁気シールド層の表面に前記第２の磁気シールド層の膜厚にほぼ等しい膜厚の第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の磁気シールド層および第１の絶縁層の表面に第１のシールドギャップ層を形成する工程と、この第１のシールドギャップ層の表面の、前記第２の磁気シールド層と重なる部分に磁気抵抗層を選択的に形成する工程と、前記第１のシールドギャップ層の表面に、前記磁気抵抗層と接続された導電層を形成する工程と、前記第１のシールドギャップ層の露出表面、磁気抵抗層および導電層の表面に第２のシールドギャップ層を形成する工程と、この第２のシールドギャップ層の、
前記磁気抵抗層を除く部分に、第２のシールドギャップ層の膜厚よりも厚い第２の絶縁層を形成する工程と、前記第２のシールドギャップ層の露出表面および前記第２
の絶縁層の表面に前記書き込み用の薄膜磁気ヘッドを形成する工程と、を具えることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ものである。

【００２２】このような本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、前記第１の磁気シールド層の表面に絶縁膜を、第２のシールドギャップ層の膜厚よりも厚い絶縁層を、第１の磁気シールド層および第２の磁気シールド層を覆うように形成する工程と、この絶縁層を、前記第２の磁気シールド層の表面が露出するまで研磨する工程とを経て形成するのが好適である。 また、
この場合、絶縁層の研磨は化学─機械的研磨で行なうのが特に好適である。 このように、絶縁層を第２の磁気シールド層の表面が露出するまで研磨することによって絶縁層と第２の磁気シールド層の表面とを同一平面とすることができる。 したがって、このような平坦な表面に第１のシールドギャップ層を形成することができるので、
膜厚が薄いにも拘らず良好な電気的および磁気的特性を有するものを容易に形成することができる。

【００２３】さらに、前記第１および第２の磁気シールド層は種々の方法で形成することができるが、第１の磁気シールド層を全面スパッタ法により形成した後、前記第２の磁気シールド層を、その上に選択的メッキ法により形成のが好適である。 また、前記第１および第２のシールドギャップ層を、５０〜７０ｎｍの膜厚に形成するのが好適である。 この場合、前記第１の磁気シールド層を７０〜１５０ｎｍの膜厚に形成し、前記第２の磁気シールド層を２〜３μm の膜厚に形成するのが好適である。 このような膜厚を選択することにより、サーマルアスピリティの問題を有効に解決することができるとともに電気的絶縁特性および磁気的遮蔽特性の良好な複合型薄膜磁気ヘッドを形成することができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】図１３〜２１は、本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの一実施例を製造する順次の工程を示すものである。 本実施例においては、基体側から読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドおよび書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドをこの順序に積層したノーマルタイプの複合型薄膜磁気ヘッドとする。 なお、これらの図面において、左側は縦断面を示し、右側はエアベアリング面近傍の横断面を示すものである。 先ず、図１３
に示すように、アルティック(AlTiC) より成る基板３１
上にアルミナ絶縁層３２を約５〜１０μm の厚さに堆積する。 次に、図１４に示すように、読取用ヘッドのＭＲ
素子を外部磁界の影響から保護する下部磁気シールドを構成する第１の磁気シールド層３３および第２の磁気シールド層３４とを形成する。 第１の磁気シールド層３３
としては、パーマロイを約７０〜１５０ｎｍ、本例では約１００ｎｍの膜厚に全面スパッタ法によって形成する。 その後、第２の磁気シールド層３４を、第１の磁気シールド層の、後にＭＲ素子が形成される部分の上にパーマロイを約２〜３μm 、本例では約３μm の膜厚に電気メッキ法により選択的に堆積して形成する。 本発明においては、このように膜厚の薄い第１の磁気シールド層３３を全面に形成し、この第１の磁気シールド層よりも膜厚の厚い第２の磁気シールド層３４を、少なくとも後にＭＲ素子に対する導電層が形成される部分を除いた部分に形成するが、本例ではＭＲ素子が形成される部分にのみ形成する。

【００２５】次に、図１５に示すように、第２の磁気シールド層３４の膜厚よりも厚い約３〜４μm 、本例では約４μm の膜厚を有するアルミナ絶縁層３５をスパッタ堆積させる。 次に、化学−機械的研磨（ＣＭＰ）によって第２の磁気シールド層３４の表面が露出するまで研磨した状態を図１６に示す。 このような研磨を行なうことにより、第２の磁気シールド層３４と絶縁層３５とを同一平面とすることができる。

【００２６】次に、図１７に示すように、上述したように同一平面とした第２の磁気シールド層３４および絶縁層３５の表面にアルミナより成る第１のシールドギャップ層３６を、約５０〜７０ｎｍの膜厚、本例では約６０
ｎｍの膜厚に形成し、この第１のシールドギャップ層３
６の上にＧＭＲ再生素子を形成する。 図１８は、このＧ
ＭＲ素子の詳細な構造を示すものであり、第１のシールドギャップ層３６の上に、ＧＭＲ素子を構成するための磁気抵抗効果を有する材料より成るＧＭＲ層３７を数十
nmの膜厚に形成し、高精度のマスクアライメントで所望の形状とした後、第１のシールドギャップ層３６の上にＧＭＲ層３７と接するように硬質磁性膜３８，３９を形成し、さらにその上にＧＭＲ素子に対する電気的接続を行なうための導電層４０および４１を所定のパターンにしたがって形成し、さらにその上にアルミナより成る第２のシールドギャップ層４２を、約５０〜７０ｎｍの膜厚、本例では約６０ｎｍの膜厚に形成し、さらにこの第２のシールドギャップ層４２の上の、ＧＭＲ層３７が形成されていない部分に、０．３〜０．５μm の膜厚のアルミナ絶縁層４３を形成する。 図１７では、図面を明瞭とするために、硬質磁性層３８，３９、導電層４０，４
１、アルミナ絶縁層４３は省略してある。

【００２７】以後は、図５〜９に示した従来の工程と同様の工程を行って図１９に示すように、第２のシールドギャップ層４２およびアルミナ絶縁層４３の上に第１の磁性層４４を所定のパターンにしたがって形成する。 この場合、第１の磁性層４４の表面には、ＧＭＲ層３７に対応する部分に凹部が形成されるが、表面を研磨して平坦とする。 この平坦な第１の磁性層４４の上にライトギャップ層４５を形成し、その上に絶縁層４６によって絶縁分離された状態で薄膜コイル４７を形成し、さらにその上に第２の磁性層４８を形成し、最後にオーバーコート層４９を形成して書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドを製造する。 実際の製造においては、ウエファを切断して得られるバーの側面を研磨してエアベアリング面を形成するが、ここでは省略する。 また、誘導型薄膜磁気ヘッドを製造する工程、各部の材質および寸法は従来のものと同様であるので、詳細な説明は省略する。 また、第１の磁性層４４の表面にはトリム構造が形成されているが、これは、第２の磁性層４８を形成した後、それをマスクとして第１の磁性層４４の表面をエッチングすることによって形成することができる。 このエッチングは、
イオンビームエッチングやリアクティブイオンエッチングで行なうことができる。

【００２８】図２０は、上述した複合型薄膜磁気ヘッドの構造をオーバーコート層４９を除去して示す線図的な平面図であり、図２１は一部分を切り欠いて示す斜視図である。 なお、図２０において、一点鎖線は薄膜コイル４７を支持する絶縁層４６の輪郭を示すものである。 また、図２１には、硬質磁性層３８，３９の段差を埋めるように第１のシールドギャップ層３６の上に形成された絶縁層５０も示してある。 ＧＭＲ層３７の抵抗変化を高感度で検出するためには、これを検出回路に接続するための導電層４０，４１の電気抵抗は低いほど良いため配線パターンを広くして大きな面積を有するように形成されている。 これら大面積の導電層４０，４１と第１の磁気シールド層３３との間には、膜厚の厚い絶縁層３５が存在しているので、第１のシールドギャップ層３６の膜厚を薄くしてもこれらの導電層と第１の磁気シールド層との間で絶縁不良が起こる恐れはない。 さらに、導電層４０，４１と、第１の磁性層４４との間には膜厚の薄い第２のシールドギャップ層４２の他に膜厚の厚いアルミナ絶縁層４３が介在しているので、これらの間でも絶縁不良が起こる恐れはない。 また、このように第１および第２のシールドギャップ層３６および４２の膜厚を薄くすることができるので、サーマルアスピリティの問題を有効に解決することができる。 さらに、ＭＲ素子の直下には膜厚の厚い第２の磁気シールド層３４が存在しているとともにそれ以外の部分にも膜厚は薄いが高飽和磁束密度の磁性材料より成る第１の磁気シールド層３３が存在しているので、ＭＲ素子に対する磁気シールドは十分良好に行われ、外部磁界による影響を有効に抑止することができる。

【００２９】図２２および２３は本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第２の実施例を示す断面図および線図的平面図である。 上述した第１の実施例においては、第２
の磁気シールド層３４をＭＲ素子の直下にのみ形成したが、本例ではいさらに広い範囲に亘って配設したものである。 すなわち、図２３に示すように、ＧＭＲ層３７と重なる部分を越えて延在しているが、導電層４０，４１
と重なる部分の面積はできるだけ小さくなるような形状としている。 なお、本例において、前例と同じ部分には前例と同じ符号を付けて示し、その説明は省略する。

【００３０】本発明は上述した実施例にのみ限定されるものではなく、幾多の変更や変形が可能である。 例えば、上述した実施例では、第１および第２のシールドギャップ層３３および３４をパーマロイとしてNiFe (Ni:8
0%, Fe:20%) のものを用いたが、NiFe (Ni:50%, Fe:50
%) のパーマロイ、窒化鉄(FeN) 、Fe-Co-Zrのアモルファスなどの高い飽和磁束密度を有する磁性材料で形成することもできる。 また、これらの磁性材料層を複数積層したり、その間にアルミナなどの非磁性層を介在させたものとすることもできる。

【００３１】上述した実施例では、ＭＲ素子をＧＭＲ素子としたが、ＡＭＲ素子とすることもできる。 また、上述した実施例では、第１の磁気シールド層３３と第１のシールドギャップ層３６との間の絶縁層３５や第２のシールドギャップ層４２の上に形成した絶縁層４３やＧＭ
Ｒ層３７の両側に形成した絶縁層５０をアルミナを以て形成したが、酸化シリコンや窒化シリコンなどの他の絶縁材料で形成することもできる。

【００３２】また、上述した実施例では、第１の磁気シールド層３３を全面スパッタ法で形成し、第２の磁気シールド層３４を選択的な電気メッキ法で形成したが、全体に膜厚の厚い磁性材料層をスパッタ法で形成した後、
選択的エッチングによって第２の磁気シールド層を構成する部分以外を部分的に除去して第１および第２の磁気シールド層を形成することもできる。

【００３３】さらに、上述した実施例では、書き込み用の薄膜磁気ヘッドを誘導型薄膜磁気ヘッドとしたが、他の型式の薄膜磁気ヘッドとすることもできる。 また、基体の上に読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドと書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドとを順次に積層した、いわゆるノーマル型の複合型薄膜磁気ヘッドとしたが、これらのヘッドの積層順序を逆としたリバース型の複合型薄膜磁気ヘッドとすることもできる。 勿論、この場合には図１８に示す構造の上下を反転した構造とする。

【００３４】

【発明の効果】上述した本発明による複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、サーマルアスピリティの問題を解決するために、第１の磁気シールド層３３の膜厚を、例えば７０〜１５０ｎｍときわめて薄くするとともに、第１および第２のシールドギャップ層３６および４２の膜厚を、例えば約５０〜７０ｎｍときわめて薄く形成しているが、大きな面積を有する導電層４０，４１と第１の磁気シールド層３３との間には、膜厚が、例えば２〜３μ
m の厚い絶縁層３５が存在しているので、これらの導電層と第１の磁気シールド層との間で絶縁不良が起こる恐れはないとともに導電層４０，４１と第１の磁性層４４
との間にも膜厚が、例えば０．３〜０．５μm の厚い絶縁層４３が介在しているので、これらの間で絶縁不良が起こる恐れもない。

【００３５】さらに、ＭＲ素子の直下或いはその近傍には膜厚が、例えば２〜３μm と厚い第２の磁気シールド層３４が存在しているとともにそれ以外の部分にも第２
の磁気シールド層ほど膜厚が厚くないが第１の磁気シールド層３３が存在しているので、ＭＲ素子は外部磁界に対して良好に磁気シールドされ、ＭＲ素子の再生特性を良好とすることができる。

【００３６】また、本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、上述したように優れた特性を有する複合型薄膜磁気ヘッドを容易かつ正確に形成することができる。 特に、第２の磁気シールド層３４を形成した後、第１の磁気シールド層３３および第２の磁気シールド層３４を覆うように絶縁層３５を形成し、この絶縁層を研磨して第２の磁気シールド層３４の表面を露出させることにより、第２の磁気シールド層３４および絶縁層３５の表面を同一平面とすることができ、この平面の上に第１のシールドギャップ層３６を形成するようにしたので、第１のシールドギャップ層３６の膜厚を、例えば５０〜７０ｎｍときわめて薄くしても良好な膜質を有する第１のシールドギャップ層を容易に形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、従来の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の最初の工程を示す断面図である。

【図２】図２は、同じくその次の工程を示す断面図である。

【図３】図３は、同じくその次の工程を示す断面図である。

【図４】図４は、同じくその次の工程を示す断面図である。

【図５】図５は、同じくその次の工程を示す断面図である。

【図６】図６は、同じくその次の工程を示す断面図である。

【図７】図７は、同じくその次の工程を示す断面図である。

【図８】図８は、同じくその次の工程を示す断面図である。

【図９】図９は、同じくその次の工程を示す断面図である。

【図１０】図１０は、同じくその次の工程を示す断面図である。

【図１１】図１１は、同じくその正面図である。

【図１２】図１２は、同じくその平面図である。

【図１３】図１３は、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の最初の工程を示す断面図である。

【図１４】図１４は、同じくその次の工程を示す断面図である。

【図１５】図１５は、同じくその次の工程を示す断面図である。

【図１６】図１６は、同じくその次の工程を示す断面図である。

【図１７】図１７は、同じくその次の工程を示す断面図である。

【図１８】図１８はそのときの磁極部分の構造を詳細に示す断面図である。

【図１９】図１９は、同じくその次の工程を示す断面図である。

【図２０】図２０は、同じくその平面図である。

【図２１】図２１は、同じくその一部を切り欠いて示す斜視図である。

【図２２】図２２は、本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第２の実施例の構成を示す断面図である。

【図２３】図２３は、同じくその線図的な平面図である。

【符号の説明】

３１ 基板、 ３２ アルミナ絶縁層、 ３３ 第１の磁気シールド層、 ３４第２の磁気シールド層、 ３５
絶縁層、 ３６ 第１のシールドギャップ層、 ３７
磁気抵抗層、 ３８，３９ 硬質磁性層、 ４０，４
１ 導電層、４２ 第２のシールドギャップ層、 ４３
絶縁層、 ４４ 第１の磁性層、４５ ギャップ層、
４６ 絶縁層、 ４７ 薄膜コイル、 ４８ 第２の磁性層、 ４９ オーバーコート層、 ５０ 絶縁層