专利汇可以提供双门控雪崩光电二极管单光子探测方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及保密通讯类,具体的讲是涉及一种反向 电压 门 与探测门分离的双门控 雪 崩光电 二极管 单 光子 探测方法,该方法通过使用较宽的门 偏压 ,使得门偏压前、后沿的微分 信号 和雪崩信号分离,即雪崩信号远离尖峰,因而在单光子探测时信号很容易被捕获,其优点是,门偏压与光子信号不重叠,雪崩信号远离门偏压前、后沿的尖峰,很容易捕获信号,对环境变化不敏感,工作稳定,成本低,对于光子到达时间有微小变化的情况下,只需扫描探测门,而无须改变APD脉冲偏压的工作 频率 ,大大改善了工作 稳定性 。,下面是双门控雪崩光电二极管单光子探测方法专利的具体信息内容。
1、一种双门控雪崩光电二极管单光子探测方法,其特征在于该方法是首先 将一个直流高电压源通过一个与雪崩光电二极管APD串联的限流电阻为 APD提供一个稳定的偏置电压,该电压略低于雪崩点电压,当光子到来 时,脉冲电源通过一个耦合电容将一个足够宽的脉冲电压,加载到雪崩 光电二极管的阴极,并与原偏置电压发生叠加,使得在脉冲电压有效期 间偏置电压大于雪崩点电压(即处于革盖状态),雪崩二极管开启工作, 形成门控偏压gate1,门控偏压gate1的前、后沿将在输出信号中引起 一正一负的尖峰信号,而正负尖峰信号之间的平缓区域就是可用于捕捉 光子雪崩信号的时间段,在这一区域内再通过一个很窄的取样探测门 gate2将光子信号取出。
2、根据权利要求1所述的一种双门控雪崩光电二极管单光子探测方法,其 特征在于所述的门控偏压gate1宽于探测门gate2。
3、根据权利要求1所述的一种双门控雪崩光电二极管单光子探测方法,其 特征在于所述的足够宽的脉冲电压指的是能够保证该偏压脉冲前沿即 上升沿和后沿即下降沿所对应的尖峰与光子信号即雪崩信号在时间上 有效分离,以便能够通过一个独立的探测门将光子信号即雪崩信号取 出。
4、根据权利要求1所述的一种双门控雪崩光电二极管单光子探测方法,其 特征在于所述的足够宽的脉冲电压指的是脉冲宽度的典型值为:50-200 纳秒、5.000±0.005V的脉冲电压。
5、根据权利要求1所述的一种双门控雪崩光电二极管单光子探测方法,其 特征在于所述的探测门gate2在门控偏压gate1时间内可以扫描,从而 使探测时间可以微调。
6、根据权利要求1或5所述的一种双门控雪崩光电二极管单光子探测方 法,其特征在于所述的探测门gate2在门控偏压gate1时间内可以扫描 是将门控偏压的前沿触发可控延时器产生一个延时td,在td时间后,“探 测门产生”电路产生一个探测门用于捕获对应的光子雪崩信号,由于可 控延时器的延时量可调,而实现探测门在门偏压内的扫描。
7、根据权利要求1所述的一种双门控雪崩光电二极管单光子探测方法,其 特征在于当每次仅有一个光子入射,而有多个达到时间时,在探测门 gate1时间内可以放置多个探测门gate21gate22gate23,......。
8、根据权利要求1或7所述的一种双门控雪崩光电二极管单光子探测方 法,其特征在于所述的在探测门gate1时间内可以放置多个探测门 gate21gate22gate23,......,是通过多个可控延时器并联实现,即门控 偏压gate1的前沿触发多个并联的可控延时器产生多路延时td1, td2,...tdn,在每个延时结束后,“探测门产生”电路都会产生一个探测 门用于捕获对应的光子雪崩信号。
本发明涉及保密通讯类,具体的讲是涉及一种反向电压门与探测门分离的 双门控雪崩光电二极管单光子探测方法。
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