专利汇可以提供抑制输入冲击电流的电路装置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种抑制输入冲击 电流 的 电路 装置,包括:MOSFET场效应管(M1),其源极连接到输入 电压 的正 端子 ,带内阻的电压 信号 源给MOSFET场效应管提供 门 极驱动电压,电压信号源的正输出端连接输入电压的正端子,电压信号源负输出连接MOSFET场效应管的门极;总线储能电容器(C1),其正极连接到MOSFET场效应管(M1)的漏极,负极连接到输入电压的负端子;第二 电阻 器 (R2),其一端连接到总线储能电容器(C1)的正极;以及光电 耦合器 (OP1),其内含的光电 二极管 的负极连接到第二 电阻器 (R2)的另一端,其内含的 光电二极管 的正极连接到输入电压的正端子,其内含的 三极管 的集 电极 连接到输入电压的正端子,其内含的三极管的发射极连接到MOSFET场效应管(M1)的门极。,下面是抑制输入冲击电流的电路装置专利的具体信息内容。
1.一种抑制输入冲击电流的电路装置,其特征在于包括:
MOSFET场效应管(M1),其源极连接到输入电压的正端子,带内阻的电压信号源给MOSFET场效应管提供门极驱动电压,电压信号源的正输出端连接输入电压的正端子,电压信号源负输出连接MOSFET场效应管的门极;
总线储能电容器(C1),其正极连接到MOSFET场效应管(M1)的漏极,负极连接到输入电压的负端子;
第二电阻器(R2),其一端连接到总线储能电容器(C1)的正极;以及光电耦合器(OP1),其内含的光电二极管的负极连接到第二电阻器(R2)的另一端,其内含的光电二极管的正极连接到输入电压的正端子,其内含的三极管的集电极连接到输入电压的正端子,其内含的三极管的发射极连接到MOSFET场效应管(M1)的门极。
2.如权利要求1所述的抑制输入冲击电流的电路装置,其特征在于:MOSFET场效应管(M1)为P型MOSFET场效应管。
3.如权利要求1所述的抑制输入冲击电流的电路装置,其特征在于:所述的抑制输入冲击电流的电路装置以单独的集成电路产品来实现。
4.如权利要求1所述的抑制输入冲击电流的电路装置,其特征在于:还包括串联在输入电压的正端子与总线储能电容器(C1)正极之间的第三电阻器(R3)。
5.如权利要求4所述的抑制输入冲击电流的电路装置,其特征在于:
所述第三电阻器(R3)为负温度系数电阻器或定值电阻器。
6.如权利要求1所述的抑制输入冲击电流的电路装置,其特征在于:
所述电压信号源包括:
稳压管(Z1),其负极连接到输入电压的正端子,正极连接到MOSFET场效应管(M1)的门极;以及
第一电阻器(R1),其一端连接到稳压管(Z1)的正极,另一端连接到输入电压的负端子。
7.一种抑制输入冲击电流的电路装置,其特征在于包括:
MOSFET场效应管(M1),其源极连接到输入电压的负端子,带内阻的电压信号源给MOSFET场效应管提供门极驱动电压,电压信号源的负输出端连接输入电压的负端子,电压信号源正输出连接MOSFET场效应管的门极;
总线储能电容器(C1),其负极连接到MOSFET场效应管(M1)的漏极,正极连接到输入电压的正端子;
第二电阻器(R2),其一端连接到总线储能电容器(C1)的负极;以及光电耦合器(OP1),其内含的光电二极管的正极连接到第二电阻器(R2)的另一端,其内含的光电二极管的负极连接到输入电压的负端子,其内含的三极管的发射极连接到输入电压的负端子,其内含的三极管的集电极连接到MOSFET场效应管(M1)的门极。
8.如权利要求7所述的抑制输入冲击电流的电路装置,其特征在于:MOSFET场效应管(M1)为N型MOSFET场效应管。
9.如权利要求7所述的抑制输入冲击电流的电路装置,其特征在于:所述的抑制输入冲击电流的电路装置以单独的集成电路产品来实现。
10.如权利要求7所述的抑制输入冲击电流的电路装置,其特征在于:还包括并联在输入电压的负端子与总线储能电容器(C1)负极之间的第三电阻器(R3)。
11.如权利要求10所述的抑制输入冲击电流的电路装置,其特征在于:
所述第三电阻器(R3)为负温度系数电阻器或定值电阻器。
12.如权利要求7所述的抑制输入冲击电流的电路装置,其特征在于:
所述电压信号源包括:
稳压管(Z1),其正极连接到输入电压的负端子,负极连接到MOSFET场效应管(M1)的门极;以及
第一电阻器(R1),其一端连接到稳压管(Z1)的负极,另一端连接到输入电压的正端子。
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