SPUTTER EPITAXY OF COMPONENT-QUALITY SILICON-GERMANIUM HETEROSTRUCTURES
专利汇可以提供SPUTTER EPITAXY OF COMPONENT-QUALITY SILICON-GERMANIUM HETEROSTRUCTURES专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且The sputter epitaxy process allows the production of epitaxial heterostructures of Si, Ge and Si1-xGex alloys. The semiconductor characteristics of Si/Ge heterostructures doped in situ from the gas phase or from solid targets are comparable with those which can be synthesised through molecular beam epitaxy (MBE) or ultrahigh vacuum chemical vapour deposition (UHV-CVD). In particular, high charge carrier mobility levels can be attained in modulation-doped biased Si or Ge quantum wells as a basis for quantum-Hall effect structures and MODFETs. The sputter epitaxy process can be used for all possible types of electronic and opto-electronic components consisting of Si/Ge heterostructures.，下面是SPUTTER EPITAXY OF COMPONENT-QUALITY SILICON-GERMANIUM HETEROSTRUCTURES专利的具体信息内容。
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