专利汇可以提供Avalache photo diode专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且PURPOSE: To inhibit parasitic oscillation and enable the diode to operate with light intensity of a wide range by making the product of the concentration and thickness of a P layer or N layer 1.8×10
1 2/cm
2 or under in an avalanche photodiode of N
+ PπP
+ or P
+ NvN
+ structure.
COPYRIGHT: (C)1978,JPO&Japio,下面是Avalache photo diode专利的具体信息内容。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
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