Light-receiving element
专利汇可以提供Light-receiving element专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE:To efficiently absorb lights in a broad wave-length region by a method wherein an AlyGazIn1-y-zAs window layer is formed on an In1-xGaxAs light absorbing layer which constitutes semiconductor light-receiving elements. CONSTITUTION:The In1-xGaAs light absorbing layer 2 having a p n type junction part is made a liquidus-epitaxial growth on an n type In-P substrate, and the AlyGazIn1-y-z window layer 3 is made a liquidus-epitaxial growth on the p type layer as well to make the layer 2 a mesalike to the extent of the bottom. Thus, the window layer 3 of 0.9-1.65mum in the wave length at the absorption edge is piled on the light absorbing layer 2 of 1.65mum in the wave length at the absorption edge to broden the light-receiving wave length region. Whereby a quantum efficiency is improved also and becomes suitable for an avalanche photodiode to amplify photoelectric currents.，下面是Light-receiving element专利的具体信息内容。
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