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一种 半导体湿敏元件

阅读：268发布：2024-02-23

专利汇可以提供一种半导体湿敏元件专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型公开了一种半导体湿敏元件，其结构包括：保护套、连接口、固定端子、支撑立柱、基板、套管、加热丝、湿敏元件、电极、导体，保护套水平嵌套于套管外圈并且采用相配合固定，连接口水平安装于套管右端并且采用螺纹连接，固定端子共设有两个且均匀固定在支撑立柱左右两端，本实用新型导体由导线、高分子薄膜、节电板、接收源、传感片、输出屏、聚集电极、输入屏、上部电极、集电板组成，实现了掺杂浓度越高半导体的导电性就会变得越好，在半导体制程中，掺杂浓度都会依照所制造出元件的需求量身打造来使能进入传导带的电子数量会随着掺杂浓度提高而增加，以合于使用者的需求。，下面是一种半导体湿敏元件专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种半导体湿敏元件，其结构包括：保护套(1)、连接口(2)、固定端子(3)、支撑立柱(4)、基板(5)、套管(6)、加热丝(7)、湿敏元件(8)、电极(9)、导体(10)，其特征在于：
所述保护套(1)水平嵌套于套管(6)外圈并且采用相配合固定，所述连接口(2)水平安装于套管(6)右端并且采用螺纹连接，所述固定端子(3)共设有两个且均匀固定在支撑立柱(4)左右两端，所述支撑立柱(4)共设有两个且垂直嵌入基板(5)内部上端并且与导体(10)采用电连接，所述基板(5)截面为矩形结构且竖直固定在固定端子(3)底端并且焊接在一起，所述套管(6)共设有两个且水平安装于导体(10)左右两侧并且竖直嵌入基板(5)内部，所述加热丝(7)水平固定在导体(10)顶端并且与套管(6)焊接在一起，所述湿敏元件(8)垂直嵌入导体(10)内部并且与电极(9)采用电连接，所述湿敏元件(8)与加热丝(7)轴心共线，所述电极(9)水平安装于湿敏元件(8)前后两端，所述导体(10)竖直固定在基板(5)顶端；
所述导体(10)由导线(101)、高分子薄膜(102)、节电板(103)、接收源(104)、传感片(105)、输出屏(106)、聚集电极(107)、输入屏(108)、上部电极(109)、集电板(110)组成；
所述导线(101)共设有两个且均匀嵌入高分子薄膜(102)中部并且采用过盈配合，所述高分子薄膜(102)与节电板(103)轴心共线，所述节电板(103)竖直固定在接收源(104)底端，所述接收源(104)水平嵌入上部电极(109)右端并且为一体化结构，所述传感片(105)共设有两个且均匀安装于输入屏(108)上下两端并且采用电连接，所述输出屏(106)水平固定在输入屏(108)右端，所述聚集电极(107)共设有四个且垂直嵌入输入屏(108)内部并且采用间隙配合，所述输入屏(108)竖直固定在高分子薄膜(102)上端，所述上部电极(109)水平固定在集电板(110)内部并且采用电连接，所述集电板(110)水平紧贴于湿敏元件(8)侧端。
2.根据权利要求1所述的一种半导体湿敏元件，其特征在于：所述传感片(105)由输入极(1051)、光电阴极(1052)、阳极(1053)、导入层(1054)、外加物块(1055)、膜片(1056)组成。
3.根据权利要求2所述的一种半导体湿敏元件，其特征在于：所述输入极(1051)共设有三个且垂直安装于阳极(1053)底端并且与光电阴极(1052)采用相配合，所述光电阴极(1052)与阳极(1053)轴心共线，所述导入层(1054)共设有两个且均匀固定在阳极(1053)右端并且采用电连接，所述外加物块(1055)截面为矩形结构且水平安装于导入层(1054)右端，所述膜片(1056)竖直紧贴于阳极(1053)下端并且与光电阴极(1052)为一体化结构，所述输入极(1051)竖直嵌入聚集电极(107)内部并且采用电连接。
4.根据权利要求2所述的一种半导体湿敏元件，其特征在于：所述聚集电极(107)由引脚(1071)、聚焦板(1072)、测注块(1073)、接口(1074)组成。
5.根据权利要求4所述的一种半导体湿敏元件，其特征在于：所述引脚(1071)共设有两个且垂直嵌入聚焦板(1072)内部底端并且采用电连接，所述聚焦板(1072)截面为矩形结构且竖直固定在接口(1074)下端，所述测注块(1073)共设有多个且水平紧贴于聚焦板(1072)前端并且采用过盈配合，所述接口(1074)垂直安装于测注块(1073)顶端并且与聚焦板(1072)为一体化结构，所述引脚(1071)竖直嵌入输入屏(108)内部。
6.根据权利要求1所述的一种半导体湿敏元件，其特征在于：所述湿敏元件(8)水平固定在加热丝(7)中部并且采用过盈配合。
7.根据权利要求1所述的一种半导体湿敏元件，其特征在于：所述加热丝(7)与导体(10)为一体化结构。

说明书全文

一种半导体湿敏元件

技术领域

[0001] 本实用新型是一种半导体湿敏元件，属于半导体湿敏元件技术领域。

背景技术

[0002] 半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用，如二极管就是采用半导体制作的器件，半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料，无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的，今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连，常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

[0003] 湿敏元件是一种检测空气湿度的电子元件。

[0004] 但现有技术半导体中的杂质对电阻率的影响非常大，半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。实用新型内容

[0005] 针对现有技术存在的不足，本实用新型目的是提供一种半导体湿敏元件，以解决现有技术半导体中的杂质对电阻率的影响非常大，半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级的问题。

[0006] 为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现：一种半导体湿敏元件，其结构包括：保护套、连接口、固定端子、支撑立柱、基板、套管、加热丝、湿敏元件、电极、导体，所述保护套水平嵌套于套管外圈并且采用相配合固定，所述连接口水平安装于套管右端并且采用螺纹连接，所述固定端子共设有两个且均匀固定在支撑立柱左右两端，所述支撑立柱共设有两个且垂直嵌入基板内部上端并且与导体采用电连接，所述基板截面为矩形结构且竖直固定在固定端子底端并且焊接在一起，所述套管共设有两个且水平安装于导体左右两侧并且竖直嵌入基板内部，所述加热丝水平固定在导体顶端并且与套管焊接在一起，所述湿敏元件垂直嵌入导体内部并且与电极采用电连接，所述湿敏元件与加热丝轴心共线，所述电极水平安装于湿敏元件前后两端，所述导体竖直固定在基板顶端，所述导体由导线、高分子薄膜、节电板、接收源、传感片、输出屏、聚集电极、输入屏、上部电极、集电板组成，所述导线共设有两个且均匀嵌入高分子薄膜中部并且采用过盈配合，所述高分子薄膜与节电板轴心共线，所述节电板竖直固定在接收源底端，所述接收源水平嵌入上部电极右端并且为一体化结构，所述传感片共设有两个且均匀安装于输入屏上下两端并且采用电连接，所述输出屏水平固定在输入屏右端，所述聚集电极共设有四个且垂直嵌入输入屏内部并且采用间隙配合，所述输入屏竖直固定在高分子薄膜上端，所述上部电极水平固定在集电板内部并且采用电连接，所述集电板水平紧贴于湿敏元件侧端。

[0007] 进一步地，所述传感片由输入极、光电阴极、阳极、导入层、外加物块、膜片组成。

[0008] 进一步地，所述输入极共设有三个且垂直安装于阳极底端并且与光电阴极采用相配合，所述光电阴极与阳极轴心共线，所述导入层共设有两个且均匀固定在阳极右端并且采用电连接，所述外加物块截面为矩形结构且

[0009] 水平安装于导入层右端，所述膜片竖直紧贴于阳极下端并且与光电阴极为一体化结构，所述输入极竖直嵌入聚集电极内部并且采用电连接。

[0010] 进一步地，所述聚集电极由引脚、聚焦板、测注块、接口组成。

[0011] 进一步地，所述引脚共设有两个且垂直嵌入聚焦板内部底端并且采用电连接，所述聚焦板截面为矩形结构且竖直固定在接口下端，所述测注块共设有多个且水平紧贴于聚焦板前端并且采用过盈配合，所述接口垂直安装于测注块顶端并且与聚焦板为一体化结构，所述引脚竖直嵌入输入屏内部。

[0012] 进一步地，所述湿敏元件水平固定在加热丝中部并且采用过盈配合。

[0013] 进一步地，所述加热丝与导体为一体化结构。

[0014] 有益效果

[0015] 本实用新型一种半导体湿敏元件，实现了掺杂浓度越高半导体的导电性就会变得越好，在半导体制程中，掺杂浓度都会依照所制造出元件的需求量身打造来使能进入传导带的电子数量会随着掺杂浓度提高而增加，以合于使用者的需求。附图说明

[0016] 通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

[0017] 图1为本实用新型一种半导体湿敏元件的结构示意图。

[0018] 图2为本实用新型一种半导体湿敏元件的导体内部结构示意图。

[0019] 图3为本实用新型一种半导体湿敏元件的传感片内部平面图。

[0020] 图4为本实用新型一种半导体湿敏元件的聚集电极剖面图。

[0021] 图5为图2中的A。

[0022] 图中：保护套-1、连接口-2、固定端子-3、支撑立柱-4、基板-5、套管-6、加热丝-7、湿敏元件-8、电极-9、导体-10、导线-101、高分子薄膜-102、节电板-103、接收源-104、传感片-105、输出屏-106、聚集电极-107、输入屏-108、上部电极-109、集电板-110、输入极-1051、光电阴极-1052、阳极-1053、导入层-1054、外加物块-1055、膜片-1056、引脚-1071、聚焦板-1072、测注块-1073、接口-1074。

具体实施方式

[0023] 为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。

[0024] 请参阅图1-图5，本实用新型提供一种半导体湿敏元件技术方案：其结构包括：保护套1、连接口2、固定端子3、支撑立柱4、基板5、套管6、加热丝7、湿敏元件8、电极9、导体10，所述保护套1水平嵌套于套管6外圈并且采用相配合固定，所述连接口2水平安装于套管6右端并且采用螺纹连接，所述固定端子3共设有两个且均匀固定在支撑立柱4左右两端，所述支撑立柱4共设有两个且垂直嵌入基板5内部上端并且与导体10采用电连接，所述基板5截面为矩形结构且竖直固定在固定端子3底端并且焊接在一起，所述套管6共设有两个且水平安装于导体10左右两侧并且竖直嵌入基板5内部，所述加热丝7水平固定在导体10顶端并且与套管6焊接在一起，所述湿敏元件8垂直嵌入导体10内部并且与电极9采用电连接，所述湿敏元件8与加热丝7轴心共线，所述电极9水平安装于湿敏元件8前后两端，所述导体10竖直固定在基板5顶端，所述导体10由导线101、高分子薄膜102、节电板103、接收源104、传感片105、输出屏106、聚集电极107、输入屏108、上部电极109、集电板110组成，所述导线101共设有两个且均匀嵌入高分子薄膜102中部并且采用过盈配合，所述高分子薄膜102与节电板
103轴心共线，所述节电板103竖直固定在接收源104底端，所述接收源104水平嵌入上部电极109右端并且为一体化结构，所述传感片105共设有两个且均匀安装于输入屏108上下两端并且采用电连接，所述输出屏106水平固定在输入屏108右端，所述聚集电极107共设有四个且垂直嵌入输入屏108内部并且采用间隙配合，所述输入屏108竖直固定在高分子薄膜
102上端，所述上部电极109水平固定在集电板110内部并且采用电连接，所述集电板110水平紧贴于湿敏元件8侧端，所述传感片105由输入极1051、光电阴极1052、阳极1053、导入层
1054、外加物块1055、膜片1056组成，所述输入极1051共设有三个且垂直安装于阳极1053底端并且与光电阴极1052采用相配合，所述光电阴极1052与阳极1053轴心共线，所述导入层
1054共设有两个且均匀固定在阳极1053右端并且采用电连接，所述外加物块1055截面为矩形结构且水平安装于导入层1054右端，所述膜片1056竖直紧贴于阳极1053下端并且与光电阴极1052为一体化结构，所述输入极1051竖直嵌入聚集电极107内部并且采用电连接，所述聚集电极107由引脚1071、聚焦板1072、测注块1073、接口1074组成，所述引脚1071共设有两个且垂直嵌入聚焦板1072内部底端并且采用电连接，所述聚焦板1072截面为矩形结构且竖直固定在接口1074下端，所述测注块1073共设有多个且水平紧贴于聚焦板1072前端并且采用过盈配合，所述接口1074垂直安装于测注块1073顶端并且与聚焦板1072为一体化结构，所述引脚1071竖直嵌入输入屏108内部，所述湿敏元件8水平固定在加热丝7中部并且采用过盈配合，所述加热丝7与导体10为一体化结构。

[0025] 本实用新型导体10是指电阻率很小且易于传导电流的物质，导体中存在大量可自由移动的带电粒子称为载流子，在外电场作用下，载流子作定向运动，形成明显的电流。

[0026] 金属是最常见的一类导体，金属原子最外层的价电子很容易挣脱原子核的束缚，而成为自由电子，留下的正离子原子实形成规则的点阵，金属中自由电子的浓度很大，所以金属导体的电导率通常比其他导体材料的大，金属导体的电阻率一般随温度降低而减小，在极低温度下，某些金属与合金的电阻率将消失而转化为超导体。

[0027] 在一种半导体湿敏元件进行使用时，通过所设有的两个套管6竖直嵌入基板5内部并通过导体10底端的固定端子3进行支撑固定住，再通过导体10内部结构中所设有的两个导线101与高分子薄膜102进行相连接工作并将所传达的导电性通过接收源104进行传输并在输入屏108上下两端的聚集电极107进行掺和浓度使输出屏106进行传导，而后通过聚焦板1072底端的引脚1071把所受的导电性传输到上部电极109内部并集于集电板110中，实现了掺杂浓度越高半导体的导电性就会变得越好，在半导体制程中，掺杂浓度都会依照所制造出元件的需求量身打造来使能进入传导带的电子数量会随着掺杂浓度提高而增加，以合于使用者的需求。

[0028] 本实用新型解决的问题是现有技术半导体中的杂质对电阻率的影响非常大，半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级，本实用新型通过上述部件的互相组合，实现了掺杂浓度越高半导体的导电性就会变得越好，在半导体制程中，掺杂浓度都会依照所制造出元件的需求量身打造来使能进入传导带的电子数量会随着掺杂浓度提高而增加，以合于使用者的需求。

[0029] 以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点,对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

[0030] 此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

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