增强型、耗尽型和电流感应集成VDMOS功率器件
专利汇可以提供增强型、耗尽型和电流感应集成VDMOS功率器件专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种增强型、耗尽型和 电流 感应集成VDMOS功率器件，包括N型衬底，所述N型衬底上设置有N型 外延 层，其特征在于：所述N型外延层上设置有增强型VDMOS、耗尽型VDMOS和电流感应VDMOS，且它们之间设有隔离结构；本发明将三个VDMOS器件集成在一起，应用组合灵活多样，可用于LED驱动电源、电源适配器、充电器等 电路 中，不仅有利于系统集成和小型化，而且具有成本低，制成控制简单的优点；本发明在三个VDMOS器件之间采用隔离结构，能有效防止器件之间穿通。本发明具有兼容性好、可靠性高、制造成本低、易产业化等特点。，下面是增强型、耗尽型和电流感应集成VDMOS功率器件专利的具体信息内容。
1.一种增强型、耗尽型和电流感应集成VDMOS功率器件，包括N型衬底，所述N型衬底上设置有N型外延层，其特征在于：所述N型外延层上设置有增强型VDMOS、耗尽型VDMOS、电流感应VDMOS和隔离结构，其中三类VDMOS器件共用漏极，增强型VDMOS和电流感应VDMOS共用栅极，所述隔离结构分别设置于所述增强型VDMOS、耗尽型VDMOS和电流感应VDMOS的源极之间。
2.根据权利要求1所述的增强型、耗尽型和电流感应集成VDMOS功率器件，其特征在于：所述增强型VDMOS的栅极和电流感应VDMOS的栅极通过金属共同连接到共用栅极。
3.根据权利要求1所述的增强型、耗尽型和电流感应集成VDMOS功率器件，其特征在于：所述隔离结构包括多晶硅场板，多晶硅场板下的N型外延上还设置有浮空P阱，浮空P阱位于P阱之间，所述多晶硅场板位于P阱的上端且向浮空P阱方向延伸，同时和浮空P阱有交叠；所述的多晶硅场板被二氧化硅介质所覆盖，所述多晶硅场板下设置有栅氧化层和场氧化层。
4.根据权利要求3所述的增强型、耗尽型和电流感应集成VDMOS功率器件，其特征在于：所述的多晶硅场板为两块，且为Z字形。
5.根据权利要求1所述的增强型、耗尽型和电流感应集成VDMOS功率器件，其特征在于：所述的增强型VDMOS和电流感应VDMOS结构相同，均包括设置在所述N型外延层中的两个P阱；所述P阱设置有相互邻接的n+源区和p+欧姆接触区；所述的P阱上设置有多晶硅栅，所述多晶硅栅下表面设置有栅氧化层，所述多晶硅栅覆盖有二氧化硅介质层，所述的二氧化硅介质层上覆盖有金属层。
6.根据权利要求1所述的增强型、耗尽型和电流感应集成VDMOS功率器件，其特征在于：所述的耗尽型VDMOS包括设置在所述N型外延层中的两个P阱；所述P阱设置有相互邻接的n+源区和p+欧姆接触区；所述的P阱上设置有耗尽层；所述耗尽层上设置有多晶硅栅，所述多晶硅栅下表面设置有栅氧化层，所述多晶硅栅覆盖有二氧化硅介质层，所述的二氧化硅介质层上覆盖有金属层。
7.根据权利要求1所述的增强型、耗尽型和电流感应集成VDMOS功率器件，其特征在于：所述的耗尽型VMDOS和电流感应VDMOS版图能位于增强型VDMOS版图内部或者外部。
增强型、耗尽型和电流感应集成VDMOS功率器件
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
请继续参见图1，在本发明一实施例中，所述隔离结构4包括多晶硅场板18，多晶硅场板18下的N型外延上还设置有浮空P阱12，浮空P阱12位于P阱13之间，所述多晶硅场板18位于P阱13的上端且向浮空P阱12方向延伸，同时和浮空P阱12有交叠；所述多晶硅场板18被二氧化硅介质层10所覆盖，所述多晶硅场板18下表面设置有栅氧化层16和场氧化层17。所述的多晶硅场板18为两块，且为Z字形。
2、有源区光刻，腐蚀：将片内要形成增强管、耗尽管和电流感应管的区域以及形成高压终端的区域打开，将这些区域的氧化层去掉；
3、JFET注入，退火：整片注入，由于场区厚氧化层的存在，构成自对准注入，只有有源-2
区的位置被注入，能量80kev~100kev，注入剂量8E11-1.2E12cm ，杂质类型为磷；退火条件
1150℃氮氧气（氧含量2.7%）120分钟；
4、P阱well光刻，注入，退火推结深：在增强管、和耗尽管、电流感应管和高压终端的区域注入区域，注入能量70kev~90kev；注入剂量2.6E13~3.2E13；杂质类型为硼，退火条件
1150℃氮氧（氧含量1.2%）气120分钟；
5、耗尽层光刻，注入：在形成耗尽管的区域注入，注入能量130kev~150kev；注入剂量
1.6~2.0E12；杂质类型为砷；
6、栅氧化：整片氧化，在增强、耗尽管和电流感应管的区域氧厚度达950~1050 ；
7、多晶硅栅（包括多晶硅场板）淀积、掺杂，光刻，刻蚀；栅氧后应立刻进炉管进行多晶淀积，以免表面沾污，多晶淀积厚度5000~6000 ；
8、P+光刻，注入，退火：在增强管、耗尽管、电流感应管以及高压终端的位置注入，注入能量60kev~80kev；注入剂量1.0E15~1.2E15，杂质类型为硼，退火条件1100℃氮气30分钟；增加欧姆接触的良好性，抑制寄生NPN管开启；
9、源极N+光刻，注入，退火：在增强管、耗尽管和电流感应管区域内，要形成VDMOS的源极区域做N+，注入能量80~100kev；注入剂量4.5E15~5.5E15；杂质类型为砷；
10、接触孔光刻，刻蚀：在增强管、耗尽管、电流感应管以及多晶栅极上，开出铝接触用的接触孔；
11、蒸铝，腐蚀铝：整片蒸铝，铝厚4μm，厚铝可以提高电流能力和可靠性，然后腐蚀掉有VDMOS源区和多晶栅极外的铝；
12、压点PAD刻蚀：在增强管、耗尽管和电流感应的栅极和源极上，开出封装时用来金丝焊接的区域。
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