Overcurrent protection driving circuit for igbt
专利汇可以提供Overcurrent protection driving circuit for igbt专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE:To prevent destruction of a component due to latchup by providing a circuit short-circuiting the gate and emitter if a collector-emitter voltage exceeds a prescribed voltage at its conductive state. CONSTITUTION:If a collector-emitter voltage of an IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 11 exceeds a voltage being the subtraction of a voltage of a reverse bias power supply 5b from the sum of the Zener voltage of a Zener diode 7 and a forward voltage drop of a diode formed between the emitter and base of an NPN transistor(TR) 8, the TR 8 is conductive. Then the gate and emitter of the IGBT 11 are short-circuited by the TR 8 and a diode 6b. Since a switch 10b is turned on at normal turn-off, a voltage of the power supply 5b is applied between the collector and emitter of the TR inversely to protect the TR 8.，下面是Overcurrent protection driving circuit for igbt专利的具体信息内容。
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