阵列基板及显示面板
阅读：213发布：2024-01-16
专利汇可以提供阵列基板及显示面板专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种阵列 基板 及 显示面板 ，其阵列基板包括层叠设置的衬底、 缓冲层 、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏极层和 钝化 层；采用单栅极层设计，在栅极层内形成存储电容的第一 电极 板，在源漏极层内形成存储电容的第二电极板和各种功能 连接线 ，通过各功能连接线实现不同膜层间的 电流 通路，从而省去了一层栅极结构，节省了一道光罩，降低了生产成本，缓解了现有显示装置存在生产成本高的问题。，下面是阵列基板及显示面板专利的具体信息内容。
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；
缓冲层，形成于所述衬底上；
有源层，形成于所述缓冲层上，图案化形成薄膜晶体管的有源区，所述有源区包括掺杂区和沟道区；
栅极绝缘层，形成于所述有源层及所述缓冲层上；
栅极层，形成于所述栅极绝缘层上，图案化形成储存电容的第一电极板、栅极、扫描线；
层间绝缘层，形成于所述栅极层及所述栅极绝缘层上；
源漏极层，形成于所述层间绝缘层上，图案化形成所述储存电容的第二电极板、源极、漏极；
钝化层，形成于所述源漏极层以及所述层间绝缘层上。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极板设置有缺口，所述缺口对应区域内设置有第一连接过孔；所述源漏极层还图案化形成有第一连接线，所述第一连接线的一端通过所述第一连接过孔，连接所述第一电极板，另一端通过第二连接过孔连接目标薄膜晶体管的掺杂区。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极板形成有突出部，所述突出部对应区域内设置有第三连接过孔；所述源漏极层还图案化形成有第二连接线，所述第二连接线的一端通过所述第三连接过孔，连接所述第一电极板，另一端通过第四连接过孔连接目标薄膜晶体管的掺杂区。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏极层还图案化形成电源线以及电源连接线，所述第二电极板通过所述电源连接线与所述电源线连接。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏极层还图案化形成电源线，所述第二电极板的一侧边与所述电源线一体。
6.根据权利要求1至5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极层还图案化形成信号复位线，所述信号复位线在所述有源区对应区域内中断；所述源漏极层还图案化形成复位连接线，所述信号复位线通过第五连接过孔连接所述复位连接线的一端，所述复位连接线的另一端通过第六连接过孔连接相邻子像素的信号复位线。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏极层还图案化形成复位转接线，信号复位线通过第七连接过孔连接所述复位转接线的一端，所述复位转接线的另一端通过第八连接过孔连接目标薄膜晶体管的掺杂区。
8.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至7任一所述的阵列基板。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为LCD显示面板，所述LCD显示面板还包括：
彩膜基板；
填充于所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为OLED显示面板，所述OLED显示面板还包括：
像素定义层，形成于所述钝化层上，图案化形成发光定义区；
发光材料层，形成于所述发光定义区内；
公共电极层，形成于所述发光材料层以及所述像素定义层上；
封装层，形成于所述公共电极层上。
阵列基板及显示面板
技术领域
[0001] 本发明涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
[0003] 然而，双层栅极的设计方式，增加了产品的生产成本。
[0004] 因此，现有显示装置存在生产成本高的问题，需要解决。
发明内容
[0005] 本发明提供一种新型阵列基板及显示面板，以缓解现有显示装置存在生产成本高的问题。
[0006] 为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
[0007] 本发明提供一种阵列基板，其包括；
[0008] 衬底；
[0009] 缓冲层，形成于所述衬底上；
[0011] 栅极绝缘层，形成于所述有源层及所述缓冲层上；
[0012] 栅极层，形成于所述栅极绝缘层上，图案化形成储存电容的第一电极板、栅极、扫描线；
[0013] 层间绝缘层，形成于所述栅极层及所述栅极绝缘层上；
[0014] 源漏极层，形成于所述层间绝缘层上，图案化形成所述储存电容的第二电极板、源极、漏极；
[0016] 在本发明的阵列基板中，所述第二电极板设置有缺口，所述缺口对应区域内设置有第一连接过孔；所述源漏极层还图案化形成有第一连接线，所述第一连接线的一端通过所述第一连接过孔，连接所述第一电极板，另一端通过第二连接过孔连接目标薄膜晶体管的掺杂区。
[0017] 在本发明的阵列基板中，所述第一电极板形成有突出部，所述突出部对应区域内设置有第三连接过孔；所述源漏极层还图案化形成有第二连接线，所述第二连接线的一端通过所述第三连接过孔，连接所述第一电极板，另一端通过第四连接过孔连接目标薄膜晶体管的掺杂区。
[0018] 在本发明的阵列基板中，所述源漏极层还图案化形成电源线以及电源连接线，所述第二电极板通过所述电源连接线与所述电源线连接。
[0019] 在本发明的阵列基板中，所述源漏极层还图案化形成电源线，所述第二电极板的一侧边与所述电源线一体。
[0020] 在本发明的阵列基板中，所述栅极层还图案化形成信号复位线，所述信号复位线在所述沟道区对应区域内中断；所述源漏极层还图案化形成复位连接线，信号复位线通过第五连接过孔连接所述复位连接线的一端，所述复位连接线的另一端通过第六连接过孔连接相邻子像素的信号复位线。
[0021] 在本发明的阵列基板中，所述源漏极层还图案化形成复位转接线，信号复位线通过第七连接过孔连接所述复位转接线的一端，所述复位转接线的另一端通过第八连接过孔连接目标薄膜晶体管的沟道区。
[0022] 同时，本发明还提供一种显示面板，其包括以上任一所述的阵列基板。
[0023] 在本发明提供显示面板中，所述显示面板为LCD显示面板，所述LCD显示面板还包括：
[0024] 彩膜基板；
[0025] 填充于所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶。
[0026] 在本发明提供显示面板中，所述显示面板为OLED显示面板，所述OLED显示面板还包括：
[0027] 像素定义层，形成于所述钝化层上，图案化形成发光定义区；
[0028] 发光材料层，形成于所述发光定义区内；
[0029] 公共电极层，形成于所述发光材料层以及所述像素定义层上；
[0030] 封装层，形成于所述公共电极层上。
[0031] 有益效果：本发明提供一种阵列基板及显示面板，其阵列基板包括层叠设置的衬底、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏极层和钝化层；采用单栅极层设计，在栅极层内形成存储电容的第一电极板，在源漏极层内形成存储电容的第二电极板和各种功能连接线，通过各功能连接线实现不同膜层间的电流通路，从而省去了一层栅极结构，节省了一道光罩，降低了生产成本，缓解了现有显示装置存在生产成本高的问题。附图说明
[0032] 为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0033] 图1为现有显示装置的电路设计图；
[0034] 图2为本发明提供的阵列基板的结构示意图；
[0035] 图3为本发明提供的阵列基板的有源层的第一种平面示意图；
[0036] 图4为本发明提供的阵列基板的栅极层的第一种平面示意图；
[0037] 图5为本发明提供的阵列基板的源漏极层的第一种平面示意图；
[0038] 图6为本发明提供的阵列基板的有源层、栅极层和源漏极层的第一种平面叠加示意图；
[0039] 图7为本发明提供的阵列基板的有源层的第二种平面示意图；
[0040] 图8为本发明提供的阵列基板的栅极层的第二种平面示意图；
[0041] 图9为本发明提供的阵列基板的源漏极层的第二种平面示意图；
[0042] 图10为本发明提供的阵列基板的有源层、栅极层和源漏极层的第二种平面叠加示意图。
具体实施方式
[0043] 以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
[0044] 为缓解现有显示装置存在成本过高的问题，本发明实施例提供一种阵列基板，包括：
[0045] 衬底；
[0046] 缓冲层，形成于所述衬底上；
[0047] 有源层，形成于所述缓冲层上，图案化形成薄膜晶体管的有源区，所述有源区包括掺杂区和沟道区；
[0048] 栅极绝缘层，形成于所述有源层及所述缓冲层上；
[0049] 栅极层，形成于所述栅极绝缘层上，图案化形成储存电容的第一电极板、栅极、扫描线；
[0050] 层间绝缘层，形成于所述栅极层及所述栅极绝缘层上；
[0051] 源漏极层，形成于所述层间绝缘层上，图案化形成所述储存电容的第二电极板、源极、漏极；
[0052] 钝化层，形成于所述源漏极层以及所述层间绝缘层上。
[0053] 本发明提供一种阵列基板，采用单栅极层设计，在栅极层内形成存储电容的第一电极板，在源漏极层内形成存储电容的第二电极板和各种功能连接线，通过各功能连接线实现不同膜层间的电流通路，从而省去了一层栅极结构，节省了一道光罩，降低了生产成本，缓解了现有显示装置存在生产成本高的问题。
[0054] 在一种实施例中，如图2所示，本发明提供的阵列基板10包括：
[0057] 位于所述阻挡层102上的缓冲层103；所述缓冲层103主要用于缓冲膜层质结构之间的压力，并且还可以具有一定阻水氧的功能；在本实施例中，所述缓冲层103的材料可以包括氮化硅或氧化硅中的一种或一种以上的组合物。
[0058] 位于所述缓冲层103上的有源层104；在本实施例中，所述有源层104包括有源区1041，所述有源区1041包括沟道区10411和位于沟道区10411两侧的掺杂区10412；所述掺杂区10412可以由对应的栅极层103阻挡所述沟道区10411，并对所述沟道区10411两侧的区域进行离子掺杂工艺而形成。
[0059] 位于所述有源层104和所述缓冲层上的栅极绝缘层105，所述栅极绝缘层105主要用于将所述有源层104与位于所述有源层104上的金属层隔离；在本实施例中，所述栅极绝缘层105的材料可以为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等其他绝缘的无机材料。。
[0060] 位于所述栅极绝缘层105上的栅极层106；所述栅极层106图案化形成储存电容的第一电极板1061、栅极和扫描线1062，所述第一电极板1061同时为一薄膜晶体管的栅极；所述栅极层106的材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属中的一种，也可以使用上述几种金属材料的组合物。
[0061] 位于所述栅极绝缘层105和所述栅极层106上的层间绝缘层107，所述层间绝缘层主要用于将所述栅极层106和位于所述栅极层106上的金属层隔离；在本实施例中，所述栅极绝缘层105的材料为氮化硅或氧化硅。
[0062] 位于所述层间绝缘层107上的源漏极层108；所述源漏极层108图案化形成存储电容的第二电极板1081、源极1082、漏极1083；所述源漏极层108的材料可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、铜或钛铝合金等金属中的一种，也可以使用上述几种金属材料的组合物。
[0063] 在一种实施例中，参照图3至图6，在本发明提供的阵列基板中：
[0064] 所述栅极层106位于所述有源层104上。
[0065] 在本实施例中，所述栅极层106包括栅极、信号复位线VI、扫描线Scan(N)、Scan(N-1)、使能信号线Em和储存电容第一电极板1061，所述栅极、信号复位线VI、扫描线Scan(N)、Scan(N-1)、使能信号线Em和所述储存电容第一电极板1061在同一道光罩工艺中形成。
[0066] 在本实施例中，所述栅极层106还包括信号复位线VI。所述信号复位线VI在所述有源层104对应区域中断。
[0067] 所述源漏极层108位于所述栅极层106上。
[0068] 在本实施例中，所述源漏极层108包括源极、漏极、数据信号线Vdata、电源线VDD、储存电容第二电极板1081、信号复位连接线1082、第一连接线1083和信号复位转接线1084，所述源极、所述漏极、所述数据信号线Vdata、所述电源线VDD、所述储存电容第二电极板1081、所述信号复位连接线1082、所述第一连接线1083和所述信号复位转接线1084在同一道光罩工艺中形成。
[0069] 在一种实施例中，所述源漏极层108形成的所述储存电容第二电极板1081上有缺口，用于设置第一连接过孔，所述第一连接线1083的一端通过所述第一连接过孔与所述第一电极板1061连接；所述第一连接线1083的另一端通过第二过孔连接有源层104。
[0070] 在一种实施例中,所述缺口的形状为矩形、梯形、圆环形、三角形中的至少一种。在本实施中，所述缺口的形状为矩形。
[0071] 在一种实施例中，所述信号复位连接线1082一端通过第五连接过孔与所述信号复位线VI连接，所述复位连接线1082的另一端通过第六连接过孔连接相邻子像素的信号复位线VI。所述信号复位连接线1082与所述信号复位线VI平行。
[0073] 在一种实施例中，所述信号复位转接线1084的一端通过第七连接过孔与所述信号复位线VI连接，所述信号复位转接线1084的另一端通过第八连接过孔与所述有源层104连接。
[0074] 所述信号复位转接线1084与所述信号复位连接线1082的夹角是锐角。
[0075] 在一种实施例中，所述电源线VDD与所述储存电容第二电极板1081一体。所述电源线VDD的线宽与所述储存电容第二电极板1081的宽度和等于所述储存电容第一电极板1061的宽度。
[0076] 在一种实施例中，参照图7至图10，在本发明提供的阵列基板中：
[0077] 所述栅极层106位于所述有源层104上。
[0078] 在本实施例中，所述栅极层106包括栅极、信号复位线VI、扫描线Scan(N)、Scan(N-1)、使能信号线Em和储存电容第一电极板1061，所述栅极、信号复位线VI、扫描线Scan(N)、Scan(N-1)、使能信号线Em和所述储存电容第一电极板1061在同一道光罩工艺中形成。。
[0079] 在一种实施例中，所述栅极层106形成的所述储存电容第一电极板1061上有突出部，所述层间绝缘层107在所述突出部对应区域内设置有第三连接过孔。所述突出部的形状为矩形、梯形、圆环形、三角形中的至少一种。在本实施例中，所述突出部的形状为矩形。
[0080] 所述源漏极层108位于所述栅极层106上。
[0081] 在本实施例中，所述源漏极层108包括源极、漏极、数据信号线Vdata、电源线VDD、储存电容第二电极板1081、信号复位连接线1082、第二连接线1083、信号复位转接线1084和电源连接线1085，所述源极、所述漏极、所述数据信号线Vdata、所述电源线VDD、所述储存电容第二电极板1081、所述信号复位连接线1082、所述第二连接线1083、所述信号复位转接线1084和所述电源连接性1085在同一道光罩工艺中形成。
[0082] 在一种实施例中，所述第二连接线1083的一端通过所述第三连接过孔与所述第一电极板1061连接；所述第二连接线1083的另一端通过第四过孔连接有源层104。
[0083] 在一种实施例中，所述信号复位连接线1082一端通过第五连接过孔与所述信号复位线VI连接，所述复位连接线1082的另一端通过第六连接过孔连接相邻子像素的信号复位线VI。所述信号复位连接线1082与所述信号复位线VI平行。
[0084] 所述信号复位连接线1082的宽度大于所述信号复位线VI的宽度，以减小电阻，降低电压降。
[0085] 在一种实施例中，所述信号复位转接线1084的一端通过第七连接过孔与所述信号复位线VI连接，所述信号复位转接线1084的另一端通过第八连接过孔与所述有源层104连接。
[0086] 所述信号复位转接线1084与所述信号复位连接线1082的夹角是锐角。
[0087] 在一种实施例中，所述第二电极板1081通过所述电源连接线1085与所述电源线VDD连接。所述电源连接线1085垂直于所述电源线VDD、且垂直于所述述第二电极板1081的一侧边。所述电源连接线1085的数量大于两个。
[0088] 所述电源连接线1085为镂空的网状结构，以形成并联电路进行数据信号的传输，降低了传输数据信号的金属线的电阻，减小了电压降；另外网状结构设计方式可以降低因金属线断线造成的断路异常。
[0089] 同时，本发明还提供一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括：
[0090] 衬底；
[0091] 缓冲层，形成于所述衬底上；
[0092] 有源层，形成于所述缓冲层上，图案化形成薄膜晶体管的有源区，所述有源区包括掺杂区和沟道区；
[0093] 栅极绝缘层，形成于所述有源层及所述缓冲层上；
[0094] 栅极层，形成于所述栅极绝缘层上，图案化形成储存电容的第一电极板、栅极、扫描线；
[0095] 层间绝缘层，形成于所述栅极层及所述栅极绝缘层上；
[0096] 源漏极层，形成于所述层间绝缘层上，图案化形成所述储存电容的第二电极板、源极、漏极；
[0097] 钝化层，形成于所述源漏极层以及所述层间绝缘层上。
[0098] 本发明实施例提供一种显示面板，该显示面板包括阵列基板，其阵列基板包括层叠设置的衬底、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏极层和钝化层；采用单栅极层设计，在栅极层内形成存储电容的第一电极板，在源漏极层内形成存储电容的第二电极板和各种功能连接线，通过各功能连接线实现不同膜层间的电流通路，从而省去了一层栅极结构，节省了一道光罩，降低了生产成本，缓解了现有显示装置存在生产成本高的问题。
[0099] 在一种实施例中，所述第二电极板设置有缺口，所述缺口对应区域内设置有第一连接过孔；所述源漏极层还图案化形成有第一连接线，所述第一连接线的一端通过所述第一连接过孔，连接所述第一电极板，另一端通过第二连接过孔连接目标薄膜晶体管的掺杂区。
[0100] 在一种实施例中，所述第一电极板形成有突出部，所述突出部对应区域内设置有第三连接过孔；所述源漏极层还图案化形成有第二连接线，所述第二连接线的一端通过所述第三连接过孔，连接所述第一电极板，另一端通过第四连接过孔连接目标薄膜晶体管的掺杂区。
[0101] 在一种实施例中，所述源漏极层还图案化形成电源线以及电源连接线，所述第二电极板通过所述电源连接线与所述电源线连接。
[0102] 在一种实施例中，所述源漏极层还图案化形成电源线，所述第二电极板的一侧边与所述电源线一体。
[0103] 在一种实施例中，所述栅极层还图案化形成信号复位线，所述信号复位线在所述有源区对应区域内中断；所述源漏极层还图案化形成复位连接线，所述信号复位线通过第五连接过孔连接所述复位连接线的一端，所述复位连接线的另一端通过第六连接过孔连接相邻子像素的信号复位线。
[0104] 在一种实施例中，所述源漏极层还图案化形成复位转接线，信号复位线通过第七连接过孔连接所述复位转接线的一端，所述复位转接线的另一端通过第八连接过孔连接目标薄膜晶体管的掺杂区。
[0105] 在一种实施例中，所述显示面板为LCD显示面板，所述LCD显示面板还包括：
[0106] 彩膜基板；
[0107] 填充于所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶。
[0108] 在另一种实施例中，所述显示面板为OLED显示面板，所述OLED显示面板还包括：
[0109] 像素定义层，形成于所述钝化层上，图案化形成发光定义区；
[0110] 发光材料层，形成于所述发光定义区内；
[0111] 公共电极层，形成于所述发光材料层以及所述像素定义层上；
[0112] 封装层，形成于所述公共电极层上。
[0113] 同时，本发明还提供一种阵列基板的制备方法，包括：
[0114] S1、提供衬底基板；
[0115] S2、在所述衬底基板上制备缓冲层；
[0116] S3、在所述缓冲层上制备有源层，并图案化形成薄膜晶体管的有源区，所述有源区包括掺杂区和沟道区；
[0117] S4、在所述有源层和所述缓冲层上制备栅极绝缘层；
[0118] S5、在所述栅极绝缘层上制备栅极层，并图案化形成储存电容的第一电极板、栅极、扫描线；
[0119] S6、在所述栅极层和栅极绝缘层上制备层间绝缘层；
[0120] S7、在所述层间绝缘层上制备源漏极层，并图案化形成所述储存电容的第二电极板、源极、漏极；
[0121] S8、在所述源漏极层和所述层间绝缘层上制备钝化层。
[0122] 本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，该制备方法为依次在衬底基板上制备缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏极层和钝化层。采用单栅极层设计，在栅极层内形成存储电容的第一电极板，在源漏极层内形成存储电容的第二电极板和各种功能连接线，通过各功能连接线实现不同膜层间的电流通路，从而省去了一层栅极结构，节省了一道光罩，降低了生产成本，缓解了现有显示装置存在生产成本高的问题。
[0123] 根据上述实施例可知，
[0124] 本发明实施例提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法，其阵列基板包括依次设置的衬底、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏极层和钝化层。采用单栅极层设计，在栅极层内形成存储电容的第一电极板，在源漏极层内形成存储电容的第二电极板和各种功能连接线，通过各功能连接线实现不同膜层间的电流通路，从而省去了一层栅极结构，节省了一道光罩，降低了生产成本，缓解了现有显示装置存在生产成本高的问题。
[0125] 综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
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