具粗糙化平面的发光二极管
专利汇可以提供具粗糙化平面的发光二极管专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型涉及一种具粗糙化平面的发光 二极管 ，包括： 基板 、设置于该基板上的至少一 发光二极管 芯片、以及包覆该发光二极管芯片并于其上方呈平面状模注成型的封装体；其中，该封装体具有经预定步骤处理的模具成型的粗糙化外表面，该粗糙化外表面具有一预定的表面粗糙度，该发光二极管芯片发射的光线经由该粗糙化外表面漫射出光。本实用新型具粗糙化平面的发光二极管可有效控制光线损耗，进一步提高 发光效率 与降低成本；以及可提高自体混光效率。，下面是具粗糙化平面的发光二极管专利的具体信息内容。
1.一种具粗糙化平面的发光二极管，其特征在于包括：
基板；
至少一发光二极管芯片，设置于该基板之上；以及
封装体，包覆该发光二极管芯片并于其上方呈平面状模注成型；
其中，该封装体具有经预定步骤处理的模具成型的粗糙化外表面，该粗 糙化外表面具有一预定的表面粗糙度，该发光二极管芯片发射的光线经由该 粗糙化外表面漫射出光。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于该模具为喷砂处理的 模具、放电加工处理的模具、等离子体加工处理的模具、或化学蚀刻处理的 模具。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于该发光二极管包括红 光二极管、绿光二极管、以及蓝光二极管。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于该表面粗糙度约为3 微米。
5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于该粗糙化外表面形成 于该封装体的上表面。
技术领域
本实用新型涉及一种具粗糙化平面的发光二极管，尤指一种可提高发光 效率呈平面状的发光二极管。
背景技术
由于传统发光二极管的工作电流约为几十至几百毫安(mA)，其亮度 远低于大部分照明所需，但若组合大量的发光二极管以提高亮度，则必须考 虑消耗功率大所伴随的热量问题，因此，提高单个发光二极管亮度或解决所 伴随的热效应，以提高组合照明的照明质量，为市场竞争必然的趋势。目前 所有发光二极管大厂皆着手持续提高发光二极管的发光效能，其中可行的方 案有二，其一是改善发光二极管结构(着重于让发光二极管的光能无损耗地 发出)；其二便是改进封装技术(包含改进荧光粉和涂抹技术)。
此外，发光二极管的封装型态主要分为两种，一为灯型(Lamp type)是 采用液体树脂灌注方式成型，另一种为表面贴装型(SMD type)则可采用液 体树脂灌注方式或模注成型方式(molding)。一般在处理提高亮度的问题上， 是在基板上成型一孔槽，再施以电镀金属反射层，再进一步固定芯片于该孔 槽处、打线、封胶等步骤，利用该反射层能够反射发光二极管芯片所发射出 来的光线，通过该封胶部分射出。然而，一种呈平面状的发光二极管在制模 时，其模具必进行一抛光过程，使得发光二极管的模注表面平滑光亮，请参 阅图1所示，发光二极管1包括基板10、设于该基板10上的发光二极管芯 片11、以及包覆该发光二极管芯片11并呈平面状模注成型的封装体12，该 发光二极管芯片11随材料组成不同而具有不同的出光角度，如图1的该封 装体12，由于模具必须通过抛光制作的结果，造成该封装体12具有光滑平 直的外表面(该内部因为由封装材料充填而与该发光二极管芯片11相邻接)， 当该发光二极管芯片11的发射光线超过临界角时，会在该封装体12内部成 全反射状态，进而在该封装体12内部进行多次不等的反射才能出光，此种 全反射会使光线于该封装体12内因反射次数过多而容易被吸收，造成光线 损失，此外，光线在反射过程亦有可能不是由上表面(即预定的出光面)射 出，此种光线为非可利用的光线，形成另一种程度的光线损耗，进一步造成 整体亮度下降、发光效率无法提高。
此外，发光二极管的发光一致性会因该封装体12内的磷光剂量的均匀 性与浓度而不同，因其光线所穿过的磷光剂量的改变取决于光线所穿过并发 散至该发光二极管之外的光学路径，当设置于其内的多个发光二极管芯片11 以混光方式出光，则可于该发光二极管1的正上方察觉白光射出，然于各发 光二极管芯片11的设置位置仍可能察觉各发光二极管芯片11本身颜色，而 无法达到均匀混光的效果。
发明内容
本实用新型提供一种具粗糙化平面的发光二极管，可有效控制光线损 耗，进一步提高发光效率与降低成本。
本实用新型提供一种具粗糙化平面的发光二极管，可提高自身混光效 率。
为达上述目的，本实用新型提供一种具粗糙化平面的发光二极管，包括： 基板、设置于该基板上的至少一发光二极管芯片、以及包覆该发光二极管芯 片并于其上方呈平面状模注成型的封装体；其中，该封装体具有经预定步骤 处理的模具成型的粗糙化外表面，该粗糙化外表面具有一预定的表面粗糙 度，该发光二极管芯片发射的光线经由该粗糙化外表面漫射出光。
根据本实用新型的发光二极管，其中该模具为喷砂处理的模具、放电加 工处理的模具、等离子体加工处理的模具、或化学蚀刻处理的模具。
根据本实用新型的发光二极管，其中该发光二极管包括红光二极管、绿 光二极管、以及蓝光二极管。
根据本实用新型的发光二极管，其中该表面粗糙度为约3微米。
根据本实用新型的发光二极管，其中该粗糙化外表面形成于该封装体的 上表面。
本实用新型具粗糙化平面的发光二极管具有以下优点：有效控制光线损 耗，进一步提高发光效率与降低成本；以及可提高自体混光效率。
以上所述仅为本实用新型的较佳可行实施例，非因此拘限本实用新型的 专利范围，故凡运用本实用新型说明书及附图内容所进行的等效结构变化， 均同理包含于本实用新型的范围内。
附图说明
图2所示为发光二极管的侧视图。
其中，附图标记说明如下：
1 公知发光二极管
10 基板 11 发光二极管芯片
12 封装体
2 本实用新型具粗糙化平面的发光二极管
20 基板 21 发光二极管芯片
22 封装体 221 粗糙化外表面
具体实施方式
此外，当该发光二极管2以多芯片组合方式取得所需规格，如由红光二 极管、绿光二极管、以及蓝光二极管组成的白色混光二极管。此种单一封装 体中具有多芯片的结构，因为直接漫射可达到均匀的自体混光效果，而减少 点光源产生的光点状态(由该发光二极管外隐约看到的各个发光二极管的颜 色)，使得出光颜色均匀度较佳。
由前述可知，本实用新型具粗糙化平面的发光二极管具有以下优点：
1.有效控制光线损耗，进一步提高发光效率与降低成本；以及
2.可提高自体混光效率。
以上所述仅为本实用新型的较佳可行实施例，非以此局限本实用新型的 专利范围，故凡运用本实用新型说明书及附图内容所进行的等效结构变化， 均同理包含于本实用新型的范围内。
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