专利汇可以提供一种带包封的芯片封装结构与实现工艺专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种带包封的芯片封装结构与实现工艺,其工艺流程如下:提供 晶圆 ;对晶圆背面进行减薄;翻膜后在所述晶圆功能面进行线路引出,形成金属布线层;在线路层上涂覆一层绝缘层;在该绝缘层上 刻蚀 出植球焊盘并植焊球;再次翻膜后对晶圆进行切割;在晶圆的背面 覆盖 一层绝缘层,同时,也会将切割道进行填充;将晶圆进行切割分离成单个芯片,形成六面包覆结构。该带包封的芯片封装结构可以改善产品生产过程中对 硅 造成的不良影响,如吸潮、分层或其他破损,提升芯片保护等级,减少包封材料CTE差距对芯片造成的影响。进而改善产品的可靠性,提高产品良率。,下面是一种带包封的芯片封装结构与实现工艺专利的具体信息内容。
1.一种带包封芯片封装结构,其特征在于:该封装结构包括:芯片单元(9)及包覆芯片单元的第一绝缘层(6)和第二绝缘层(8),芯片单元(9)的底部及两侧被第二绝缘层(8)包裹,芯片单元(9)的顶部被第一绝缘层(6)包裹;所述芯片单元(9)包括含有集成电路功能层的硅片(1)和氧化层(7),含有集成电路功能层的硅片(1)位于芯片单元(9)的下方;所述氧化层(7)置于含有集成电路功能层的硅片(1)的上方;所述氧化层(7)中有若干PIN脚(2)。
2.根据权利要求1所述的一种带包封芯片封装结构,其特征在于:所述PIN脚(2)为金属引脚。
3.根据权利要求1所述的一种带包封芯片封装结构,其特征在于:第一绝缘层(6)、第二绝缘层(8)的材料为聚酰亚胺或聚苯并噁唑或苯并环丁烯。
4.根据权利要求1所述的一种带包封芯片封装结构,其特征在于:第一绝缘层(6)、第二绝缘层(8)的厚度范围由所封装的芯片单元(9)厚度决定。
5.一种基于权利要求1所述的带包封芯片封装结构的实现工艺,其特征在于:形成六面包覆结构的工艺流程如下,
1)提供晶圆;
2)在晶圆的功能面进行线路引出,形成金属布线层(3),金属布线层(3)为单层金属或多层金属;若为多层金属,则金属布线层(3)的材质为铝、铜、镍、金中的一种或多种合金;
3)在相邻芯片之间的切割道(4)之间进行预切割;
4)在晶圆的功能面填充一层第一绝缘层(6),同时材料也会填充入切割道(4)内;
5)在绝缘层刻蚀出植球焊盘并植焊球(5);
6)将植焊球后的晶圆翻膜后在背面进行研磨,研磨深度超过预切割终点位置;
8)在晶圆的背面覆盖一层第二绝缘层(8);第二绝缘层(8)与第一绝缘层(6)的材质相同或不同;
9)将晶圆进行切割分离成单个芯片单元,形成六面包覆结构。
6.一种基于权利要求1所述的带包封芯片封装结构的实现工艺,其特征在于:形成六面包覆结构的工艺流程如下,
1)提供晶圆;
2)对晶圆背面进行减薄;
3)翻膜后在所述晶圆功能面进行线路引出,形成金属布线层(3);
4)在线路层上(3)涂覆一层第一绝缘层(6);
5)在该绝缘层刻蚀出植球焊盘并植焊球(5);
6)再次翻膜后对晶圆进行切割;
7)在晶圆的背面覆盖一层第二绝缘层(8);同时,也会将切割道(4)进行填充;第二绝缘层(8)的与第一绝缘层(6)的材质相同或不同;
8)将晶圆进行切割分离成单个芯片单元,形成六面包覆结构。
7.根据权利要求5所述的带包封芯片封装结构的实现工艺,其特征在于:在步骤3)中预切割的深度为0.1~750μm。
8.根据权利要求5所述的带包封芯片封装结构的实现工艺,其特征在于:所述步骤3)中的切割方式为刀切割或激光切割。
9.根据权利要求5所述的带包封芯片封装结构的实现工艺,其特征在于:金属布线层(3)为单层金属或多层金属;若为多层金属,则金属布线层的材质为铝、铜、镍、金中的一种或多种的合金。
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