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2-terminal semiconductor device using abrupt metal-insulator transition semiconductor material

阅读:85发布:2020-05-21

专利汇可以提供2-terminal semiconductor device using abrupt metal-insulator transition semiconductor material专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且Provided is a 2-terminal semiconductor device that uses an abrupt MIT semiconductor material layer. The 2-tenninal semiconductor device includes a first electrode layer, an abrupt MIT semiconductor organic or inorganic material layer having an energy gap less than 2eV and holes in a hole level disposed on the first electrode layer, and a second electrode layer disposed on the abrupt MIT semiconductor organic or inorganic material layer. An abrupt MIT is generated in the abrupt MIT semiconductor material layer by a field applied between the first electrode layer and the second electrode layer,,下面是2-terminal semiconductor device using abrupt metal-insulator transition semiconductor material专利的具体信息内容。

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