플라즈마 이머션 이온주입을 이용한 반도체 소자 제조방법
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+ /n 셀로우 정션 형성방법과 트랜치 커패시터 형성방법에 적당하도록 한 플라즈마 이머션 이온주입을 이용한 반도체 소자 제조방법에 관한것으로 파우어 공급부로부터 마이크로파를 ECR챔버(1)로 보내면 ECR챔버(1)에서의 미러형 두 자장에 의해서 ECR 영역이 형성되고 여기에 반응가스를 공급하여 플라즈마가 형성되게하며 웨이퍼(3) 및 웨이퍼 홀더에 바이어스가 가해지면 이온이 이머션 형태로 웨이퍼에 주입되게 한 것인바 이와같은 본 발명에 의하면 표면 구조에 전혀 관계없이 균일하게 이온주입이 가능한 효과를 갖는다.，下面是플라즈마 이머션 이온주입을 이용한 반도체 소자 제조방법专利的具体信息内容。
플라즈마 이머션 이온주입을 이용한 반도체 소자 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 플라즈마 이머션 이온 주입기의 개략도,
제3도는 본 발명의 이온주입 상태를 설명하기 위한 단면도,
제4도는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 단면도.
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