电子器件及电子器件制造方法
阅读：408发布：2024-02-06
专利汇可以提供电子器件及电子器件制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 实施例 提供一种 电子 器件及电子器件制造方法。电子器件包括 基板 ，基板中设置有接 地层 ；第一电子元件和第二电子元件，设置在基板上；金属屏蔽墙，设置在第一电子元件和第二电子元件之间；塑封胶，包覆第一电子元件、第二电子元件和金属屏蔽墙，塑封胶上具有开口，金属屏蔽墙顶部的金属面从开口中露出；导电 薄膜 ，包覆金属屏蔽墙顶部的金属面和塑封胶，且与基板的接地层电性连接。本发明实施例提供的电子器件及电子器件制造方法可以提供更好的 电磁干扰 屏蔽效果，并节约电子元件的电磁干扰屏蔽封装成本。，下面是电子器件及电子器件制造方法专利的具体信息内容。
1.一种电子器件，其特征在于，包括：
基板，所述基板中设置有接地层；
第一电子元件和第二电子元件，设置在所述基板上；
金属屏蔽墙，设置在所述第一电子元件和所述第二电子元件之间；
塑封胶，包覆所述第一电子元件、所述第二电子元件和所述金属屏蔽墙，所述塑封胶上具有开口，所述金属屏蔽墙顶部的金属面从所述开口中露出；
导电薄膜，包覆所述金属屏蔽墙顶部的金属面和所述塑封胶，且与所述基板的接地层电性连接。
2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述基板接地层设置在基板表层或者基板中间层。
3.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述金属屏蔽墙的高度不大于所述第一电子元件和所述第二电子元件中最高的电子元件的高度。
4.根据权利要求1～3任一项所述的电子器件，其特征在于，所述金属屏蔽墙包括：
金属板；
吸盘，设置在所述金属板的顶部；
两个支撑片，设置在所述金属板的底部。
5.一种电子器件制造方法，其特征在于，包括：
在基板上设置第一电子元件和第二电子元件，所述基板设有接地层；
在所述第一电子元件和所述第二电子元件之间的基板上设置金属屏蔽墙；
将设置有所述第一电子元件、所述第二电子元件和所述金属屏蔽墙的基板置于模具腔体内，注入塑封胶，形成塑封体；
将所述金属屏蔽墙顶部的塑封胶清除，以露出所述金属屏蔽墙顶部的金属面；
在所述金属屏蔽墙顶部的金属面和所述塑封胶上沉积导电薄膜，并使导电薄膜与所述基板的接地层电性连接。
6.根据权利要求5所述的电子器件制造方法，其特征在于，所述在所述第一电子元件和所述第二电子元件之间的基板上设置金属屏蔽墙，具体为：
在所述金属屏蔽墙顶部设置吸盘；
在所述金属屏蔽墙底部设置支撑片；
以贴装方式将所述金属屏蔽墙固定在所述基板上。
7.根据权利要求6所述的电子器件制造方法，其特征在于，所述金属屏蔽墙的高度不大于所述第一电子元件和所述第二电子元件中最高的电子元件的高度。
8.根据权利要求5-7任一项所述的电子器件制造方法，其特征在于，所述注入塑封胶，具体为：
将所述塑封胶沿着与所述金属屏蔽墙平行的方向注入。
9.根据权利要求5所述的电子器件制造方法，其特征在于，在所述金属屏蔽墙顶部的金属面和所述塑封胶上沉积导电薄膜的方式包括：镀膜或喷镀。
10.根据权利要求5所述的电子器件制造方法，其特征在于，在基板上还设置有第三电子元件和第四电子元件,其中第三电子元件与第一电子元件为第一组电子元件,第四电子元件和第二电子元件为第二组电子元件,所述在所述第一电子元件和所述第二电子元件之间的基板上设置金属屏蔽墙具体为：在第一组电子元件和第二组电子元件之间的基板上设置一个金属屏蔽墙。
11.根据权利要求10所述的电子器件制造方法，其特征在于，在将设置有所述第一组电子元件、所述第二组电子元件和所述金属屏蔽墙的基板置于模具腔体内，注入塑封胶，形成塑封体之后，还包括：将包含第一组电子元件和第二组电子元件的塑封体切割成第一子塑封体和第二子塑封体，其中，第一子塑封体包含第一电子元件和第二电子元件，第二子塑封体包含第三电子元件和第四电子元件。
电子器件及电子器件制造方法
技术领域
背景技术
[0003] 现有技术中，常用的电子元件屏蔽方式主要为通过金属屏蔽框实现对电子元件的屏蔽。
[0004] 图1为现有技术的金属屏蔽框结构示意图，如图1所示，金属屏蔽框101上有通孔102，在塑封制程，塑封胶通过金属屏蔽框101上的通孔102渗入金属屏蔽框101内，使金属屏蔽框101内的电子元件与金属屏蔽框101一起被塑封胶封装，形成完整的塑封体。但是，金属屏蔽框101致使塑封体模块的整体高度增加，塑封胶通过金属屏蔽框101上的通孔102才能渗入到金属屏蔽框101内部，塑封胶的流动性较差。因此，通过金属屏蔽框实现对电子元件屏蔽的效果不佳。
发明内容
[0005] 本发明实施例提供一种电子器件及电子器件制造方法，以提高对电子元件的电磁干扰屏蔽效果。
[0006] 一方面，本发明实施例提供一种电子器件，包括：
[0008] 第一电子元件和第二电子元件，设置在所述基板上；
[0009] 金属屏蔽墙，设置在所述第一电子元件和所述第二电子元件之间；
[0010] 塑封胶，包覆所述第一电子元件、所述第二电子元件和所述金属屏蔽墙，所述塑封胶上具有开口，所述金属屏蔽墙顶部的金属面从所述开口中露出；
[0011] 导电薄膜，包覆所述金属屏蔽墙顶部的金属面和所述塑封胶，且与所述基板的接地层电性连接。
[0012] 如上所述的电子器件，其中，所述基板接地层设置在基板表层或者基板中间层。
[0013] 如上所述的电子器件，其中，所述金属屏蔽墙的高度不大于所述第一电子元件和所述第二电子元件中最高的电子元件的高度。
[0015] 另一方面，本发明实施例提供一种电子器件制造方法，包括：
[0016] 在基板上设置第一电子元件和第二电子元件，所述基板设有接地层；
[0017] 在所述第一电子元件和所述第二电子元件之间的基板上设置金属屏蔽墙；
[0018] 将设置有所述第一电子元件、所述第二电子元件和所述金属屏蔽墙的基板置于模具腔体内，注入塑封胶，形成塑封体；
[0019] 将所述金属屏蔽墙顶部的塑封胶清除，以露出所述金属屏蔽墙顶部的金属面；
[0020] 在所述金属屏蔽墙顶部的金属面和所述塑封胶上沉积导电薄膜，并使导电薄膜与所述基板的接地层电性连接。
[0021] 如上所述的电子器件制造方法，其中，所述在所述第一电子元件和所述第二电子元件之间的基板上设置金属屏蔽墙，具体为：在所述金属屏蔽墙顶部设置吸盘；在所述金属屏蔽墙底部设置支撑片；以贴装方式将所述金属屏蔽墙固定在所述基板上。
[0022] 如上所述的电子器件制造方法，其中，所述金属屏蔽墙的高度不大于所述第一电子元件和所述第二电子元件中最高的电子元件的高度。
[0023] 如上所述的电子器件制造方法，其中，所述注入塑封胶，具体为：将所述塑封胶沿着与所述金属屏蔽墙平行的方向注入。
[0025] 如上所述的电子器件制造方法，其中，在基板上还设置有第三电子元件和第四电子元件,其中第三电子元件与第一电子元件为第一组电子元件,第四电子元件和第二电子元件为第二组电子元件,所述在所述第一电子元件和所述第二电子元件之间的基板上设置金属屏蔽墙具体为：在第一组电子元件和第二组电子元件之间的基板上设置一个金属屏蔽墙。
[0026] 如上所述的电子器件制造方法，其中，在将设置有所述第一组电子元件、所述第二组电子元件和所述金属屏蔽墙的基板置于模具腔体内，注入塑封胶，形成塑封体之后，还包括：将包含第一组电子元件和第二组电子元件的塑封体切割成第一子塑封体和第二子塑封体，其中，第一子塑封体包含第一电子元件和第二电子元件，第二子塑封体包含第三电子元件和第四电子元件。
[0027] 本发明实施例提供的电子器件，通过在第一电子元件和第二电子元件之间设置金属屏蔽墙，并使金属屏蔽墙、包覆于塑封胶上的导电薄膜和基板的接地层三者之间电性连接，形成完整的屏蔽体，实现分腔屏蔽，提高了电子元件的电磁干扰屏蔽效果。由于只需在第一电子元件和第二电子元件之间设置一面金属屏蔽墙，且金属屏蔽墙的高度不增加电子器件本身的高度，从而节约了电子元件的电磁干扰屏蔽封装成本。
[0028] 本发明实施例提供的电子器件制造方法，通过在基板上设置金属屏蔽墙，且在塑封过程中塑封胶的流动方向与金属屏蔽墙平行，使塑封胶能更均匀、饱满地分布在电子元件之间。由于导电薄膜包覆塑封胶和金属屏蔽墙顶部的金属面，且延伸至与基板的接地层电性连接，形成完整的屏蔽体，实现分腔屏蔽，从而大大提高了电子元件的电磁干扰屏蔽效果。由于金属屏蔽墙结构简单，占用基板空间小，耗费金属材料少，且两组电子元件可以共用金属屏蔽墙，简化了电子元件的电磁干扰屏蔽封装工艺，节约了电子元件的电磁干扰屏蔽封装成本。附图说明
[0029] 为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030] 图1为现有技术的金属屏蔽框结构示意图；
[0031] 图2为本发明电子器件实施例的剖面结构示意图；
[0032] 图3为图2中金属屏蔽墙的俯视结构示意图；
[0033] 图4为本发明电子器件制造方法实施例流程图；
[0034] 图5为本发明贴装电子元件的基板实施例的结构示意图；
[0035] 图6为本发明设置金属屏蔽墙的方法实施例流程图；
[0036] 图7为本发明贴装两组电子元件的基板实施例的结构示意图。
具体实施方式
[0037] 为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0038] 图2为本发明实施例提供的电子器件的剖面结构示意图，如图2所示，该电子器件包括基板201、第一电子元件202、第二电子元件203、金属屏蔽墙204、塑封胶205和导电薄膜206。
[0039] 基板201中设置有接地层；第一电子元件202和第二电子元件203设置在基板201上；金属屏蔽墙204设置在第一电子元件202和第二电子元件203之间；塑封胶205包覆第一电子元件202、第二电子元件203和金属屏蔽墙204，塑封胶205上具有开口，金属屏蔽墙204顶部的金属面从所述开口中露出；导电薄膜206包覆金属屏蔽墙204顶部的金属面和塑封胶205，且与基板201的接地层电性连接。
[0040] 具体地，基板201中设置有至少一层接地层，在第一电子元件202和第二电子元件203之间需要分腔处预留屏蔽墙空间，将金属屏蔽墙204固定在预留的屏蔽墙空间处的基板201上，塑封胶205沿着与金属屏蔽墙204平行的方向流入，均匀、饱满地填充在第一电子元件202、第二电子元件203和金属屏蔽墙204之间，待塑封胶205固化后，将金属屏蔽墙204顶部的塑封胶205清除，使金属屏蔽墙204顶部的金属面露出，然后在电子器件的塑封胶205表面喷镀导电薄膜206，实现导电薄膜206与基板201的至少一层接地层电性连接，由于金属屏蔽墙204顶部的金属面已露出，导电薄膜206、基板201的接地层和金屏蔽墙
204三者实现电性连接，形成完整的电磁干扰屏蔽封装体，并实现分腔屏蔽。
204三者实现电性连接，形成完整的电磁干扰屏蔽封装体，并实现分腔屏蔽。
[0041] 本发明实施例提供的上述电子器件，利用基板201本身的接地层，并通过在基板201的需要分腔处设置金属屏蔽墙204和在塑封体表面喷镀导电薄膜206，实现金属屏蔽墙
204与基板201的接地层电性连接，使金属屏蔽墙204、导电薄膜206和基板201的接地层三者之间形成完整的屏蔽体，实现分腔屏蔽，大大提高了电子元件的电磁干扰屏蔽效果。
204与基板201的接地层电性连接，使金属屏蔽墙204、导电薄膜206和基板201的接地层三者之间形成完整的屏蔽体，实现分腔屏蔽，大大提高了电子元件的电磁干扰屏蔽效果。
[0042] 如上所述的电子器件，其中，基板201的接地层可以设置在基板表层或者基板中间层。
[0043] 具体的，当基板201的接地层设置在基板表层时，沉积在塑封胶205上的导电薄膜206延伸至基板201表面周围的基板接地层，实现与基板表面接地层的电性连接；当基板201的接地层为基板201的中间层时，沉积在塑封胶205上的导电薄膜206延伸至基板201的侧面，实现与基板201侧面露出的至少一层接地层的电性连接。
[0044] 在本实施例中，优选地，金属屏蔽墙204的高度不大于第一电子元件202和第二电子元件203中最高的电子元件的高度，以确保电子器件的整体高度不因金属屏蔽墙的设置而增加。
[0045] 图3为图2中金属屏蔽墙的俯视结构示意图，如图3所示，图2中的金属屏蔽墙204还可以包括金属板301、吸盘302和支撑片303。
[0046] 在本实施例中，金属板301的厚度具体可以为1毫米～2毫米；吸盘302设置在金属板301的顶部，用于将金属屏蔽墙贴装于基板时的位置定位，吸盘302与金属板301的最高处保持在同一水平面上，使电子器件的整体高度不因金属屏蔽墙的设置而增加；支撑片303设置在金属板301的底部，两端各一个，两个支撑片303的朝向可以相反，对金属板301起支撑作用，还可以用作将金属屏蔽墙贴装于基板时的焊接管脚。
[0047] 本实施例中，由于金属板301的厚度可以非常小，金属屏蔽墙的高度不大于电子器件中最高的电子元件的高度，且金属屏蔽墙的制作工艺简单，因此，可以较大程度的节约电子元件的电磁干扰屏蔽封装成本；吸盘302的设置，使贴装时能够将金属屏蔽墙准确的定位在基板的预留屏蔽墙空间上，两个支撑片303使金属屏蔽墙能够垂直立在基板上，且可以用作贴装时的焊接管脚，将金属屏蔽墙牢固地固定在基板上，塑封胶的流动方向与金属屏蔽墙保持平行，因此，金属屏蔽墙的设置不会阻碍塑封胶的流动，使塑封胶能更均匀、饱满地填充在第一电子元件、第二电子元件和金属屏蔽墙之间，从而实现更好的塑封效果。
[0048] 图4为本发明电子器件制造方法实施例流程图，如图4所示，本实施例提供的电子器件制造方法具体包括如下步骤：
[0049] 步骤401、在基板上设置第一电子元件和第二电子元件，所述基板设有接地层；
[0050] 图5为本发明贴装电子元件的基板实施例的结构示意图，如图5所示，在基板500的两侧分别设置有第一电子元件501和第二电子元件502，可以在第一电子元件501和第二电子元件502之间预留屏蔽墙空间503。第一电子元件501和第二电子元件502是需要相互屏蔽的电子元件，第一电子元件501可以包括多个电子元件，第二电子元件502也可以包括多个电子元件，第一电子元件501和第二电子元件502可以包括不同种类和数量的电子元件。
[0051] 步骤402、在所述第一电子元件和所述第二电子元件之间的基板上设置金属屏蔽墙；
[0052] 优选地，金属屏蔽墙的高度不大于所述第一电子元件和所述第二电子元件中最高的电子元件的高度，以避免因引入所述金属屏蔽墙而增加电子器件的整体高度。
[0053] 步骤403、将设置有所述第一电子元件、所述第二电子元件和所述金属屏蔽墙的基板置于模具腔体内，注入塑封胶，形成塑封体；
[0054] 具体地，模具腔体对塑封体起定型作用，注塑过程中观察塑封胶的流动性，使塑封胶均匀、饱满地填充在第一电子元件、第二电子元件和金属屏蔽墙之间，并将第一电子元件、第二电子元件和金属屏蔽墙完全覆盖，然后硬化塑封胶，使塑封胶固化成为塑封体，并达到规定的电性能和机械性能。
[0055] 步骤404、将所述金属屏蔽墙顶部的塑封胶清除，以露出所述金属屏蔽墙顶部的金属面；
[0057] 步骤405、在所述金属屏蔽墙顶部的金属面和所述塑封胶上沉积导电薄膜，并使导电薄膜与所述基板的接地层电性连接。
[0058] 具体地，在固化成型的塑封胶上增加一层导电薄膜，并使导电薄膜与金属屏蔽墙顶部露出的金属面和基板侧面露出的接地层或者基板表面的接地层电性连接，形成完整的屏蔽体，实现分腔屏蔽。
[0059] 本实施例中，在基板的需要分腔处预留屏蔽墙空间，通过在基板上设置金属屏蔽墙，并将金属屏蔽墙的顶部金属面通过导电薄膜与基板的接地层电性连接，形成完整的屏蔽体，实现分腔屏蔽，从而大大提高了电子元件的电磁干扰屏蔽效果。由于金属屏蔽墙结构简单，占用基板空间小，耗费金属材料少，因而能够较大程度的节约电子元件的电磁干扰屏蔽封装成本。
[0060] 图6为本发明设置金属屏蔽墙的方法实施例流程图，如图6所示，本实施例中，所述在所述第一电子元件和所述第二电子元件之间的基板上设置金属屏蔽墙，具体可以包括如下步骤：
[0061] 步骤601、在所述金属屏蔽墙顶部设置吸盘；
[0062] 优选地，吸盘设置在金属屏蔽墙的顶部，用于将金属屏蔽墙固定于基板时的位置定位，吸盘与金属屏蔽墙的最高处保持在同一水平面上，使电子器件的整体高度不因金属屏蔽墙的设置而增加。
[0063] 步骤602、在所述金属屏蔽墙底部设置支撑片；
[0064] 优选地，支撑片设置在金属屏蔽墙的底部，两端各一个，两个支撑片的朝向可以相反，对金属屏蔽墙起支撑作用，还可以用作将金属屏蔽墙固定于基板时的焊接管脚。
[0065] 步骤603、以贴装方式将所述金属屏蔽墙固定在所述基板上。
[0066] 具体地，利用金属屏蔽墙顶部的吸盘将金属屏蔽墙定位于基板的预留屏蔽墙空间处，使金属屏蔽墙直立在基板上，将设置在金属屏蔽墙底部的支撑片作为焊接管脚，将金属屏蔽墙固定在基板上。
[0067] 本实施例中，优选地，所述金属屏蔽墙的高度不大于所述第一电子元件和所述第二电子元件中最高的电子元件的高度，以避免因引入所述金属屏蔽墙而增加电子器件的整体高度。
[0068] 本实施例中，优选地，将所述塑封胶沿着与所述金属屏蔽墙平行的方向注入。
[0069] 具体地，可以将塑封胶沿与金属屏蔽墙和基板都平行的方向注入，也可以将塑封胶沿与金属屏蔽墙平行、与基板垂直的方向灌入。因此，相较于现有技术的电磁干扰屏蔽封装方法，本实施例提供的技术方案使塑封胶具有更好的流动性，因此，塑封胶能够更加均匀、饱满的分布在第一电子元件、第二电子元件和金属屏蔽墙之间，实现更好的塑封效果。
[0070] 本实施例中，优选地，在所述金属屏蔽墙顶部的金属面和所述塑封胶上沉积导电薄膜的方式包括：镀膜或喷镀。
[0071] 具体地，通过离子镀、溅射镀等方式，在塑封体表面沉积一层金属薄膜，形成附着力好的表面镀层，作为屏蔽层。
[0072] 图7为本发明贴装两组电子元件的基板实施例的结构示意图，如图7所示，在基板700上，不仅设置有第一电子元件701、第二电子元件702，还设置有第三电子元件703和第四电子元件704,其中第三电子元件703与第一电子元件701为第一组电子元件,第四电子元件704和第二电子元件702为第二组电子元件,所述在第一电子元件701和第二电子元件702之间的基板700上设置金属屏蔽墙具体为：在第一组电子元件和第二组电子元件之间的基板700上设置一个金属屏蔽墙705。
[0073] 具体的，当第一电子元件701和第二电子元件702之间的金属屏蔽墙与第三电子元件703和第四电子元件704之间的金属屏蔽墙可以设置在一条直线上时，在第一组电子元件和第二组电子元件之间设置一个金属屏蔽墙705。
[0074] 第一组电子元件和第二组电子元件还可以包括更多的电子元件。优选地，金属屏蔽墙705的高度不大于第一组电子元件和第二组电子元件中最高的电子元件的高度。
[0075] 如上所述的电子器件制造方法，其中，在将设置有第一组电子元件、第二组电子元件和金属屏蔽墙705的基板700置于模具腔体内，注入塑封胶，形成塑封体之后，还可以包括：将包含第一组电子元件和第二组电子元件的塑封体切割成第一子塑封体和第二子塑封体，其中，第一子塑封体包含第一电子元件701和第二电子元件702，第二子塑封体包含第三电子元件703和第四电子元件704。
[0076] 具体的，为了达到更好的电磁干扰屏蔽效果，可以在金属屏蔽墙顶部的金属面和塑封胶上沉积导电薄膜之前，将包含第一组电子元件和第二组电子元件的塑封体切割成第一子塑封体和第二子塑封体，其中，第一子塑封体包含第一电子元件701和第二电子元件702，第二子塑封体包含第三电子元件703和第四电子元件704。
[0077] 本实施例中，在第一组电子元件和第二组电子元件之间设置一个金属屏蔽墙，其中，第一组电子元件和第二组电子元件包含的电子元件的个数不限于两个，金属屏蔽墙可以通过表面贴装的方式固定在基板上，塑封过程中，使塑封胶的流动方向与金属屏蔽墙保持平行，以避免金属屏蔽墙阻碍塑封胶的流动。然后将金属屏蔽墙顶部的塑封胶清除，露出金属屏蔽墙顶部的金属面。金属屏蔽墙顶部塑封胶的清除，可以利用化学方式、物理研磨及镭射等处理手段。为达到更好的电磁干扰屏蔽效果，可以将包含第一组电子元件和第二组电子元件的整板塑封体切割成多个子塑封体，然后再在各子塑封体上包覆导电薄膜，并使导电薄膜将金属屏蔽墙顶部的金属面与基板的接地层电性连接，形成完整的屏蔽体，实现分腔屏蔽。
[0078] 综上所述，本发明实施例提供的电子器件制造方法，通过在基板上设置金属屏蔽墙，并将金属屏蔽墙的顶部金属面通过导电薄膜与基板的接地层电性连接，形成完整的屏蔽体，能够提供更好的屏蔽效果。由于金属屏蔽墙的制作工艺简单，且两组电子元件之间可以共用金属屏蔽墙，不但减少了金属屏蔽墙所占用的基板空间，耗费较少的金属材料，而且提高了电磁干扰屏蔽封装的效率，较大程度上节约了电子元件的电磁干扰屏蔽封装成本。本发明实施例提供的电子器件，通过将金属屏蔽墙顶部的金属面与基板的接地层电性连接，使金属屏蔽墙、包覆于塑封胶上的导电薄膜和基板的接地层三者之间形成完整的屏蔽体，并实现分腔屏蔽，能够提供良好的电磁干扰屏蔽效果。
[0079] 最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
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