18-28GHZ的T组件制作工艺
专利汇可以提供18-28GHZ的T组件制作工艺专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种18-28GHZ的T组件制作工艺，包括：步骤1、将元器件 烧结 到电源板上；步骤2、将 电路 板和连接器的烧结到壳体上；步骤3、共晶芯片与 放大器 共晶组件烧结；步骤4、在相应 位置 胶接电源板及 芯片组 件；步骤5、在相应位置金丝键合；步骤6、调试、测试、封盖、打标。该18-28GHZ的T组件制作工艺流程科学、简便，生产的产品合格率较高，适合批量生产。，下面是18-28GHZ的T组件制作工艺专利的具体信息内容。
1.一种18-28GHZ的T组件制作工艺，其特征在于，包括：
步骤1、将元器件烧结到电源板上；
步骤2、将电路板和连接器的烧结到壳体上；
步骤3、共晶芯片与放大器共晶组件烧结；
步骤4、在相应位置胶接电源板及芯片组件；
步骤5、在相应位置金丝键合；
步骤6、调试、测试、封盖、打标。
2.根据权利要求1所述的18-28GHZ的T组件制作工艺，其特征在于，步骤1包括：
a、打开点胶机采用连续点胶模式，点胶机压力设置为30-60psi，在电路板焊盘处以及裸芯片焊盘处点涂适量的183℃成分为SN63PB37焊锡膏；
b、用镊子夹取元器件，按照元器件贴装图将电阻R、1-pin排针P、6-pin排针P、电容C正确放置在相对应的焊盘上；
c、将加热平台温度设置为200-220℃，将步骤b中安放好元器件的电源板放在加热平台上进行烧结，并且，在显微镜下观察，将发生移位、翘起的元器件用镊子拨正；烧结完成后，取下烧结完成后的电源板放在滤纸上，自然冷却后存放在培养皿中备用。
3.根据权利要求1所述的18-28GHZ的T组件制作工艺，其特征在于，步骤2包括：
d、用宽嘴镊子夹取浸有纯酒精的酒精棉清洗待烧结的腔体，清洗完成后待用；
e、取出预准备已成型的183℃成分为SN63PB37焊片以及针管低残留助焊剂，在壳体内需烧结电路板位置注射适量的低残留助焊剂，使用镊子将焊片放置对应位置后继续注射适量的低残留助焊剂，将电路板取出放置壳体内；打开点胶机采用连续点胶模式，点胶机压力设置为45-60psi，在低频连接器金属外缘点涂一圈熔点为183℃成分为SN63PB37焊膏再将连接器插入壳体对应位置，在连接器与壳体接触的外圈缝隙处继续点涂一圈183℃成分为SN63PB37焊膏，放置压块工装夹具，在显微镜下调整低频连接器的针与微带对准；
f、加热平台温度设置为200-230℃，将步骤e中待烧结的组件放在200-230℃的加热平台上进行烧结，焊锡膏开始融化时，用镊子拨动低频连接器，使焊膏充分流动；其中，如有移位及时用镊子拨正，并摩擦压块工装使电路板与壳体充分接触；焊接完成后，将焊好的组件从加热平台上取下，放置在滤纸上自然冷却；电烙铁温度设置为300-350℃，将连接器与电路板微带连接处使用183℃焊锡丝焊接，焊点光亮无虚焊；
g、使用汽相清洗机清洗，将烧结有电路板和低频连接器的组件放置在盛有60℃成分为ABZOL CEG CLEANER清洗剂的清洗槽中热煮泡15-25min；取出后放置盛有60℃无水乙醇的培养皿中进行刷洗，电路板表面以及连接器焊接处使用黄色软毛刷子刷洗，电路板四周缝隙使用肉色硬毛刷进行刷洗4-6min；再将清洗后的组件放置在40-60℃的烘箱内烘烤4-
6min，自然冷却至22-25℃后待用。
4.根据权利要求1所述的18-28GHZ的T组件制作工艺，其特征在于，步骤3包括：
h、将裸芯片共晶到对应载体上，共晶台温度设置300-320℃，用镊子将载体放在共晶台上，再将金锡焊片平铺在载体上，观察焊片，焊片熔化时，用镊子把焊片熔化的焊料均匀平铺在载体上，再将备好的芯片放到载体用镊子夹着芯片充分摩擦，排除中间多余空气，使载体与芯片紧密接触四周无缝隙时，用镊子将共好的芯片从共晶台上夹到防静电载物盒中；
其中，待共晶裸芯片包括功率放大器XD1001-BD、功率放大器AMMC-6425-W50、衰减器MAT10020、功分器P2701、移相器NC1552C-1923SD、芯片电容2020*101；
i、将步骤h共晶的放大器功率芯片组件烧结到壳体内，加热平台温度设置为150-175℃，将步骤g清洗后的组件放在150-175℃的加热平台上进行预热1min，将低温焊片置于载物盒备用，对照放大器共晶组件装配图，将低温焊片置于对应位置孔内，待焊片融化光亮，夹取放大器共晶组件置于孔内，摩擦2-3次固定，待共晶组件烧结完成，用镊子的组件从加热平台上取下，放置在滤纸上自然冷却。
5.根据权利要求1所述的18-28GHZ的T组件制作工艺，其特征在于，步骤4包括：
j、将已烧结元器件的电源板与壳体使用成分为1Oz/8Oz导电胶粘接，打开点胶机采用连续点胶模式，点胶机压力设置为30-60psi，在电源板背面均匀点涂一层网格状成分为
1Oz/8Oz导电胶，使用镊子将电源板放置壳体对应位置，施压保证电源板完全接触于壳体充分粘接；取出封装为单针和六针玻璃绝缘子，在绝缘子外缘均匀点涂一圈成分为1Oz/8Oz导电胶，再将绝缘子插入壳体的对应位置；
k、烘箱温度设置为100-150℃，时间设置1h；将步骤j粘接后的组件置于烘箱内；粘接完成，将已粘接的组件从烘箱取出，放置在滤纸上自然冷却备用；
l、将已共晶的芯片，使用成分为1Oz/8Oz导电胶粘接到壳体对应位置，对照芯片胶接图，打开点胶机采用连续点胶模式，点胶机压力设置为30-60psi，在对应胶接芯片位置点涂适量的导电胶，胶量根据芯片的大小决定，用镊子夹取芯片组件平整放置于对应位置；其中，待胶接的芯片组件为XD1001-BD、MAT10020、P2802、TGA4036和NC1558C-2932SD；
m、带上棉手套，将已胶接芯片完成的步骤l的组件，置于温度为100-150℃的烘箱内，时间设置为1-2h；胶接完成后，带上棉手套将组件从烘箱内取出自然冷却至22-25℃待用。
6.根据权利要求1所述的18-28GHZ的T组件制作工艺，其特征在于，步骤5包括：
n、打开键合加热平台，将温度设定在所需要的温度点80-105℃，预热10-20min；
o、将步骤m胶接芯片完的组件固定在键合加热台上，确保其平整，调整工作台的高度，确保劈刀尖处于最低时要比所焊接的芯片最低的器件略低；
p、打开747677E型三用键合机上的电源进入“MODEL 7700-Ball Bonder”拨动开关“BUFFER”转换程序模式缓冲器，调节工具加热旋钮“TOOL HEAT”，劈刀不需加热旋钮调至“0”；
q、按照金丝键合图，进行金丝键合；焊接时第一点焊在器件上，其位置对准其焊盘的中间位置以避免造成短路。
7.根据权利要求1所述的18-28GHZ的T组件制作工艺，其特征在于，步骤6包括：键合完成后，连接好外围电路和仪器仪表对18-28GHZ的T组件进行调试和测试，调试、测试完成后对18-28GHZ的T组件进行激光封盖和打标。
18-28GHZ的T组件制作工艺
技术领域
背景技术
发明内容
射适量的低残留助焊剂，将电路板取出放置壳体内；打开点胶机采用连续点胶模式，点胶机压力设置为45-60psi，在低频连接器金属外缘点涂一圈熔点为183℃成分为SN63PB37焊膏
再将连接器插入壳体对应位置，在连接器与壳体接触的外圈缝隙处继续点涂一圈183℃成
分为SN63PB37焊膏，放置压块工装夹具，在显微镜下调整低频连接器的针与微带对准；
醇的培养皿中进行刷洗，电路板表面以及连接器焊接处使用黄色软毛刷子刷洗，电路板四
周缝隙使用肉色硬毛刷进行刷洗4-6min；再将清洗后的组件放置在40-60℃的烘箱内烘烤
4-6min，自然冷却至22-25℃后待用。
MAT10020、功分器P2701、移相器NC1552C-1923SD、芯片电容2020*101；
亮，夹取放大器共晶组件置于孔内，摩擦2-3次固定，待共晶组件烧结完成，用镊子的组件从加热平台上取下，放置在滤纸上自然冷却。
为1Oz/8Oz导电胶，使用镊子将电源板放置壳体对应位置，施压保证电源板完全接触于壳体充分粘接；取出封装为单针和六针玻璃绝缘子，在绝缘子外缘均匀点涂一圈成分为1Oz/8Oz导电胶，再将绝缘子插入壳体的对应位置；
具体实施方式
46、51、53、56、61)、R(9、10、15、24、25、30、39、40、45、54、55、60)、R(14、29、44、59)、R(5、20、
35、50)、R(19、38、57、76)R(7、26、45、65)、排针(1-pin)：P(1、2、3、4、5、8、9、10、11、12、15、
16、、17、18、19、22、23、24、25、26、29、、30)、排针(6-pin)：P(7、14、21、28)电容：C(5、8、9、11、
18、19、21、28、29、31、38、39、41)、C(2、3、7、10、12、14、15、17、20、22、24、25、27、30、32、34、
35、37、40、42、44、45、)、C(1、4)
射适量的低残留助焊剂，将电路板取出放置壳体内；打开点胶机采用连续点胶模式，点胶机压力设置为45-60psi，在低频连接器金属外缘点涂一圈熔点为183℃成分为SN63PB37焊膏
再将连接器插入壳体对应位置，在连接器与壳体接触的外圈缝隙处继续点涂一圈183℃成
分为SN63PB37焊膏，放置压块工装夹具，在显微镜下调整低频连接器的针与微带对准，电路板以及低频连接器装配图如图2所示；
压块工装，使电路板与壳体充分接触。焊接完成后，将焊好的组件从加热平台上取下，放置在滤纸上自然冷却。电烙铁温度设置为300-350℃，将连接器与电路板微带连接处使用183
℃焊锡丝焊接，焊点光亮无虚焊；
乙醇的培养皿中进行刷洗，电路板表面以及连接器焊接处使用黄色软毛刷子刷洗，电路板
四周缝隙使用肉色硬毛刷进行刷洗4-6min；再将清洗后的组件放置在40-60℃的烘箱内烘
烤4-6min，自然冷却至22-25℃后待用。
夹到防静电载物盒中。待共晶裸芯片清单：功率放大器：XD1001-BD、AMMC-6425-W50、衰减器：MAT10020、功分器：P2701、移相器：NC1552C-1923SD、芯片电容：2020*101，对应的载体(1.2.3.4.5)芯片共晶图如图3所示；
预热1min，将低温焊片置于载物盒备用，对照放大器共晶组件装配图，将低温焊片置于对应位置孔内，待焊片融化光亮，夹取放大器共晶组件置于孔内，轻轻摩擦2-3次固定，待共晶组件烧结完成，用镊子的组件从加热平台上取下，放置在滤纸上自然冷却；放大器共晶组件装配图如图4所示。
2932SD，具体操作方式：打开点胶机采用连续点胶模式，点胶机压力设置为30-60psi，在对应胶接芯片位置点涂适量的导电胶，胶量根据芯片的大小决定，用镊子夹取芯片组件平整
放置于对应位置，芯片组件胶接图如图5所示；
单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
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