Semiconductor laser device
专利汇可以提供Semiconductor laser device专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE:To make the spectrum of a semiconductor laser narrower in width by a method wherein a specified one it the gain wavelengths of a semiconductor laser element is selectively and partially fed back and the refractive index is varied so as to control the specified wavelength. CONSTITUTION:A light waveguide array 2 and an output waveguide 8 are formed through diffusing Ti into an LiNbO3 crystal. A diffraction grating 4 is patterned through a dual light beam interference exposure method and formed by means of etching a LiNbO3 dielectric substrate 5 of a Z plate. The oscillating frequency of a semiconductor laser device is controlled by the voltage applied onto an electrode 3, using an electro-optical effect of the LiNbO3 substrate 5. The laser oscillation is generated between a reflecting coating 7 and the diffraction grating 4 and both a single longitudinal mode oscillation and a narrow spectrum width can be obtained at the same time.，下面是Semiconductor laser device专利的具体信息内容。
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