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沟槽形成方法和半导体器件制造方法

阅读:616发布:2024-02-12

专利汇可以提供沟槽形成方法和半导体器件制造方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 申请 公开了一种沟槽形成方法以及一种 半导体 器件制造方法。一示例方法可以包括:在衬底上形成硬掩膜层;在硬掩膜层上形成 刻蚀 停止确定层;分别对刻蚀停止确定层和硬掩膜层进行构图,以在其中形成与要形成的沟槽相对应的图案;以构图的刻蚀停止确定层和硬掩膜层为掩模,对衬底进行刻蚀,以在其中形成沟槽,其中,对衬底的刻蚀同时对刻蚀停止确定层进行刻蚀;以及检测指示刻蚀停止确定层被刻蚀到终点的 信号 ,以确定对衬底刻蚀的停止。,下面是沟槽形成方法和半导体器件制造方法专利的具体信息内容。

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