专利汇可以提供氮化物发光二极管专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种氮化物发光 二极管 ,其根据光学 各向异性 的原理,结合应 力 对MQW的o光的 介电常数 虚部 ε2和跃迁机率影响的原理,通过增加MQW的张 应力 ,增强沿C轴方向的o光的跃迁机率,提升从 正面 出光,可有效提升 发光二极管 的 发光效率 。,下面是氮化物发光二极管专利的具体信息内容。
1. 氮化物发光二极管,依次包括:n型氮化物层,发光层、p型氮化物层,其特征在于:
所述发光层为垒层和阱层构成的多量子阱结构,其中至少一个垒层中插入一晶格常数大于所述垒层和阱层的张应力作用层,增强对多量子阱的张应力作用,提升发光二极管沿c轴出光的效率。
2.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管,其特征在于:所述垒层为GaN层,所述阱层为InGaN。
3.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管,其特征在于:所述阱层为AlyGa1-yN,垒层为AlzGa1-zN,其中0
5.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管,其特征在于:所述张应力作用层的厚度为0.1~0.5nm。
6.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管,其特征在于:所述张应力作用层与垒层呈共格生长。
7.氮化物发光二极管,依次包括:n型氮化物层,发光层、p型氮化物层,其特征在于:所述发光层为垒层和阱层构成的多量子阱结构,在所述多量子阱结构的底部和顶部设置一晶格常数大于所述垒层和阱层的张应力作用层,增强对多量子阱的张应力作用,提升发光二极管沿c轴出光的效率。
8.根据权利要求7所述的氮化物发光二极管,其特征在于:所述张应力作用层为渐变层。
9. 根据权利要求7所述的氮化物发光二极管,其特征在于:所述张应力作用层的材料选用GaP、ZnSe或InN。
10.氮化物发光二极管,依次包括:n型氮化物层,发光层、p型氮化物层,其特征在于:
所述发光层为垒层和阱层构成的量子阱结构,在量子阱的两对称侧壁设置应力调节点,通过对量子阱两侧施加双轴压应力,从而间接引起量子阱受到张应力作用,增强对量子阱的阱层的张应力,提升发光二极管沿c轴出光的效率。
11.根据权利要求10所述的氮化物发光二极管,其特征在于:所述氮化物发光二极管采用应力封装,在封装结构中设置应力调节装置。
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