Semiconductor memory
专利汇可以提供Semiconductor memory专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE:To obtain a fast and stable LSI memory by forming a row-directional channel between the source and drain of FET on a semiconductor memory composed of column-directional word lines and row-directional data lines. CONSTITUTION:In silicon substrate 600, drain region 410 and source region 400 are provided and drain region 420 is similarly formed adjoining to region 410 for the formation of memory capacitor C0. On the entire surface, insulating film 200 is bonded and between regions 410 and 400, a channel region for word line W60 is formed. Between regions 420 and 410, channel Cp is formed in film 200. In this way, the Cp direction is made in parallel to the column.，下面是Semiconductor memory专利的具体信息内容。
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