显示设备及制造显示设备的方法
阅读：749发布：2020-05-08
专利汇可以提供显示设备及制造显示设备的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且公开了一种显示设备及制造显示设备的方法，该显示设备包括显示图像的显示部分、显示部分上的触摸部分，触摸部分包括显示部分上的第一导电层、第一导电层上的下无机层、 覆盖 下无机层的上无机层以及上无机层上的第二导电层。上无机层包括与下无机层大体上相同的材料。上无机层具有比下无机层的氢 原子 百分率小的氢原子百分率。，下面是显示设备及制造显示设备的方法专利的具体信息内容。
1.一种显示设备，包括：
显示图像的显示部分；以及
所述显示部分上的触摸部分，所述触摸部分包括：
所述显示部分上的第一导电层；
所述第一导电层上的下无机层；
覆盖所述下无机层的上无机层；以及
所述上无机层上的第二导电层，
其中所述上无机层包括与所述下无机层大体上相同的材料，
所述上无机层具有比所述下无机层的氢原子百分率小的氢原子百分率，以及所述下无机层具有比所述上无机层高的密度。
2.如权利要求1所述的显示设备，其中所述上无机层的所述氢原子百分率大于0且小于或等于20。
3.如权利要求2所述的显示设备，其中所述上无机层包括氮化硅。
4.如权利要求3所述的显示设备，其中所述第二导电层包括铜。
5.如权利要求2所述的显示设备，其中所述下无机层具有等于或大于5MV/cm的击穿电压。
6.如权利要求5所述的显示设备，其中所述下无机层具有比所述上无机层的厚度大的厚度。
7.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：
提供显示面板；
在所述显示面板上形成第一导电层；
在所述第一导电层上形成包括氮化硅的绝缘层；以及
在所述绝缘层上形成第二导电层，形成所述绝缘层包括：
在所述第一导电层上提供第一气体以形成下绝缘层；以及
在所述下绝缘层上提供第二气体以形成上绝缘层，以及
其中所述第一气体包括硅烷、氮气、氨气和氢气，以及所述第二气体包括硅烷、氮气和氢气。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述第二气体通过从所述第一气体中去除氨气而获得。
9.如权利要求8所述的方法，其中：
所述下绝缘层具有超过20的氢原子百分率，所述下绝缘层的所述氢原子百分率大于所述上绝缘层的氢原子百分率，以及
所述上绝缘层具有大于0且小于或等于20的氢原子百分率。
10.如权利要求7所述的方法，其中形成所述绝缘层在小于或等于85℃的温度执行。
显示设备及制造显示设备的方法
[0001] 相关申请的交叉引用
技术领域
[0003] 实施方式涉及显示设备及制造显示设备的方法。
背景技术
[0005] 实施方式针对于一种显示设备，该显示设备包括显示图像的显示部分、显示部分上的触摸部分，触摸部分包括显示部分上的第一导电层、第一导电层上的下无机层、覆盖下无机层的上无机层以及上无机层上的第二导电层。上无机层包括与下无机层大体上相同的材料。上无机层具有比下无机层的氢原子百分率小的氢原子百分率。
[0006] 上无机层的氢原子百分率可以大于0且小于或等于约20。
[0008] 第二导电层可以包括铜。
[0010] 下无机层可以具有比上无机层的厚度大的厚度。
[0012] 第一导电层可以包括薄膜封装层上的第一触摸电极，第一触摸电极在第一方向上延伸并且在与第一方向相交的第二方向上布置。第二导电层可以包括分别与第一触摸电极相交并且通过上无机层和下无机层与第一触摸电极绝缘的第二触摸电极。
[0013] 每个第一触摸电极可以包括布置在第一方向上且彼此间隔开的第一感测部分、以及第一连接部分，每个第一连接部分位于第一感测部分之间，以连接在第一感测部分之中彼此邻近的两个第一感测部分。每个第二触摸电极可以包括布置在第二方向上且彼此间隔开的第二感测部分、以及第二连接部分，每个第二连接部分位于第二感测部分之间，以连接在第二感测部分之中彼此邻近的两个第二感测部分。
[0014] 第一导电层可以包括：薄膜封装层上的第一感测部分，第一感测部分布置在第一方向上并且彼此间隔开；薄膜封装层上的并且在第一方向上延伸的连接部分，每个连接部分连接在第一感测部分之中彼此邻近的两个第一感测部分；以及薄膜封装层上的第二感测部分，第二感测部分在与第一方向相交的第二方向上布置、彼此间隔开、以及与第一感测部分和连接部分绝缘。第二导电层可以包括上无机层和下无机层上的桥电极，每个桥电极通过限定为穿过上无机层和下无机层的通孔而连接在第二感测部分之中彼此邻近的两个第二感测部分。
[0015] 实施方式还针对于一种制造显示设备的方法，该方法包括提供显示面板、在显示面板上形成第一电极层、在第一电极层上形成包括氮化硅的绝缘层、以及在绝缘层上形成第二导电层。形成绝缘层可以包括在第一导电层上提供第一气体以形成下绝缘层、以及在下绝缘层上提供第二气体以形成上绝缘层。第一气体可以包括硅烷、氮气、氨气和氢气，以及第二气体可以包括硅烷、氮气和氢气。
[0016] 第二气体可以通过从第一气体中充分地去除氨气而获得。
[0017] 下绝缘层可以具有超过约20的氢原子百分率，下绝缘层的氢原子百分率大于上绝缘层的氢原子百分率。上绝缘层可以具有大于0且小于或等于约20的氢原子百分率。
[0018] 形成绝缘层可以在小于或等于约85℃的温度执行。
[0019] 第一气体中的氢气的含量可以大于第二气体中的氮气的含量的约三倍。
[0020] 第二气体中的硅烷的含量小于第一气体中的硅烷的含量。
[0021] 显示面板可以包括基衬底、基衬底上的有机发光二极管、以及覆盖有机发光二极管的薄膜封装层，直接在薄膜封装层上形成第一导电层。
[0022] 形成第二导电层可以通过使用蚀刻溶液的湿法蚀刻工艺来执行。对上绝缘层的蚀刻速率可以是约
[0023] 形成第一导电层可以包括在薄膜封装层上形成第一电极使得第一电极在第一方向上延伸并且在与第一方向相交的第二方向上布置。形成第二导电层可以包括在上绝缘层上形成第二电极以与第一电极相交。
[0024] 第一导电层可以包括：薄膜封装层上的第一电极，第一电极在第一方向上延伸并且在与第一方向相交的第二方向上布置；以及位于第一电极之间的第二电极，第二电极在第二方向上彼此间隔开。形成第二导电层可以包括形成穿过上绝缘层和下绝缘层的通孔、以及在上绝缘层上形成连接电极，连接电极通过通孔连接第二电极。附图说明
[0025] 通过参照附图详细地描述示例性实施方式，诸多特点对于本领域的技术人员而言将会变得显而易见，在附图中：
[0026] 图1说明了示出根据示例性实施方式的显示设备的装配立体图；
[0027] 图2说明了示出图1中所示的显示设备的分解立体图；
[0028] 图3A说明了示出根据示例性实施方式的显示部分的平面图；
[0029] 图3B说明了示出根据示例性实施方式的显示部分的剖视图；
[0030] 图4A说明了示出根据示例性实施方式的触摸部分的一部分的平面图；
[0031] 图4B说明了示出根据示例性实施方式的触摸部分的一部分的平面图；
[0032] 图4C说明了沿图4B的线I-I'截取的剖视图；
[0033] 图5A说明了示出根据另一示例性实施方式的触摸部分的一部分的平面图；
[0034] 图5B说明了示出根据示例性实施方式的触摸部分的一部分的平面图；
[0035] 图5C说明了沿图5B的线II-II'截取的剖视图；
[0036] 图6说明了示出根据示例性实施方式的制造显示设备的方法的流程图；以及[0037] 图7说明了示出图6中所示的制造方法的一部分的流程图。
具体实施方式
[0038] 现在，将在下文中参照附图更充分地描述示例性实施方式；然而，它们可以以不同的形式实施并且不应被理解为限于在本文中所阐述的实施方式。更确切地说，提供这些实施方式以使得本公开将是彻底的和完整的，并将向本领域技术人员充分地传达示例性实现方式。
[0039] 在所绘附图中，为了说明的清楚性可以放大层和区域的尺寸。还将理解的是，当层或元件被称为在另一层或衬底“上”时，该层或元件可以直接在另一层或衬底上，或还可以存在介于中间的层。进一步地，将理解的是，当层被称为在两个层“之间”时，该层可以是这两个层之间的唯一的层，或者还可以存在一个或多个介于中间的层。贯穿全文，相同的参考数字指示相同的元件。
[0040] 将理解的是，虽然术语第一、第二等在本文中可用于描述各种元件、部件、区域、层和/或段，但是这些元件、部件、区域、层和/或段不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或段与另一元件、部件、区域、层或段区分开。因此，在不背离本发明的教导的情况下，下文讨论的第一元件、部件、区域、层或段可称为第二元件、部件、区域、层或段。
[0041] 除非另有定义，否则本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与相关领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。将进一步理解的是，多个术语诸如常用字典中所定义的那些术语应该被理解为具有与其在相关领域的上下文中的含义相一致的含义，并且除非本文明确地定义，否则不应以理想化的或过于正式的意义解释这些术语。
[0042] 图1说明了示出根据示例性实施方式的显示设备DA的装配立体图，以及图2说明了示出图1中所示的显示设备的分解立体图。
[0043] 参照图1和图2，显示设备DA可以包括显示区AR和非显示区BR，显示区AR和非显示区BR设置在由第一方向DR1和与第一方向DR1相交的第二方向DR2限定的平面上。
[0044] 显示区AR是其中显示图像IM的区域。用户可以从通过显示区AR所显示的图像IM获得信息。
[0045] 非显示区BR可以围绕显示区AR的边缘。非显示区BR可以限定显示区AR。图像IM不在非显示区BR中显示。诸如按钮、输入端口等的外部输入装置可以进一步设置于非显示区BR中。
[0046] 显示设备DA可以包括上保护构件100、下保护构件200以及触摸屏面板TSP。上保护构件100和下保护构件200可以限定显示设备DA的外部形状。
[0047] 上保护构件100和下保护构件200可以耦接至彼此以保护触摸屏面板TSP。上保护构件100和下保护构件200中的每个可以是塑料衬底、金属衬底、玻璃衬底或薄膜。
[0048] 上保护构件100可以覆盖触摸屏面板TSP。上保护构件100可以包括传输区100-AR和非传输区100-BR。
[0049] 传输区100-AR可以与显示区AR处于重叠的关系。传输区100-AR可以传输光使得图像IM被用户感知。用户可以通过传输区100-AR感知图像IM。
[0050] 传输区100-AR可以由开口部限定或通过使用透明材料限定，其中光传输通过该透明材料。传输区100-AR可以传输图像IM以及可以保护显示设备DA的内部。
[0051] 非传输区100-BR可以围绕传输区100-AR。非传输区100-BR可以具有框架形状。非传输区100-BR可以阻挡从触摸屏面板TSP提供的光。非传输区100-BR可以防止光行进至非显示区BR。
[0052] 下保护构件200可以包括大体上与上保护构件100平行的平面和从平面弯曲至上方向DR3(下文中被称为第三方向)的侧面。侧面可以从限定平面的面弯曲以围绕平面的边缘。
[0053] 平面和侧面可以限定预定的内部空间。下保护构件200可以在其内部空间中容纳触摸屏面板TSP。侧面可以耦接于上保护构件100的边缘。
[0054] 触摸屏面板TSP可以包括显示部分300和触摸部分400。显示部分300和触摸部分400可以在第三方向DR3上顺序地堆叠。
[0055] 显示部分300可以生成和显示图像IM。显示部分300可以是例如响应于施加至其上的电压源而显示图像IM的显示面板。
[0057] 当有机发光显示面板用作显示部分300时，显示部分300自身发光，而无需使用单独的光源。因此，显示设备DA可以是纤薄的和重量轻的。包括显示部分300的显示设备DA可以应用于移动设备、便携式设备或可以容易地在口袋中携带的柔性设备。
[0058] 触摸部分400可以感测外部触摸信息并将所感测的外部触摸信息作为输入信号施加至显示设备DA。外部触摸信息可以通过可在上保护构件100上发生的用户的触摸产生。触摸部分400可以直接设置在显示部分300上。
[0059] 触摸部分400可以包括第一导电层410、绝缘层420、第二导电层430以及上层440。第一导电层410、绝缘层420、第二导电层430以及上层440可以在第三方向DR3上顺序地堆叠。
[0061] 第二导电层430可以包括与第一导电层410相同的材料。作为示例，第二导电层430可以包括铜。
[0062] 第一导电层410和第二导电层430中的每个可以包括多个导电图案。第一导电层410的导电图案在与第二导电层430的导电图案相交的同时可以与第二导电层430的导电图案绝缘。导电图案可以具有多种形状。
[0063] 绝缘层420可以使第一导电层410与第二导电层430绝缘。绝缘层420可以包括无机材料。例如，绝缘层420可以包括氮化硅和氧化硅中的至少一种。例如，绝缘层420可以包括氮化硅。
[0064] 无机材料可以包括包含处于不同比例的氢原子的无机分子。例如，氮化硅除了包括硅原子和氮原子之外可以包括氢原子。与硅原子相结合的氢原子的比例可以处于不同的组合。
[0065] 绝缘层420可以具有多层结构。在本示例性实施方式中，绝缘层420可以配置为包括一个堆叠在另一个上的至少两层。这两层可以包括大体上相同的无机材料。
[0066] 上层440可以是塑料衬底、玻璃衬底或薄膜。在一些实现方式中，上层440可以是光学薄膜，例如偏光板。在一些实现方式中，可以从触摸部分400省略上层440。
[0067] 图3A说明了示出根据示例性实施方式的显示部分的平面图。图3B是示出根据示例性实施方式的显示部分的剖视图。在图3A和3B中，相同的参考数字指示图1和图2中的相同元件，并因此将不重复对相同元件的详细描述。
[0069] 像素区300-AR可以显示图像。像素区300-AR可以与显示区AR重叠。外围区300-BR可以围绕像素区300-AR。
[0070] 显示部分300可以包括多个信号线SGL、栅极驱动电路GDC以及多个像素PX。信号线SGL可以配置为包括多个栅极线GL和多个数据线DL。
[0071] 栅极线GL可以在第一方向DR1上延伸并且可以布置在第二方向DR2上。数据线DL可以在与栅极线GL相交的同时与栅极线GL绝缘。栅极线GL和数据线DL可以设置在像素区300-AR和外围区300-BR中。
[0072] 栅极驱动电路GDC可以设置在外围区300-BR中。栅极驱动电路GDC可以连接至栅极线GL。栅极驱动电路GDC可以将扫描信号顺序地施加至栅极线GL。
[0073] 栅极驱动电路GDC可以以多种方式设置。例如，栅极驱动电路GDC可以通过玻璃覆晶(COG)法或薄膜覆晶(COF)法安装在显示部分300上。栅极驱动电路GDC可以单独制备，并且随后耦接至显示部分300。
[0074] 数据线DL可以设置在像素区300-AR中并且可以延伸至外围区300-BR中。数据焊盘DL-P可以设置在外围区300-BR中的数据线DL的一端。数据线DL可以通过数据焊盘DL-P接收数据信号。
[0075] 显示部分300可以连接至主电路FPC-300。在图3A中，主电路FPC-300由虚线指示。
[0076] 主电路FPC-300可以包括数据驱动电路。主电路FPC-300可以连接至数据焊盘DL-P并且可以将数据信号施加至数据线DL。
[0077] 另外，主电路FPC-300可以连接至栅极焊盘GL-P。栅极焊盘GL-P可以设置在显示部分300中以邻近于数据焊盘DL-P。
[0078] 栅极焊盘GL-P可以连接至栅极驱动电路GDC。主电路FPC-300可以通过栅极焊盘GL-P将控制信号施加至栅极驱动电路。
[0079] 像素PX可以设置在像素区300-AR中。每个像素PX可以连接至栅极线GL中相应的栅极线和数据线DL中相应的数据线。
[0080] 像素PX可以响应于通过栅极线GL提供的扫描信号操作，以生成与通过数据线DL提供的数据信号相对应的图像。
[0081] 图3B示出了显示部分300连同一个像素PX的剖视图。显示部分300可以包括基衬底310、器件层320、显示层330和薄膜封装层340。像素PX可以包括薄膜晶体管TFT和有机发光二极管OLED。
[0082] 基衬底310可以是玻璃衬底、塑料衬底或薄膜。器件层320可以设置在基衬底310上。器件层320可以包括薄膜晶体管TFT、第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2。
[0084] 第一绝缘层IL1可以设置在基衬底310上以覆盖控制电极CE。第一绝缘层IL1可以覆盖控制电极CE和栅极线。第一绝缘层IL1可以包括无机材料和有机材料中的至少一种。第一绝缘层IL1可以具有单层或多层结构。
[0085] 半导体层AL可以设置在第一绝缘层IL1上。半导体层AL可以与控制电极CE处于重叠的关系。半导体层AL可以包括非晶硅、多晶硅或金属氧化物半导体。
[0086] 输入电极IE和输出电极OE可以设置在第一绝缘层IL1上并且彼此间隔开。数据线DL可以设置在第一绝缘层IL1上。输入电极IE可以从与像素PX相对应的数据线分出。
[0087] 输入电极IE和输出电极OE中的每个可以与半导体层AL的一部分处于重叠的关系。半导体层AL可以进一步包括设置于分别与输入电极IE和输出电极OE重叠的区域中的欧姆接触层。
[0088] 输入电极IE和输出电极OE可以彼此间隔开以暴露对应于输入电极IE和输出电极OE之间的距离的、半导体层AL的那一部分。
[0089] 第二绝缘层IL2可以设置在第一绝缘层IL1上以覆盖薄膜晶体管TFT。第二绝缘层IL2可以将薄膜晶体管TFT与其他元件电绝缘。
[0090] 第二绝缘层IL2可以包括无机材料和有机材料中的至少一种。第二绝缘层IL2可以具有单层或多层结构。
[0091] 图3B示出了具有底栅结构的薄膜晶体管TFT。在一些实现方式中，薄膜晶体管TFT可以具有顶栅结构、双栅结构或平面结构。
[0092] 显示层330可以设置在器件层320上。显示层330可以包括有机发光二极管OLED和像素限定层PDL。有机发光二极管OLED可以包括第一电极ED1、有机层EL和第二电极ED2。
[0093] 第一电极ED1可以设置在第二绝缘层IL2上。第一电极ED1可以通过穿过第二绝缘层IL2所形成的通孔TH连接至输出电极OE。
[0094] 第一电极ED1可以是透射式电极、半透半反射式电极或反射式电极。例如，当第一电极ED1是透射式电极时，第一电极ED1可以包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)等的透明金属氧化物。
[0095] 当第一电极ED1是半透半反射式或反射式电极时，第一电极ED1可以包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其混合物。
[0096] 第一电极ED1可以具有单层结构或多层的层结构。例如，第一电极ED1可以具有氧化铟锡(ITO)、银(Ag)或金属混合物的单层结构、氧化铟锡/镁(ITO/Mg)的双层结构、氧化铟锡/氟化镁(ITO/MgF)的双层结构、或氧化铟锡/银/氧化铟锡(ITO/Ag/ITO)的三层结构。
[0097] 像素限定层PDL可以设置在第二绝缘层IL2上。像素限定层PDL可以包括有机材料和无机材料中的至少一种。像素限定层PDL可以暴露第一电极ED1的至少一部分。
[0100] 有机层EL可以具有单层结构或多层结构。当有机层EL具有多层结构时，可以提高发光二极管OLED的光效率。
[0101] 第二电极ED2可以设置在有机层EL和像素限定层PDL上。第二电极ED2可以设置于显示部分300的整个表面之上。
[0102] 第二电极ED2可以是透射式电极、半透半反射式电极或反射式电极。例如，第二电极ED2可以包括锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)或其化合物或混合物。
[0103] 第二电极ED2可以包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其混合物，或者可以包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等的透明导电氧化物。
[0104] 第一电极ED1和第二电极ED2根据有机发光二极管OLED的发光类型可以包括不同的材料。例如，当有机发光二极管OLED是前表面发光类型时，第一电极ED1可以是反射式电极，以及第二电极ED2可以是透射式电极或半透半反射式电极。另一方面，当有机发光二极管OLED是后表面发光类型时，第一电极ED1可以是透射式电极或半透半反射式电极，以及第二电极ED2可以是反射式电极。
[0105] 薄膜封装层340可以设置在显示层330上。薄膜封装层340可以封装有机发光二极管OLED。薄膜封装层340可以保护有机发光二极管OLED免受潮湿和氧化的作用。
[0106] 薄膜封装层340可以包括透明绝缘材料。薄膜封装层340可以包括有机材料和无机材料中的至少一种。薄膜封装层340可以进一步包括偏光板。
[0107] 薄膜封装层340可以具有单层或多层结构。当薄膜封装层340具有多层的层结构时，每一层具有约1nm至约50nm的厚度。可以通过薄膜封装层340封装显示部分300，并因此显示设备可以是纤薄的。
[0108] 图4A说明了示出根据示例性实施方式的触摸部分的一部分的平面图，图4B是示出根据示例性实施方式的触摸部分的一部分的平面图，以及图4C是沿图4B的线I-I'截取的剖视图。
[0109] 在下文中，将参照图4A至4C对触摸部分400进行详细的描述。在图4A至4C中，相同的参考数字指示图1至图3B中的相同元件，并因此将不重复对相同元件的详细描述。在图4A至4C中，可以省略的上层440(参照图2)没有被示出。
[0110] 参照图4A，触摸部分400可以直接设置在显示部分300上。第一导电层410可以设置在薄膜封装层340上。
[0111] 第一导电层410可以包括多个导电图案。导电图案可以包括在第一方向DR1上延伸且在第二方向DR2上布置的第一触摸电极410a、410b、410c和410d。
[0112] 第一触摸电极410a、410b、410c和410d中的每个可以包括第一感测部分TP1和第一连接部分CP1。第一感测部分TP1可以在第二方向DR2上布置并且彼此间隔开。第一连接部分CP1可以设置在第一感测部分TP1之间。每个第一连接部分CP1可以在第一方向DR1上连接彼此邻近的两个第一感测部分。
[0113] 第一导电层410可以进一步包括外部线WP1。外部线WP1的一端可以连接至第一触摸电极410a、410b、410c和410d。
[0114] 下部焊盘PDD可以限定在外部线WP1的另一端。下部焊盘PDD可以连接至稍后描述的第一焊盘PD1。
[0115] 参照图4B，绝缘层420可以设置在第一导电层410上。绝缘层420可以覆盖第一导电层410。第二导电层430可以设置在绝缘层420上。绝缘层420可以使第一导电层410与第二导电层430绝缘。
[0116] 第二导电层430可以包括多个导电图案。导电图案可以包括在第二方向DR2上延伸并且在第一方向DR1上布置的第二触摸电极430a、430b和430c。
[0117] 第二触摸电极430a、430b和430c具有与第一触摸电极410a、410b、410c和410d大体上相似的结构。例如，第二触摸电极430a、430b和430c可以配置为包括第二感测部分TP2和第二连接部分CP2。
[0118] 第二感测部分TP2可以在第一方向DR1上布置并且彼此间隔开。当在平面图中观察时，第二感测部分TP2可以设置在第一感测部分TP1之间，不与第一感测部分TP1重叠。
[0119] 第二连接部分CP2可以设置在第二感测部分TP2之间。每个第二连接部分CP2可以在第二方向DR2上连接彼此邻近的两个第二感测部分TP2。第二连接部分CP2可以设置为与第一连接部分CP1相交。第二连接部分CP2可以与第一连接部分CP1部分地重叠。
[0120] 第二导电层430进一步包括外部线WP2。外部线WP2的一端可以分别连接至第二触摸电极430a、430b和430c。外部线WP2的另一端可以延伸至焊盘区域PA中。
[0121] 第一焊盘PD1和第二焊盘PD2可以设置于焊盘区域PA中。第一焊盘PD1可以连接至第一导电层410的外部线WP1并且第二焊盘PD2可以连接至第二导电层420的外部线WP2。
[0122] 通孔420-TH可以穿过绝缘层420形成。通孔420-TH可以与下部焊盘PDD重叠。第一焊盘PD1可以通过通孔420-TH电连接至下部焊盘PDD。
[0124] 信号施加器可以向第一触摸电极410a、410b、410c和410d或第二触摸电极430a、430b和430c顺序地施加感测信号。信号处理器可以感测感测信号的延迟值以感测触摸坐标。触摸驱动器可以直接安装在绝缘层420上或安装在用于触摸事件的单独的电路板上。
[0125] 参照图4C，绝缘层420可以包括第一绝缘层421和第二绝缘层422。第一绝缘层421(在下文中，称作下绝缘层)可以设置在绝缘层420的下部。第二绝缘层422(在下文中，称作上绝缘层)可以设置在绝缘层420的上部。
[0126] 在本示例性实施方式中，下绝缘层421可以提供绝缘层420的电耐久性，以及上绝缘层422可以提供绝缘层420的物理耐久性。例如，下绝缘层421可以提高绝缘层420的击穿电压，以及上绝缘层422可以减小绝缘层420的蚀刻速率以提高绝缘层420对蚀刻溶液的抵抗力。
[0127] 通常，随着层中的氢原子的数量变得更大，层的蚀刻速率增加。当层相对于蚀刻溶液具有高蚀刻速率时，层可能容易受到蚀刻溶液的伤害。当层相对于蚀刻溶液具有低蚀刻速率时，层对于蚀刻溶液可以是稳定的。因此，当绝缘层420被蚀刻时，绝缘层420的蚀刻速率可以对绝缘层420产生强烈的影响。
[0128] 上绝缘层422中的氢原子的比例可以比下绝缘层421中的氢原子的比例低。因此，上绝缘层422可以具有比下绝缘层421的蚀刻速率低的蚀刻速率。
[0129] 在本示例性实施方式中，氮化硅可以由指示氮原子可以变化的分子式SiNX表示。因此，氢原子与硅原子的比例也会变化。例如，虽然氮化硅可以是通过将氮原子与硅原子结合而获得的化合物，但是可以根据与氢原子结合的氮原子的数量加入氢原子。
[0130] 在本示例性实施方式中，包含于每个层中的氢原子的比例通过原子百分率(at％)表示。术语“原子百分率”指的是氢原子相对于包含于每个层中的各种原子的百分率。
[0131] 在根据本示例性实施方式的显示设备中，这样的绝缘层用作上绝缘层422，在该绝缘层中氢原子的原子百分率小于下绝缘层421中的氢原子的原子百分率。因此，显示设备可以防止下绝缘层421在蚀刻过程期间被损坏。
[0132] 另外，特定层的击穿强度受到特定层的层密度影响。与上绝缘层422相比下绝缘层421可以具有相对高的层密度。
[0133] 下面的表1表示下绝缘层421和上绝缘层422与对比示例的比较。将参考下面的表1对绝缘层420进行详细的描述。
[0134] 表1
[0135]
[0136] 第一对比示例表示在约370℃的高温形成的氮化硅层，第二对比示例表示在约70℃的低温形成的氮化硅层，下绝缘层421包括在约70℃的低温形成的氮化硅，以及上绝缘层422包括在约70℃的低温形成的氮化硅。
[0137] 详细地，在功率约为900W、沉积源和目标衬底之间的距离约为500密耳以及压力约为1000豪托的条件下形成下绝缘层421。在这种情况下，用于沉积下绝缘层421的沉积气体包括约1500sccm(标准立方厘米每分钟)的氮气(N2)、约500sccm的氨气(NH3)、约150sccm的硅烷气(SiH4)以及约4500sccm的氢气(H2)。
[0138] 在功率约为500W、沉积源和目标衬底之间的距离约为1000密耳以及压力约为500豪托的条件下形成上绝缘层422。在这种情况下，用于沉积上绝缘层422的沉积气体包括约3000sccm的氮气(N2)、约50sccm的硅烷气(SiH4)以及约4500sccm的氢气(H2)。用于沉积上绝缘层422的沉积气体不包括氨气(NH3)。
[0139] 如上所述，下绝缘层421和上绝缘层422具有不同的氢的原子百分率。表1中所示出的蚀刻速率表示针对与铜反应的蚀刻溶液的蚀刻速率。
[0140] 通常，在高温形成的氮化硅层相对于蚀刻溶液具有优良的稳定性，以及在低温形成的氮化硅层具有容易受到蚀刻溶液损坏的倾向。如表1所示，第一对比示例相对于蚀刻溶液具有约 (埃每秒)的相对低的蚀刻速率。
[0141] 第二对比示例相对于蚀刻溶液具有约 的相对高的蚀刻速率。当与第一对比示例比较时，因为第二对比示例容易与蚀刻溶液反应，所以在蚀刻铜的蚀刻过程期间第二对比示例可以容易被损坏。
[0142] 根据本示例性实施方式的上绝缘层422包括约19.6at％的氢原子。因此，上绝缘层422的蚀刻速率约为 与第一对比示例的蚀刻速率类似。因此，上绝缘层422相对于蚀刻溶液具有优良的稳定性。
[0143] 详细地，上绝缘层422的氢原子的数量在大于约0at％且小于或等于约20at％的范围内。因此，上绝缘层422相对于与铜反应的蚀刻溶液具有小于或等于约 的蚀刻速率。根据本示例性实施方式的绝缘层420的蚀刻速率可以通过调节氢原子的原子百分率来控制。因此，可以提高绝缘层420的稳定性。
[0144] 参照表1，下绝缘层421具有约 的蚀刻速率，该蚀刻速率低于第二对比示例的蚀刻速率，但高于第一对比示例的蚀刻速率。因此，下绝缘层421可以被蚀刻溶液轻微地损坏。
[0145] 根据实施方式的绝缘层420具有双层结构，该双层结构包括覆盖下绝缘层421的、具有相对低的蚀刻速率的上绝缘层422。第二导电层430可以设置在上绝缘层422上，因此，下绝缘层421可以被上绝缘层422保护。第二导电层430可以在不损坏绝缘层420的情况下形成。因此，当制造显示设备时，可以提高绝缘层420的可靠性。
[0146] 与在低温形成的氮化硅层的击穿电压相比，在高温形成的氮化硅层可以具有相对高的击穿电压。术语“击穿电压”指的是最大电压，在该最大电压内欧姆定律保持有效，例如流过层的电流与施加至层的电压成比例。
[0147] 当高于击穿电压的电压施加至层时，忽略欧姆定律并且在层中出现雪崩现象，在该雪崩现象中极大的电流流过导体。因此，随着层的击穿电压变得更高，层对于电压的电耐久性变得更高。
[0148] 如表1所示，下绝缘层421的击穿电压约为5.0MV/cm(兆伏每厘米)，与第一对比示例的击穿电压类似。与均具有约2MV/cm的击穿电压的第二对比示例和上绝缘层422相比，下绝缘层421具有相对高的击穿电压。
[0149] 虽然未在表1中示出，但是与上绝缘层422相比，下绝缘层421具有相对更高的密度。通过控制在沉积下绝缘层421的过程中所使用的沉积气体，下绝缘层421可以比上绝缘层422更密地被沉积。
[0151] 根据本示例性实施方式的下绝缘层421具有比上绝缘层422的厚度大的厚度。绝缘层420可以包括具有比上绝缘层422的厚度大的厚度的下绝缘层421。因此，绝缘层420可以具有高的击穿电压。因此，可以改善绝缘层420的电耐久性。
[0152] 图5A说明了示出根据另一示例性实施方式的触摸部分的一部分的平面图，图5B说明了示出根据该示例性实施方式的触摸部分的一部分的平面图，以及图5C说明了沿图5B的线II-II'截取的剖视图。在图5A至图5C中，相同的参考数字指示图1至图4C中的相同元件，并因此将不重复对相同元件的详细描述。
[0153] 参照图5A，第一导电层410-1可以设置在薄膜封装层340上。第一导电层410-1可以包括第一感测部分TP1、连接部分CP1以及第二感测部分TP2。
[0154] 第一感测部分TP1可以在第二方向DR2上布置并且彼此间隔开。连接部分CP1可以设置在第一感测部分TP1之间。每个连接部分CP1可以在第一方向DR1上连接彼此邻近的两个第一感测部分。第一感测部分TP1和连接部分CP1可以对应于图4A中所示出的第一触摸电极410a、410b、410c和410d。
[0155] 第二感测部分TP2可以在第一方向DR1上布置并且可以彼此间隔开。第二感测部分TP2可以与第一感测部分TP1和连接部分CP1电绝缘。第二感测部分TP2可以具有对应于图4B中所示出的第二感测部分TP2的形状的形状。
[0156] 第一导电层410-1可以进一步包括第一外部线WP1和第二外部线WP2。第一外部线WP1可以连接至第一感测部分TP1中相应的第一感测部分，以及第二外部线WP2可以连接至第二感测部分TP2中相应的第二感测部分。
[0157] 第一外部线WP1和第二外部线WP2可以延伸至焊盘区域PA中。第一焊盘PD1可以设置于第一外部线WP1的、位于焊盘区域PA中的一端，以及第二焊盘PD2可以设置于第二外部线WP2的、位于焊盘区域PA中的一端。
[0158] 参照图5B，绝缘层420-1和第二导电层430-1可以顺序地堆叠在第一导电层410-1上。绝缘层420-1包括多个绝缘图案。
[0159] 绝缘图案可以分别设置在第二感测部分TP2之间。绝缘图案可以与连接部分CP1处于重叠的关系。
[0160] 第二导电层430-1可以包括例如多个桥电极的多个导电图案。桥电极430-1可以设置在绝缘层420-1上并且可以在分别与连接部分CP1相交时分别与连接部分CP1绝缘。每个桥电极430-1可以通过穿过绝缘层420-1而形成的通孔连接第二感测部分TP2之中彼此邻近的两个第二感测部分，或可以沿着绝缘层420-1的侧表面连接第二感测部分TP2之中的两个第二感测部分。
[0161] 参照图5C，绝缘层420-1可以与第一导电层410-1的一部分重叠。绝缘层420-1可以包括顺序地堆叠在第一导电层410-1上的下绝缘层421-1和上绝缘层422-1。下绝缘层421-1和上绝缘层422-1可以包括与对于图4C中所描述的下绝缘层421和上绝缘层422的材料相同的材料。
[0162] 在这种情况下，下绝缘层421-1和上绝缘层422-1可以大体上同时图案化。因此，当在平面图中观察时，下绝缘层421-1和上绝缘层422-1具有相同的形状。下绝缘层421-1的侧表面可以与上绝缘层422-1的侧表面对齐。
[0163] 根据另一实施方式，绝缘层420-1可以整体地形成为单一且单独的单元以覆盖第一感测部分TP1、连接部分CP1以及第二感测部分TP2。
[0164] 根据另一实施方式，当在平面图中观察时，上绝缘层422-1可以具有比下绝缘层421-1的区域宽的区域。上绝缘层422-1可以覆盖下绝缘层421-1的上表面和侧表面，并因此可以防止下绝缘层421-1被损坏。
[0165] 图6说明了示出根据示例性实施方式的制造显示设备的方法的流程图，以及图7是示出图6中所示的制造方法的一部分的流程图。在下文中，将参照图6和图7对显示设备的制造方法进行详细的描述。在图6和图7中，相同的参考数字指示图1至图5C中的相同元件，并因此将不重复对相同元件的详细描述。
[0166] 显示设备的制造方法可以包括提供显示面板(S100)和形成触摸部分(S200)。形成触摸部分(S200)可以包括形成第一导电层(S210)、形成绝缘层(S220)以及形成第二导电层(S230)。
[0167] 提供显示面板(S100)可以与触摸部分(S200)的形成分开地执行或相继地执行。例如，提供显示面板可以包括将制造的显示面板装载至真空室中或可以包括在真空室中形成显示面板后接着在真空室中形成触摸部分(S200)。
[0168] 各种显示面板用作显示面板。例如，提供显示面板(S100)可以包括提供有机发光显示面板。有机发光显示面板可以包括基衬底、设置在基衬底上的有机发光二极管以及设置在有机发光二极管上的薄膜封装层。
[0169] 形成第一导电层(S210)可以包括在薄膜封装层上直接形成第一导电层。例如，第一导电层的形成(S210)可以包括在薄膜封装层上形成包括导电材料的基本层以及将基本层图案化以形成导电图案。可以通过使用蚀刻溶液的湿法蚀刻工艺执行形成第一导电层(S210)。
[0170] 导电图案可以具有各种形状。例如，形成第一导电层(S210)可以提供图4A中所示出的第一导电层410。导电图案可以包括第一触摸电极410a、410b、410c和410d、外部线WP1以及下部焊盘PDD。
[0171] 根据另一实施方式，形成第一导电层(S210)可以提供图5A中所示出的第一导电层410-1。导电图案可以包括第一感测部分TP1、第二感测部分TP2、连接部分CP1、外部线WP以及焊盘PD1和PD2。包括在导电图案中的部分可以大体上同时形成或顺序地形成。
[0172] 形成绝缘层(S220)可以在第一导电层上提供包括氮化硅的绝缘层。绝缘层具有如图4B所示的适合于覆盖第一导电层的整个表面的形状。在一些实现方式中，绝缘层可以图案化为形成覆盖第一导电层的一部分的绝缘图案。
[0173] 如上所述，氮化硅是这样的化合物，在该化合物中硅原子与氮原子结合并且该化合物进一步包括氢原子。绝缘层可以包括以不同比例包含氢原子的氮化硅分子。
[0174] 可以通过在小于或等于约85℃的温度执行的低温沉积工艺来执行形成绝缘层(S220)。例如，可以通过在约70℃的温度的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来执行绝缘层的形成(S220)。当在低温执行绝缘层的形成(S220)时，可以防止包括在有机发光显示面板中的有机发光二极管被损坏。
[0175] 绝缘层的形成(S220)可以包括形成下绝缘层(S221)和形成上绝缘层(S222)。可以使用不同气体执行形成下绝缘层(S221)和形成上绝缘层(S222)。
[0176] 在形成下绝缘层(S221)时，可以供给第一气体以形成下绝缘层。第一气体可以包括氮气(N2)、氨气(NH3)、硅烷气(SiH4)以及氢气(H2)。硅烷气可以在真空室中与氮气反应以形成氮化硅。氮化硅可以沉积在第一导电层上以形成下绝缘层。
[0177] 氢气在第一气体中的比例可以相对高。在本示例性实施方式中，可以以硅烷气在第一气体中的比例的三倍的量提供氢气。当沉积下绝缘层时，氢气可以对下绝缘层施加物理影响。
[0178] 例如，由于氢气使得悬空键在层中变得稳定。通常，在通过低温沉积工艺形成的绝缘层中可能容易产生悬空键。在低温沉积工艺期间，沉积材料的能量可比通过高温沉积工艺所形成的沉积材料的能量低。
[0180] 另外，在真空室中氢原子可与其他原子物理地碰撞。当沉积氮化硅分子时，氢原子可与氮化硅分子物理地碰撞。由于物理碰撞，所以可提高氮化硅分子的移动性。氮化硅分子可物理地分散，并因此，氮化硅分子可均匀地沉积在比较大的区域上而不是沉积在特定区域上。
[0181] 因此，可以相对密地沉积氮化硅分子。当通过使用第一气体形成下绝缘层时，可以防止在下绝缘层中形成例如空位的缺陷。因此，可以形成具有相对高的密度的绝缘层。
[0182] 如上所述，层的密度可以对层的击穿电压施加影响。当下绝缘层具有高密度时，可以提高下绝缘层的击穿电压。因此，在形成下绝缘层(S221)时使用第一气体所形成的绝缘层可以具有提高的电气性能。
[0183] 可以在形成下绝缘层(S221)后执行形成上绝缘层(S222)。可以使用不同于第一气体的第二气体执行形成上绝缘层(S222)。第二气体可以包括硅烷气(SiH4)、氮气(N2)以及氢气(H2)。
[0184] 除了不包括氨气之外，第二气体可以与第一气体大体上相同。第二气体可以提供比第一气体的氢原子比例相对小的氢原子比例。
[0185] 当氨气被除去或不存在时，与在下绝缘层的形成(S221)时的情况相比，硅烷原子和氢原子之间耦合的概率变低。因此，在形成上绝缘层(S222)时，形成具有氮化硅分子的绝缘层，在该绝缘层中氢原子的数量相对低。在本示例性实施方式中，上绝缘层可以包括约20at％或小于约20at％的氢原子。
[0186] 另外，第二气体可以包括比第一气体中的硅烷气的比例相对低的比例的硅烷气。硅烷气在第二气体中的量可以比硅烷气在第一气体中的量小。因此，上绝缘层可以具有比下绝缘层小的厚度。
[0187] 在本示例性实施方式中，下绝缘层的击穿电压可以高于上绝缘层的击穿电压。在形成绝缘层(S220)时，下绝缘层可以形成为具有比上绝缘层的厚度大的厚度。可以提高绝缘层的电耐久性。
[0188] 可以在形成上绝缘层(S222)后执行第二导电层的形成(S230)。例如，形成第二导电层(S230)可以包括在上绝缘层上形成包含导电材料的基本层以及将基本层图案化以形成导电图案。
[0189] 导电图案可以是图4B中所示出的导电图案。在这种情况下，形成第二导电层(S230)可以包括形成第二触摸电极430a、430b和430c、外部线WP2以及焊盘PD1和PD2。
[0190] 在其他实现方式中，导电图案可以是图5B中所示出的导电图案。在这种情况下，第二导电层的形成(S230)可以包括形成桥电极。包括在导电图案中的部分可以通过将基本层图案化而大体上同时形成或顺序地图案化。
[0191] 可以通过使用蚀刻溶液的湿法蚀刻工艺执行形成第二导电层(S230)。在本示例性实施方式中，第二导电层可以包括铜。因此，蚀刻溶液可以包括对于铜具有高反应性的材料。
[0192] 在第二导电层的形成(S230)时所使用的蚀刻溶液可以接触当图案化基本层时暴露的绝缘层。通常，蚀刻溶液对于通过低温沉积工艺所形成的氮化硅层可以具有高的反应性。通过低温沉积工艺所形成的氮化硅层可能处于在第二导电层的形成(S230)时容易被损坏的风险之中。
[0193] 根据本示例性实施方式的绝缘层具有双层结构，在该双层结构中上绝缘层覆盖下绝缘层。如上所述，上绝缘层可以包括约20at％或小于约20at％的氢原子。因此，针对于蚀刻溶液，上绝缘层的蚀刻速率可以仅为约
[0194] 根据本示例性实施方式的显示设备可以包括上绝缘层。可以防止绝缘层由于在第二导电层的形成(S230)时所使用的蚀刻溶液而被损坏。根据显示设备的制造方法，绝缘层可以通过低温沉积工艺形成。显示设备可以具有提高的可靠性。
[0195] 下绝缘层可以具有高的击穿电压并且可以被具有低的蚀刻速率的上绝缘层覆盖。因此，可以提高显示设备的电的和物理的耐久性。可以提高显示设备的可靠性，可以提高显示设备的产量，以及可以提高在显示设备的使用时的可靠性。
[0196] 经过总结和回顾，显示设备的触摸部分可以直接设置在显示部分上。在这种情况下，可能期望的是，在例如防止显示部分被损坏的环境下执行形成触摸部分的过程。
[0197] 实施方式提供了包括直接设置在显示部分上的触摸部分且具有提高了的耐久性和电性能的显示设备。
[0198] 实施方式提供了制造能够防止绝缘层在低温环境下被损坏的显示设备的方法。
[0199] 根据实施方式，通过制造方法制造的显示设备包括显示部分和触摸部分。触摸部分包括顺序地堆叠的第一和第二导电层以及设置在第一和第二导电层之间且配置为包括两层的绝缘层。绝缘层包括下层和上层，上层具有比下层的氢原子百分率低的氢原子百分率。
[0200] 因为上层具有低的氢原子百分率，所以针对于蚀刻溶液，上层的反应性变得更低，并因此使上层的蚀刻速率减小。因此，提高了绝缘层相对于在第二导电层的形成时所使用的蚀刻溶液的稳定性，以至于提高了显示设备的物理耐久性和产量。
[0201] 另外，因为下层具有比上层的密度高的密度，所以下层具有高的击穿电压。因此，虽然在低温执行显示设备的制造方法，但是提高了显示设备的电耐久性，并因此提高了显示设备的使用时的可靠性。
[0202] 在本文中公开了示例性实施方式，以及虽然使用了特定的术语，但是这些术语仅以一般的和描述性的意义使用和解释，并且不是为了限制的目的。在一些情况下，如本领域普通技术人员随着本申请的文件显而易见的，除非另外特别地指出，否则结合具体实施方式描述的特征、特性和/或元件可以单独地使用或与结合其他实施方式描述的特征、特性和/或元件结合。因此，本领域的技术人员将理解的是，在不背离如所附权利要求中阐述的其精神和范围的情况下，可以做出形式和细节上的各种改变。
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