本発明の実施形態は、半導体ウェハカバーに関する。

集積回路の動作に悪影響を与えるダストまたはパーティクルの大きさは、集積回路の微細化に伴い小さくなってきている。 ダストまたはパーティクルの多くは、成膜工程において半導体ウェハの裏面に堆積された膜が剥れることによって発生する。 そこで、ダストまたはパーティクルの発生を抑制するために、成膜工程時に半導体ウェハの裏面をケースで被覆する手法があった。

例えば、単一の円形型ケースに半導体ウェハを収容することによって、その円形型ケースによって半導体ウェハの裏面全体を覆うことが考えられる。 あるいは、２個の半円型部材をヒンジで接続し、その半円形部材を開閉することによって半導体ウェハを収容可能または取出可能にすることが考えられる。

しかし、半導体ウェハの裏面全体を単一の円形型ケースに収容すると、半導体ウェハの裏面とケースとが静電力で密着し、ケースから半導体ウェハを取り出し難くなる。 また、２個の半円型部材をヒンジで接続したケースに半導体ウェハを収容すると、半円型部材を開閉する際に摩擦により半導体ウェハの裏面に傷が付き易くなる。 半導体ウェハの裏面の傷は、クラックや膜剥がれの原因となり得る。

半導体ウェハを傷つけること、および半導体ウェハの裏面に材料が堆積されることを抑制することができる半導体ウェハカバーを提供する。

本実施形態による半導体ウェハカバーは、第１のカバー部と、第２のカバー部とを備える。 第１のカバー部は、半導体ウェハの表面を露出させつつ半導体ウェハの裏面の少なくとも外縁部を被覆するように半導体ウェハを収容し、半導体ウェハの裏面の中心部分において第１の開口部を有する。 第２のカバー部は、第１の開口部に嵌合し、半導体ウェハの裏面の中心部分を被覆する。 第１の開口部の径が半導体ウェハの搭載面から半導体ウェハの非搭載面に向かって小さくなるように該第１の開口部の内側面はテーパーを有する。

第１の実施形態に従った半導体ウェハカバー１００の斜視図。

半導体ウェハカバー１００および半導体ウェハカバー１００に収容された半導体ウェハ１１０の概略断面図。

第１の実施形態の変形例を示す断面図。

第２の実施形態に従った半導体ウェハカバー１００の斜視図。

第２の実施形態に従った半導体ウェハカバー１００および半導体ウェハカバー１００に収容された半導体ウェハ１１０の概略断面図。

第２の実施形態の変形例を示す断面図。

以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。 本実施形態は、本発明を限定するものではない。

（第１の実施形態）
図１（Ａ）および図１（Ｂ）は、第１の実施形態に従った半導体ウェハカバー１００の斜視図である。 図１（Ａ）は、第１のカバー部１０を示し、図１（Ｂ）は、第２のカバー部２０を示す。

第１のカバー部１０は、半導体ウェハの外縁に沿って円形に縁取りされた外縁部１１と、半導体ウェハの裏面の一部を被覆する底部１２とを備える。 外周部１１の内径は、半導体ウェハの外径とほぼ同じかそれより僅かに大きく、第１のカバー部１０に半導体ウェハを収容することができる。 底部１２は、収容された半導体ウェハをその裏面において支持する。 半導体ウェハが第１のカバー部１０に収容されたとき、半導体ウェハの表面は、成膜のために露出されている。

第１のカバー部１０は、その中心部分において第１の開口部１３を有する。 開口部１３の径は、半導体ウェハの搭載面から半導体ウェハの非搭載面に向かって次第に小さくなっている。 即ち、半導体ウェハの非搭載面（第１のカバー部１０の裏面側）における開口部１３の径Ｒ２は、半導体ウェハの搭載面（第１のカバー部１０の表面側）における開口部１３の径Ｒ１よりも小さい。 それにより、開口部１３の内側面１５はテーパーを有する。 開口部１３の内側面１５がこのようにテーパーを有することによって、図１（Ｂ）に示す第２のカバー部２０が開口部１３を通して第１のカバー部１０の表面側から裏面側へ抜け落ちてしまうことを防止できる。

図１（Ｂ）に示す第２のカバー部２０は、開口部１３に嵌合し、半導体ウェハの裏面の中心部分を被覆する。 第２のカバー部２０は、円錐台の形状を有し、開口部１３とほぼ同じ大きさを有する。 また、第２のカバー部２０の外側面２５は、開口部１３の内側面１５に適合するようにテーパーを有する。

より詳細には、第２のカバー部２０の径は、半導体ウェハの搭載面から半導体ウェハの非搭載面に向かって次第に小さくなっている。 即ち、半導体ウェハの非搭載面（第２のカバー部２０の裏面側）における第２のカバー部２０の径Ｒ４は、半導体ウェハの搭載面（第２のカバー部２０の表面側）における第２のカバー部２０の径Ｒ３よりも小さい。 第２のカバー部２０の表面側の径Ｒ３は、開口部１３の径Ｒ１とほぼ同じかそれよりも僅かに小さい。 それにより、第２のカバー部２０は、開口部１３に適合し、開口部１３から重力によって抜け落ちることがない。 さらに、第２のカバー部２０が開口部１３から抜け落ちることを防止するためには、少なくとも第２のカバー部２０の表面側の径Ｒ３が、開口部１３の径Ｒ２よりも大きくなければならない。 即ち、第２のカバー部２０が開口部１３に嵌合し、かつ、第２のカバー部２０が開口部１３から抜け落ちないためには、Ｒ１≧Ｒ３＞Ｒ２が成り立つ必要がある。

第１および第２のカバー部１０、２０は、成膜工程での温度により変形しないように耐熱性のある材料（例えば石英、セラミック、金属、シリコン等）を用いて形成されることが好ましい。 さらに、第１および第２のカバー部１０、２０は、成膜工程時に半導体ウェハの温度を短時間で上昇させるために、熱伝導率の高い材料を用いて形成されることが好ましい。

図２は、半導体ウェハカバー１００および半導体ウェハカバー１００に収容された半導体ウェハ１１０の概略断面図である。 図２に示すように第２のカバー部２０を開口部１３に嵌めて半導体ウェハカバー１００として用いる。 これにより、或る材料を半導体ウェハ１１０の表面上に成膜する際、半導体ウェハカバー１００は、半導体ウェハの裏面にその材料が堆積することを抑制しつつ、半導体ウェハの表面に材料を堆積させることができる。

半導体ウェハカバー１００に半導体ウェハ１１０を収容するときには、第２のカバー部２０を開口部１３に嵌合させた後、半導体ウェハ１１０を半導体ウェハカバー１００に収容する。

代替的に、半導体ウェハ１１０を第２のカバー部２０とともに第１のカバー部１０に収容してもよい。 より詳細には、第１のカバー部１０の開口部１３を通してアーム（図示せず）で第２のカバー部２０の裏面を水平に支持し、次に、第２のカバー部２０の表面上に半導体ウェハ１１０を搭載する。 このとき、第２のカバー部２０の中心と半導体ウェハ１１０の中心とが一致するように、第２のカバー部２０上に半導体ウェハ１１０を搭載する。 これにより、アームは、第２のカバー部２０を介して半導体ウェハ１１０をその中心部で支持することができる。 つまり、第２のカバー部２０を過度に傾斜させない限り、アームは、第２のカバー部２０を介して半導体ウェハ１１０を支持することができる。

第２のカバー部２０は第１のカバー部１０の中心部にある開口部１３に嵌合するので、アームは、第２のカバー部２０の水平状態を維持したまま、第２のカバー部２０を半導体ウェハ１１０とともに開口部１３へ向かって下降させればよい。 これにより、第２のカバー部２０が開口部１３に嵌合するとともに、半導体ウェハ１１０が半導体ウェハカバー１００に収容され得る。 ここで、アームは、ロボットのアームでもよく、オペレータの手であってもよい。

半導体ウェハ１１０を半導体ウェハカバー１００から取り外すときには、アームを用いて第２のカバー部２０をその裏面から押し上げる。 第２のカバー部２０は、半導体ウェハ１１０を搭載した状態のままで第１のカバー部１０から取り外される。 このとき、第２のカバー部２０は半導体ウェハカバー１００の中心部にあるので、アームは、第２のカバー部２０を介して半導体ウェハ１１０をその中心部で支持する。 これにより、第２のカバー部２０を過度に傾斜させない限り、アームは、第２のカバー部２０を介して半導体ウェハ１１０を支持することができる。

そして、半導体ウェハ１１０を第２のカバー部２０から搬送する。 これにより、半導体ウェハ１１０を半導体ウェハカバー１００から取り外すことができる。

本実施形態によれば、第２のカバー部２０は、第１のカバー部１０の開口部１３に着脱可能なように取り付けることができる。 また、第２のカバー部２０の外側面２５および第１のカバー部１０の開口部１３の内側面１５は、互いに適合するようにテーパーを有する。 これにより、第２のカバー部２０が自重で開口部１３から抜け落ちることを防止することができる。 その結果、本実施形態による半導体ウェハカバー１００は、半導体ウェハ１１０を容易に収容し、かつ、容易に取り外すことができる。

半導体ウェハカバー１００は、半導体ウェハ１１０の裏面を被覆し、その表面を露出させた状態で半導体ウェハ１１０を収容する。 これにより、成膜工程時に、半導体ウェハ１１０の裏面に材料が堆積されることを抑制することができる。

さらに、成膜工程後、半導体ウェハ１１０を半導体ウェハカバー１００から取り外す際に、アームは、半導体ウェハ１１０に直接触れることなく、半導体ウェハ１１０を第１のカバー部１０から取り外すことができる。 これにより、半導体ウェハ１００に傷が付くことを抑制することができる。 尚且つ、半導体ウェハ１１０に余計なダストやパーティクルが付着することを抑制することができる。
さらに、成膜工程においては、多くの材料が第１のカバー部１０に堆積される。 従って、半導体ウェハ１１０および半導体ウェハカバー１００の水平状態を維持したまま、かつ、半導体ウェハ１１０に直接触れることなく、半導体ウェハ１１０を第１のカバー部１０から容易に取り外すことができることは、ダストおよびパーティクルの発生を抑制することに繋がる。

第２のカバー部２０は、半導体ウェハカバー１００の中心部分に取り付けられる。 これにより、アームは、半導体ウェハ１１０を安定した状態で第２のカバー部２０を介して支持することができる。

尚、第１のカバー部１０の周縁部の高さは、半導体ウェハ１１０の表面に堆積された材料の膜厚を均一にするために半導体ウェハ１１０の高さ（厚み）より低くしてもよい。 また、第１のカバー部１０の周縁部の高さを半導体ウェハ１１０の高さ（厚み）より低くすることによって、半導体ウェハ１１０を第１のカバー部１０から取り外すときに、ダストおよびパーティクルの発生をさらに抑制することができる。

さらに、半導体ウェハカバー１００の外寸は、ウェハキャリアボックス（図示せず）の内寸未満にしてもよい。 これにより、半導体ウェハカバー１００は、半導体ウェハ１１０を収容した状態で、ウェハキャリアボックス内に収納することができる。 これにより、半導体ウェハカバー１００および半導体ウェハ１１０の搬送が容易になる。

第２のカバー部２０の半導体ウェハ１１０の搭載面は、凸凹を有するように粗面加工されていてもよい。 例えば、第２のカバー部２０の表面に複数の溝または複数の突起を形成してもよい。 これにより、第２のカバー部２０と半導体ウェハ１１０との間の接触面積が低減し、第２のカバー部２０と半導体ウェハ１１０との間の静電力が小さくなる。 その結果、半導体ウェハ１１０を第２のカバー部２０から取り外しやすくなる。 勿論、第１のカバー部１０から半導体ウェハ１１０を取り外しやすくするために、第１のカバー部１０の半導体ウェハ１１０の搭載面を粗面加工してもよい。

第２のカバー部２０の外側面２５および開口部１３の内側面１５がテーパー形状であるので、単一の半導体ウェハカバーの材料に切り込みを入れるだけで、第１のカバー部１０および第２のカバー部２０を形成することができる。 即ち、外側面２５および内側面１５がテーパー形状であることによって、第１のカバー部１０および第２のカバー部２０を製造し易い。 さらに、外側面２５および内側面１５がテーパー形状であることによって、第１のカバー部１０および第２のカバー部２０の洗浄も容易となる。

（第１の実施形態の変形例）
図３（Ａ）および図３（Ｂ）は、第１の実施形態の変形例を示す断面図である。 本変形例では、第２のカバー部２０を第１のカバー部１０の開口部１３に取り付けたときに、第２のカバー部２０の半導体ウェハ１１０の搭載面は、第１のカバー部１０の半導体ウェハ１１０の搭載面から窪んでいる。 即ち、第２のカバー部２０の表面は、第１のカバー部１０の表面よりも低い。 これにより、第２のカバー部２０の表面と半導体ウェハ１１０の裏面との間にギャップＧが形成され、半導体ウェハカバー１００と半導体ウェハ１１０との接触面積が低減する。 その結果、半導体ウェハカバー１００と半導体ウェハ１１０との間の静電力を低減させることができ、半導体ウェハ１１０を半導体ウェハカバー１００から容易にかつ短時間に分離させることができる。

さらに、半導体ウェハカバー１００と半導体ウェハ１１０との間の静電力を低減させることによって、半導体ウェハ１１０を半導体ウェハカバー１００から取り外すときに半導体ウェハカバー１００に印加される応力が小さくなる・よって、半導体ウェハカバー１００自体の厚みを薄くすることができる。

尚、図３（Ａ）に示すように、第２のカバー部２０の厚みは、第１のカバー部１０の厚みとほぼ等しくてもよく、図３（Ｂ）に示すように、第２のカバー部２０の厚みは、第１のカバー部１０の厚みよりも薄くてもよい。 第２のカバー部２０が第１のカバー部１０より薄いことによって、第２のカバー部２０が半導体ウェハカバー１００の裏面から突出しない。 これにより、半導体ウェハカバー１００を平坦面に置いても、ギャップＧを維持することができる。

（第２の実施形態）
図４（Ａ）から図４（Ｃ）は、第２の実施形態に従った半導体ウェハカバー１００の斜視図である。 図４（Ａ）は、第１のカバー部１０を示し、図４（Ｂ）は、第２のカバー部２０を示し、図４（Ｃ）は、第３のカバー部３０を示す。

第２の実施形態では、半導体ウェハカバー１００は、第３のカバー部３０をさらに備えている。

第１のカバー部１０の構成および機能、並びに、第１のカバー部１０と第２のカバー部２０との関係は、第１の実施形態で説明した通りである。 従って、それらの説明を省略する。

第２のカバー部２０は、その中心部分において第２の開口部２３を有する。 そして、第３のカバー部３０が第２の開口部２３に嵌合するように構成されている。 開口部２３の径は、半導体ウェハの搭載面から半導体ウェハの非搭載面に向かって次第に小さくなっている。 即ち、半導体ウェハの非搭載面（第２のカバー部２０の裏面側）における開口部２３の径Ｒ６は、半導体ウェハの搭載面（第２のカバー部２０の表面側）における開口部２３の径Ｒ５よりも小さい。 それにより、開口部２３の内側面２６はテーパーを有する。

開口部２３の内側面１５がこのようにテーパーを有することによって、図４（Ｃ）に示す第３のカバー部３０が開口部２３を通して第２のカバー部２０の表面側から裏面側へ抜け落ちてしまうことを防止できる。

図４（Ｃ）に示す第３のカバー部３０は、開口部２３に嵌合し、半導体ウェハの裏面のさらに中心部分を被覆する。 第３のカバー部３０は、円錐台の形状を有し、開口部２３とほぼ同じ大きさを有する。 また、第３のカバー部３０の外側面３５は、開口部２３の内側面２６に適合するようにテーパーを有する。

より詳細には、第３のカバー部３０の径は、半導体ウェハの搭載面から半導体ウェハの非搭載面に向かって次第に小さくなっている。 即ち、半導体ウェハの非搭載面（第３のカバー部３０の裏面側）における第３のカバー部３０の径Ｒ８は、半導体ウェハの搭載面（第３のカバー部３０の表面側）における第３のカバー部３０の径Ｒ７よりも小さい。 第３のカバー部３０の表面側の径Ｒ７は、開口部２３の径Ｒ５とほぼ同じかそれよりも僅かに小さい。 それにより、第３のカバー部３０は、開口部２３に適合し、開口部２３から重力によって抜け落ちることがない。 さらに、第３のカバー部３０が開口部２３から抜け落ちることを防止するためには、少なくとも第３のカバー部３０の表面側の径Ｒ７が、開口部２３の径Ｒ６よりも大きくなければならない。 即ち、第３のカバー部３０が開口部２３に勘合し、かつ、第３のカバー部３０が開口部２３から抜け落ちないためには、Ｒ５≧Ｒ７＞Ｒ６が成り立つ必要がある。

第３のカバー部３０の材料は、第１および第２のカバー部１０、２０の材料と同様でよい。

図５は、第２の実施形態に従った半導体ウェハカバー１００および半導体ウェハカバー１００に収容された半導体ウェハ１１０の概略断面図である。 図５に示すように第２および第３のカバー部２０、３０を開口部１３に嵌めて半導体ウェハカバー１００として用いる。 これにより、或る材料を半導体ウェハ１１０の表面上に成膜する際、半導体ウェハカバー１００は、半導体ウェハの裏面にその材料が堆積することを抑制し、半導体ウェハの表面に材料を堆積させることができる。

半導体ウェハカバー１００に半導体ウェハ１１０を収容するときには、第３のカバー部３０を第２のカバー部２０の開口部２３に嵌合させ、第２のカバー部２０を開口部１３に嵌合させる。 その後、半導体ウェハ１１０を半導体ウェハカバー１００に収容する。

代替的に、半導体ウェハ１１０を第３のカバー部３０および第２のカバー部２０とともに第１のカバー部１０に収容してもよい。 より詳細には、第３のカバー部３０を第２のカバー部２０の開口部２３に嵌める。 そして、第１のカバー部１０の開口部１３を通してアームで第２および第３のカバー部２０、３０の裏面を水平に支持し、次に、第２および第３のカバー部２０、３０の表面上に半導体ウェハ１１０を搭載する。 このとき、第２および第３のカバー部２０、３０の中心と半導体ウェハ１１０の中心とが一致するように、第２および第３のカバー部２０、３０上に半導体ウェハ１１０を搭載する。 これにより、アームは、第２および第３のカバー部２０、３０を介して半導体ウェハ１１０をその中心部で支持することができる。 つまり、第２および第３のカバー部２０、３０を過度に傾斜させない限り、アームは、第２および第３のカバー部２０、３０を介して半導体ウェハ１１０を支持することができる。

第２のカバー部２０は第１のカバー部１０の中心部にある開口部１３に嵌合するので、アームは、第２および第３のカバー部２０、３０の水平状態を維持したまま、第２および第３のカバー部２０、３０を半導体ウェハ１１０とともに開口部１３へ向かって下降させればよい。 これにより、第２のカバー部２０が開口部１３に嵌合するとともに、半導体ウェハ１１０が半導体ウェハカバー１００に収容され得る。

さらに代替的に、半導体ウェハ１１０を第３のカバー部３０とともに第１および第２のカバー部１０、２０に収容してもよい。 より詳細には、第１のカバー部１０に取り付けられた第２のカバー部２０の開口部２３を通してアームで第３のカバー部３０の裏面を水平に支持し、次に、第３のカバー部３０の表面上に半導体ウェハ１１０を搭載する。 このとき、第３のカバー部３０の中心と半導体ウェハ１１０の中心とが一致するように、第３のカバー部３０上に半導体ウェハ１１０を搭載する。

そして、アームが半導体ウェハ１１０とともに第３のカバー部３０を開口部２３に嵌合させることによって、半導体ウェハ１１０が半導体ウェハカバー１００に収容される。

半導体ウェハ１１０を半導体ウェハカバー１００から取り外すときには、アームを用いて第２および第３のカバー部２０、３０をその裏面から押し上げる。 第２および第３のカバー部２０、３０は、半導体ウェハ１１０を搭載した状態のままで第１のカバー部１０から取り外される。 このとき、第２のカバー部２０は、半導体ウェハカバー１００の中心部にある開口部１３に嵌合しているので、アームは、第２および第３のカバー部２０、３０を介して半導体ウェハ１１０をその中心部で支持する。 これにより、第２および第３のカバー部２０、３０を過度に傾斜させない限り、アームは、第２および第３のカバー部２０、３０を介して半導体ウェハ１１０を支持することができる。 そして、半導体ウェハ１１０を第２および第３のカバー部２０、３０から搬送する。 これにより、半導体ウェハ１１０を半導体ウェハカバー１００から取り外すことができる。

代替的に、アームを用いて第３のカバー部３０をその裏面から押し上げてもよい。 第３のカバー部３０は、半導体ウェハ１１０を搭載した状態のままで第１および第２のカバー部１０、２０から取り外される。 このとき、第２のカバー部２０は、開口部１３に嵌合した状態を維持している。 アームは、第３のカバー部３０を介して半導体ウェハ１１０をその中心部で支持する。 これにより、第３のカバー部３０を過度に傾斜させない限り、アームは、第３のカバー部３０を介して半導体ウェハ１１０を支持することができる。 そして、半導体ウェハ１１０を第３のカバー部３０から搬送する。 これにより、半導体ウェハ１１０を半導体ウェハカバー１００から取り外すことができる。

第２の実施形態によれば、第２のカバー部２０は、第１のカバー部１０の開口部１３に着脱可能なように取り付けることができる。 さらに、第３のカバー部３０は、第２のカバー部２０の開口部２３に着脱可能なように取り付けることができる。 第３のカバー部３０の外側面３５および第２のカバー部２０の開口部２３の内側面２６は、互いに適合するようにテーパーを有する。 これにより、第３のカバー部３０が自重で開口部２３から抜け落ちることを防止することができる。 その結果、第２の実施形態による半導体ウェハカバー１００も、半導体ウェハ１１０を容易に収容し、かつ、容易に取り外すことができる。

第２の実施形態は、さらに、第１の実施形態の他の効果も得ることができる。

第３のカバー部３０は、半導体ウェハカバー１００のさらに中心部分に取り付けられる。 これにより、アームは、半導体ウェハ１１０を安定した状態で第２のカバー部２０および／または第３のカバー部３０を介して支持することができる。

第３のカバー部３０の半導体ウェハ１１０の搭載面は、凸凹を有するように粗面加工されていてもよい。 例えば、第３のカバー部３０の表面に複数の溝または複数の突起を形成してもよい。 これにより、第３のカバー部３０と半導体ウェハ１１０との間の接触面積が低減し、第３のカバー部３０と半導体ウェハ１１０との間の静電力が小さくなる。 その結果、半導体ウェハ１１０を第３のカバー部３０から取り外しやすくなる。

第３のカバー部３０の外側面３５および開口部２３の内側面２６がテーパー形状であることによって、第２のカバー部２０および第３のカバー部３０も形成し易い。 さらに、外側面３５および内側面２６がテーパー形状であることによって、第２のカバー部２０および第３のカバー部３０の洗浄も容易となる。

（第２の実施形態の変形例）
図６（Ａ）および図６（Ｂ）は、第２の実施形態の変形例を示す断面図である。 本変形例では、第２および第３のカバー部２０、３０を第１のカバー部１０の開口部１３に取り付けたときに、第２および第３のカバー部２０、３０の半導体ウェハ１１０の搭載面は、第１のカバー部１０の半導体ウェハ１１０の搭載面から窪んでいる。 即ち、第２および第３のカバー部２０、３０の表面は、第１のカバー部１０の表面よりも低い。 これにより、第２および第３のカバー部２０、３０の表面と半導体ウェハ１１０の裏面との間にギャップＧが形成され、第２および第３のカバー部２０、３０と半導体ウェハ１１０との接触面積が低減する。 その結果、半導体ウェハカバー１００と半導体ウェハ１１０との間の静電力を低減させることができ、半導体ウェハ１１０を半導体ウェハカバー１００から容易にかつ短時間に分離させることができる。

尚、図６（Ａ）に示すように、第２および第３のカバー部２０、３０の厚みは、第１のカバー部１０の厚みとほぼ等しくてもよく、図６（Ｂ）に示すように、第２および第３のカバー部２０、３０の厚みは、第１のカバー部１０の厚みよりも薄くてもよい。 第２および第３のカバー部２０、３０が第１のカバー部１０より薄いことによって、第２および第３のカバー部２０、３０が半導体ウェハカバー１００の裏面から突出しない。 これにより、半導体ウェハカバー１００を平坦面に置いても、ギャップＧを維持することができる。

尚、半導体ウェハカバー１００は、第３のカバー部３０の中心部にさらに第４のカバー部を備えてもよい。 さらに、半導体ウェハカバー１００は、５つ以上のカバー部で構成されていてもよい。

１００・・・半導体ウェハカバー、１１０・・・半導体ウェハ、１０・・・第１のカバー部、１１・・・外周部、１２・・・底部、１３・・・開口部、１５・・・内側面、２０・・・第２のカバー部、２５・・・外側面、２６・・・内側面、３０・・・第３のカバー部、２３・・・第２の開口部、３５・・・外側面、Ｇ・・・ギャップ