Protection sheet of semiconductor wafer and manufacturing method of semiconductor device
专利汇可以提供Protection sheet of semiconductor wafer and manufacturing method of semiconductor device专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a protection sheet of a semiconductor wafer which improves the adhesion with the semiconductor wafer and prevents grinding water from intruding into the semiconductor wafer.SOLUTION: As shown in FIG. 1, a protection sheet 100 of a semiconductor wafer includes: a base material layer 110, an adhesion layer 120 formed on the base material layer 110, and a slit 130 formed in the adhesion layer 120 and existed in a position that overlaps with an outer periphery of the semiconductor wafer 200 in a plain view.，下面是Protection sheet of semiconductor wafer and manufacturing method of semiconductor device专利的具体信息内容。
前記基材層の上に形成している接着剤層と、
前記接着剤層に形成され、平面視において半導体ウェハの外周と重なる位置に存在するスリットと、
を有する半導体ウェハの保護シート。
前記接着剤層に平面視において半導体ウェハの外周と重なる位置に設けたスリットと、
前記基材層を含む半導体ウェハの保護シートを貼り付ける工程と、
半導体ウェハの裏面を研削する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
本発明は、半導体ウェハの保護シートおよび半導体装置の製造方法に関する。
半導体ウェハの保護シートは、半導体ウェハの裏面を研削する際、半導体ウェハ表面を保護するために用いる。 このとき半導体ウェハ表面から剥離することなく貼り付けることのできる保護シートが必要とされる。
なお、特許文献１〜４には、改良された半導体ウェハの保護シートについて開示されている。 特許文献１では、半導体チップに分割されているが半導体ウェハの形態が維持されている状態で、半導体ウェハの裏面に容易に接着できる保護シートを提供している。 特許文献２では、半導体ウェハから保護シートを回収する際、基材層と接着剤層が分離することなく回収できる保護シートを提供している。 特許文献３では、半導体ウェハに保護シートを貼り付けた際、高温に曝されても空気溜りやブリスターを除去、防止できる保護シートを提供している。 特許文献４では、半導体ウェハとの接着力を低下させず、かつ硬い材料を用いても容易に剥離できる保護シートを提供している。
半導体ウェハの表面は、電子回路が形成されているチップ領域と、チップ領域を分割するために導入されているスクライブ線を有している。 なお、チップ領域とスクライブ線との間には、窪みが存在している。 この段差が原因となり、半導体ウェハに保護シートを貼り付ける際、保護シートが半導体ウェハ表面から剥離してしまう可能性があった。 半導体ウェハ表面と保護シートとの接合が十分でない場合、研削水が半導体ウェハ内部に浸入してくる。 これによって、半導体チップが故障してしまう原因を引き起こす。 したがって、半導体ウェハの保護シートを接合する面に段差があったとしても、剥離することなく接合する保護シートが必要である。
本発明によれば、基材層と、
上記基材層の上に形成している接着剤層と、
上記接着剤層に形成され、平面視において半導体ウェハの外周と重なる位置に存在するスリットと、
を有する半導体ウェハの保護シートが提供される。 また、この保護シートは、複数の上記スリットを並列に有している。 または、円形の上記スリットが互いに同心となるように形成されていてもよい。 さらに、上記スリットの内壁および底面に親水性の被膜が形成されていてもよく、上記複膜は酸化チタンによって形成されていることが好ましい。 さらに、平面視において半導体ウェハの外周と重なる位置に、らせん状に上記スリットが形成されていても良い。
さらに、本発明では、基材層の上に設けた接着剤層と、
上記接着剤層に平面視において半導体ウェハの外周と重なる位置に設けたスリットと、
上記基材層を含む半導体ウェハの保護シートを貼り付けた半導体ウェハの裏面を研削する工程を含む半導体装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、平面視において半導体ウェハの外周と重なる位置に複数のスリットが並列に形成している。 また、スリットは接着剤層にのみ導入してある。 このスリットによって、研削水を毛細管現象によりスリットに取り込むことができる。 また、半導体ウェハにおけるチップとスクライブ線との間の段差を埋めることができる。 このため、半導体ウェハと保護シートとの間の密着性も高めることができる。
本発明によれば、半導体ウェハの保護シートを接合する面に段差が生じていても、剥離することなく接合する保護シートを提供できる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。 尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態に係る半導体ウェハの保護シートの側面図、図２は平面図である。
図１に示すように半導体ウェハの保護シート１００は、基材層１１０と、基材層１１０の上に形成している接着剤層１２０と、接着剤層１２０に形成された平面視において半導体ウェハ２００の外周と重なる位置に存在するスリット１３０と、を有する。
なお、図２に示すように保護シート１００は、複数のスリット１３０を並列に有し、かつ円形のスリット１３０が互いに同心となるように形成されている。
また、保護シート１００におけるスリット１３０は、半導体ウェハ２００において有効チップ２１０が位置している領域より外側と重なるようになっている。
保護シート１００に関して、より具体的に述べる。 スリット１３０は、半導体ウェハとの密着性を高め、かつ半導体ウェハ内部への研削水の浸入を抑制するために導入されている。
図３は、保護シートを貼付し、スクライブ線２３０を形成した後の半導体ウェハを示す平面図である。
図３に示すように、半導体ウェハ２００は有効チップ２１０、非成形チップ２２０、およびスクライブ線２３０によって形成されている。 半導体ウェハにおいてチップ領域は、半導体ウェハ２００は上に電子回路を搭載した領域であるため、チップ領域とスクライブ線２３０との間には段差が生じる。 この段差は、スクライブ線２３０による窪みに起因している。 なお、半導体ウェハ２００表面に保護シート１００を貼り付けた際、スリット１３０は主に非成形チップ２２０とスクライブ線２３０の末端と重なる位置に配置される。 ただし、スリット１３０が有効チップ２１０と重なってしまう場合もある。
次に図１に示した保護シート１００を用いた半導体装置の製造方法における工程について説明する。 ここで示す半導体ウェハの製造方法とは、基材層１１０の上に設けた接着剤層１２０と、接着剤層１２０に平面視において半導体ウェハ２００の外周と重なる位置に設けたスリット１３０と、基材層１１０を含む半導体ウェハの保護シート１００を貼り付ける工程と、半導体ウェハ２００の裏面を研削する工程と、を含む。
なお上記の工程をより具体的に述べると、半導体ウェハ２００の裏面に保護シート１００を貼り付け、半導体ウェハ２００の裏面を研削する。 その後、ダイシングを行うことにより、個々の半導体チップに分割する。
図４は、半導体ウェハの裏面研削を説明するための図である。
図４に示す半導体ウェハ裏面研削装置を用いて、半導体ウェハ２００の裏面を研削する。
半導体ウェハ裏面研削装置は、スピンドル４００、マウンタ４１０、研削ホイール４２０、研削ブレード４３０、枠体４４０、ポーラスセラミック４５０、および吸引ライン４６０から成る。 この半導体ウェハ裏面研削装置における研削ブレード４３０と枠体４４０との間に、保護シート１００を貼り付けた半導体ウェハ２００をセットする。 このとき半導体ウェハ２００の裏面が研削ブレード４３０側になるようセットする。
吸引ライン４６０によりポーラスセラミック４５０に固定された半導体ウェハ２００は、スピンドル４００を回転させることによって裏面が研削される。 これによって、半導体ウェハ２００の裏面におけるスクライブ線２３０まで研削することで、個々の半導体チップを半導体ウェハ２００から分割する。 また、半導体ウェハ２００の裏面を研削する際、研削ブレード４３０と半導体ウェハ２００の裏面との間に研削水や研削屑が生じる。
図５は、研削水の取り込みを説明するための保護シート１００を貼付した半導体ウェハ２００を示す図である。
図５に示すように、半導体ウェハ２００に貼り付けた保護シート１００は裏面研削において生じた研削水を取り込むことができる。 これは、窪みを生じているスクライブ線２３０と非成形チップ２２０上にスリット１３０を配置したことによって、研削水がスリット１３０に取り込まれている。
次に、本実施の形態の効果について説明する。 保護シート１００は基材層１１０、接着剤層１２０、および接着剤層１２０中にスリット１３０を有している。 スリット１３０は、半導体ウェハにおける非成形チップ２２０から外周と重なる位置に配置されている。 このスリット１３０が存在することによって、窪み上に接合したとしても剥離することなく接合できる。 これは、スリット１３０は、自由度が高いため、スクライブ線２３０とチップ領域との間に存在する段差内部まで入り込めるためである。 また、スリット１３０は、研削水をスクライブ線２３０に沿って半導体ウェハ２００内部に侵入させることなく回収できる。 これは、スクライブ線２３０と比べスリット１３０の幅が狭いため、スリット１３０において毛細管現象が生じる。 このため、研削水はスリット１３０方向へ流れ込むことができる。
（第２の実施形態）
図６は、本実施形態に係る半導体ウェハの保護シートの側面図である。
図６に示すように、本実施形態ではスリット１３０の内壁および底面に被膜１４０が形成されている。 被膜１４０としては、例えば酸化チタンが挙げられる。
本実施形態においても半導体ウェハの製造方法は第１の実施形態と同じである。 また、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
（第３の実施形態）
図７は、本実施形態に係わる半導体ウェハの保護シートの平面図である。
図７に示すように、本実施形態ではスリット１３０がらせん状にスリット１３０が形成されている。
本実施形態においても半導体ウェハの製造方法は第１の実施形態と同じである。 また、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
１００ 保護シート１１０ 基材層１２０ 接着剤層１３０ スリット１４０ 被膜２００ 半導体ウェハ２１０ 有効チップ２２０ 非成形チップ２３０ スクライブ線４００ スピンドル４１０ マウンタ４２０ 研削ホイール４３０ 研削ブレード４４０ 枠体
４５０ ポーラスセラミック４６０ 吸引ライン
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