Scanned line radiation source using a reverse biased p-n junction adjacent a gunn diode
专利汇可以提供Scanned line radiation source using a reverse biased p-n junction adjacent a gunn diode专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且A scanned line radiation source comprises a semi-conductor body exhibiting Gunn or like effects, with a layer of injection luminescent material forming a PN junction with the body, which is biased so that when a high field domain propagates along the body "hot" electrons from the domain cross the junction and cause visible radiation therefrom. The body 1 may consist of M-type gallium arsenide and the luminescent layer 5 of gallium phosphide. The travelling high field domains may be produced continuously by a steady bias to the body exceeding the threshold voltage, or singly in response to trigger pulses. The reverse bias of the PN junction may be varied to modulate the emitted light which may be from the surface of the luminescent layer.，下面是Scanned line radiation source using a reverse biased p-n junction adjacent a gunn diode专利的具体信息内容。
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