电导体、其制造方法、和包括其的电子器件
阅读：782发布：2020-05-13
专利汇可以提供电导体、其制造方法、和包括其的电子器件专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且公开电导体、其制造方法、和包括其的 电子 器件。所述电导体包括包含多个钌 氧 化物纳米片的第一导电层，其中所述多个钌氧化物纳米片的至少两个钌氧化物纳米片彼此 接触 以提供电连接并且所述多个钌氧化物纳米片的至少一个在其表面上包括多个金属簇。，下面是电导体、其制造方法、和包括其的电子器件专利的具体信息内容。
1.电导体，其包括：
包括多个钌氧化物纳米片的第一导电层，
其中所述多个钌氧化物纳米片的至少两个钌氧化物纳米片彼此接触以提供电连接，和
所述多个钌氧化物纳米片的至少一个钌氧化物纳米片在其表面上包括多个金属簇，
其中所述金属簇具有大于1埃且小于或等于1000纳米的尺度，和
其中所述金属簇包括具有比所述钌氧化物的功函低的功函的金属。
2.如权利要求1所述的电导体，其中所述多个金属簇吸附在所述至少一个钌氧化物纳
米片的表面上。
3.如权利要求1所述的电导体，其中所述多个金属簇存在于所述多个钌氧化物纳米片
的顶部表面上、两个钌氧化物纳米片之间、或者所述多个钌氧化物纳米片的顶部表面上和
两个钌氧化物纳米片之间。
4.如权利要求1所述的电导体，其中所述金属包括贵金属、过渡金属、碱金属、稀土金
属、或其组合。
5.如权利要求1所述的电导体，其中所述金属包括Cs、Rb、Ba、Ra、K、Sr、Eu、Yb、Na、Ca、Y、Li、Lu、Sc、La、Mg、Hf、Zr、Mn、Ta、V、Nb、Ti、Cu、Cr、Fe、Ag、Al、W、Mo、Ru、Os、Rh、Co、Au、Ni、Pd、Be、Ir、Pt、Re、或其组合。
6.如权利要求1所述的电导体，其中所述金属簇包括金属，并且所述金属的量大于或等
于1原子％，基于100原子％的钌金属。
7.如权利要求1所述的电导体，其进一步包括第二导电层，所述第二导电层设置在所述
第一导电层的表面上并且包括多个导电金属纳米线。
8.如权利要求1所述的电导体，其中所述导电金属纳米线包括银、铜、金、铝、钴、钯、或其组合。
9.如权利要求1所述的电导体，其中所述电导体为透明导电膜。
10.如权利要求1所述的电导体，其中所述钌氧化物纳米片具有大于或等于0.5微米且
小于或等于100微米的平均横向尺寸，并且具有小于或等于3纳米的平均厚度。
11.如权利要求1所述的电导体，其中所述第一导电层为包括在所述多个钌氧化物纳米
片的钌氧化物纳米片的至少两个之间的开放空间的不连续层，和其中相对于所述第一导电
层的总面积的所述开放空间的面积小于或等于50％。
12.如权利要求7所述的电导体，其中所述电导体具有如通过四点探针法测量的小于或
等于5,000欧姆/平方的薄层电阻、和在小于或等于100纳米的厚度下对于具有550纳米波长
的光大于或等于85％的光透射率。
13.如权利要求1所述的电导体，其中所述第一导电层进一步包括粘合剂。
14.如权利要求7所述的电导体，其中所述电导体进一步包括在所述第一导电层和所述
第二导电层的至少一个上的由热固性树脂、紫外光能固化的树脂、或其组合形成的罩面层。
15.制造如权利要求1-14任一项所述的电导体的方法，所述方法包括：
提供包括钌氧化物纳米片的第一导电层；
将金属盐化合物溶解在水中以获得金属盐水溶液；和
使所述金属盐水溶液与所述第一导电层的表面接触以在所述第一导电层的表面上形
成多个金属簇。
16.如权利要求15所述的方法，其中所述金属盐化合物的金属具有比所述钌氧化物的
功函低的功函。
17.如权利要求15所述的方法，其中所述金属包括贵金属、过渡金属、碱金属、稀土金
属、或其组合。
18.如权利要求15所述的方法，其中所述金属盐水溶液中的金属盐化合物的浓度大于
或等于0.001摩尔/升。
19.如权利要求15所述的方法，其中所述接触包括浸渍、喷射、涂覆、或其组合。
20.如权利要求15所述的方法，其进一步包括将所述第一导电层的表面用溶剂洗涤以
除去所述金属盐化合物。
21.电子器件，其包括如权利要求1-14任一项所述的电导体。
22.如权利要求21所述的电子器件，其中所述电子器件包括平板显示器、触摸屏面板、
太阳能电池、电子视窗、电致变色镜、热镜、透明晶体管、柔性显示器、或其组合。
电导体、其制造方法、和包括其的电子器件
[0001] 对相关申请的交叉引用
技术领域
[0003] 公开了电导体、制造所述所述电导体的方法、以及包括所述电导体的电子器件。
背景技术
[0004] 电子器件例如平板显示器如液晶显示器(LCD)或发光二极管(LED)显示器、触摸屏面板、太阳能电池、透明晶体管等可包括导电薄膜或者透明导电薄膜。导电膜的材料具有高的光透射率(例如，在可见光区域中大于或等于约80％)和低的比电阻(例如，小于或等于约1×10-4欧姆·厘米(Ω·cm))是合乎需要的。目前可用的在透明导电薄膜中使用的金属氧化物材料包括氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等。ITO是透明电极材料和具有
3.75电子伏特(eV)的宽的带隙的透明半导体，并且可使用溅射工艺以大的面积制造。然而，对于向柔性触摸面板或UD级别高分辨率显示器的应用，ITO具有差的柔性和由于铟的有限储量引起的较高的成本。因此，期望替代材料的开发。
3.75电子伏特(eV)的宽的带隙的透明半导体，并且可使用溅射工艺以大的面积制造。然而，对于向柔性触摸面板或UD级别高分辨率显示器的应用，ITO具有差的柔性和由于铟的有限储量引起的较高的成本。因此，期望替代材料的开发。
[0006] 一种实施方式提供具有改善的导电性和改善的光透射率的柔性电导体。
[0007] 另一实施方式提供制造所述电导体的方法。
[0008] 又一实施方式提供包括所述电导体的电子器件。
[0009] 在一种实施方式中，电导体包括：
[0010] 包括多个钌氧化物纳米片的第一导电层，其中所述多个钌氧化物纳米片的至少两个钌氧化物纳米片彼此接触以提供电连接，和
[0011] 所述多个钌氧化物纳米片的至少一个钌氧化物纳米片在所述至少一个钌氧化物纳米片的表面上包括多个金属簇。
[0012] 所述多个金属簇可吸附在所述至少一个钌氧化物纳米片的表面上。
[0013] 所述多个金属簇可存在于所述多个钌氧化物纳米片的顶部表面上。
[0014] 所述多个金属簇可存在于两个钌氧化物纳米片之间。
[0015] 所述多个金属簇可存在于所述多个钌氧化物纳米片的顶部表面上和两个钌氧化物纳米片之间。
[0016] 所述金属簇可包括具有比所述钌氧化物的功函低的功函的金属。
[0018] 所述金属可包括Cs、Rb、Ba、Ra、K、Sr、Eu、Yb、Na、Ca、Y、Li、Lu、Sc、La、Mg、Hf、Zr、Mn、Ta、V、Nb、Ti、Cu、Cr、Fe、Ag、Al、W、Mo、Ru、Os、Rh、Co、Au、Ni、Pd、Be、Ir、Pt、Re、或其组合。
[0019] 所述金属簇可具有大于约1埃且小于或等于约1000纳米(nm)的尺度。
[0020] 所述金属簇可包括金属，并且所述金属的量大于或等于约1原子％(at.％)，基于100原子％的钌金属。
[0021] 所述电导体可包括设置在第一导电体的表面上并且包括多个导电金属纳米线的第二导电层，
[0023] 所述电导体可为透明导电膜。
[0024] 所述钌氧化物纳米片可具有约0.5微米(μm)-约100μm的平均横向尺寸。
[0025] 所述钌氧化物纳米片可具有小于或等于约3纳米(nm)的厚度。
[0026] 第一导电层可为包括设置在所述多个钌氧化物纳米片的钌氧化物纳米片的至少两个之间的开放空间的不连续层，和其中相对于第一导电层的总面积的所述开放空间的面积可小于或等于约50％。
[0030] 在一些实施方式中，制造前述电导体的方法包括：
[0031] 提供包括钌氧化物纳米片的第一导电层；
[0032] 将金属盐化合物溶解在水中以获得金属盐水溶液；和
[0033] 使所述金属盐水溶液与第一导电层的表面接触以在第一导电层的表面上形成多个金属簇。
[0034] 所述金属盐化合物的金属可具有比所述钌氧化物的功函低的功函。
[0035] 所述金属可包括贵金属、过渡金属、碱金属、稀土金属、或其组合。
[0036] 所述金属盐水溶液中的金属的浓度可大于或等于约0.001摩尔/升(mol/L)。
[0037] 所述接触可包括浸渍、喷射、涂覆、或其组合。
[0038] 所述方法可进一步包括将第一导电层的表面用溶剂洗涤以除去所述金属盐化合物。
[0039] 在另一实施方式中，提供包括所述电导体的电子器件。
[0041] 根据一种实施方式，所述制造包括钌氧化物纳米片的电导体的方法可制造具有降低的薄层电阻和增强的导电性而对光透射率没有不利影响的导体。因此，可制造具有增强的导电性和相对高的光透射率的柔性电导体。附图说明
[0042] 通过参照附图更详细地描述本公开内容的示例性实施方式，本公开内容的以上和其它优点和特征将变得更明晰，其中：
[0043] 图1为根据一种实施方式的包括具有金属簇的多个钌氧化物纳米片的电导体的示意图；
[0044] 图2A为吸附在多个钌氧化物纳米片的表面上的金属簇的结构的顶视图的示意图，和图2B为根据非限制性实施方式的图2A中的结构的侧视图的示意图；
[0045] 图3为根据非限制性实施方式的包括具有金属(Ag)簇的多个钌氧化物纳米片的电导体的示意图；
[0046] 图4为根据非限制性实施方式的包括金属(Ag)簇的钌氧化物纳米片的示意图；
[0048] 图6A为包括钌氧化物纳米片和形成于其上的金属簇的实施例1的电导体的扫描电子显微镜图像，和图6B为具有纳米尺寸的金属簇的钌氧化物纳米片的一部分的增强的放大；
[0049] 图7为包括钌氧化物纳米片和在所述钌氧化物纳米片之间的银簇的实施例2的电导体的扫描电子显微镜图像；
[0050] 图8为根据一种实施方式的电子器件(触摸屏面板)的示意性横截面图；
[0051] 图9为根据另一实施方式的导体的示意图。
具体实施方式
[0052] 通过参照以下示例性实施方式连同附于此的图，本公开内容的优点和特性以及其实现方法将变得明晰。然而，本公开内容可以许多不同的形式体现并且将不被解释为限于本文中所阐述的实施方式。如果未另外定义，说明书中的所有术语(包括技术和科学术语)可定义为本领域技术人员通常理解的那些。字典中定义的术语将不理想地或者扩大地解释，除非另外清楚地定义。此外，除非明确地相反描述，措辞“包括”和变型例如“包含”或“含有”将被理解为暗示包含所陈述的要素，但是不排除任何其它要素。
[0053] 此外，单数包括复数，除非另外提及。
[0054] 在附图中，为了清楚起见，放大层、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。
[0055] 将理解，当一个元件例如层、膜、区域、或基底被称作“在”另外的元件“上”时，其可直接在所述另外的元件上或者还可存在中间元件。相反，当一个元件被称作“直接在”另外的元件“上”时，不存在中间元件。
[0056] 如本文中使用的，短语“将第一元件设置在第二元件上”意味着第一元件邻近于(例如，接触)第二元件并且其间的上部和下部位置没有限定。
[0057] 将理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可用在本文中描述各种元件、组分、区域、层和/或部分(截面)，但是这些元件、组分、区域、层和/或部分(截面)不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组分、区域、层或部分(截面)与另外的元件、组分、区域、层或部分(截面)区分开。因此，在不脱离本文中的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组分、区域、层或部分(截面)可称为第二元件、组分、区域、层或部分(截面)。
[0058] 本文中所使用的术语仅用于描述具体实施方式的目的，且不意图为限制性的。如本文中使用的，单数形式“一个(种)(a，an)”和“该(所述)”意图包括复数形式，包括“至少一个(种)”，除非上下文清楚地另外指明。“至少一个(种)”将不被解释为限于“一个(种)”。“或”意味着“和/或”。如本文中使用的，术语“和/或”包括相关列举项目的一个或多个的任意和全部组合。将进一步理解，当用在本说明书中时，术语“包含”和/或“包括”、或者“含有”和/或“含”表明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组分，但是不排除存在或增加一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组分、和/或其集合。
[0059] 此外，在本文中可使用相对术语例如“下部”或“底部”和“上部”或“顶部”来描述如图中所示的一个元件与另外的元件的关系。将理解，除图中所描绘的方位以外，相对术语还意图涵盖器件的不同方位。例如，如果将图之一中的器件翻转，描述为在其它元件的“下部”侧上的元件则将定向在其它元件的“上部”侧上。因此，取决于图的具体方位，示例性术语“下部”可涵盖“下部”和“上部”两种方位。类似地，如果将图之一中的器件翻转，描述为“在”其它元件“下面”或“之下”的元件则将定向“在”其它元件“上面”。因此，示例性术语“在......下面”或“在......之下”可涵盖在......上面和在......下面两种方位。
[0060] 如本文中使用的“约”或“大约”包括所陈述的值并且意味着在如由本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量以及与具体量的测量有关的误差(即，测量系统的限制)而确定的对于具体值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可意味着相对于所陈述的值的偏差在一种或多种标准偏差范围内，例如在±10％、5％的范围内。
[0061] 在本文中参照作为理想化实施方式的示意图的横截面图描述示例性实施方式。这样，将预计到作为例如制造技术和/或公差的结果的与图示的形状的偏差。因此，本文中描述的实施方式不应解释为局限于如本文中图示的区域的特定形状，而是包含由例如制造导致的形状上的偏差。例如，图示或描述为平坦的区域可典型地具有粗糙和/或非线性特征。此外，图示的尖锐的角可为圆形的。因而，图中所示的区域在本质上是示意性的，并且它们的形状不意图图示区域的精确形状且不意图限制本权利要求的范围。
[0062] 如本文中使用的，术语“薄层电阻”指的是对于具有预定尺寸的试样使用四点探针方法测量的值。
[0063] 如本文中定义的“过渡金属”指的是元素周期表第3-11族的元素。
[0064] “稀土”指的是15种镧系元素(即原子序数57-71)加上钪和钇。“镧系元素”指的是具有原子序数57-71的化学元素。
[0065] 如本文中使用的“贵金属”指的是金属元素钌、铑、钯、银、锇、铱、铂、和金。
[0066] 如本文中使用的，材料的透射率为透射通过材料的光的百分比，其中所述值排除基底的光吸收。
[0067] 在一种实施方式中，如图1中所示，电导体10包括在基底30上的第一导电层20，第一导电层20包括多个钌氧化物纳米片40。在所述电导体中，所述钌氧化物纳米片的至少两个彼此接触以提供电连接(例如，导电路径)。所述钌氧化物纳米片的至少一个在其表面上具有多个金属簇50。如本文中使用的，“纳米片彼此接触以提供电连接(例如，导电路径)”指的是如下情况：其中，使纳米片之间的接触提供导电路径，且由此导电层具有导电性(例如，小于或等于约1,000,000Ω/□的薄层电阻)。如本文中使用的，术语“金属簇”指的是包括紧密聚集(例如簇集)在一起的多个金属原子的群。第一导电层可设置在基底上。
[0068] 钌氧化物可经由插层而剥层为纳米片并且由此制备的钌氧化物纳米片对于用于电导体(例如，用于透明电极的材料)中而言可具有高的潜力。如本文中使用的，术语“钌氧化物”指的是由RuO2+x表示的材料，其中x为0-0.1。
[0069] 所述钌氧化物纳米片可通过任何合适的方法制备并且可为合适的可商购获得的钌氧化物纳米片。
[0070] 在一些实施方式中，所述钌氧化物纳米片可由如下制备：碱金属钌氧化物(例如，式MRuO2的碱金属钌氧化物，其中M为Na、K、Rb、或Cs)，其具有层状结构(例如，对于所述碱金属钌氧化物，形式M-RuO2-M-RuO2-M的结构)。所述碱金属钌氧化物可通过如下获得：将碱金属化合物与钌氧化物混合并且将所获得的混合物在合适的温度例如约500℃-约1000℃下煅烧或熔融。当将所获得的碱金属钌氧化物用酸溶液处理时，所述碱金属的至少一部分进行质子交换以提供质子型碱金属钌氧化物水合物。所获得的质子型碱金属钌氧化物水合物可与C1-C20烷基铵或C1-C20烷基胺反应以提供C1-C20烷基铵取代的化合物或者C1-C20烷基胺取代的化合物，其然后与溶剂混合并且剥层为纳米片，从而制造钌氧化物纳米片。所述溶剂可为高介电常数溶剂。例如，所述溶剂可包括水、醇、乙腈、二甲亚砜、二甲基甲酰胺、碳酸亚丙酯、或其组合。
[0071] 例如，在NaaRuO2+x(其中x为0-0.5(例如0.1)且a为约0.1-约1)的质子化期间，NaaRuO2+x和酸化合物(例如，HCl)彼此反应，并且由此Na+被H+取代以制备质子化的层状钌氧化物(例如，HaRuO2+x)。随后，在剥层期间，可使所述HaRuO2+x与烷基铵盐插层剂(例如，氢氧化四烷基铵等)反应，使得H+可被烷基铵阳离子(例如，四丁基铵阳离子，TBA+)代替。所述烷基铵盐可为C1-C16烷基铵盐。虽然不希望受理论束缚，但是认为，所述插层剂分子(例如，TBAOH)具有这样的大的尺寸：当其被插入RuO2+x层之间时，单独的层之间的层间距离增加，导致层间分离。因此，将其添加到溶剂中并且搅拌导致剥层以提供RuO2+x纳米片。
[0072] 为了由所述层状金属氧化物材料制备剥层的RuO2+x纳米片，剥层的所得纳米片可具有大于或等于约1nm(例如，大于约1nm)且小于或等于约2nm的平均厚度。在一些实施方式中，所述碱金属钌氧化物的剥层可使用至少两种类型的具有不同尺寸的插层剂化合物进行。
[0073] 所述至少两种具有不同尺寸的插层剂化合物可包括四甲基铵化合物(例如，氢氧化四甲基铵)、四乙基铵化合物(例如，氢氧化四乙基铵)、四丙基铵化合物(例如，氢氧化四丙基铵)、苄基三烷基铵化合物(例如，氢氧化苄基三甲基铵)、四丁基铵化合物(例如，氢氧化四丁基铵)、或其组合，但是其不限于此。
[0074] 在一些实施方式中，可将所述质子化的金属氧化物用具有小尺寸的第一插层剂和具有大尺寸的第二插层剂处理，但是所述处理不限于此。所述具有小尺寸的第一插层剂的实例可包括氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、或其组合。所述具有大尺寸的第二插层剂的实例可包括氢氧化四丁基铵、氢氧化苄基三甲基铵、或其组合。
[0075] 所述钌氧化物纳米片可具有大于或等于约0.5μm、例如大于或等于约1μm、大于或等于约2μm、大于或等于约3μm、大于或等于约4μm、大于或等于约5μm、或者大于或等于约6μm的平均横向尺寸例如在面内方向上的长度或宽度尺度。所述钌氧化物纳米片可具有小于或等于约100μm、例如小于或等于约30μm、小于或等于约20μm、小于或等于约10μm、小于或等于约9μm、小于或等于约8μm、或者小于或等于约7μm的平均横向尺寸。所述纳米片的平均横向尺寸可以扫描电子显微镜法分析测定，其中随机地选择预定数量(例如，约100个)的纳米片并且对于所选择的纳米片的每一个，测量长度或宽度尺度的最大值并且计算所测量的值的平均值。
[0076] 所述钌氧化物纳米片可具有小于或等于约3nm、例如小于或等于约2.5nm、或者小于或等于约2nm的平均厚度。所述钌氧化物纳米片可具有大于或等于约1nm、例如大于约1nm的平均厚度。当所述纳米片的横向尺寸为约0.5μm-约100μm时，所述纳米片之间的接触电阻可降低。当所述钌氧化物纳米片的平均厚度小于或等于约3nm时，可获得改善的透射率。
[0077] 由此获得的钌氧化物纳米片可具有相对高水平的固有薄层电阻。例如，所述钌氧化物纳米片的薄层电阻为约23,000欧姆/□，如通过计算模拟而获得的。因此，增强所述纳米片的导电性以改善使用所述钌氧化物纳米片的电导体可为合乎需要的。
[0078] 参照图3和4，在一些实施方式中，所述钌氧化物纳米片在其表面上具有金属簇并且由此包括所述钌氧化物纳米片的电导体可具有更低水平的薄层电阻。所述金属簇可包括具有比所述钌氧化物的功函低的功函的金属。不希望受理论束缚，认为，存在于所述钌氧化物纳米片的表面上的金属簇可向所述钌氧化物提供电子。换而言之，可发生从所述金属簇至所述钌氧化物的电子转移，并且结果，所述纳米片的导电性可改善。
[0079] 所述钌氧化物的功函为约6.94电子伏特(eV)，其是通过使用如Physical Review.B,第46卷，第7157页(1992)(将其引入本文作为参考)中所描述的维也纳从头算模拟软件包的模拟方法的计算模拟获得的。为了计算所述材料的量子物理状态，基于密度泛函理论(DFT)方法进行第一性原理计算(例如，由没有任何外部参数的基本方程计算)，其中通过使用电子密度函数代替波函数描述电子的分布，并且由此获得电子的量子物理状态而求解量子物理方程。通过作为第一性原理DFT代码的维也纳从头算模拟软件包代码(VASP)计算电子状态。
[0080] 所述金属可包括贵金属、过渡金属、碱金属、稀土金属、或其组合。
[0081] 所述具有比钌氧化物的功函低的功函的金属的实例可汇总于表1中：
[0082] 表1
[0083] 元素 功函(eV) 元素 功函(eV)Cs 2.03 Nb 4.3
Rb 2.22 Ti 4.33
Ba 2.23 Cu 4.48
Ra 2.25 Cr 4.5
K 2.34 Fe 4.5
Sr 2.39 Ag 4.52
Eu 2.42 Al 4.54
Yb 2.45 W 4.55
Na 2.76 Mo 4.6
Ca 2.84 Ru 4.71
Y 3.1 Os 4.83
Li 3.15 Rh 4.98
Lu 3.3 Co 5
Sc 3.5 Au 5.31
La 3.5 Ni 5.35
Mg 3.86 Pd 5.6
Hf 3.9 Be 5.62
Zr 4.05 Ir 5.67
Mn 4.1 Pt 5.7
Ta 4.25 Re 5.75
V 4.3
Rb 2.22 Ti 4.33
Ba 2.23 Cu 4.48
Ra 2.25 Cr 4.5
K 2.34 Fe 4.5
Sr 2.39 Ag 4.52
Eu 2.42 Al 4.54
Yb 2.45 W 4.55
Na 2.76 Mo 4.6
Ca 2.84 Ru 4.71
Y 3.1 Os 4.83
Li 3.15 Rh 4.98
Lu 3.3 Co 5
Sc 3.5 Au 5.31
La 3.5 Ni 5.35
Mg 3.86 Pd 5.6
Hf 3.9 Be 5.62
Zr 4.05 Ir 5.67
Mn 4.1 Pt 5.7
Ta 4.25 Re 5.75
V 4.3
[0084] 在一些实施方式中，所述金属可包括银(Ag)、金(Au)、钯(Pd)、铂(Pt)、或其组合。当RuO2.1的薄层电阻为如通过所述模拟而计算的22960.7Ω/□时，可计算由于金属簇以基于100原子％的钌金属的8原子％、25原子％、50原子％的量的存在而引起的薄层电阻的降低，如表2中所示：
[0085] 表2
[0086]
[0087] 根据表2，当所述簇以8原子％的量包括Ag、Au、或Pt时，所述钌氧化物纳米片的薄层电阻可分别为约370Ω/□、约153Ω/□、和约330Ω/□。因此，具有所述金属簇的所述钌氧化物纳米片可具有这样的薄层电阻：其与原始的钌氧化物纳米片的薄层电阻相比，降低约62倍-约150倍。此外，当Pt簇以50原子％的量存在(例如，吸附)于所述纳米片上时，所得纳米片的薄层电阻降低至仅82Ω/□，其为原始纳米片的薄层电阻的约280分之一。因此，根据前述结果，当具有23,000欧姆/□的薄层电阻的钌氧化物纳米片包括前述金属簇时，它们的薄层电阻可降低至小于或等于约3,000欧姆/□、例如小于或等于约2,000欧姆/□、小于或等于约1,500欧姆/□、小于或等于约1000欧姆/□、小于或等于约500欧姆/□、或者甚至小于或等于约100欧姆/□。
[0088] 所述多个金属簇可吸附至所述钌氧化物纳米片的表面。如本文中使用的，短语“金属簇吸附至所述钌氧化物纳米片的表面”指的是如下情况：其中构成所述金属簇的金属原子未插入所述钌氧化物的晶格结构内(例如，所述金属既未代替钌原子，也未插入作为间隙原子)，而是物理地或化学地结合至所述钌氧化物纳米片的表面并且因此不因外力(例如，当将它们分散在水或者与水可混溶的溶剂中时可对其施加的力)而从其分离。在非限制性实例中，图2A、2B、3和4显示其中金属簇50或60(例如Ag)吸附在钌氧化物纳米片40上的结构，但是其不限于此。例如，在图2A和2B中，银原子(60)与氧原子(70)结合，氧原子(70)连接到钌原子(80)以形成钌氧化物晶格结构。因此，所述吸附不引起所述钌氧化物的X-射线衍射光谱的任何显著变化。
[0089] 在一些实施方式中，可使所述钌氧化物纳米片(例如，其溶液)与包括所述金属簇的前体的水溶液接触，然后干燥以在其表面上形成金属簇。所述金属簇的前体的类型没有特别限制，只要它们溶解于水中以提供金属离子。例如，所述金属簇的前体可为所述金属的水溶性盐(例如金属盐化合物)。所述金属盐化合物的金属可包括贵金属、过渡金属、碱金属、稀土金属、或其组合。所述水溶性盐可为硝酸盐、乙酸盐、乙酰丙酮化物、卤化物、或其组合。在银金属的情况下，所述水溶性盐可为硝酸银、乙酸银、氯化银、乙酰丙酮银、或其组合。在金金属的情况下，所述水溶性盐可为硝酸金、乙酸金、氯化金、乙酰丙酮金、或其组合。在钯金属的情况下，所述水溶性盐可为硝酸钯、乙酸钯、氯化钯、乙酰丙酮钯、或其组合。在铂金属的情况下，所述水溶性盐可为硝酸铂、乙酸铂、氯化铂、乙酰丙酮铂、或其组合。
[0090] 所述金属簇的尺寸(例如尺度如长度或宽度尺度例如沿着主表面的尺度)可大于或等于约1埃、例如大于或等于约1nm、大于或等于约2nm、大于或等于约3nm、或者大于或等于约5nm。所述金属簇的尺寸可小于或等于约1000nm、例如小于或等于约500nm、小于或等于约400nm、小于或等于约300nm、小于或等于约200nm、小于或等于约100nm、或者小于或等于约30nm。
[0091] 所述电导体可以基于100原子％的钌金属的大于或等于约1原子％、例如大于或等于约5原子％、或者大于或等于约50原子％的量包括构成所述簇的金属。所述电导体可以基于100原子％的钌金属的小于或等于约500原子％、例如小于或等于约200原子％、或者小于或等于约150原子％的量包括构成所述簇的金属。当包括前述范围的量的构成所述簇的金属时，所述电导体可显示增强的导电性。构成所述簇的金属的量可通过经由XPS(X-射线光电子能谱法)分析或SEM-EDS(能量色散X-射线光谱法)分析测量簇金属的量和钌的量而确定，并且可由其计算簇金属相对于钌的原子百分数。
[0092] 所述电导体可包括设置在第一导电层上并且包括多个导电金属纳米线的第二导电层。
[0093] 尽管不希望受任何理论约束，但是一维导电金属纳米线和二维金属氧化物纳米片形成这样的混杂结构体：其中，如在图9中示意性地显示的，金属氧化物纳米片可对于由金属纳米线形成的导电路径的断裂提供电传导，图9说明其中Ag纳米线(Ag NW)和金属氧化物纳米片(氧化物NS)设置在基底和罩面层之间的实施方式。如图9中所示，当在纳米线中发生断裂时，通过金属氧化物纳米片保持导电性。
[0094] 第二导电层中包括的导电金属纳米线可包括银(Ag)、铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)、钴(Co)、钯(Pd)、或其组合(例如，其合金或者具有两个或更多个不同材料的段的金属纳米线)。例如，所述导电金属纳米线可包括银纳米线。
[0095] 所述导电金属纳米线可具有小于或等于约50纳米(nm)、例如小于或等于约40nm、或者小于或等于约30nm的平均直径。所述导电金属纳米线的长度没有特别限制，并且可考虑直径而适当地选择。例如，所述导电金属纳米线可具有大于或等于约1微米(μm)、大于或等于约2μm、大于或等于约3μm、大于或等于约4μm、或者大于或等于约5μm的长度，并且不限于此。根据另一实施方式，所述导电金属纳米线可具有大于或等于约10μm、例如大于或等于约11μm、大于或等于约12μm、大于或等于约13μm、大于或等于约14μm、或者大于或等于约15μm的长度。所述导电金属纳米线可根据任何合适的方法制造并且可为合适的可商购获得的金属纳米线。所述纳米线可在其表面上包括聚合物包覆层(涂层)例如包括聚乙烯基吡咯烷酮的包覆层。
[0096] 已经进行了多种努力以开发具有高的导电性并且对于具有在可见光范围内的波长的光是透明的柔性透明电极材料。金属可具有高的电子密度和高的导电性。然而，大多数金属倾向于与空气中的氧气反应以在表面上形成氧化物并且由此显示出大幅降低的导电性。已经进行了使用具有良好的导电性并且显示出减少的表面氧化的陶瓷材料(例如ITO)降低表面接触电阻的尝试。然而，导电陶瓷材料例如ITO存在原材料的不稳定供应的问题。而且，导电陶瓷材料的导电性与金属的导电性相比是极小的，并且柔性倾向于是差的。由于作为层状材料的石墨烯被报道为具有高的导电性性质，因此已经进行了对使用具有弱的层间结合力的石墨烯层状结构材料的单原子层薄膜的研究。例如，已经尝试使用石墨烯作为可代替具有差的机械性质的氧化铟锡(ITO)的材料。然而，由于高的吸收系数，石墨烯不能够提供令人满意的水平的光透射率并且无法以大于或等于约4层的厚度使用。具有层状晶体结构的过渡金属二硫属化物在制备为薄膜时可显示可比较的透射率，但是它们具有半导体性质并且因此对于用作导电膜而言具有不足的导电性。
[0097] 相反，例如通过插层而剥层的钌氧化物纳米片可展现出良好的导电性和增强的光透射率并且还可对所述电导体的柔性作贡献。因此，它们可用作柔性电导体(例如，柔性的透明导电膜)。
[0098] 第一导电层可包括钌氧化物纳米片的不连续层，所述不连续层包括在所述钌氧化物纳米片的至少两个之间的开放空间。第一导电层中的开放空间的量是通过如下测定的：测量开放空间的面积并且与第一导电层的总面积进行比较。例如，获得设置成具有开放空间的包括纳米片的第一导电层的扫描电子显微镜图像，并且测定开放空间(例如，第一导电层中的不具有纳米片的部分)的面积且将其除以第一导电层的总面积以提供面积比。相对于第一导电层的总面积的所述开放空间的面积可小于或等于约50％、例如小于或等于约
40％、小于或等于约30％、小于或等于约20％、或者小于或等于约10％。在所述电导体中，导电金属纳米线可延伸越过第一导电层的开放空间。
40％、小于或等于约30％、小于或等于约20％、或者小于或等于约10％。在所述电导体中，导电金属纳米线可延伸越过第一导电层的开放空间。
[0099] 第一导电层和第二导电层的形成可通过任何合适的形成层的方法进行，并且没有特别限制。
[0100] 在一些实施方式中，包括所述钌氧化物纳米片的第一导电层设置在基底上并且包括所述导电金属纳米线的第二导电层设置在第一导电层的表面上。在此情况下，所述基底可设置在第一导电层的与其上设置第二导电层的表面相反的表面上。
[0101] 所述基底可为透明基底。所述基底的材料没有特别限制，并且其可包括玻璃基底、半导体基底如Si、聚合物基底、或其组合。替代地，所述基底可层合有绝缘层和/或导电层。作为非限制性实例，所述基底可包括无机材料例如玻璃如氧化物玻璃，聚酯例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、或聚萘二甲酸乙二醇酯，聚碳酸酯，基于丙烯酰基的树脂，纤维素或其衍生物，聚合物例如聚酰亚胺，或有机/无机杂化材料，或其组合。而且，所述基底的厚度没有特别限制，而是可根据最终产品适当地选择。例如，所述基底可具有大于或等于约0.5μm、例如大于或等于约1μm、或者大于或等于约10μm的厚度，但是不限于此。
所述基底的厚度可小于或等于约1mm例如小于或等于约500μm、或者小于或等于约200μm，但是不限于此。如果期望(例如为了控制折射率)，可在所述基底和所述导电层之间提供另外的层(例如，底涂层(内涂层))。
所述基底的厚度可小于或等于约1mm例如小于或等于约500μm、或者小于或等于约200μm，但是不限于此。如果期望(例如为了控制折射率)，可在所述基底和所述导电层之间提供另外的层(例如，底涂层(内涂层))。
[0102] 第一导电层或第二导电层通过如下形成：分别将合适的涂覆组合物施加在基底或第一导电层上，和除去溶剂。所述涂覆组合物包括所述纳米片或所述纳米线，并且可进一步包括合适的溶剂(例如，水、与水可混溶的或者与水不可混溶的有机溶剂等)、粘合剂、和分散剂(例如，羟丙基甲基纤维素(HPMC))。
[0103] 例如，包括所述金属纳米线的墨组合物是可商购获得的或者可以任何合适的方法制备。例如，所述墨组合物可包括表3中所示的材料。
[0104] 表3
[0105]
[0106] *wt％为重量百分比
[0107] 例如，包括钌氧化物纳米片的组合物可包括表4中的组分。
[0108] 表4
[0109]
[0110] *wt％为重量百分比
[0111] 当纳米片水溶液的浓度大于约0.001克/升(g/L)时，可通过包括足够数量的RuO2+x纳米片而将透明导体制备成具有期望的导电性。当纳米片水溶液的浓度小于约10.00g/L时，可制备透明且柔性的导体而没有透明性和柔性的显著损失。此外，为了提高RuO2+x纳米片的分散性，RuO2+x纳米片溶液可包括分散剂例如羟丙基甲基纤维素(HPMC)水溶液。所述HPMC水溶液的浓度可为约0.05重量％(wt％)-约5wt％。在这些范围内，可保持RuO2+x纳米片的分散性而没有由有机物质导致任何不利效果例如导电性的降低或者透射率的降低。
[0112] 可将所述组合物施加到基底上(或者任选地，第一或第二导电层上)，然后可干燥和/或热处理(如果期望的话)以制造所述导电层。所述组合物的涂覆可通过多种方法例如棒涂、刮涂、狭缝模头涂覆、喷涂、旋涂、凹版涂覆、喷墨印刷、或其组合进行。
[0113] 所述纳米片可彼此接触以提供电连接。当所制备的纳米片物理连接以提供尽可能薄的层时，其可提供进一步改善的透射率。
[0114] 第一导电层和/或第二导电层可包括用于粘合所述纳米线和/或所述纳米片的有机粘合剂。所述粘合剂可起到适当地调节用于导电层的组合物的粘度或者增强所述纳米片对所述基底的粘附的作用。所述粘合剂的实例可包括，但不限于，甲基纤维素、乙基纤维素、羟丙基甲基纤维素(HPMC)、羟丙基纤维素(HPC)、黄原胶、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)、羧甲基纤维素、羟乙基纤维素、或其组合。粘合剂的量可适当地选择，并且没有特别限制。在非限制性实例中，所述粘合剂的量可为约1-约100重量份，基于100重量份的所述纳米片(或所述纳米线)。
[0115] 所述电导体可进一步包括在第一导电层和第二导电层的至少一个上的由热固性树脂、紫外(UV)光能固化的树脂、或其组合形成的罩面层(OCL)。用于OCL的热固性树脂和紫外(UV)光能固化的树脂的实例是本领域中已知的。在一些实施方式中，用于OCL的热固性树脂和UV光能固化的树脂可包括氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯聚合物、具有(甲基)丙烯酸酯基团的全氟聚合物、具有(甲基)丙烯酸酯基团的聚(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯聚合物、或其组合。所述罩面层可进一步包括无机氧化物细颗粒(例如，二氧化硅细颗粒)。在所述导电层上由前述材料形成OCL的方法也是已知的并且没有特别限制。
[0116] 所述电导体可呈现增强的柔性。例如，在被折叠之后，所述电导体可具有与仅包括所述纳米线的电导体的电阻变化相比明显更低的电阻变化。在一些实施方式中，所述电导体在以1毫米(mm)的曲率半径(例如弯曲半径)(1R弯曲)折叠200,000次之后可具有小于或等于约60％、例如小于或等于约50％、小于或等于约40％、或者小于或等于约30％的电阻变化。
[0117] 具有前述结构的电导体可具有显著改善的导电性和高的光透射率并且可提供增强的柔性。所述电导体在小于或等于约100nm(例如，小于或等于约90nm、小于或等于约80nm、小于或等于约70nm、小于或等于约60nm、或者小于或等于约50nm)的厚度(例如，第一和/或第二导电层的厚度)下对于具有550nm波长的光(或者对于可见光，例如具有400nm-
700nm的波长)可具有大于或等于约85％、例如大于或等于约88％、或者大于或等于约89％的光透射率。所述电导体可具有如通过四点探针法测量的小于或等于约5,000欧姆/平方(Ω/□)、例如小于或等于约3,000Ω/□、小于或等于约2,500Ω/□、小于或等于约2,400Ω/□、小于或等于约2,300Ω/□、或者小于或等于约2,200Ω/□的薄层电阻，例如当其具有第二导电层时或者通过在纳米片的表面上具有金属簇(参见实施例3，导体3)。
700nm的波长)可具有大于或等于约85％、例如大于或等于约88％、或者大于或等于约89％的光透射率。所述电导体可具有如通过四点探针法测量的小于或等于约5,000欧姆/平方(Ω/□)、例如小于或等于约3,000Ω/□、小于或等于约2,500Ω/□、小于或等于约2,400Ω/□、小于或等于约2,300Ω/□、或者小于或等于约2,200Ω/□的薄层电阻，例如当其具有第二导电层时或者通过在纳米片的表面上具有金属簇(参见实施例3，导体3)。
[0118] 所述薄层电阻可小于约100欧姆/平方(Ω/□)、例如小于或等于约90Ω/□、小于或等于约80Ω/□、小于或等于约70Ω/□、小于或等于约60Ω/□、小于或等于约50Ω/□、小于或等于约40Ω/□、小于或等于约39Ω/□、小于或等于约38Ω/□、小于或等于约37Ω/□、小于或等于约36Ω/□、或者小于或等于约35Ω/□。
[0119] 在另外的实施方式中，制造前述电导体的方法可包括：
[0120] 提供包括钌氧化物纳米片的第一导电层；
[0121] 将金属盐化合物溶解在水中以获得金属盐水溶液；和
[0122] 使所述金属盐水溶液与第一导电层的表面接触以在第一导电层的表面上形成多个金属簇。
[0123] 所述钌氧化物纳米片、包括所述钌氧化物纳米片的第一导电层的形成、以及在第一导电层的表面上的金属簇和所述多个金属簇的形成与以上阐述的相同。
[0124] 所述金属盐水溶液中的金属盐化合物的浓度没有特别限制，只要其可导致所述金属簇的形成。例如，所述金属盐水溶液中的金属盐化合物的浓度可大于或等于约0.001mol/L例如大于或等于约0.005mol/L、大于或等于约0.01mol/L、或者大于或等于约0.05mol/L。
[0125] 所述接触可包括浸没(例如，浸渍)、喷射、涂覆、或其组合。接触时间没有特别限制并且可由本领域技术人员在没有过度实验的情况下适当地选择。例如，接触时间可大于或等于约1分钟、例如大于或等于约10分钟、大于或等于约1小时、或者大于或等于约2小时。
[0126] 所述方法可进一步包括将第一导电层的表面用溶剂(例如，C1-C5醇)洗涤以除去第一导电层的表面上的所述金属盐化合物。
[0127] 在另一实施方式中，电子器件包括所述电导体或所述杂化结构体。
[0128] 所述电子器件可为平板显示器、触摸屏面板、太阳能电池、电子视窗、电致变色镜、热镜、透明晶体管、或者柔性显示器。
[0129] 在一种示例性实施方式中，所述电子器件可为触摸屏面板(TSP)。所述触摸屏面板的详细结构可由本领域技术人员在没有过度实验的情况下确定。所述触摸屏面板的示意性结构示于图8中。参照图8，所述触摸屏面板可包括显示面板100、在用于显示器件的面板(例如，LCD面板)上的第一透明导电膜200、第一透明胶粘剂膜(例如，光学透明胶粘剂(OCA)层)300、第二透明导电膜400、第二透明胶粘剂膜(例如光学透明胶粘剂层)500、和用于显示器件的窗口600。第一透明导电层200和/或第二透明导电层400可对应于上述的电导体10。
[0130] 此外，上面描述了将所述电导体应用于触摸屏面板的实例(例如，TSP的透明电极)，然而，所述电导体不限于此并且可用作用于包括透明电极的其它电子器件的电极。例如，所述电导体可用作用于液晶显示器(LCD)的像素电极和/或公共电极、用于有机发光二极管器件的阳极和/或阴极、或者用于等离子体显示器件的显示电极。
[0131] 下文中，参照实施例更详细地说明实施方式。然而，这些实施例将绝不被解释为限制本公开内容的范围。
[0132] 实施例
[0133] [1]薄层电阻的测量：
[0134] 薄层电阻如下测量。
[0135] 测量设备：Mitsubishi loresta-GP(MCP-T610)，ESP型探针(MCP-TP08P)
[0136] 样品尺寸：宽度20cm×长度30cm
[0137] 测量结果：通过测量至少9次获得的平均值
[0138] [2]光透射率的测量：
[0139] 光透射率如下测量。
[0140] 测量设备：NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES(NDH-7000SP)
[0142] 样品尺寸：宽度20cm×长度30cm
[0143] 测量结果：由测量至少9次获得的平均值
[0144] [3]雾度的测量：
[0145] 雾度如下测量。
[0146] 测量设备：NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES(NDH-7000SP)
[0147] 样品尺寸：宽度20cm×长度30cm
[0148] 测量结果：由测量至少9次获得的平均值
[0149] [4]扫描电子显微镜(SEM)分析、原子力显微镜(AFM)分析和X-射线衍射分析分别使用如下进行：
[0150] FE-SEM(场发射扫描电子显微镜)NovaNano SEM 450(FEI Co.,Ltd.)、原子力显微镜(SPM)Bruker(Icon)、X-射线衍射仪(来自Bruker,D8Advance)。制备实施例1：经由使用两种类型的插层剂剥层合成钌氧化物纳米片
[0151] 将K2CO3和RuO2以5:8的摩尔比混合，并且将混合物造粒。将4克(g)所获得的粒料引入到氧化铝坩埚中并且在管式炉中在氮气气氛下在850℃下加热12小时(h)。如果期望，所述粒料的总重量可在1g-100g的范围内变化。然后，将所述炉冷却至室温，并将经处理的粒料移出且研磨为细粉末。
[0152] 将所获得的细粉末用100毫升(mL)-4升(L)水洗涤24h，然后过滤以提供粉末，其组成为K0.2RuO2.1·nH2O。然后将所述K0.2RuO2.1·nH2O粉末引入到1摩尔浓度(M)HCl溶液中，搅拌3天(d)，然后过滤以提供粉末，其组成为H0.2RuO2.1。
[0153] 将1g所获得的H0.2RuO2.1粉末引入到氢氧化四甲基铵(TMAOH)和氢氧化四丁基铵(TBAOH)的水溶液250mL中，并且搅拌大于或等于10d。在所述水溶液中，TMAOH和TBAOH的浓度分别为TMA+/H+＝3和TBA+/H+＝3。在完成所有过程之后，将最终溶液在2,000转/分钟(rpm)和30分钟(min)的条件下离心以获得剥离的RuO2.1纳米片。
[0154] 对于100个纳米片的扫描电子显微镜法(SEM)分析的结果证实，所述纳米片的平均横向尺寸为6.96μm。对所获得的纳米片进行X-射线衍射分析，并且其结果证实，层之间的距离为0.935nm。
[0155] 使用原子力显微镜(AFM)测量所述纳米片的厚度，并且其结果证实，平均厚度测定为1.66纳米(nm)。
[0156] 制备实施例2：包括钌氧化物纳米片的导电层的形成
[0157] 制备包括由制备实施例1获得的RuO2.1纳米片并且具有以下组成的涂覆液。
[0158] 所获得的RuO2.1纳米片的含水分散体(浓度：1g/L)：3g
[0159] HPMC水溶液(0.3wt％)：0.5g
[0160] 异丙醇：3g
[0161] 水：1g
[0162] 由所获得的RuO2.1纳米片涂覆液检测出少量TBAOH和TMAOH，其源自用于RuO2.1纳米片的剥层的插层剂。将RuO2.1纳米片涂覆液棒涂在聚碳酸酯基底(厚度：100μm)上并且在空气气氛下在85℃下干燥约3分钟。将所述过程重复若干次以提供具有3nm厚度的导电层。所获得的导电层的表面的扫描电子显微镜图像示于图5中。
[0163] 所获得的导电层的薄层电阻和光透射率分别为约2.48×104Ω/□和92.4％。雾度为约1.35。
[0164] 实施例1：
[0165] 为了在制备实施例2中获得的包括RuO2.1纳米片的导电层上进行Ag簇的吸附，制备具有0.05M浓度的AgNO3水溶液。将制备实施例2中获得的导电层浸没在所述AgNO3水溶液中并且在12小时之后取出。将所得导电层表面用乙醇洗涤以获得包括这样的RuO2.1纳米片的导体：其在所述纳米片的表面上具有银簇。
[0166] 所获得的导体的扫描电子显微镜图像示于图6A和6B中，其证实在所述纳米片的表4
面上形成银簇。所获得的导体的薄层电阻和光透射率分别为约1.87×10Ω/□和90％。与Ag簇的吸附之前的导电层相比，光透射率类似，但是薄层电阻降低25％。雾度为约1.43。
面上形成银簇。所获得的导体的薄层电阻和光透射率分别为约1.87×10Ω/□和90％。与Ag簇的吸附之前的导电层相比，光透射率类似，但是薄层电阻降低25％。雾度为约1.43。
[0167] 对于所获得的导体的能量色散X-射线光谱法(EDS)和扫描电子显微镜法(SEM)揭示，所述钌氧化物纳米片的表面的簇为银(Ag)，并且不是AgNO3。实施例2：
[0168] 在实施例1中获得的导体的表面上使用制备实施例2中描述的相同方法形成包括钌氧化物纳米片的导电层。所获得的导电层进行实施例1中阐述的相同程序以形成银簇，并且由此最终导体包括这样的RuO2.1纳米片：其不仅在所述钌氧化物纳米片的表面上而且在所述钌氧化物纳米片之间具有银簇。
[0169] 所获得的导体的扫描电子显微镜图像示于图7中，其证实在所述纳米片的表面上形成银簇。
[0170] 所获得的导电层的薄层电阻和光透射率分别为约6.76×103Ω/□和91.8％。与在Ag簇的吸附之前的导体相比，光透射率略微改善并且薄层电阻降低73％。雾度为约1.18。
[0171] 实施例3
[0172] 以与制备实施例2类似的方式制备包括钌氧化物纳米片的导电层。
[0173] 为了在包括RuO2.1纳米片的导电层上进行Ag簇的吸附，制备具有0.2M浓度的AgNO3水溶液。将以上形成的导电层浸没在所述AgNO3水溶液中并且在12小时之后取出。将所得导电层表面用乙醇洗涤以获得包括在各表面上具有银簇的RuO2.1纳米片的导体1。
[0174] 为了在包括RuO2.1纳米片的导电层上进行Ag簇的吸附，制备具有0.05M浓度的CH3CO2Ag水溶液。将如以上形成的导电层浸没在所述CH3CO2Ag水溶液中并且在12小时之后取出。将所得导电层表面用乙醇洗涤以获得包括在各表面上具有银簇的RuO2.1纳米片的导体2。
[0175] 为了在包括RuO2.1纳米片的导电层上进行Ag簇的吸附，制备具有0.05M浓度的CH3CO2Ag水溶液。将如以上形成的导电层浸没在所述CH3CO2Ag水溶液中并且在72小时之后取出。将所得导电层表面用乙醇洗涤以获得包括在各表面上具有银簇的RuO2.1纳米片的导体3。
[0176] 对于导体1、导体2、和导体3，测量薄层电阻、光透射率、和雾度并且结果汇总于表5中。
[0177] 表5
[0178]
[0179] 导体1、导体2、和导体3的扫描电子显微镜分析证实，具有约10-约20nm的尺寸(例如，如通过SEM测量的尺度)的Ag颗粒(即，Ag簇)吸附在所述钌氧化物纳米片的表面上。此外，导体1、导体2、和导体3的薄层电阻与在Ag颗粒的吸附之前的导电层相比分别降低约24.8％、12.4％、和77.5％。
[0180] 实施例4：包括纳米线层和钌氧化物纳米片层的导体的制备
[0181] [1]制备包括由制备实施例1获得的RuO2.1纳米片并且具有以下组成的涂覆液。
[0182] 所获得的RuO2.1纳米片的含水分散体：3g
[0183] HPMC水溶液(0.3wt％)：0.5g
[0184] 异丙醇：3g
[0185] 水：1g
[0186] 从所获得的RuO2.1纳米片涂覆液检测到少量的TBAOH和TMAOH，其源自用于所述纳米片的剥层的插层剂。将RuO2.1纳米片涂覆液棒涂在聚碳酸酯基底上并且在空气气氛下在85℃下干燥。将所述过程重复3次以提供第一导电层。证实通过棒涂获得的第一导电层具有约1-5nm的厚度。通过4点探针测量(试样尺寸：10cm的宽度×10cm的长度，由Mitsubishi Chemical Analytech制造的测量设备，型号名称：MCP-T610)。通过使用雾度计(由Nippon Denshoku制造，型号名称：NDH-7000SP)考虑除基底的光吸收之外的仅材料的吸收而测量透射率。结果，薄层电阻为1.20×105Ω/□且透射率为92.4％。
[0187] [2]制备包括以下组分的包含Ag纳米线的涂覆液。
[0188] Ag纳米线水溶液(浓度：0.5wt％，Ag纳米线的平均直径＝30nm)：3g
[0189] 溶剂：水7g和乙醇3g
[0190] 粘合剂：羟丙基甲基纤维素水溶液(浓度：0.3％)0.5g
[0191] 将包含Ag纳米线的涂覆液棒涂在第一导电层上，然后在空气气氛下在85℃下干燥1分钟以制造电导体。
[0192] [3]对所获得的电导体进行SEM分析并且结果证实，电导体具有钌氧化物纳米片/银纳米线的混杂结构体(结构)。
[0193] 以与以上阐述的相同的方式测量电导体的薄层电阻和透射率。结果，薄层电阻为33.39Ω/□且透射率为89.1％。
[0194] 虽然已经结合了当前被认为是实践性的示例性实施方式的内容描述了本公开内容，但是将理解，本发明不限于所公开的实施方式，而是相反，意图涵盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。
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