专利汇可以提供直拉法生长硅单晶过程中测量晶体直径的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及单晶 硅 生产技术,特别涉及 直拉法 生长硅单晶过程中测量晶体直径的方法。包括以下步骤:(1)设置CCD摄像机,根据原始热场设计获得参照物直径Ф1,晶体实际直径,记为Ф;(2)晶体实际生长过程中,CCD摄像机计算得到图像中参照物直径记为φ1,参照物在硅熔体表面的倒影直径φ2,晶体与液面交界面图像,将此时晶体直径记为φ;(3)CCD捕捉到图像中参照物在液面垂直投影直径可近似计算φ3=(φ1+φ2)/2,直径Ф1=Ф3,图像中φ/φ3=Ф/Ф3=Ф/Ф1,即Ф=Ф1×(φ/φ3)=Ф1×[2φ/(φ1+φ2)]。本发明装置最终实现准确测量晶体直径和实时测量,从而提高晶体直径控制 精度 和工艺 稳定性 。,下面是直拉法生长硅单晶过程中测量晶体直径的方法专利的具体信息内容。
1.一种直拉法生长硅单晶过程中测量晶体直径的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)在直拉法生长硅单晶炉的观察窗外设置CCD摄像机,CCD摄像机通过信号线与计算机相连,CCD摄像机将拍摄到的参照物及硅熔体表面的图像信号传送至计算机,并进行数据转换和图像测量;其中,根据原始热场设计获得参照物直径Ф1,晶体实际直径,记为Ф;
(2)晶体实际生长过程中,CCD摄像机拍摄硅单晶生长过程中某一时刻的图像后,计算得到图像中参照物直径记为φ1,参照物在硅熔体表面的倒影直径φ2,晶体与液面交界面图像,该交界面直径等于晶体直径,将此时晶体直径记为φ;
(3)CCD捕捉到图像中参照物在液面垂直投影直径近似计算φ3=(φ1+φ2)/2,φ3与晶体与熔体交界位置光圈位于同一平面,参照物在液面投影实际直径等于参照物直径Ф1=Ф3,因此图像中φ/φ3=Ф/Ф3=Ф/Ф1,即Ф=Ф1×(φ/φ3)=Ф1×[2φ/(φ1+φ2)]。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述参照物为导流筒。
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