专利汇可以提供Contact forming method专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且PURPOSE: To increase the integration density without providing the magin for alignment of mask, by coating the mask material on the scheduled contact part of the first conductive layer and by forming spin on glass film on other parts.
CONSTITUTION: The electrode polycrystal silicon layer 14 is formed on the silicon oxide film 12 formed by covering the surface of the silicon semiconductor substrate 10 with CVD method and photo etching method, and the photo resist layer 20 as the mask material is selectively coated on the scheduled part of contact of the silicon layer 14. SOG film 26 is formed on the parts not convered with the photo resist layer 20 and the photo resist layer 20 is removed with the method using the plasma asher. By removing the unnecessary part after vacuum evaporation of aluminum, the wiring aluminum layer 18 of specified pattern is formed. The aluminum layer 18 is in ohmic contact with the silicon layer 14 via the contact hole 26a.
COPYRIGHT: (C)1979,JPO&Japio,下面是Contact forming method专利的具体信息内容。
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