“高分辨率”电阻抗成像的设备和方法
阅读：854发布：2020-05-13
专利汇可以提供“高分辨率”电阻抗成像的设备和方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种高 分辨率 电阻 抗成像 的方法，包括：在第一 位置 使用由 电极 框架 (30)限定的 采样 点(22)的阵列，其中，电极框架限定了采样点的相对位移；以及在不同的第二位置使用由相同的电极框架限定的采样点的不同的阵列。，下面是“高分辨率”电阻抗成像的设备和方法专利的具体信息内容。
1.一种电阻抗成像方法，包括：
通过以下方式增加用于图像产生的采样点的数量和密度：
(i)使用由物理定位在第一位置的电极框架限定的采样点的阵列，其中，所述电极框架限定采样点的相对位移；以及
(ii)使用由已物理重新定位在不同的第二位置的相同电极框架限定的采样点的不同的阵列，
其中，在步骤(ii)处，使用由已物理重新定位到多个不同的第二位置的相同电极框架限定的采样点的多个不同阵列，其中，所述采样点的多个不同阵列由处于与所述第一位置处的所述电极框架限定的采样点的阵列不同的位置偏移量的所述相同电极框架限定，并且其中，所述第一位置和所述第二位置之间的偏移由线性平移限定，所述线性平移由第一基本向量的分量和/或第二基本向量的分量限定，所述不同的位置偏移量由不同的
2
线性平移限定，N个不同的位置偏移量是通过将所述第一基本向量细分为N个第一子部分以及将所述第二基本向量分为N个第二子部分并通过一个或多个第一子部分和一个或多个第二子部分的线性组合来限定所述线性平移来限定的，其中N为大于等于二的整数。
2.如权利要求1所述的方法，其中，其中所述第一基本向量和所述第二基本向量限定被网格化以形成所述电极框架的电极的单位单元。
3.如权利要求2所述的方法，其中，所述单位单元由在由所述第一基本向量和所述第二基本向量限定的坐标空间中的四个电极位置(0，0)、(1，0)、(0，1)、(1，1)进行限定，其中，所述电极框架由网格化的电极位置限定。
4.如权利要求3所述的方法，其中，所述第一基本向量和所述第二基本向量具有相同的大小但具有不同的方向。
5.如前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，每个不同的线性平移由所述第一基本向量的分量和/或所述第二基本向量的分量限定。
6.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一子部分和所述第二子部分是相同大小的。
7.如权利要求1所述的方法，其中，所述电极框架是相对于彼此具有固定的相对位置的电极的固定排列。
8.如权利要求1-4和6-7中的任一项所述的方法，其中，使用采样点的阵列包括将输入电信号提供给一对采样点；以及
至少从其他采样点中获取一对输出电信号。
9.如权利要求8所述的方法，其中，使用采样点的阵列包括重复地：
将输入电信号提供给一对采样点电极；以及
从所述其他采样点的子集接收输出电信号；以及
改变输入采样点电极和/或改变输出采样点电极的子集。
10.如权利要求1-4、6-7和9中的任一项所述的方法，还包括使用电阻抗测量来产生电阻抗图像，其中，所述电阻抗测量是使用由所述电极框架在多个不同位置限定的多个不同采样阵列来完成的。
11.如权利要求10所述的方法，其中，所产生的电阻抗图像相比于只使用采样点的单一阵列的电极框架的分辨率具有更高的分辨率。
12.一种设备，包括用于执行权利要求1至11中的任一项所述的方法的装置。
13.一种设备，包括：
至少一个处理器；以及
至少一个存储器，其包括计算机程序代码；
所述至少一个存储器和所述计算机程序代码被配置成采用所述至少一个处理器使得所述设备执行根据权利要求1至11中的任意一项所述的方法。
14.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序指令，当由处理器执行时，所述计算机程序指令实现根据权利要求1至11中的任意一项所述的方法。
“高分辨率”电阻抗成像的设备和方法
发明领域
[0002] 发明背景
[0003] 电阻抗乳腺X线摄影(EIM)或者电阻抗成像(EII)，也称作电阻抗X线断层摄影(EIT)、电阻抗扫描器(EIS)以及施加电位断层摄影(APT)，是特定用于医疗应用的成像技术。
[0004] 该技术对诸如人体的物体内部的电阻抗的空间分布进行成像。该技术作为医疗诊断工具是有吸引力的，因为它是非创伤性的，并且不利用如同在X射线断层摄影中的电离辐射，也不利用如同在磁共振成像(MRI)中的强烈且高度均匀的磁场的生成。
[0005] 通常，均匀分布的电极的二维(2D)或三维(3D)阵列附接于将要成像的物体的所关注的区域的周围。要么输入电压被施加在多对“输入”电极两端而在“输出”电极处测量输出的电流，要么在多对“输入”电极之间施加输入电流而在“输出”电极之间或在多对输出电极之间测量输出电压。例如，当在一对“输入”电极之间施加非常小的交流电流时，测量到所有其他对“输出”电极之间的电位差。然后，在不同的一对的“输入”电极之间施加电流，并测量到所有其他对的“输出”电极之间的电位差。使用适当的图像重构技术构建图像。
[0007] 与癌症相关的组织和细胞的改变引起电阻抗的显著的局部变化，并且可以被成像。WO 00/12005公开了电阻抗成像设备的示例，其可用于检测乳腺癌或其他癌。
[0008] 概述
[0010] 这些实施例实现了与传统电阻抗成像相比“更高”分辨率的图像。
[0011] 简要描述
[0013] 图1示出适于执行电阻抗成像的设备的示例；
[0014] 图2A和图2B示出收发器电路的示例；
[0015] 图3示出了方法；
[0018] 图6示出了方法的示例；
[0020] 图7C示出的示例中，测量了相邻的采样点对之间的电压差；
[0021] 图8示出电极框架可如何被(重新)定位而不需要(重新)定位电极阵列的示例；
[0022] 图9至图12示出电极框架可如何通过(重新)定位电极阵列来(重新)定位的示例；
[0023] 图13和图14示出基于“正方形电极”的框架的不同示例；
[0024] 图15、图17A和图17B示出怎样通过(重新)定位“三角形电极阵列”可以(重新)定位电极框架的另一个示例；
[0025] 图16A示出控制电路的示例；以及
[0026] 图16B示出计算机程序的发送机构。
[0027] 详细描述
[0028] 在下面的描述中，将参考电极12、包括多个电极的电极阵列10、电极框架30、采样点22的阵列20、以及采样点22的子集。在初始阶段阐明这些术语之间的相似性和不同是有益的。
[0029] 电极20是物理的、导电的电极，用于提供电信号和/或接收电信号。电极阵列10是电极12在空间上的物理排列。该排列最常见地固定成使得电极12具有相对于彼此固定的空间关系。
[0030] 采样点22是对应于电极12并且可用于提供电信号和/或接收电信号的点。采样点22的阵列20限定对该时间点处的采样可用的采样点22。采样点的阵列由电极框架30在空间中的位置来确定。
[0031] 电极框架30限定采样点22在空间中的相对排列。可将电极框架30固定成使得采样点22具有相对于彼此固定的空间关系。然而，可以将电极框架30重新定位。
[0033] 在可方便地被称作“虚拟重新定位实施例”的第一实施例中，电极框架30是电极阵列10的子集。可通过选择电极阵列10中的电极12的子集来限定电极框架30。可通过选择电极阵列10中的电极12的不同的子集来改变电极框架30的位置。
[0034] 相反，在可方便地被称作“物理重新定位实施例”的第二实施例中，电极框架30与电极阵列10相同。在电极阵列10中的电极12和电极框架30中的采样点22之间有一对一的对应。通过电极阵列10(电极框架30)的不同的物理位置限定采样点22的不同的阵列20，而电极阵列10的位置的物理变化改变了电极框架30的位置，并且因此改变了采样点22的阵列。
[0035] 在本发明的第一和第二实施例中，通过使用由在第一位置的电极框架30限定的采样点22的阵列20来实现电阻抗成像，其中，电极框架30限定采样点22的相对位移；以及通过使用由在不同的第二位置的相同的电极框架30限定的采样点22的不同的阵列20来实现电阻抗成像。
[0036] 需要理解的是，在第一实施例中，通过改变在电极框架30中使用的电极12实现采样点22的阵列20的变化，而在第二实施例中，通过改变电极框架30(电极阵列10)的物理位置实现采样点22的阵列20的变化。
[0037] 图1示出适于执行电阻抗成像的设备2的示例。
[0038] 设备2包括电极阵列10，电极阵列10包括多个电极12。电极12通常由基体14支撑。电极12可以相对于基体14的表面凹进。电极12用于向受验者的主体4提供电信号，并响应的电信号来接收。
[0040] 在这个示例中，电极阵列10是平面阵列，并且电极12位于单个平坦平面内。
[0041] 切换电路3用于控制在多个电极12之中用于向主体4提供在收发器5产生的输入信号的电极12，并且切换电路3用于控制在多个电极12之中用于从主体4向收发器电路5提供作为答复的电信号的电极12。
[0042] 切换电路3可以由控制电路7控制。另外，控制电路7也可控制收发器电路5。
[0043] 收发器电路5向处理电路9提供了从电极12接收的信号，在处理电路9中处理电信号以产生电阻抗图像。
[0044] 如在图2A和图2B中所示，收发器电路5和切换电路3通常协同工作，以将输入电信号提供给一对电极12，并从多个电极12接收作为答复的电信号。所提供的电信号可以是交流信号，并且所提供的电信号的频率可由控制电路7控制。例如，频率可以在100Hz到10MHz之间变化。输入电信号通常包括多个不同的频率，并且至少一些频率高于1MHz。已使用从100Hz到高于1MHz(优选为达到10MHz)的频率，其频率带宽超出1MHz。
[0045] 可以将组织或细胞群的总阻抗模型化为平行的细胞内的阻抗和平行的细胞外阻抗。可以将细胞内的阻抗模型化为电容Ci和电阻Ri的串联。可以将细胞外的阻抗模型化为电阻Rx。在较低频率处，总阻抗受Rx支配，在较高频率处，总阻抗受Ri//Rx支配。频率响应对于Ci、Ri以及Rx的变化敏感，并且可用于识别不正常组织的存在。
[0046] 在图2A的示例中，收发器电路5提供电流形式的电信号，并从电极接收所检测的电压形式的电信号。在图2B的示例中，收发器电路提供当作电压的输入电信号，并且从相同或不同的电极接收电流形式的电信号。
[0047] 图3示出可以由设备2执行的方法100。
[0048] 方法100是电阻抗成像法的方法。在块102，方法100放置电极框架30。电极框架30限定采样点22的固定的相对位移。放置电极框架限定采样点22的阵列20。例如，如果将电极框架30放置在第一位置，则电极框架30限定采样点22的第一阵列。
[0049] 然后，由电极框架30的位置所限定的采样点22的阵列用于电阻抗测量。
[0050] 然后，该方法返回到块102，在块102中，将电极框架30的位置改到新的第二位置。电极框架30的新的第二位置限定采样点22的新的第二阵列20，采样点22的新的第二阵列20用于电阻抗测量。然后，该方法又进行到块104，在块104中，由电极框架的新位置所限定的采样点22的不同的阵列用于电阻抗测量。使用由相同电极框架30的不同位置所限定的采样点22的多个不同的阵列20，该方法可重复很多次以产生不同组的电阻抗测量数据。
[0051] 在块106，针对在采样点22的不同阵列20之中每一个的电阻抗测量数据用于产生电阻抗图像。应理解的是，用于产生这个图像的采样点22的数量和密度大于在只使用采样点22的单一阵列20的时候要使用的采样点22的数量和密度。因此，所产生的电阻抗图像具有较高的分辨率。
[0052] 因此，应理解的是，可以使用电极框架30的重新定位来限定采样点22的不同阵列20，以产生高分辨率的电阻抗图像。
[0053] 电极框架30可由电极12的网格化单位单元200限定。图4A和图4B示出电极12的可能的单位单元200的不同示例。
[0054] 每个单位单元200由第一基本向量a201和第二基本向量b202限定。单位单元200的电极12的四个位置被在由第一基本向量201和第二基本向量202限定的坐标空间中的(0，0)、(1，0)、(0，1)、(1，1)限定。
[0055] 单位单元200的网格化产生电极框架30。由网格化单位单元200限定的电极12的位置之中的每个电极12的位置均限定采样点22的阵列20中的采样点22。
[0056] 在图4A的示例中，第一基本向量201与第二基本向量202正交，且单位单元200是矩形的或正方形的。在图4B的示例中，第一基本向量201与第二基本向量202不平行，且单位单元200是平行四边形的。在一些示例中，而不必在全部示例中，第一基本向量201和第二基本向量202之间的角度θ可以是60°。
[0057] 在一些示例中，而不必在全部示例中，第一基本向量201的大小和第二基本向量202的大小可以相同，例如，使得图4A中的单位单元200是正方形的而图4B中的单位单元是菱形的。
[0058] 图5A和图5B示出可使用所限定的位置偏移量32重新定位的电极框架30。
[0059] 在这个示例中，偏移量是相对于第一基本向量201和第二基本向量202限定的线性平移。然而，在其他示例中，偏移量可以是单位单元200的旋转。
[0060] 在图5A中示出电极框架30的示例。在这个示例中，电极框架30包括四个正方形的单位单元200和九个电极12。在其他示例中，电极框架30可以包括其他数量的单位单元和电极，以及其他形状的单位单元200，诸如在图4A中示出的矩形或在图4B中示出的平行四边形。
[0061] 图5B示出了可用于重新定位电极框架30的偏移量32的示例。在这个示例中，把单位单元的第一基本向量201划分为N＝2的子部分，并把单位单元200的第二基本向量202划分为N＝2的子部分。因此，针对电极框架30限定四个不同的偏移量是可能的。例如，相对于第一基本向量201和第二基本向量202，这些偏移量可以被限定为(0，0)、(1/2，0)、(0，1/2)和(1/2，1/2)。
[0062] 因此，通过由第一基本向量201的分量和第二基本向量202的分量限定的线性平移可以限定不同的偏移量。
[0063] 可以理解的是，沿着每个基本向量将单位单元200细分为N个，产生了N2个不同的偏移量。每个不同的偏移量在用于偏移电极框架30时，限定采样点22的新的不同的阵列20。
[0064] 在图5B的示例中，第一基本向量201和第二基本向量202二者的子部分等于(N)，然而，更一般地，电极框架30的不同的偏移量可由线性平移限定；
[0065] n.a/N+m.b/M，其中n＝0,1...N-1，并且m＝0,1...M-1。
[0066] 图6示出图3中的块104的示例。这个图示出了怎样使用由电极框架30的特定位置限定的采样点22的阵列20。
[0067] 对于电极框架30的每个位置(即对于采样点22的每个不同的阵列20)，可以执行下列方法。
[0068] 在块110，将电输入信号提供给采样点22的阵列20的一对采样点22,例如，如在图7A和图7B中所示。在这些示例中，输入信号是在该对采样点22之间施加的电流。
[0069] 接下来在块112，有对来自采样点22的阵列20的其他采样点22的子集的电输出信号的接收，如在例如图7C中所示。在图7C的示例中，测量了采样点22的相邻的对之间的电压差。
[0070] 然后，块110和块112重复改变采样点22的输入对以及采样点22的子集。
[0071] 图8示出电极框架30可如何被定位而不需要定位电极阵列10的示例。在这个示例中，电极框架30是电极阵列10的子集。通过改变电极阵列10中的电极12的子集来改变电极框架30的位置。在这个示例中，在每个可能的采样点22有电极12。
[0072] 通过网格化单位单元200结合网格化单位单元的位置的所有可能的偏移量值来限定在电极阵列10中的电极12的位置。
[0073] 网格化单位单元200限定电极框架30，并且可能的偏移量值中的每一个可能的偏移量值均限定电极框架30的位置。改变偏移量来改变在电极12中哪一个被使用，并且因此改变电极框架30的位置。因此，应理解的是，在电极阵列10中的电极12和采样点的阵列20中的采样点22之间没有一对一的映射。电极阵列10是以不同的方式进行子采样的，以产生采样点22的不同阵列20。
[0074] 这个图包括识别电极阵列10中的电极12，并使用单独的指示来识别第一电极框架30(第一偏移量)、第二不同的电极框架30(第二偏移量)、第三不同的电极框架30(第三偏移量)以及第四不同的电极框架30(第四偏移量)的图例。
[0075] 虽然在图7A、图7B、图7C和图8中所示的电极框架包括全部的矩形或正方形的单位单元，但是其他形状也是可能的，诸如，例如如在图4B或图15A中所示的平行四边形。
[0076] 图9至图12示出怎样通过重新定位电极阵列10可以重新定位包括矩形的或正方形的单位单元的电极框架30的示例。在这个示例中，在电极阵列10的电极12和采样点22的阵列20的采样点22之间有一对一的映射。
[0077] 通过电极阵列10的电极12来限定电极框架30。电极框架30的定位和重新定位包括物理定位和重新定位电极阵列10。
[0078] 在这个示例中，单位单元200的网格化既限定了电极框架30，又限定了电极阵列10。单位单元的偏移量代表在电极阵列10和电极框架30的物理变化。
[0079] 图1中的控制电路7可以用于例如使用电机或一组数字的或模拟的步进电机来控制电极阵列10的移动。这可以准确至微米。
[0080] 图9示出由电极12限定的电极框架30的示例。电极框架30限定采样点22的阵列20，其中，每个采样点对应于电极12。
[0081] 图10A示出使用四个不同的偏移量32以产生采样点22的四个不同的阵列20。图10B示出结合的采样点22的所有四个阵列20。
[0082] 因此，应理解的是，在任何时间点，将使用图9中所示的采样点22的阵列20。在不同的时间，将使用对应于由不同的偏移量32所限定的电极框架30的不同位置的采样点22的不同阵列20，并且因此，随着时间变化，在图10B中所示的采样点22将会在阻抗成像方法中使用。
[0083] 可以理解的是，图10B中的采样点22的数量和密度比在图9A中的采样点22的数量和密度大四倍。结果，使用图10B中的采样点22产生的阻抗图像将具有比使用图9中的采样点22产生的阻抗图像更高的分辨率。
[0084] 应当理解的是，图10A中实施的不同的偏移量32的顺序使得电极框架30的位置上的每个改变仅涉及单位单元200的第一基本向量201或第二基本向量202在方向上的改变。电极阵列10按照有序的序列移动以实现每个偏移量32。在这个示例中，第一基本向量201与第二基本向量202正交。
[0085] 在图10A的示例中，单位单元200的每个基本向量被划分为两个。这产生采样点22的四个不同的偏移量以及四个不同的阵列20。
[0086] 在图11的示例中，每个基本向量被分为三个，并且这产生九个不同的偏移量，并因此产生采样点22的九个不同的阵列20。
[0087] 在图12的示例中，每个基本向量被分为四个，导致采样点22的十六个不同的偏移量值以及十六个不同的阵列20。
[0088] 然而，应理解的是，单位单元200的每个基本向量可被分为N个(N-1个插值)。这产生采样点22的N2个不同的偏移量以及N2个不同的阵列20。
[0089] 应理解的是，采样点22的不同阵列中的每一个均用于获得输出电信号，例如如同在之前关于图6所描述的。
[0090] 图9示出用于限定采样点22的阵列20的电极框架30的一个示例。然而，使用不同的电极框架30是可能的。图13和图14示出不同的电极框架30。
[0091] 图15、图17A和图17B示出怎样通过重新定位电极阵列10可以重新定位包括平行四边形的或菱形的单位单元的电极框架30的示例。在这个示例中，在电极阵列10的电极12和采样点22的阵列20的采样点22之间有一对一的映射。
[0092] 通过电极阵列10的电极12来限定电极框架30。电极框架30的定位和重新定位包括物理定位和重新定位电极阵列10。
[0093] 在这个示例中，单位单元200的网格化既限定了电极框架30，又限定了电极阵列10。单位单元的偏移量代表在电极阵列10和电极框架30的物理变化。
[0094] 图1中的控制电路7可以用于例如使用电机或一组数字的或模拟的步进电机来控制电极阵列10的移动。这可以准确至微米。
[0095] 图17A示出由电极12限定的电极框架30的示例。电极框架30限定采样点22的阵列20，其中，每个采样点对应于电极12。
[0096] 图15示出使用四个不同的偏移量32以产生采样点22的四个不同的阵列20。图17B示出结合的采样点22的所有四个阵列20。
[0097] 因此，应理解的是，在任何时间点，将会使用图17A中所示的采样点22的阵列20。在不同的时间，将使用对应于由不同的偏移量32所限定的电极框架30的不同位置的采样点22的不同阵列20，并且因此，随着时间变化，在图17B中所示的采样点22将会在阻抗成像方法中使用。
[0098] 可以理解的是，图17B中的采样点22的数量和密度比在图17A中的采样点22的数量和密度大四倍。结果，使用图17B中的采样点22产生的阻抗图像将具有比使用图9中的采样点22产生的阻抗图像更高的分辨率。
[0099] 应当理解的是，图15中实施的不同的偏移量32的顺序使得电极框架30的位置上的每个改变仅涉及单位单元200的第一基本向量201或第二基本向量202在方向上的改变。电极阵列10按照有序的序列移动以实现每个偏移量32。在这个示例中，第一基本向量201与第二基本向量202不正交。在这个示例中，第一基本向量201与第二基本向量202之间的角度是60°。
[0100] 在图17A的示例中，单位单元200的每个基本向量被划分为两个。这产生采样点22的四个不同的偏移量以及四个不同的阵列20。
[0101] 然而，应理解的是，单位单元200的每个基本向量可被分为N个(N-1个插值)。这产生采样点22的N2个不同的偏移量以及N2个不同的阵列20。
[0102] 应理解的是，采样点22的不同阵列中的每一个均用于获得输出电信号，例如如同在之前关于图6所描述的。
[0103] 图17A示出用于限定采样点22的阵列20的电极框架30的一个示例。然而，使用不同的电极框架30是可能的。
[0105] 如在图16A中所述，例如，通过使用通用处理器或专用处理器200中的、可以储存在将要由这样的处理器200执行的计算机可读存储介质(磁盘、存储器等)的可执行计算机程序指令204，控制器7可以使用使能硬件的功能性的指令来实施。
[0106] 处理器200被配置为从存储器202读取并向存储器202写入。处理器200也可以包括输出接口和输入接口，数据和/或命令由处理器200经由输出接口输出，数据和/或指令由处理器200经由输入接口输入。
[0107] 存储器202储存计算机程序204，计算机程序204包括当装载在处理器200中时控制设备2的运行的计算机程序指令(计算机程序代码)。计算机程序204的计算机程序指令提供使设备能够执行在图3和图6中示出的方法的逻辑和例程。通过读取存储器202，处理器200能够装载和执行计算机程序204。
[0108] 因此，设备2包括：
[0109] 至少一个处理器200；以及
[0110] 至少一个存储器204，其包括计算机程序代码204，
[0111] 至少一个存储器202以及计算机程序代码204被配置成采用至少一个处理器200使得设备2至少执行：
[0112] 使用由在第一位置的电极框架限定的采样点的阵列，其中，电极框架限定采样点的相对位移；以及
[0113] 使用由在不同的第二位置的相同电极框架限定的采样点的不同的阵列。
[0114] 如图16B中所示，计算机程序204可经由任何合适的发送机构210到达设备2。发送机构210可以例如是非暂时性的计算机可读存储介质、计算机程序产品、存储设备、诸如光盘只读存储器(CD-ROM)或数字通用盘(DVD)的记录介质、可触摸地体现计算机程序204的制品。发送机构可以是被配置成可靠地传输计算机程序204的信号。设备2可以将计算机程序204作为计算机数据信号传播或传输。
[0115] 虽然存储器202以单一元件/电路示出，但是存储器可以实施为一个或多个单独的元件/电路，所述一个或多个单独的元件/电路中的一些或全部可以是集成的/可移除的，和/或所述一个或多个单独的元件/电路中的一些或全部可以提供永久/半永久/动态/缓存的存储。
[0116] 虽然处理器200以单一元件/电路示出，但是存储器可以实施为一个或多个单独的元件/电路，所述一个或多个单独的元件/电路中的一些或全部可以是集成的/可移除的。处理器200可以是单核处理器或多核处理器。
[0117] 所指称的“计算机可读存储介质”、“计算机程序产品”、“可触摸地体现计算机程序”等或者“控制器”、“计算机”、“处理器”等，应理解为不仅包含具有不同架构的计算机，诸如单处理器架构/多处理器架构以及时序(冯诺依曼)架构/并行架构，而且包含特殊电路，诸如现场可编程门阵列(FPGA)、专用电路(ASIC)、信号处理设备以及其他处理电路。所指称的计算机程序、指令、代码等应被理解为包含可编程处理器的软件或固件，诸如，例如，硬件设备的可编程内容，无论是针对处理器的指令、或是针对固定功能的设备、门阵列或可编程逻辑设备等的配置设定。
[0118] 图3和图6中示出的块可以代表方法中的步骤和/或计算机程序204中的代码的一部分。块的特定顺序的示出不一定意味着块的必需或优选的顺序，并且块的顺序和排列可以变化。此外，有可能将一些块省略。
[0119] 在此使用的“模块”指的是将由终端制造商或用户添加的特定部分/元件排除在外的单元或设备。设备2可以是模块。
[0120] 在本文档中使用的术语“包括”具有开放性而不是封闭性的意思。对X包括Y的任何提及表明X可以仅包括一个Y，或可以包括多于一个的Y。如果想要采用封闭性的意思使用“包括”，那么将会在上下文中清楚地指出“仅包括一个”或使用“由……构成”。
[0121] 在这个简要描述中，已经以各种示例作为参考。参考示例对特征或功能的描述表示那些特征或功能存在于该示例中。文中对术语“示例”或“例如”或“可以”的使用指示：无论是否明确声明，这样的特征或功能至少存在于所描述的示例中，并且无论是否描述为示例，它们可以但不必须存在于一些或全部的其他示例中。因此，“示例”或“例如”或“可以”指的是一类示例之中的特定实例。实例的性质可以仅仅是那个实例的性质，或者是该类的性质，或者是包括该类实例之中的一些而非全部之中的一类之中的子类的性质。
[0122] 尽管参照各种示例在前述段落中描述了本发明的实施例，应理解的是，在不偏离所要求的发明范围的情况下，可做出对所给出的示例的各种变化。
[0123] 前述描述中所描述的特征可以以不同于明确地进行描述的组合的组合进行使用。
[0124] 虽然已经参考一些特征描述了功能，但是无论是否描述，通过其他特征那些功能可以是可执行的。
[0125] 虽然已参考特定实施例描述了特征，但是无论是否描述，那些特征同样可以存在在其他实施例中。
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